JPS59171195A - セラミツク多層配線基板の製造法 - Google Patents
セラミツク多層配線基板の製造法Info
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- JPS59171195A JPS59171195A JP4427683A JP4427683A JPS59171195A JP S59171195 A JPS59171195 A JP S59171195A JP 4427683 A JP4427683 A JP 4427683A JP 4427683 A JP4427683 A JP 4427683A JP S59171195 A JPS59171195 A JP S59171195A
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- Japan
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- ceramic
- conductor
- metal
- conductor layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は混成集積回路111)品に便用びれるセラミッ
ク多増配繰シル板の製造法に関する。
ク多増配繰シル板の製造法に関する。
従来、混成、貼槓回路基板の製り法として、第1図に示
すようにセラミッククリーンシート1」−にタングステ
ンあるいはモリブテン寺の高融点金属を主成分とする第
1の導体層2、その第1の導体層2上に導体層2に一部
を開[1する絢にイ層3を印Wll jビ成した後還元
界凹気で焼成し、次いで第1の心体層2の開口部および
絶縁層3上に帳等の厚膜なメ体ペーストを印刷し酸化雰
囲気で焼成して・1へ2の六メイ1\j曽4をjレバ見
してセラミック授j曽11已牟V−西板を得ることか知
られている。
すようにセラミッククリーンシート1」−にタングステ
ンあるいはモリブテン寺の高融点金属を主成分とする第
1の導体層2、その第1の導体層2上に導体層2に一部
を開[1する絢にイ層3を印Wll jビ成した後還元
界凹気で焼成し、次いで第1の心体層2の開口部および
絶縁層3上に帳等の厚膜なメ体ペーストを印刷し酸化雰
囲気で焼成して・1へ2の六メイ1\j曽4をjレバ見
してセラミック授j曽11已牟V−西板を得ることか知
られている。
ところか、第2の等体層4は醸化ネ゛rv+1気でi+
L成されるため第1の導体層2がm化されて1区気抵抗
がj−,6<なり、l昆成集槓1jil屑5基板として
は小1同のものになる。
L成されるため第1の導体層2がm化されて1区気抵抗
がj−,6<なり、l昆成集槓1jil屑5基板として
は小1同のものになる。
このため、第1の導体層2の開L1部に<IP、寺のI
’ll l眠化11−の貞玉り民のメッキを凪したり、
第1の)!41」−僧2の組成を剛ID化性にする試み
か(が案されている。ところか、メッキする方法では金
メッキ)−゛を2μにしてもjY膜ペーストの焼成温度
を700’C以上にすると、4第1の導体Wrが1我化
され、また、第1の導体層2に白金を添加した組成にし
ても、焼成温度を650″C以上にすると、第1の導体
j曽が酸化されて混成集積回路基板としては不遊、なも
のであった。
’ll l眠化11−の貞玉り民のメッキを凪したり、
第1の)!41」−僧2の組成を剛ID化性にする試み
か(が案されている。ところか、メッキする方法では金
メッキ)−゛を2μにしてもjY膜ペーストの焼成温度
を700’C以上にすると、4第1の導体Wrが1我化
され、また、第1の導体層2に白金を添加した組成にし
ても、焼成温度を650″C以上にすると、第1の導体
j曽が酸化されて混成集積回路基板としては不遊、なも
のであった。
従って、第2の導体197に(fJ川できる捏膜ベーイ
ト′−′選択4CtltlJ限があるものでありた・
:、。
ト′−′選択4CtltlJ限があるものでありた・
:、。
本発明はtiii記のような□欠点を11? <する及
”Qv 6を成されたもので、にIr 出!点金椙を主
成分とするうび体層が収りられたセラミック竺仮にJ!
z−ll’s al:4体)!1を眠化巷囲気で幻’8
)況して得られるセラミック多j曽自じ梅^古板の製造
法において、篩融点金J((iを主成分とする導体)曽
にニッケルメッキし、次いでそのニッケルメッキ上に少
なくとも銀些るいは金を9も貝金民Wjを形成後熱処理
によりその貞金桓j曽を、)ti融し、その溶融(され
たC1金属ハリ上に147.族尋捧僧を印#1ilJ
L%爾化称し!」気で戊或するセラミック多jすl門已
線恭板の製造法である。
”Qv 6を成されたもので、にIr 出!点金椙を主
成分とするうび体層が収りられたセラミック竺仮にJ!
