JPS6059764A - 混成集積回路基板の製造方法 - Google Patents
混成集積回路基板の製造方法Info
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- JPS6059764A JPS6059764A JP58169702A JP16970283A JPS6059764A JP S6059764 A JPS6059764 A JP S6059764A JP 58169702 A JP58169702 A JP 58169702A JP 16970283 A JP16970283 A JP 16970283A JP S6059764 A JPS6059764 A JP S6059764A
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発Ｆ！Ａｒｃ混成集積回路基板の製造方法、とくに
、サーメット抵抗体音用（八た混成集積回路基板の製造
方法の改良に関するものでるる。
、サーメット抵抗体音用（八た混成集積回路基板の製造
方法の改良に関するものでるる。
［在米技術］
従来、この種の回路基板としては、アルミナセラミック
基板などの絶縁性耐熱基板上に、厚膜導体ペースト、厚
膜抵抗ペース）ｋ印刷、焼成する厚膜形成技術を用いて
形成される厚膜混成集積回路基板、蒸着、スパッタリン
グなどの薄膜形成技術？用いて形成される簿膜混販集イ
♂ｉ−回、路基板、厚膜、薄膜両者全組み合わせたもの
、紙フェノール基板などにポリマー印刷抵抗体ケ形成し
たものなどが王として用いられてさた。
基板などの絶縁性耐熱基板上に、厚膜導体ペースト、厚
膜抵抗ペース）ｋ印刷、焼成する厚膜形成技術を用いて
形成される厚膜混成集積回路基板、蒸着、スパッタリン
グなどの薄膜形成技術？用いて形成される簿膜混販集イ
♂ｉ−回、路基板、厚膜、薄膜両者全組み合わせたもの
、紙フェノール基板などにポリマー印刷抵抗体ケ形成し
たものなどが王として用いられてさた。
薄膜混成集積回路基板は、高信頼性、晶牲龍、微細パタ
ーン等が要求される分野、王として燕業用電子機器など
に使用されており、厚膜混成集積回路基板に比べてコス
トは高くなる。
ーン等が要求される分野、王として燕業用電子機器など
に使用されており、厚膜混成集積回路基板に比べてコス
トは高くなる。
−万、厚膜混成集積回路基板は、導体層には銀−パラジ
ウム、白金−パラジウム、金などの貴金属導体ペースト
、抵抗体には酸化ルテニウムなどのサーメット抵抗ペー
スト音用い、印刷、焼成によって形成され、民生用から
産業用１でほとんどの分野で使用されている。
ウム、白金−パラジウム、金などの貴金属導体ペースト
、抵抗体には酸化ルテニウムなどのサーメット抵抗ペー
スト音用い、印刷、焼成によって形成され、民生用から
産業用１でほとんどの分野で使用されている。
また、ポリマー印刷抵抗体？用いて、紙フェノールなど
の有促系基板に印刷、硬化し、銅はくのエツチングある
いは銀ポリマーペーストなどの印刷硬化による導体パタ
ーンと組み合わせて成る厚膜樹脂回路基板も、コストダ
ウン？王たる目的とした民生用の分野で使用嘔れでいる
。しかし、このような厚膜樹脂回路基板は、抵抗体に低
−温硬化型のもの會使う必要かめるため、高温焼成のサ
ーメット抵抗体、薄膜抵抗体に比べ、性能、信頼性の面
で劣る。また、熱放散性も悪く、ノ（ワー用としては使
用でさず、高＠度化も困難でめるなどの欠点をＭｆる。
の有促系基板に印刷、硬化し、銅はくのエツチングある
いは銀ポリマーペーストなどの印刷硬化による導体パタ
ーンと組み合わせて成る厚膜樹脂回路基板も、コストダ
ウン？王たる目的とした民生用の分野で使用嘔れでいる
。しかし、このような厚膜樹脂回路基板は、抵抗体に低
−温硬化型のもの會使う必要かめるため、高温焼成のサ
ーメット抵抗体、薄膜抵抗体に比べ、性能、信頼性の面
で劣る。また、熱放散性も悪く、ノ（ワー用としては使
用でさず、高＠度化も困難でめるなどの欠点をＭｆる。
