JPS59180475A - 反射型光電スイツチ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 木発り１」は予め設定された検知エリア内に被検知物体
が存在するかどうかを判別して出力回路を制御する反射
型光電スイッチに関するものである［背景技術１ 従来、この棟の反射型光重スイッチとして第１図に示す
ように、投光手段（１）′から投光された拡散光伊）′
の被検知物体（３）による反射光［有］）を受光手段（
２）′にて受光し、第２図に示すように受光手段ｔ２１
’の受光出力レベル■が予め設定された動作レベルｖｔ
ｈ以上のとき出力回路を作動させるようにして検知エリ
ア（ＤＥ）を設定するようにした拡散反射型のものがあ
った。しかしながら、このような従来例にあっては、例
えば第５図に示すように、ベルトコンベア（ＢＣ）にて
移送される被検知物体（イ）を検出するために、反射型
光電スイッチ（ト）の検知エリア（ＤＥ）’ｔベルトコ
ンベア（ＢＣ）の巾に対応して設定した場合において、
検知エリア（ＤＥ）の後方に被検知物体閃よりも光反射
率の大きい物体（Ｚ）（例えばステシレス板のような鏡
面板）があれば誤動作が起きるという不都合かあった。

すなわち、受光手段（２）′の受光出力レベルＶ２Ｖｉ
被検知物体閃の光反射率に正比例するとともに、投、受
光手段ｔｌｌ’＋２１’と被検知物体（Ｘ）との距離（
溺の２来に反比例するので、検知エリア（ＤＥ）’に設
定するには上記光反射率および距離（４）全考慮して判
別制御手段の動作レベルｖｔｈを設定すれば良いことに
なるが、このようにして設定された検知エリア（ＤＥ）
の後方に被検知物体００よりも光反射率の大きい物体（
Ｚ）が存在すれば、この物体（Ｚ）　Ｋよる反射光（ト
）ｙが受光された場合の受光出力レベルＶ２　Ｉ”Ｊ検
知エリア（ＤＥ）内に存在している゛被検知物体（３）
による反射光（ト））が受光された場合の受光出力レベ
ル■２と同一となって、物体（Ｚ）が恰も検知エリア（
ＤＥ）内に存在するかのように誤認識されてし甘うとい
う問題があった。図中０２）は発光タイオードのような
投光素子、（１４１’は投光用光学系、シ０；はホトト
ランジスタ、ホトタイオード、太陽電池、ＣｄＳなどよ
りなる受光素子、（３１は受光用光学系である。　　　
□一方、このような問題全解消するために、第４図に示
すように、投光手段（１）′による投光ビームＡと受光
手段（幻′の受光ビームＢとがダ鉛する領域を検知エリ
ア（ＤＥ）とし、受光手段（２）′の受光出力しベル■
２が第５図のように予め設定された動作しベルｖｔｈ以
上のとき出力回路全作動させるようにした判別制御手段
（図示せず）を設けた限定反引型のものがあった。

しかしながら、このような従来例にあっては検知エリア
（ＤＥ）ｋ設定するために投、受光手段（げ（２）′の
光学系を機械的に調整しなければならず、特に検知エリ
ア（ＤＥ）を正確に設定する場合における設定作業が面
倒でおるという問題があった。また、例えば第６図に示
すように、被検知物体（Ｘ）が反射型光電スイッチ（至
）に近づくように移動しており、予め設定された距＠　
（に３ｓ　）すなわち検知エリア（ＤＥ）の後端で被検
知物体（３）の移動を停止させたい場合において、被検
知物体（３）の光反射率の違いによって検知エリア（Ｄ
Ｅ）が異なるので停止位置がずれるという問題があった
。つまり、被検知物体（３）による反射光（ト））のレ
ベルに基いて検知エリア（ＤＥ）を設定しているので、
被検知物体（３）の光反射率によって検知エリア（ＤＥ
）が変化してしまうという問題があった。