z−ll’s al:4体)!1を眠化巷囲気で幻’8
)況して得られるセラミック多j曽自じ梅^古板の製造
法において、篩融点金J((iを主成分とする導体)曽
にニッケルメッキし、次いでそのニッケルメッキ上に少
なくとも銀些るいは金を9も貝金民Wjを形成後熱処理
によりその貞金桓j曽を、)ti融し、その溶融(され
たC1金属ハリ上に147.族尋捧僧を印#1ilJ
L%爾化称し!」気で戊或するセラミック多jすl門已
線恭板の製造法である。
本失明の詳細を1.第2図にボずフローチャートおよび
第8図の侮戒1に従つ、て本釦1すjの方法を各工程ご
とに順次説明する。
第8図の侮戒1に従つ、て本釦1すjの方法を各工程ご
とに順次説明する。
まず、アルミナ、ベリリア等を主成分とするセラミック
グリーンシートを公知のドクターブレード法等によって
調整し、混成集積回路A(板として必要な寸法にしたセ
ラミックグリーンシートlを県” 1iifiするみ 竺1.ψ゛1・ 夕′グX f >・197′f′等0
尚)&Ii点−1すなわちセラミックグリーンシートの
焼成温度よりも融点が萬<かつ電気抵りしが小さい<1
≧杓工を主成分とする専真もペースト、を、呻整、’L
(1,1til記のセラミックグリーンシートl上にス
クリーン印刷あるいは転写印刷により所要の回路パター
ンとなる第1の導体層2を印刷する。
グリーンシートを公知のドクターブレード法等によって
調整し、混成集積回路A(板として必要な寸法にしたセ
ラミックグリーンシートlを県” 1iifiするみ 竺1.ψ゛1・ 夕′グX f >・197′f′等0
尚)&Ii点−1すなわちセラミックグリーンシートの
焼成温度よりも融点が萬<かつ電気抵りしが小さい<1
≧杓工を主成分とする専真もペースト、を、呻整、’L
(1,1til記のセラミックグリーンシートl上にス
クリーン印刷あるいは転写印刷により所要の回路パター
ンとなる第1の導体層2を印刷する。
次に、第1 (Q導体f@ F Mr 7部を開口する
ようにその導体層2上に絶縁ペーストをスクリーン印刷
あるいは転写印刷に、より絶縁層3を形成する。紬l隊
j曽8によつ、て開口さ、才し、た第1の導体J曽は、
候で凸;明するように第2の導体・増と電気的に接続す
るため、のものである。絶縁ペーストとしてはセラミッ
ク、・グリーンシー・トと同一成分のものが用いられる
。
ようにその導体層2上に絶縁ペーストをスクリーン印刷
あるいは転写印刷に、より絶縁層3を形成する。紬l隊
j曽8によつ、て開口さ、才し、た第1の導体J曽は、
候で凸;明するように第2の導体・増と電気的に接続す
るため、のものである。絶縁ペーストとしてはセラミッ
ク、・グリーンシー・トと同一成分のものが用いられる
。
第1の導体層および絶縁層はそれぞれ1層に限られるも
のではなく、例えは第41図に示すように導体層を俵数
層2,2、絶縁層を核数層8,8としてもよい。この場
合導体層間を′Ti、I+気的に接続する開口部は第1
の導体jダjと同一の成分を、以て形成される。
のではなく、例えは第41図に示すように導体層を俵数
層2,2、絶縁層を核数層8,8としてもよい。この場
合導体層間を′Ti、I+気的に接続する開口部は第1
の導体jダjと同一の成分を、以て形成される。
第1の−Vチ体j1すと絶縁層とか印刷されたセラミッ
クグリーンシートを爾うじイ)囲気ア、焼戒する0(C
成条件はセラミッククリーンシートの組IJ’lr l
、l i’+71 融点金属ペーストの成分により定め
られるが、14(10“C〜1800“′Cで5分〜1
.80り1である。
クグリーンシートを爾うじイ)囲気ア、焼戒する0(C
成条件はセラミッククリーンシートの組IJ’lr l
、l i’+71 融点金属ペーストの成分により定め
られるが、14(10“C〜1800“′Cで5分〜1
.80り1である。
焼成後、絶縁層の開口1′11へ、にt1テtυ1づ”
、る第1の導体In Z上にニッケルメッキにより二・
ツケルメツキj曽5を形成する。ニッケルメッキする1
、’l! [tiはイ々で説明する直金属との6Mれ注
の同上をはかると共に第2の導体層を酸化券囲気中で焼
成°りるどきの第lの導体層の酸化Uj止、を図るため
で、ある。促って、ニッケルメッキの厚みは貴金属のイ
屯娘lとその熱処理温度、第2の得体J冑の焼成温度に
、よつ、て前足ずれはよいが、辿’R’S 175μで
ある。。ニッケルメッキは′曲解、無電解メッキ法のい
ずれかより、メッキ川屯極の安否により焙択される。。
、る第1の導体In Z上にニッケルメッキにより二・
ツケルメツキj曽5を形成する。ニッケルメッキする1
、’l! [tiはイ々で説明する直金属との6Mれ注
の同上をはかると共に第2の導体層を酸化券囲気中で焼
