JPS59229866A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS59229866A JPS59229866A JP5324484A JP5324484A JPS59229866A JP S59229866 A JPS59229866 A JP S59229866A JP 5324484 A JP5324484 A JP 5324484A JP 5324484 A JP5324484 A JP 5324484A JP S59229866 A JPS59229866 A JP S59229866A
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- electrode
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- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置番と関する。
従来、半導体素子の電極配線構造は、半導体基板に直接
金属を蒸着した構造で、比較的深いＰＮ接合には有効で
あった。近年、半導体技術の進歩により、非常に浅いＰ
Ｎ接合（シャロー・ジャンクシ５ン型）の製作が可能と
なり、この浅いＰＮ接合を有する半導体素子に電極を形
成する際に、直接電極用金属を蒸着し、熱処理を行うと
、この電極用金属が半導体中に拡散されたり、接合部を
突き抜ける事故が多発する。
金属を蒸着した構造で、比較的深いＰＮ接合には有効で
あった。近年、半導体技術の進歩により、非常に浅いＰ
Ｎ接合（シャロー・ジャンクシ５ン型）の製作が可能と
なり、この浅いＰＮ接合を有する半導体素子に電極を形
成する際に、直接電極用金属を蒸着し、熱処理を行うと
、この電極用金属が半導体中に拡散されたり、接合部を
突き抜ける事故が多発する。
このため１．不鈍物拡散層が変化し、層抵抗が変化する
とか、接合が短絡する等の欠点を有していた。
とか、接合が短絡する等の欠点を有していた。
これらの欠点を補うものとして最近第１図のような電極
配線構造のものが提案されている。
配線構造のものが提案されている。
すなわち、シリコン基板１の一表面に選択的に形成され
た酸化膜２をマスクとして不純物拡散層３を形成する。
た酸化膜２をマスクとして不純物拡散層３を形成する。
さらに不純物拡散層３の一部を残して酸化膜４を形成し
、その全面に多結晶シリコン層を成長させ、不純物拡散
層３と同じ導電型を示す不純物を拡散後熱酸化を行い、
多結晶シリコン層５と不純物拡散層３の電気的導通を得
るとともに酸化膜６を形成する。その後、酸化Ｉｙｃ６
を開孔し、蒸着により金属電極７を形成する。すなわち
上述の多結晶シＩＪコン５をシリコン基板と金属電極と
の間にはさむこと１こより、シリコンへの金属の拡散を
防ごうとする意図のものであるか、ある程度は防止でき
ても、完全ではなく、装置において耐圧、リーク等の電
気的不安定性を生ずることが少なくなかった。
、その全面に多結晶シリコン層を成長させ、不純物拡散
層３と同じ導電型を示す不純物を拡散後熱酸化を行い、
多結晶シリコン層５と不純物拡散層３の電気的導通を得
るとともに酸化膜６を形成する。その後、酸化Ｉｙｃ６
を開孔し、蒸着により金属電極７を形成する。すなわち
上述の多結晶シＩＪコン５をシリコン基板と金属電極と
の間にはさむこと１こより、シリコンへの金属の拡散を
防ごうとする意図のものであるか、ある程度は防止でき
ても、完全ではなく、装置において耐圧、リーク等の電
気的不安定性を生ずることが少なくなかった。
本発明は、上記欠点を艦み、実質的に電極用金属の半導
体内への拡散を防止できる電極配線構造を備え、かの信
頼性が高く、かつ配線の断線がなく、フィールド領域の
所定の絶縁分離が可能な集積回路に適した半導体装置を
提供することを目的とする。
体内への拡散を防止できる電極配線構造を備え、かの信
頼性が高く、かつ配線の断線がなく、フィールド領域の
所定の絶縁分離が可能な集積回路に適した半導体装置を
提供することを目的とする。
本発明の特徴は、半導体基板の一生表面に設けられた第
１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜に設けられた第１の開口
と、該第１の開口内の半導体基板に設けられた不純物領
域と、該第１の開口内より該第１の絶縁膜上ｉこ延在せ
る第２の絶縁膜と、該第１の開口内の該第２の絶縁膜の
部分に設けられた第２の開口と、該不純物領域と同じ導
電型を有し該第２の開口を通して該不純物領域に接続し
かつ該第２の絶縁膜上を延在せにある。この半導体層は
その実質的全表面を絶縁被膜とくに熱酸化膜で覆うこと
が好ましい。