〔発明の目的〕

本発明は上記の点に鑑みて為されｔものであり、倹矧エ
リアの後方に存在する光反射率の大きい物体による誤動
作を防止でき、また、被検知物体の光反射率に関係なく
検知エリアを設定でき、しかも検知エリアの設定作業が
容易な反射型光電スイッチを提供することを目的とする
ものである。

〔発明の開示〕

（実施例１） 第７図乃至第１０図は本発明−実施例を示すもので、（
ｌ）は被検知物体（３）に対してパルス変調光よりなる
光ビームＣＰ）を投光する投光手段であり、投光タイ三
シクを設定する同期信彊を発生する発振回路（１０）と
、ドライブ回路（１１）と、発光タイオートあるいはし
−ザータイオードなどの投光素子０′ｌＪと、ハーフミ
ラー０３）および投光しシズ（後述する集光レンズ（３
ａ）とオリ用）よりなる投光用光学系０勺とで構成され
ている。（２）は被検知物体（イ）による光ピーｔ、　
（Ｐ）の反射光■を集光する集光しンズ（３ａ）、集光
点を光軸からずらせるように光路を屈曲させる光路屈曲
手段たるくさび形づリズム（３ｂ）および集光点を適当
な位置に移１ｆｄＪさせるりし−しンズ（３ｃ）よりな
る集光手段であり、くさび形プリズム（３ｂ）は検知エ
リア（ＤＥ）内の被検知物体■からの反射光■が集光し
ニアＪ（３ａ）によって集光される集光点の近傍に配設
されている。なお、くさび形づリズム（３ｃ）に代えて
平行平面ガラス、回折格子、ミラー、レンズの一部分な
どを用いて光路屈曲手段を形成しても良い。（４１は集
光手段（２）にて集光された集光スポット（Ｓ）の位置
を検出する位置検出手段であり、集光スボッｌ−（Ｓ）
の位置に対応した位置信号を出力する。実施例１ではこ
の位置検出手段（４）として第９図に示すような位置検
出素子（ＰＳＤと略称する）　ｆ２０）を用いており、
とのＰ　Ｓ　Ｄ　１２０）は平板状シリコン（３すの表
面にＰＩＮ（３１ａ）、裏面にＮ層（，５１ｂ）、中間
に１層（、：５１ｃ）を形成したものであり、集光スポ
ット（Ｓ）の位置に対応した出力電流ＬＡ％ｌＢが出力
されるようになっている。第１０図はｐ　Ｓ　Ｄ　ｚｏ
）の等価回路を示すもので、図中（Ｐｉ）は電流源、（
Ｄｏ）は理想的タイオード、（Ｃｏ）は接合容量、（Ｒ
ｔ）け並列抵抗、（Ｒｏ）は電極間抵抗である。（５ｉ
は判別制御手段であり、位置検出手段（４）出力に互い
て被検、９１＋物体（３）がｂ「定の検知エリア（ＤＥ
）内に存在するかどうかを判別して出力回路（６）全制
挽］するようになっている。この判別？ｂす御手段ｔ５
ｊｉ’よ、ＰＳＤシＯ）からの出力箱、流１１Ａ　、Ｉ
Ｂ全偵彊此１圧ＶＡ　、■に増ｒｌ＞変換する受光回路
（２］−ａ）（２１ｂ）と　、対数増巾回路（２２ａ）
（２２ｂ）と、対数増巾回路（２２ａ）出力−ｇｎＶＡ
から対数、増巾回路（２２ｂ）出カ石ｎＶＢを減費する
減算回路力；と、減算回路（２３）出力、、ｅ　ｎ　Ｖ
　Ａ／Ｖ　Ｂが検知エリア設定ボリウム（Ｖ　Ｒ’　）
にて設定された予め設定された範囲のときＨレベルを出
力する比較回路（智と、投光素子（１匂からの光ビーム
（Ｐ）の投光タイミング（発振回路（＋０１から出方さ
れる同期信号）に同期して比較回路（２４）出力をサン
プリシジすることにより、被検知物体閃が検知エリア（
ＤＥ）内に存在するかどうや・全確実に判別するように
した信号処理回路嬶）とで形成され、信号処理回路（２
５）出力にて負荷制御用のリレー、負荷制御用の半導体
スイッチ素子などよりなる出力回路（６）を制御するよ
うになっている。なお、受光回路（２１ａ　）（２１ｂ
）はパルス光信号のみを通し直流光信号をカットしたり
、特定の周波数のみを通すバンドパスフィルタ回路金倉
むものである。