成°りるどきの第lの導体層の酸化Uj止、を図るため
で、ある。促って、ニッケルメッキの厚みは貴金属のイ
屯娘lとその熱処理温度、第2の得体J冑の焼成温度に
、よつ、て前足ずれはよいが、辿’R’S 175μで
ある。。ニッケルメッキは′曲解、無電解メッキ法のい
ずれかより、メッキ川屯極の安否により焙択される。。
ニッケルメッキ後、ニッケノビメッキjt)とr:14
1の導体層との密着強度を向上するため800〜12
、fJ (!“C,I’+〜80分還元雰W1気中で熱
処理をしてもよい。
1の導体層との密着強度を向上するため800〜12
、fJ (!“C,I’+〜80分還元雰W1気中で熱
処理をしてもよい。
次いで、少なくとも鏝、興を含む面金柑を主成分とする
貴金属1tQ 6をニッケルメッキ層5」−に形成層]
、る。その方法としては、金桝あるいは合金箔を単にニ
ッケルメッキ層上に、載置する方法、メッキによ、り形
成する方法、銀、金を含む責金粕を主(Jλ分とする日
」刷、ペーストを以て形成する方法が採られる。印刷の
場合はその厚みは30μ岬度か>11δ切である。
。
貴金属1tQ 6をニッケルメッキ層5」−に形成層]
、る。その方法としては、金桝あるいは合金箔を単にニ
ッケルメッキ層上に、載置する方法、メッキによ、り形
成する方法、銀、金を含む責金粕を主(Jλ分とする日
」刷、ペーストを以て形成する方法が採られる。印刷の
場合はその厚みは30μ岬度か>11δ切である。
。
次いで、田金属層、6が警戒されたセラミック端板をに
テ1処理、する。熱処理渦楓は、貴金属jνflの成分
によく)か、ニッケルの俗#l!l!l晶反である14
FU”C以上であって俊記する第2の、llメ捧)vI
の彎成rAi’を度に1心して爪択される。が、貴金属
、B!Iが浴を庇するIJ U o〜1400”C,5
〜80.分で行う。
テ1処理、する。熱処理渦楓は、貴金属jνflの成分
によく)か、ニッケルの俗#l!l!l晶反である14
FU”C以上であって俊記する第2の、llメ捧)vI
の彎成rAi’を度に1心して爪択される。が、貴金属
、B!Iが浴を庇するIJ U o〜1400”C,5
〜80.分で行う。
々′覧処理されたセラミック晶板1..の山笠h41冑
6および絶縁)Wj B上に、銀等を主成分とするj%
L農々q ′ILLペーストによりIr安の回路パター
ンとなる第2の導体層7を印刷−4る。1liN2の導
体k・’、+ TJ・1,1.′il+、ペーストに限
られるものではなく、抵抗−<−=ストAs心四”にI
心して“Itlいることができる。
6および絶縁)Wj B上に、銀等を主成分とするj%
L農々q ′ILLペーストによりIr安の回路パター
ンとなる第2の導体層7を印刷−4る。1liN2の導
体k・’、+ TJ・1,1.′il+、ペーストに限
られるものではなく、抵抗−<−=ストAs心四”にI
心して“Itlいることができる。
ン入いで、 ■j^IIIIきねた第 2 の尋1杢j
冑s: t(、什1春[Ll」気でl:l去成して、セ
ラミック操ハ・i目己橿ンIIl基市(をイuく)。夫
□1、・成条件は1テj俣ペーストの一/)f(、−よ
るん・’700−8fiO’C,fi〜2(1分である
。
冑s: t(、什1春[Ll」気でl:l去成して、セ
ラミック操ハ・i目己橿ンIIl基市(をイuく)。夫
□1、・成条件は1テj俣ペーストの一/)f(、−よ
るん・’700−8fiO’C,fi〜2(1分である
。
実施例
セラミック成分として7′ルミナil O小t+j%の
他、シリカ、マグオ・シj”省のl+i> IJI口・
、ソとホt)ヒC−ルフーfラール省の楢機バインダー
を71(台じ、ドクターブレードθくにより厚み0.8
1n、;・、のセラミックグリーンシー ト全作成イグ
、でのセラミッククリーンシー)Lにタングステン粉末
98虫爪%、シリカ211(1に%のメタライズ成分に
印刷助酌全加えたメタライズペーストを用いてスクリー
ン印刷によりii< 1の導体層を形成し、次いでセラ
ミックグリーンシートと同・の組成の絶縁ペーストを以
て目1]記の第1の導体層の俊記−イる一イ12の4≠
体層と電気的に接縁−するだめのI+′1径0.5mm
の開1−J 1fl−分を残してスクリーンl−11(
111Mより!(’t ’A Igi k形成1−、
krh、#’M +!”j fl !i℃の水%” ;
ly Uil K中で昇1品率3 (l fl ”C,
/ tL’rlfl 、15!i tl(、′、21L
’j 1iil I”fこ持後、降τif’l率++
Ll O’C/11.’+間で′焼結L2j’+’:(
1 ?入(、−1旭・紀、したセラミック基也の開[1都の