１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜に設けられた第１の開口
と、該第１の開口内の半導体基板に設けられた不純物領
域と、該第１の開口内より該第１の絶縁膜上ｉこ延在せ
る第２の絶縁膜と、該第１の開口内の該第２の絶縁膜の
部分に設けられた第２の開口と、該不純物領域と同じ導
電型を有し該第２の開口を通して該不純物領域に接続し
かつ該第２の絶縁膜上を延在せにある。この半導体層は
その実質的全表面を絶縁被膜とくに熱酸化膜で覆うこと
が好ましい。
以下、本発明を図面を参照に説明する。
第２図は本発明の一実施例を示す断面図である。シリコ
ン基板１の一表面に選択的に形成された酸化膜２をマス
クとして不純物層３を形成する。さらに不純物層３の一
部を残して酸化膜４を形成し、その上から全面に半導体
層たとえば多結晶シリコン層を成長させその中間部て不
純物領域３に接続させる。この多結晶シリコン層に対し
、不純物層３と同じ導電型の不純物を拡散後熱酸化を行
い、低抵抗層とし多結晶シリコン層５と不純物層３の電
気的導通を得るとともに酸化膜６を形成する。その後フ
瀘トエッチング技術で酸化膜及び多結晶シリコン層を選
択的にエツチング除去し、所定形状の多結晶クリコン層
５およびその上の熱酸化膜６を残余せしめる。この多結
晶シリコン届５の側面は続いて実施する高温熱酸化によ
りゃはり熱酸化膜が形成されることとなる。その後、多
結晶シリコン届５と不純物層３の接続部より横方向に数
ミクロン以上離れたところの酸化膜θにフォト・エツチ
ング技術で開孔し、蒸着により金属電極７を形成し、所
定の形状を得る。金属７をアロイすることにより多結晶
シリコン５との接触を強固にする。
ン基板１の一表面に選択的に形成された酸化膜２をマス
クとして不純物層３を形成する。さらに不純物層３の一
部を残して酸化膜４を形成し、その上から全面に半導体
層たとえば多結晶シリコン層を成長させその中間部て不
純物領域３に接続させる。この多結晶シリコン層に対し
、不純物層３と同じ導電型の不純物を拡散後熱酸化を行
い、低抵抗層とし多結晶シリコン層５と不純物層３の電
気的導通を得るとともに酸化膜６を形成する。その後フ
瀘トエッチング技術で酸化膜及び多結晶シリコン層を選
択的にエツチング除去し、所定形状の多結晶クリコン層
５およびその上の熱酸化膜６を残余せしめる。この多結
晶シリコン届５の側面は続いて実施する高温熱酸化によ
りゃはり熱酸化膜が形成されることとなる。その後、多
結晶シリコン届５と不純物層３の接続部より横方向に数
ミクロン以上離れたところの酸化膜θにフォト・エツチ
ング技術で開孔し、蒸着により金属電極７を形成し、所
定の形状を得る。金属７をアロイすることにより多結晶
シリコン５との接触を強固にする。
、上述した金属型ｔｌｉｉ７の位置に関しては、多結晶
シリコン５と不純物層３との接続部と、多結晶シリコン
５と金属電極７との接続部が重ならない程度、約数ミク
ロン以上離せば熱処理時の金属の拡散を防ぐことができ
るという原理に基づく。
シリコン５と不純物層３との接続部と、多結晶シリコン
５と金属電極７との接続部が重ならない程度、約数ミク
ロン以上離せば熱処理時の金属の拡散を防ぐことができ
るという原理に基づく。
本発明による第１の効果は、金ＲＴＩ極と多結晶シリコ
ンの接続部が不純物層の接続部から離れており、金ｋＡ
電極と半導体基板とは酸化膜を間にはさむ構造となって
いるため、熱処理時に金属がシリコン基板に拡散するこ
とを完全に防げることである。
ンの接続部が不純物層の接続部から離れており、金ｋＡ
電極と半導体基板とは酸化膜を間にはさむ構造となって
いるため、熱処理時に金属がシリコン基板に拡散するこ
とを完全に防げることである。
また、本発明による第２の効果は、酸化膜上に多結晶シ
リコンが形成されるため、多結晶シリコンと電極金属の
接触面積が大きくとれ、電極金属の段切れが少ないため
、電気的により確実な接触性・安定性をもつ電極配線構
造を得ることができる。そしてこの半導体層を熱酸化膜
で覆った場合は、信頼性はさらに向上する。すなわち熱
酸化膜は気相成長の酸化膜に比べてその膜質も半導体層
への密着性も良好であり、又、その形成も容易であるか
らである。
リコンが形成されるため、多結晶シリコンと電極金属の
接触面積が大きくとれ、電極金属の段切れが少ないため
、電気的により確実な接触性・安定性をもつ電極配線構
造を得ることができる。そしてこの半導体層を熱酸化膜
で覆った場合は、信頼性はさらに向上する。すなわち熱
酸化膜は気相成長の酸化膜に比べてその膜質も半導体層
への密着性も良好であり、又、その形成も容易であるか
らである。
また、本発明による第３の効果は、第１の絶縁膜と第２