（実施例１の１作） いま、投光素子＋１２１からの光はハーフミラ−θ３）
により反射され、集光し、７ズ（凸ａ）にて形成される
光ビーム（Ｐ）が被検知物体（３）に投射されるように
なっており、被検知物体（３）による反射光（Ｒ）け集
光しン′ｊ、（，３ａ）にて受光されハーフミラ−０３
）全透過して集光される。ここ例、被検知物体（３）が
第１１図（ｂ）に示すように検知エリア（ＤＥ）の略中
央であるところの距離ｉｂの位置にあるとき、被検知物
体（３）からの反射光億）の集光レンズ（３ａ）による
集光点ＶｉＱｂとなり、くさび形プリズム（３ｂ）によ
る光路の屈曲がなく、リレーレジ、１（３ｃ）ｋ介して
ノＰＳＤＣ２０）上の集光スポット（Ｓ）の中心位置は
光軸上のＱ’ｂ点となり、ＰＳＤ（財））の出力電流Ｉ
べ　ＩＢＩ−ｉ略等しくなる。次に被検知物体（３）が
同図（ａ）に示すように距ｗｉ−ｅａｔで近づいた場合
、集光レンズ（凸ａ）による集光点は本来Ｑａ”となる
はずであるが、くさび形プリズム（３ｂ）により光路が
屈曲されてＱａとなり、リレーレンズ（３ｃ）を介して
Ｐ　Ｓ　Ｄ　（２０）上の集光スポット（Ｓ）の中心位
置は０１３点となる。したがってＰＳＤ（２０）の出力
電流ＩＡ、１Ｂの比（ＩＡ／　ＩＢ）＃″ｉ１よりも大
きくなり、被検知物体（３）が近づくにつれてより大き
くなる。ここに、被検知物体（力までの距離−ｅａと、
集光点Ｑａ′の光軸からのずれΔＸの関係は以下のよう
になる。すなわち、集光しシズ（３ａ）から集光点（Ｑ
ａ）すなわち（Ｑａ’）　１での距離ヲｙａ、集光レン
ズ（３ａ）からくさび形プリズム（３ｂ）までの距離を
ｙｂ、くさひ形づリズム（３ｂ）から集光点（Ｑａ）ｔ
での距離’ｋｙｃｓ集光レジ′ｊ、（３ａ）の焦点距離
をｆとすれば、 −＆ａ−ｉ となる。次に、くさび形プリズム（凸ｂ）の頂角をθ、
ル（折率ｋ　ｎ　％光路の屈曲度合すなわち振れ角をδ
とすれは、 δ・（ｎ　−１’）θ・・−・・・−・　■であり、光
軸〃・らのずれΔＸけΔｚ　”　ｙｃ・δであるので、 となる。

（艷）式から明らかなように、集光点Ｑａの光軸からの
ずれΔｘＶｉ距離−ｅａの関数であることがわかる。

つまり、被検知物体（３）号での距離ｆｆ１ａが集光点
（Ｑａ）の光軸からのずれΔχ？検出することにより検
出できるわけである。Ａ劇し芒央蕃串Ｈ山接遺←Ｌ櫨牟
叩５）−は無・う−・ま−で・（−・な−い万第１２図
はＰＳＤ（イ））上の集光スポット（Ｓ）　’ｌｒ示し
ている。