このため、用途としては、コスト金工げること？第１の
目的とする民生機器に限定される傾向に必る。
目的とする民生機器に限定される傾向に必る。
前述した厚膜混成集積回路基板１よ、抵抗体にセ１」え
ば酸化ルテニウム系のザーメット抵抗体ケ用いることに
より、抵抗値の範囲？広くとることかてさ、また高温焼
成（５００℃以上）でるるため、性能、Ｃ軸性も優ねて
おり民生用から産業用寸でのほとんどの分野で使用され
ている。
ば酸化ルテニウム系のザーメット抵抗体ケ用いることに
より、抵抗値の範囲？広くとることかてさ、また高温焼
成（５００℃以上）でるるため、性能、Ｃ軸性も優ねて
おり民生用から産業用寸でのほとんどの分野で使用され
ている。
しかし、導体層には貴金属が用いられているため、価格
が晶いといつ欠点かめる。寸だ、王として用いられる銀
は、回路累子奮半田付けする際に、溶融半田中に溶解（
−てし１つ 半田喰われのＩ’Ｇ］ Ｈ枳がめり、銀入
り半田の使ｈｌ 、温ノザ管理ｌど半ＨＪ付はプロセス
の慎ｌなコントロールが必要である。
が晶いといつ欠点かめる。寸だ、王として用いられる銀
は、回路累子奮半田付けする際に、溶融半田中に溶解（
−てし１つ 半田喰われのＩ’Ｇ］ Ｈ枳がめり、銀入
り半田の使ｈｌ 、温ノザ管理ｌど半ＨＪ付はプロセス
の慎ｌなコントロールが必要である。
１だ、厚膜混成集積回路基板の４体層として、前述の貴
金属ペーストの代替として銅、ニッケルなどの卑金属ペ
ースト７使用し、コス）ｋ低減し、導体層のインピーダ
ンス？下げる方法もめるが、窒素雰囲気中での焼成が必
要となり、適用可Ｈ巳な抵抗べ〜ストの開発なと癒しい
点が多い。
金属ペーストの代替として銅、ニッケルなどの卑金属ペ
ースト７使用し、コス）ｋ低減し、導体層のインピーダ
ンス？下げる方法もめるが、窒素雰囲気中での焼成が必
要となり、適用可Ｈ巳な抵抗べ〜ストの開発なと癒しい
点が多い。
この発明は上記のよｆ）な従来のものの欠点を除去する
ためになされたもので、無電解メッキ全析出させる活性
化層を絶縁性耐熱基板上に形成し、この活性化層上に少
ｌくとも無電解メッキによジ導体Ｎ全形成し、上記絶縁
性ｉｉｉ′Ｉ熱基板上に、上記導体層と接触してサーメ
ット抵抗体全焼成形成することにより、晶注亜、品信頼
性の混成集積回路基板全容易に、かつ安価に製造する方
法全提供すること全目的としている。
ためになされたもので、無電解メッキ全析出させる活性
化層を絶縁性耐熱基板上に形成し、この活性化層上に少
ｌくとも無電解メッキによジ導体Ｎ全形成し、上記絶縁
性ｉｉｉ′Ｉ熱基板上に、上記導体層と接触してサーメ
ット抵抗体全焼成形成することにより、晶注亜、品信頼
性の混成集積回路基板全容易に、かつ安価に製造する方
法全提供すること全目的としている。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図にこの発明の一製造例に係る絶縁性耐熱基板の平
面図、第２図はこの発明の一製造例に係る絶縁性耐熱基
板の部分断面図、第３図、はこの発明の一実施例により
形成された混成集積回路基板の平面図、第４図は第３図
■−■線に沿った部分断面図である。図において、（ｌ
）に例えばアルミナセラミック基板等より；ｘ；ｂｅ縁
牲耐黙基板、（２ＪはこのＰ３縁性耐熱基板ｉｌｌ上に
形成された無電解メッキ？析出きせる活性化層、＋３１
，１４１は活性化層（２）上に少なくとも無電解メッキ
により形成された導体層で第２図〜第４図にふ・いては
、ｍｌ導体層（３）と第２導体層（４１より；ｔり、第
１４体層＋３１は無電解メッキにより形成されたニッケ
ルメッキ層であり、第２４体ｉｎ＋μ無電解メッキ又は
電気メッキにより形成された金メッキ１づである。（５
）は絶縁性耐熱基板（１）上に、導体層＋３１ 、 ＋
４１と接触して焼成形成さノア。
面図、第２図はこの発明の一製造例に係る絶縁性耐熱基
板の部分断面図、第３図、はこの発明の一実施例により
形成された混成集積回路基板の平面図、第４図は第３図