第1の/淳f本j曽上1J−1il朋化水累1合糸の)
(V′屯+1J”1メツA(、、二よりコノゲルl11
3μar出した。
他、シリカ、マグオ・シj”省のl+i> IJI口・
、ソとホt)ヒC−ルフーfラール省の楢機バインダー
を71(台じ、ドクターブレードθくにより厚み0.8
1n、;・、のセラミックグリーンシー ト全作成イグ
、でのセラミッククリーンシー)Lにタングステン粉末
98虫爪%、シリカ211(1に%のメタライズ成分に
印刷助酌全加えたメタライズペーストを用いてスクリー
ン印刷によりii< 1の導体層を形成し、次いでセラ
ミックグリーンシートと同・の組成の絶縁ペーストを以
て目1]記の第1の導体層の俊記−イる一イ12の4≠
体層と電気的に接縁−するだめのI+′1径0.5mm
の開1−J 1fl−分を残してスクリーンl−11(
111Mより!(’t ’A Igi k形成1−、
krh、#’M +!”j fl !i℃の水%” ;
ly Uil K中で昇1品率3 (l fl ”C,
/ tL’rlfl 、15!i tl(、′、21L
’j 1iil I”fこ持後、降τif’l率++
Ll O’C/11.’+間で′焼結L2j’+’:(
1 ?入(、−1旭・紀、したセラミック基也の開[1都の
第1の/淳f本j曽上1J−1il朋化水累1合糸の)
(V′屯+1J”1メツA(、、二よりコノゲルl11
3μar出した。
■’r’−、メッキしたセラミック基板を水素雰囲気中
(” 120 (1°CX3(1分熱処即後、第1表に
示ず1(金属組成のペーストを以て印刷)ψ、みが約3
(1μ(、−なるようG・−スクリーン印UilJし、
水素雰囲気中it 6 (1〜1400℃、i o〜3
0分それぞれの四金柁組成のぺ一=ストの融点にあわせ
て、貴金属を浴かした。
(” 120 (1°CX3(1分熱処即後、第1表に
示ず1(金属組成のペーストを以て印刷)ψ、みが約3
(1μ(、−なるようG・−スクリーン印UilJし、
水素雰囲気中it 6 (1〜1400℃、i o〜3
0分それぞれの四金柁組成のぺ一=ストの融点にあわせ
て、貴金属を浴かした。
仏に、j!膜導1毬ペーストである銀−白金4ミペース
ト(昭和化学製品番D −4021)および銀−パラジ
ウム糸ペースト(昭和化学製品番D−4・34・4・)
をそれぞれシルクスクリーン印刷した後、(i;M −
E、(金糸ベースl−(D −402L )を印刷した
ものは、空気中で700°C110分、銀−パラジウム
糸ペース) (D−4344)を印刷したものは、空気
中で850’C,1(1分焼成し、第5図C1丁円くす
ように第1の導体1・i・72 A−に各々第2の導体
層・t、4・がte数設けたセラミック多層配線基板を
得た。
ト(昭和化学製品番D −4021)および銀−パラジ
ウム糸ペースト(昭和化学製品番D−4・34・4・)
をそれぞれシルクスクリーン印刷した後、(i;M −
E、(金糸ベースl−(D −402L )を印刷した
ものは、空気中で700°C110分、銀−パラジウム
糸ペース) (D−4344)を印刷したものは、空気
中で850’C,1(1分焼成し、第5図C1丁円くす
ように第1の導体1・i・72 A−に各々第2の導体
層・t、4・がte数設けたセラミック多層配線基板を
得た。
本元明ど比較−4るため、−1−記のセラミック多層配
相1 )+1−板とは別G、六第1の8メ体層2のhを
jヒ成したものと第1の導体)廖42J:6.に′ン〃
ルメ′ンキへした後熱処理したものとをそれぞれ一1―
記のセラミック多層配杓!基板と同じ厚膜、+4’p宙
、ペー ストを以て第2の導体層を形成したものを作I
J児した。
相1 )+1−板とは別G、六第1の8メ体層2のhを
jヒ成したものと第1の導体)廖42J:6.に′ン〃
ルメ′ンキへした後熱処理したものとをそれぞれ一1―
記のセラミック多層配杓!基板と同じ厚膜、+4’p宙
、ペー ストを以て第2の導体層を形成したものを作I
J児した。
このようにして−イ;Jられたーヒラミ゛ンク多j曽自
己線基板の第2(ハ導体層間のT狂気抵抗を1.1il
l定した。その結果を第1表に13e i’ 。
己線基板の第2(ハ導体層間のT狂気抵抗を1.1il
l定した。その結果を第1表に13e i’ 。
\
\、
\
\\、
\8、
\
第 1 表
第1表から明らかなように、本つ1;明によって得られ
るセラミック多M配線基扱は第2の導体層、すなわち厚
膜ペーストを以てII &1ilj 、 l+ン化ざy
囲気中で焼成形成される回路パターンは、fIL気抵わ
しが小さく、シかも方法が従来セラミック多j冒配線基
板の製造に使用されている設備で容易に実Mt+、でき
る方法であって、電子工業の発展に1t↑与する1す[