一方、被検知物体閃が同図（ｃ）に示すように距離＆ま
で遠ざ〃・つた場合、集光レン′ｊ、（さａ）による集
光点は本来Ｑｃ〃となるにすであるが、くさび形プリズ
ム（３ｂ）により光路が屈曲されてＱｃとなり、リレー
レンズ（３Ｃ）を介してのＰ　Ｓ　Ｄ　ｍｉ上の集光ス
ポット＜８）の中心位置はＱ　０１点となる。したがっ
て、ＰＳＤシ０）の出力電流Ｉ　Ａ　、　ＩＢの比（工
Δ／Ｉ）ｔ）は１よりも小さくなり、被検知物体閃が遠
さ力・るにつｎてより小さくなる。

以上のように、被検知物体（ト））までの距離看が変化
すると、集光し：／ズ（３ａ）による集光点が光帖力向
に移動するとともにくさび′形プリズム（３ｂ）による
光路の屈曲度合（振れ角δ）が変化し、ＰＳＤ岡上の集
光スポット（Ｓ）の位１ｈ″が距１’１ｉＦ−１３に応
じて移動することになり、判別制御手段（５）では、こ
の集光スポット（Ｓ）の位ｈ′に応じたＰＳＤシ０）の
出力電流ＩＡ、ＩＢの比ＣＩＡ／　ＩＦ）の対数値１３
ｎ（ＩＡ／　ＩＢ　）に基いて被検知物体（Ｘ）が検知
エリア（ＤＥ）内に存在する力・どう力・全判別して出
力回路（６）を制御１するわけである。この場合、被検
知物体（３）による反射光（Ｒ）のレベルと関係なく検
知エリア（ＤＥ）が設定されるようになっているので、
検知エリア（ＤＥ）の後方に存在する光反射率の大きい
物体による誤動作が防［トできるとともに、被検知物体
囚）の光反射率に関係なく検知エリア＜ＤＥ）を設定で
き、さらに集光レンズ（凸ａ）、ハーフ三う−θ島など
の投受光用光学系の汚れの影響金堂けることがない。

（実施例２） 第１３メ１は他の実施例を示すもので、ＡｆＪ述の第８
図判別制御手段（６）の対数増巾回路（２２ａ）（２２
ｂ）に代えて、加算回路の謁、減算回路（３３）を設け
ると七もに、減算回路匡に代えて割算回路□□□を設け
たものであり、加算回路の匈、減算回路（３３）および
いて比較回路例で検知エリア（ＤＥ）内に被検知物体（
３）が存在するかどうかを判別するようにしたものであ
り、全体構成および動作は前述の実施例１と全く同様で
ある。