■−■線に沿った部分断面図である。図において、（ｌ
）に例えばアルミナセラミック基板等より；ｘ；ｂｅ縁
牲耐黙基板、（２ＪはこのＰ３縁性耐熱基板ｉｌｌ上に
形成された無電解メッキ？析出きせる活性化層、＋３１
，１４１は活性化層（２）上に少なくとも無電解メッキ
により形成された導体層で第２図〜第４図にふ・いては
、ｍｌ導体層（３）と第２導体層（４１より；ｔり、第
１４体層＋３１は無電解メッキにより形成されたニッケ
ルメッキ層であり、第２４体ｉｎ＋μ無電解メッキ又は
電気メッキにより形成された金メッキ１づである。（５
）は絶縁性耐熱基板（１）上に、導体層＋３１ 、 ＋
４１と接触して焼成形成さノア。
たザーメツト抵抗体で、例えば、酸化ルテニウム系抵抗
体でるる。
体でるる。
次に、図に従ってこの発明の混成集積回路基板の製造方
法全詳しく説明する。
法全詳しく説明する。
まず、第１図に示ざり、るようにアルミナセラミック基
板ｉｌｌ上の導体金必要とする部分のみに、活性化ペー
ストを印刷、焼成し、活性化層＋２１を形成する。この
ペーストには、無電解メッキ全析出させるための触媒と
、焼成した際に下地との接着力？得るためのガラス成分
が含才れている。（例えば、奥野製薬キャタペーストｃ
（Ｊ）−３７００）次に、このアルミナセラミック基板
（１）？無策解ニツケルメツキ浴ＶＣ浸漬し、活件化ｊ
帝ｔ２１上だけにニッケルメツキノ〜よ−りなる第１導
体啼＋３１ ’／影形成る。
板ｉｌｌ上の導体金必要とする部分のみに、活性化ペー
ストを印刷、焼成し、活性化層＋２１を形成する。この
ペーストには、無電解メッキ全析出させるための触媒と
、焼成した際に下地との接着力？得るためのガラス成分
が含才れている。（例えば、奥野製薬キャタペーストｃ
（Ｊ）−３７００）次に、このアルミナセラミック基板
（１）？無策解ニツケルメツキ浴ＶＣ浸漬し、活件化ｊ
帝ｔ２１上だけにニッケルメツキノ〜よ−りなる第１導
体啼＋３１ ’／影形成る。
続いて、この第１導体層（３；の上に無電解メッキ又は
電気メッキで金メッキ層（４）全形成する。この金メッ
キ層は第２導体７？１４１で後工程でのサーメット１ｊ
Ｔｔ抗体（５１の焼成の際にｆｆ１ｌ導体層（３１０酸
化を防止する目的で形成するものでめり、耐散化層？な
す。
電気メッキで金メッキ層（４）全形成する。この金メッ
キ層は第２導体７？１４１で後工程でのサーメット１ｊ
Ｔｔ抗体（５１の焼成の際にｆｆ１ｌ導体層（３１０酸
化を防止する目的で形成するものでめり、耐散化層？な
す。
第２図はこのようにして製造された基板の断面図である
。続いて、第３図、５ｇ４図に示すように、アルミナセ
ラミック基板＋１１上の所定の部分に、導体ＢＩ ＋３
＋ 、 （＜＋と接触して酸化ルテニウム系の抵抗ペー
スト全印刷、焼成し、サーメット抵抗体（５）全形成す
る０抵抗体（５）の焼成時、空気中で５００℃以上（例
えば６００℃）の温度になるが、前［％述べたようにニ
ッケルメッキ層（３）の上に金メッキ層（４）全形成し
ているため、酸化は防止でき、導体層１３）。
。続いて、第３図、５ｇ４図に示すように、アルミナセ
ラミック基板＋１１上の所定の部分に、導体ＢＩ ＋３
＋ 、 （＜＋と接触して酸化ルテニウム系の抵抗ペー
スト全印刷、焼成し、サーメット抵抗体（５）全形成す
る０抵抗体（５）の焼成時、空気中で５００℃以上（例
えば６００℃）の温度になるが、前［％述べたようにニ
ッケルメッキ層（３）の上に金メッキ層（４）全形成し
ているため、酸化は防止でき、導体層１３）。
（４）の専通抵抗が上昇したり、半田付は注が劣化する
ことはなく、導体ｌｉｄ ＋３１ 、 ＋４１と抵抗体
（６）との間にも良好なオーミックコンタクトが得られ
る。この様にして、サーメット抵抗体（５）と導体層１
３１ 、 ＋４１ 會備えた混成果績回路基根が形が３
啄れる。
ことはなく、導体ｌｉｄ ＋３１ 、 ＋４１と抵抗体
（６）との間にも良好なオーミックコンタクトが得られ
る。この様にして、サーメット抵抗体（５）と導体層１