の絶縁膜とを併用したことである。
の絶縁膜とを併用したことである。
これにより第１の絶縁膜は、たとえば不純物領域の形成
のためのマスクとして用いかつフィールド領域に詔ける
所定の高い閾値電圧が得られるようにその膜厚を定める
ことができる。一方、第２の絶縁膜によって不純物領域
の所定の個所暴こ半導体層との接続位置を定めることが
でき、又、その材質を考慮することによって絶縁膜の段
部の角をなめらかにすることができこれにより半導体層
の断線をなくすことができる。
のためのマスクとして用いかつフィールド領域に詔ける
所定の高い閾値電圧が得られるようにその膜厚を定める
ことができる。一方、第２の絶縁膜によって不純物領域
の所定の個所暴こ半導体層との接続位置を定めることが
でき、又、その材質を考慮することによって絶縁膜の段
部の角をなめらかにすることができこれにより半導体層
の断線をなくすことができる。
なお、実施例では、シリコン基板につき説明したが、他
の半導体を使用しても同様の効果が得られる。
の半導体を使用しても同様の効果が得られる。
第１図は従来の半導体素子の電極配線構造を示す断面図
で、第２図は本発明による半導体素子の電極配線構造を
示し断面図である。 尚、図において１．１はシリコン基板、２は酸化膜、３
は不純物層（領域）、４は酸化膜、５は不純物拡散層３
と同じ４電型の不純物を含む多結晶シリコン層、６は酸
化膜、７は電極用金属である。
で、第２図は本発明による半導体素子の電極配線構造を
示し断面図である。 尚、図において１．１はシリコン基板、２は酸化膜、３
は不純物層（領域）、４は酸化膜、５は不純物拡散層３
と同じ４電型の不純物を含む多結晶シリコン層、６は酸
化膜、７は電極用金属である。
Claims (1)
- 半導体基板の一生表面に設けられた第１の絶縁膜と、該
第１の絶縁膜に設けられた第１の開口と、該第１の開口
内の半導体基板薯こ設けられた不純物領域と、該第１の
開口内より該第１の絶縁股上に延在せる第２の絶縁膜と
、該第１の開口内の該第２の絶縁膜の部分に設けられた
第２の開口と、該不純物領域と同じ導電型を有し該第２
の開口を通して該不純物領域に接続しか金属層とを有す
ることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5324484A JPS59229866A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5324484A JPS59229866A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4979782A Division JPS57172763A (en) | 1982-03-27 | 1982-03-27 | Semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59229866A true JPS59229866A (ja) | 1984-12-24 |
| JPS627703B2 JPS627703B2 (ja) | 1987-02-18 |
Family
ID=12937375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5324484A Granted JPS59229866A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59229866A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0254566A (ja) * | 1988-08-18 | 1990-02-23 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR950013785B1 (ko) * | 1991-01-21 | 1995-11-16 | 미쓰비시 뎅끼 가부시끼가이샤 | Mos형 전계효과 트랜지스터를 포함하는 반도체장치 및 그 제조방법 |
-
1984
- 1984-03-19 JP JP5324484A patent/JPS59229866A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0254566A (ja) * | 1988-08-18 | 1990-02-23 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS627703B2 (ja) | 1987-02-18 |
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