以上・のように、第１の発明にあっては投光手段＋１１
力・ら被検知物体（Ｘ）に光ビーム（■すを投光し、級
（か知物体（３）による光ビーム（Ｐ）の反射光（■す
を゛力先するにより、被検知物体（Ｘ）才での距＾、ｊ
、１３に応じて集光スボツｌ−（Ｓ）を移動゛さぞ、こ
の集光スポット（Ｓ）の位置を位置検出手段（４）にて
検出し、位ＩＩ！検出手段（４）出力に基いて判別制御
手段ｆ５ｉにて薔検知物体（Ｘ）が所定の検知エリア（
ＤＥ）内に存在するかどうがを判別しているので、検知
エリア（ＤＥ）の後方に光反射率の大きい物体が存在し
ても誤動作が起きることがなく、また、被検知物体（Ｘ
）の光反射率に関係なく検知エリア（Ｄ　Ｅ　）孕設定
でき、し〃・も検知エリア（ＤＥ）の微調整を検知エリ
ア設定ポリウムなどンこより電気的に行なうことかでき
、検知エリア（ＤＥ）を正ζ「、に設定する場合におけ
る設定作業が容易になるという効呆を拘しているところ
で、前述の実施例１．２において、光ビーム（Ｐ）の径
（ΔＰ）を大きくするこ々にまり扱検知物体（３）の凹
凸の影響を受は難くした場合、被検知物体へ）が光ビー
ム（１））を横切るように例えば投光方向と直交する方
向（矢印Ｍ）に移動すると、被検知物体（Ｘ）Ｋ光ビー
ム（Ｐ）が完全に照射（Ｐ、〜Ｐ３部分が照射）されて
いるか否かによって誤動作が発生するという問題があっ
た。ｆなわち、いま、光ビーム（Ｐ）が第１４図に示す
ように被検知物体（Ｎに完全に照射されている場合にあ
っては、ＰＳＤ（２ｆｌｌｊ上の集光スポット（Ｓ）の
中心位置はＸ２となり、被検知物体（３）の距離！に対
応する位置情報として集光スポット（Ｓ）の中心位置ｘ
２に基いた出力電流ＩＡ　、　ＩＢが出力されることに
なる。なお、第１４図は脱甲」を簡単にするためにリレ
ーレンズＩズ（３ｃ）を用いない場合全示しており、集
光スポット（Ｓ）の中心位置ＸＩ　％　Ｘ　２　、Ｘ　
３けＰＳＤシＯ）の一端金基準とした距離で示している
。一方、被検知物体囚が光ビーム（Ｐ）を横切るように
移動し、第１５図（ａ）　（ｂ）に示すように、光ビー
ムψ）のＰ】部分、あるいＩｒｉ　Ｐａ部分のみが被検
知物体（３）に照射されている場合、すなわち被検知物
体、（Ｘ）が光ビームψ）に入る時あるいけ出る時、Ｐ
　Ｓ　Ｄ　（２０）上の集光スポット（Ｓ）の径が小さ
くなるとともに、その中心位置はそれぞれＸ＋、Ｘ３　
となる。この場合、ＰＳＤ（２０１７）・らは集光スポ
ット（Ｓ）の中心位ｔｆｆｘ＋、ｘ３１ｃ対ＡＵ、　Ｌ
　ｆｃ出力電ｋ　Ｉ　Ａ　、ＩＢが出力され、位置検出
手段（４）から画っだ位置佑号が出力されるこ、ｌ！：
になり、被検知物体（Ｎが検知エリア（ＤＥ）内に存在
しないにも拘らず判別制佃１手段（５）から物体検知信
号が出力されて出方回路（６）が作動してしまうという
問題があった。以下に承す第２の発明は上記の問題点全
解決するようにしたものである。

（実施例３） 第１６図は第２の発明の一実施例をボずものさび形プリ
ズム（凸ｂ）、ｌ！−の聞にハーフミラー（凸ｄ）へ を配設し、このハーフ三う〜（３ｃｌ）と、ハーフミラ
ー（３ｄ）による反射光の集光点の近傍に配設され光路
を屈曲させるくさび形プリズム（３ｂ）’とリレーレン
ズ（３ｃ）’よりなる第２の集光手段（２ａ）を設け、
第２の集光手段（２ａ）の身光面に集光スポット（Ｓ）
′の位ＩＶｔに対応した位置佑づを出力するＰＳＤ（２
０ａ）よりなる第２の位置検出手段（４ａ）を設け、実
施例１と同様の判別制御手段（５）にて両位置検ＩＪ）
手段１４）（４ａ）出力全合成した信号（ＩＡ＠−ＩＡ
’）　（■Ｂ−＋ｌＢ’）に基いて被検知物体閃が所定
の検知エリア内に存在するかどうかを判別して出力回路
（６１を制仙；するようになっている。ここに、両位置
検出手ｆ＆＋４１（４ａ）は被検知物体（Ｘ）にて光ビ
ーム（Ｐ）の一部（例えばＰ　ｌ　、Ｐ　ａ部分）が反
射された場合に相反的な位置信号（ＩＡ、ＩＢ）、（Ｉ
Ａ’、ＩＢ’）が出力されるようにしである。但し、く
さび形ラリズム（３ｂＨ３ｂ）’および位置検出手段ｔ
４）（４ａ）はハーフミラー（３ｄ）に対して光学的距
離関係ケ同一にして、くさび形プリズム（３ｂ）（３ｂ
）′の頂角を逆向きＫＲ定することにより、光ビームＣ
Ｐ）の−・部が被検知物体（Ｘ）にて反射されたとき、
ＰＳＤ（＋！０１　（２０ａ　）の出力電流（ＩＡ、１
Ｂ）、（Ｉ六′、ＩＢ′）が相反的になるようにしであ
る。如釦Ｓ−ｓモ涜−←ノズ・右−４＝：ｂ−＋＝＋べ
＝う＝−′４）−ｙ４鳴・１苧また剛悴鋳察チ者イＰ−
５−ＤＡル幻−−ニアａ州功２翫」匡４ん−↓匂＆ム二
話ニーの一＠″飲濠グ千７カ竜１〔嚢ごじ１瞑Ｊ−ぐ・
Ｉ”Ｔ千−ｔ−Ｂ−勺マ〜＝＜　１−ａ−ｔ−１−？：
Ｙ判別制御手段ｆ５＋ｋ　第１３図のようにしても良い
。