３１ 、 ＋４１ 會備えた混成果績回路基根が形が３
啄れる。
仄にこの発明の池の実施列Ｃ〆こ′ついて説明す−６ｕ
捷ず、アルミナセラミックＸ ；ｔＭ ｆｉｌの全面Ｖ
こ活性化ペースト全印刷、焼成し活１生化１６ ＋２＋
：全形成する。
捷ず、アルミナセラミックＸ ；ｔＭ ｆｉｌの全面Ｖ
こ活性化ペースト全印刷、焼成し活１生化１６ ＋２＋
：全形成する。
仄に、このアルミナセラミック基板ｔｌｌ勿無電解ニッ
ケル浴に浸漬し、基板全面にニッケルメッキ欝（３）を
形成する。更に、ニッケルメッキＪ惰１１１上ｔＣ位メ
ッキ層＋４１を形成する。続いて、写真製版技術によっ
て、金メッキ層（４）上にレジストノ脅全形成し、エツ
チングすることによりバターニングざｎた導体層１３１
１４＋が得らノする。
ケル浴に浸漬し、基板全面にニッケルメッキ欝（３）を
形成する。更に、ニッケルメッキＪ惰１１１上ｔＣ位メ
ッキ層＋４１を形成する。続いて、写真製版技術によっ
て、金メッキ層（４）上にレジストノ脅全形成し、エツ
チングすることによりバターニングざｎた導体層１３１
１４＋が得らノする。
更に、導体層（３１＋４１の形成されたアルミナセラミ
ック基板＋１１上の所定の部分に、酸化ルテニウム系の
抵抗ペースト全印刷、焼放し、サーメット抵抗体（６）
全形成する。この様にして、１ｊｆＪ記実施例と同様、
サーメット抵抗体（５１と導体Ｊ？ｒ） １３１１４１
”；１備え７ヒ混ＩＮ、’Ｍ積回路基板が得られる。
ック基板＋１１上の所定の部分に、酸化ルテニウム系の
抵抗ペースト全印刷、焼放し、サーメット抵抗体（６）
全形成する。この様にして、１ｊｆＪ記実施例と同様、
サーメット抵抗体（５１と導体Ｊ？ｒ） １３１１４１
”；１備え７ヒ混ＩＮ、’Ｍ積回路基板が得られる。
このよう６℃丁才りば、導体ノ會の微細化が可能となる
。上記天側例では請板ＩＩ＋の全面に活性化ペーストを
印刷したが、浸漬塗布可能な凱状活性化剤（例えば、矢
野製系キャタペース） ｃａｐ−４２００）ｉ用いて活
性化しても同様の効果ケ溪する。
。上記天側例では請板ＩＩ＋の全面に活性化ペーストを
印刷したが、浸漬塗布可能な凱状活性化剤（例えば、矢
野製系キャタペース） ｃａｐ−４２００）ｉ用いて活
性化しても同様の効果ケ溪する。
更に、止揚２つの天側例で得らノ１．た基板に、活性化
ペースト全所定のパターンに印刷、焼成し、続いてメッ
キすることにより、’ｄ丁たな心体層全付加することも
出来る。
ペースト全所定のパターンに印刷、焼成し、続いてメッ
キすることにより、’ｄ丁たな心体層全付加することも
出来る。
また、第１２５体層（３１として無電解ニッケルメッキ
について述べたか、これＱユ、銅メッキなどでもよく・
史Ｖｃｔよ無電解メツキノ曽上に電気メッキ孕行い必要
に応じて膜厚に増やし、電流容量音大きくとる等も可能
である。さらに、第２導体層（４）とし。
について述べたか、これＱユ、銅メッキなどでもよく・
史Ｖｃｔよ無電解メツキノ曽上に電気メッキ孕行い必要
に応じて膜厚に増やし、電流容量音大きくとる等も可能
である。さらに、第２導体層（４）とし。
ては、金メッキに限らず、抵抗体（δ）形成時の熱によ
る酸化を防止するＰＡ熊全有する全屈であればよく、白
金メッキ、銀メッキなどでもよい。
る酸化を防止するＰＡ熊全有する全屈であればよく、白
金メッキ、銀メッキなどでもよい。
以上のようにこの発明によれば、無電解メッキ葡析田さ
せる活性化Ｊ＠全絶縁性耐熱基板上に形成し、この活性
化層上に少ｌくとも無電解メッキにより導体層全形成し
、上記絶縁性耐熱基板上に、上記導体層と接触してサー
メット抵抗体全焼成形底するようにしたので、抵抗体が
焼成形成さｈたサーメット抵抗体でるり、４′＋行ｔ；
、４’ｒ＝’東ｑｉ’ｘＬｂ優れてい６といりサーメッ
ト抵抗イネのもつ木床の’１ｒ１１１Ｌか５、Ｊ：記製
造方法（でよりそこな；）？＋ることフにぐ、発］’ｌ
ｔでさ、さらに、２Ｊ体層の王匁す村卑金；１ｉ−Ｃ、
メッキにより形！５えできるので、経済的でΔリリ、’