大なるものである。
るセラミック多M配線基扱は第2の導体層、すなわち厚
膜ペーストを以てII &1ilj 、 l+ン化ざy
囲気中で焼成形成される回路パターンは、fIL気抵わ
しが小さく、シかも方法が従来セラミック多j冒配線基
板の製造に使用されている設備で容易に実Mt+、でき
る方法であって、電子工業の発展に1t↑与する1す[
大なるものである。
第1図は従来のセラミック多j胃配稈基板の擬部断面図
、第2図は本発明をd(8明゛4るための工桿フローチ
ャート、第3図ないし第5図はそれぞれ本軸明によって
得られるセラミックψIv+ rat々d〆、M&の一
実施例を不ず要部断+m図である。 1・・・セラミック基板、2・・・弔l (1) 41
体1vI。 3・・・絶縁Jtrls4.7・・第2のid、 r*
I曽、5・・・ニッケルメッキ1曽、6・・・v1金
属1曽。 第1図 第2図
、第2図は本発明をd(8明゛4るための工桿フローチ
ャート、第3図ないし第5図はそれぞれ本軸明によって
得られるセラミックψIv+ rat々d〆、M&の一
実施例を不ず要部断+m図である。 1・・・セラミック基板、2・・・弔l (1) 41
体1vI。 3・・・絶縁Jtrls4.7・・第2のid、 r*
I曽、5・・・ニッケルメッキ1曽、6・・・v1金
属1曽。 第1図 第2図
Claims (1)
- L 高融点金属を主成分とする得体j冑か設けられたセ
ラミック基板に厚膜、+fiL体層をfix化丞凹夕い
にハム成してイ静られるセラミック多j冑1)己浪−基
板の製償法において、尚i#ij点釜(・14を主成分
とする導イ本J曽にニッケルメッキし、〆入いてそのニ
ツケルメツギ上に少なくとも銀あるいは独を含む責金属
層をノヒ成後熱処理によりそのL′イ金属層を浴融し、
その浴出2されたkj <+2民層上にjV展導体層を
印jlill L、眠化亦囲九てに1.成Jること全1
1丁仏8するセラミックー?71胃V犯拍(左上にの製
造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4427683A JPS59171195A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | セラミツク多層配線基板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4427683A JPS59171195A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | セラミツク多層配線基板の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59171195A true JPS59171195A (ja) | 1984-09-27 |
JPS6346595B2 JPS6346595B2 (ja) | 1988-09-16 |
Family
ID=12686981
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4427683A Granted JPS59171195A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | セラミツク多層配線基板の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59171195A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02252290A (ja) * | 1989-03-27 | 1990-10-11 | Ngk Insulators Ltd | 多層配線基板の製造方法 |
JPH02292896A (ja) * | 1989-05-01 | 1990-12-04 | Ngk Insulators Ltd | セラミック多層配線基板 |
JPH0327590A (ja) * | 1989-06-23 | 1991-02-05 | Ngk Insulators Ltd | セラミック回路基板 |
JPH03218693A (ja) * | 1988-12-23 | 1991-09-26 | Narumi China Corp | セラミック多層配線基板およびその製造方法 |
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JPS6346595B2 (ja) | 1988-09-16 |
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