（実施例３のＩＩＪ作） 第１７図は夾施し＋ｊ　３の原塊をηくず図であり、以
下第１７図に基いて動作を脱りＪする。いま、被検知物
体（Ｘ）に光ビーム（Ｐ）が完全に照射されている場合
、Ｐ　Ｓ　Ｄ（２０）　（２０ａ　）　上（７）Ｓ＝Ｓ
？ｅスポット（ｓ）（ｓ）′ノ中心位眉は共にＸ２とな
り、両ＰＳＤｅ２ｏ（２０ａ）の出力電流（ｘＡ、ＩＢ
）、（ＩＡ’、ＩＢ’）　は等しくなり、その合成した
侶づ（Ｉｌ、−＋ｆ六′）、（ＩＢ＋１１セ′）は当然
のことなからＸ２に対応する位置もぢであり、被検知物
体（Ｘ）までの距離看に１僅に対比・するものである。

一方、被検知物体（３）に光ビーム（Ｐ）のＰＩ部分の
みが拙射されている場合、Ｐ　Ｓ　Ｄ　吹上の集光スポ
ット（Ｓ）の中心位Ｂ：　１１　ｘｓとなり、Ｐ　Ｓ　
Ｄ　（２０ａ）上の集光スポット（Ｓ７の中心位置にＸ
Ｉ♂なる。したがって、Ｐ　Ｓ　Ｄ（２ｏ）　（２０ａ
　）（７）出カ°市流（ＩＡ、ｌ　Ｂ　）、ＣＩＡ’、
ＩＢ’　）を合成した伯す（ＩＡ−＋−ＩＡ’八（ＩＢ
＋１＋う′）−集光スホッｌ−（Ｓ）　（ｓ’＋がＸｌ
＋Ｘ３（−Ｘ２）の位置にあ２ る場合、すなＪ〕ち、被検知物体■に光ビームＣＰ）が
完全に照射されている場合に得られる信号と同一になり
、被検知物体■までの距離ｔに正確て対応するものであ
る。同様にして被検知物体頭に光ビームＰ）の２３部分
のみが照射されている場合にあっても、被検知物体（イ
）までの距離ｔに正確に対応した４８号が判別制御手段
（５）に入力されることになり、被検知物体■に光ビー
ムＰ）が完全に照射されているか否かに拘らず、常に正
確な位置情報が判別制御手段（５）に入力されるので、
仮検知物体囚が光ビーム（■を横切る場合の誤１ｉＩＪ
　Ｉ￥、を防止できることになる。