ｆ ７ｃ １％ｎ 雰囲気中で形成させる必−°芳がな
いＱ！の効果かめる。
せる活性化Ｊ＠全絶縁性耐熱基板上に形成し、この活性
化層上に少ｌくとも無電解メッキにより導体層全形成し
、上記絶縁性耐熱基板上に、上記導体層と接触してサー
メット抵抗体全焼成形底するようにしたので、抵抗体が
焼成形成さｈたサーメット抵抗体でるり、４′＋行ｔ；
、４’ｒ＝’東ｑｉ’ｘＬｂ優れてい６といりサーメッ
ト抵抗イネのもつ木床の’１ｒ１１１Ｌか５、Ｊ：記製
造方法（でよりそこな；）？＋ることフにぐ、発］’ｌ
ｔでさ、さらに、２Ｊ体層の王匁す村卑金；１ｉ−Ｃ、
メッキにより形！５えできるので、経済的でΔリリ、’
ｆ ７ｃ １％ｎ 雰囲気中で形成させる必−°芳がな
いＱ！の効果かめる。
第１図はこの発１刃の一製造例に係る杷ｌｄ；・ＩＪニ
ドＪ１．築基板の平面図、第２図はこの発明の一製造し
ｌに・係る絶縁性耐熱基板の部分子ＯＴ面図、第３図Ｖ
よこの発明の一笑施例により形【ｖとだ混成呆績回路基
板の平面図、第４図は第３図■ｒ！ ６Ｊ ＶＣｌ２
つｒｃ １１１Ｓ分断面図でめる。 図において、（１）は絶縁性耐熱基板、（２１Ｖよ活１
’Ｊに化１□□□、（３１は第１２３体層、（４）すよ
！バ２尋体ノ曽、１５）はサーメット抵抗体である。 なか、図中、同一符号は回−又は相当部分を示す。 第１図 第２図 第３１′４ 第４図 −ｆ イ′、′Ｌ 抽 ＩＥ 、’：（自発）５ ｃｌ
Ａ’：） ｊ 、’ｊ 昭和 で１′ 月 １＝１ １旨′）ｊ１長官殿 １゛１１イ′Ｉの表示 腸１９（［昭５８−１６９７０
２号２ ブこ明の名利・ 混ｆＡ集Ｕ１回路基板の製造方法 ：３ 、１１１ｉ１１−、をする者 ″Ｂ（牛とｔ／’）ＩＶＩイ”Ｉ： ４１１！午ｌ申：
１４．’ｊｃｉ人住 所 東京都「−代Ｉｌ１区九の内
−°４口１２爵３）じ名 称 （６０１）三菱電機株式
会ン１代表者 片 １１］ イー 八 部 １代理人 ５ 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ＣＣＰ−８７００Ｊを［キャタペーストＣＧＰ１６３０
Ｊに訂正する。 以上
ドＪ１．築基板の平面図、第２図はこの発明の一製造し
ｌに・係る絶縁性耐熱基板の部分子ＯＴ面図、第３図Ｖ
よこの発明の一笑施例により形【ｖとだ混成呆績回路基
板の平面図、第４図は第３図■ｒ！ ６Ｊ ＶＣｌ２
つｒｃ １１１Ｓ分断面図でめる。 図において、（１）は絶縁性耐熱基板、（２１Ｖよ活１
’Ｊに化１□□□、（３１は第１２３体層、（４）すよ
！バ２尋体ノ曽、１５）はサーメット抵抗体である。 なか、図中、同一符号は回−又は相当部分を示す。 第１図 第２図 第３１′４ 第４図 −ｆ イ′、′Ｌ 抽 ＩＥ 、’：（自発）５ ｃｌ
Ａ’：） ｊ 、’ｊ 昭和 で１′ 月 １＝１ １旨′）ｊ１長官殿 １゛１１イ′Ｉの表示 腸１９（［昭５８−１６９７０
２号２ ブこ明の名利・ 混ｆＡ集Ｕ１回路基板の製造方法 ：３ 、１１１ｉ１１−、をする者 ″Ｂ（牛とｔ／’）ＩＶＩイ”Ｉ： ４１１！午ｌ申：
１４．’ｊｃｉ人住 所 東京都「−代Ｉｌ１区九の内
−°４口１２爵３）じ名 称 （６０１）三菱電機株式
会ン１代表者 片 １１］ イー 八 部 １代理人 ５ 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ＣＣＰ−８７００Ｊを［キャタペーストＣＧＰ１６３０
Ｊに訂正する。 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＋１１ 無電解メッキ全析出させる活性化層全絶縁性耐
熱基板上に形成する工程、上記活性化層上に少なくとも
無電解メッキにより導体層を形成する工程、上記絶縁性
耐熱基板上に上記導体層と接触してサーメット抵抗体全
焼成形成する工程音節す混成集積回路基板の製造方法。 （２１４体層は活性化層上に無電解メッキで形成された
第１導体層と、この第１導体層上に電気メッキで形成さ
れた第２４体層とで講成したこと全特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の混成集積回路基板の製造方法。 【３１ 第２導体層は耐酸化層であること全特徴とする
特許請求の範囲第２項記載の混成集積回路基板の製造方
法。 ［４１サーメット抵抗体は酸化ルテニウム系抵抗体であ
ること全特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項
のいずれかに記載の混成集積回路基板の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58169702A JPS6059764A (ja) | 1983-09-13 | 1983-09-13 | 混成集積回路基板の製造方法 |
| US06/636,675 US4685203A (en) | 1983-09-13 | 1984-08-01 | Hybrid integrated circuit substrate and method of manufacturing the same |
| US07/049,261 US4783642A (en) | 1983-09-13 | 1987-05-13 | Hybrid integrated circuit substrate and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58169702A JPS6059764A (ja) | 1983-09-13 | 1983-09-13 | 混成集積回路基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6059764A true JPS6059764A (ja) | 1985-04-06 |
Family
ID=15891295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58169702A Pending JPS6059764A (ja) | 1983-09-13 | 1983-09-13 | 混成集積回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6059764A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6231190A (ja) * | 1985-08-01 | 1987-02-10 | 北陸電気工業株式会社 | 電子回路基板及びその製造方法 |
| JPS62193102A (ja) * | 1986-02-19 | 1987-08-25 | 松下電工株式会社 | セラミツク配線基板の製法 |
| JPS6347997A (ja) * | 1986-08-15 | 1988-02-29 | 松下電工株式会社 | セラミツク両面配線基板の製法 |
-
1983
- 1983-09-13 JP JP58169702A patent/JPS6059764A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6231190A (ja) * | 1985-08-01 | 1987-02-10 | 北陸電気工業株式会社 | 電子回路基板及びその製造方法 |
| JPH0584679B2 (ja) * | 1985-08-01 | 1993-12-02 | Hokuriku Elect Ind | |
| JPS62193102A (ja) * | 1986-02-19 | 1987-08-25 | 松下電工株式会社 | セラミツク配線基板の製法 |
| JPS6347997A (ja) * | 1986-08-15 | 1988-02-29 | 松下電工株式会社 | セラミツク両面配線基板の製法 |
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