以上のように、第２の発明は、第１の発明において、第
１の集光手段（２）の集光レンＪ（３ａ）と光路屈曲手
段たるくさび形プリリズム（３ｂ）との間に挿入された
光分割手段たるハーフミラ−（凸ｄ）および該ハーフミ
ラ−（３ｄ）による反射光の集光点の近傍に配設され光
路を屈曲させる光路屈曲手段たるくさび形プリズム（３
ｂ）よりなる第２の集光手段（２ａ）を設けるとともに
、第２の集光手段（２ａ）の集光面に配設され集光スポ
ット（Ｓ）′の位置に対応した位置信号全出方する第２
の位置検出手段（４ａ）ｋ設け、判別制御手段（５）に
て自位置検出手段ｆ４）（４ａ）出方全合成した信号に
基いて被検知物体（Ｘ）が所定の検知エリア（ＤＥ）内
に存在するかどうか全判別して出力−路（６）？制御す
るようにし、被検知物体（３）にて光ビーム（Ｐ）の一
部が反射された場合に自位置検出手段ｆ４Ｎ、４ａ）か
ら相反的な信づが出力されるようにしており、被検知物
体（３）に光ビーム（Ｐ）の一部が照射される場合に自
位置検出手段（４１（４ａ　）；６−ら出力される１４
常な位置信号が補正されることになって、正確な位置情
報が判別制御手段（５）に入力されるので、ビーム径を
大きくした光ビーム（Ｐ）金級検知物体（３）が横切る
場合にあっても誤動作が生じることがないという効果を
有している。勿論、第１の発明と同様の効果を有するこ
とは言うまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来例の構成を示す図、第２図および第５図は
同上の動作説Ｆ３）−３図、第４図は他の従来例の構成
を示す図、第５図および第６図は同上の動作説明図、第
７図は本発明一実施例の構成を示す図、第８図は同上の
要部ブロック回路図、第９図は同上に用いるＰＳＤの断
面図、第１０図はＰＳＤの等価回路、第１１図および第
１２図は同上の動作説明図、第１３図は他の実施例の要
部ブロック回路図、第１４図および第１５図は同上の問
題点を示す図、第１６図はさらに別の実施例の構灰全示
す図、第１７図は同上の動作説明図である１１ｉは投光
手段、（２１（２ａ　）は集光手段、（３ａ）は集光し
ンズ、（３ｂＨ３ｂ）’はくさひたフリズム、（３ｄ）
はハーフミラー、（４１（４ａ）は位置検出手段、（６
）は判別制御手段、（６）は出力回路である。 代理人　弁理士　　石　１）長　化 第１図 ↓′１４′ 第３図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ｉｌ＋　　被検知物体に対して光ビームを投光する投光
   手段と、被検知物体による光ビームの反射光を集光する
   集光レンズおよび検知エリア内の被検知物体からの反射
   光が該集光レシズによって集光される集光点の近傍に配
   設され光路を屈曲させる集光路、屈・曲′手段よりなる
   集光手段と、集光手段の集光面に配設され集光スポット
   の位置に対応した位＠償−Ｑｆ出力する位置検出手段と
   、位置検出手段出力に基いて被検知物体が所定の検知エ
   リア内に存在するかどうかを判別して出力回路を制御す
   る判別制御手段とを貝偏して成る反射型光電スイッチ。 （２）被検知物体に対して光ビームを投光する投光手段
   と、被検知物体による光ビームの反射光を集光す６る集
   光しンズおよび検知エリア内の被検知物体からの反射光
   が該集光しンズによって集光される集光点の近傍に配設
   され光路を屈曲させる光路屈曲手段よりなる第１の集光
   手段と、第１の集光手段の集光面に配設され集光スポッ
   トの位置に対応した位置信号を出力する第１の泣ｍｌ険
   出手段と、第１の集光手段の集光レンズと光路屈曲手段
   との間に押入された光分割手段および該光分割手段によ
   る反射光の集光点の近傍に配設された光路を屈曲させる
   光路屈曲手段よりなる第２の集光手段と、第２の集光手
   段の集光面に配設され集光スポットの位置に対応した位
   置信号を出力する第２の位置検出手段と、自位置検出手
   段出力を合成した信号に基いて被検知物体が所定の検知
   エリア内に存在するかどうかを判別して出力回路を制御
   する判別制御手段とを具備し、被検知物体にて光ビーム
   の一部が反射された場合に両位ｉトイ検出手取から相反
   的な信号が出力されるようにして成る反射型光電スイッ
   チ。