JPS59163841A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS59163841A JPS59163841A JP3793183A JP3793183A JPS59163841A JP S59163841 A JPS59163841 A JP S59163841A JP 3793183 A JP3793183 A JP 3793183A JP 3793183 A JP3793183 A JP 3793183A JP S59163841 A JPS59163841 A JP S59163841A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明目樹脂封止型半導体装置の改良に関し、特に大面
積半導体ベレットの表面構造に係る。
積半導体ベレットの表面構造に係る。
ｒ発明の技術的背景〕
従来の樹脂封止型半導体装置のベレットの平面図及び断
面図を第１図（ａ）及び（ｂ）に示す。
面図を第１図（ａ）及び（ｂ）に示す。
図中１は例えばＰ型シリコン基板であり、この基板１表
面にはフィールド酸化膜２が形成されている。このフィ
ールド酸化＠２によって曲まれだ図示しない素子領域に
は例えばＮチャネルＭＯ８）ランジスタが形成されてい
る。また、ベレット周辺部のフィールド酸化膜２上には
ＣＶＤ酸化膜等の層間Ｐ縁膜３を介して素子領竣から延
長されたＡノ配線と接続するポンプイングツ４’ツド部
４が形成されている。更に、全面にはパッシベーション
膜５が堆積されており、前記ボンディング・ぐラド部４
に対応するノｆツシベーション膜５部分にはポンディン
グパッド用窓６が開孔されている。
面にはフィールド酸化膜２が形成されている。このフィ
ールド酸化＠２によって曲まれだ図示しない素子領域に
は例えばＮチャネルＭＯ８）ランジスタが形成されてい
る。また、ベレット周辺部のフィールド酸化膜２上には
ＣＶＤ酸化膜等の層間Ｐ縁膜３を介して素子領竣から延
長されたＡノ配線と接続するポンプイングツ４’ツド部
４が形成されている。更に、全面にはパッシベーション
膜５が堆積されており、前記ボンディング・ぐラド部４
に対応するノｆツシベーション膜５部分にはポンディン
グパッド用窓６が開孔されている。
樹脂封止九り半導体装置は上記半導体ベレットをリード
フレームにマウントし、ワイヤボンディングを行ない、
更にエポキン樹脂等を用いて樹脂封止した後、リード成
形することにより製造される。
フレームにマウントし、ワイヤボンディングを行ない、
更にエポキン樹脂等を用いて樹脂封止した後、リード成
形することにより製造される。
従来の樹脂封止型半導体装置においては、特に２５−以
上の大面積ペレットを使用した場合、環境の急激な温度
変化によってパッシベーション膜のポンディングパッド
用窓付近の段差部に封止樹脂からの応力がかかりクラッ
クが発生し易く、耐湿性の劣化を招く。こうした、パッ
シベーション膜゛のクラック発生は特にペレットの４Ｐ
１において起こり易い。また、これと同時にパツンベー
ション膜下のＡ／配糾が変形したり、杉端な場合には断
線する等して半導体装置の性能を阻害するという欠点が
ある。
上の大面積ペレットを使用した場合、環境の急激な温度
変化によってパッシベーション膜のポンディングパッド
用窓付近の段差部に封止樹脂からの応力がかかりクラッ
クが発生し易く、耐湿性の劣化を招く。こうした、パッ
シベーション膜゛のクラック発生は特にペレットの４Ｐ
１において起こり易い。また、これと同時にパツンベー
ション膜下のＡ／配糾が変形したり、杉端な場合には断
線する等して半導体装置の性能を阻害するという欠点が
ある。
「発明の目的〕
本発明は上記欠点を解消するためになされたものであり
、ノ干ツシベーション腔のクラックによる耐湿性の劣化
、Ａ、／−配線の断線熔を防止し得る樹脂封止型半導体
装置を桿供）、ようどするものである。
、ノ干ツシベーション腔のクラックによる耐湿性の劣化
、Ａ、／−配線の断線熔を防止し得る樹脂封止型半導体
装置を桿供）、ようどするものである。
本発明の樹脂封止型半導体装置は半導体ペレット表面に
配線等の機能部分のノｆターンとは少なくとも一部分分
離された、応力を吸収する機能を有するノやターン（以
下、ダミー・やターンと称する）を形成し、樹脂封止し
たことを特徴とするものである。
配線等の機能部分のノｆターンとは少なくとも一部分分
離された、応力を吸収する機能を有するノやターン（以
下、ダミー・やターンと称する）を形成し、樹脂封止し
たことを特徴とするものである。
このようなダミーパターンを形成すれば、ペレットが封
止樹脂からの応力を受けても配線等の機能部分のノ４ツ
ンベーション膜を保護して、クラックの発生、配線の断
線等を防止することができる。
止樹脂からの応力を受けても配線等の機能部分のノ４ツ
ンベーション膜を保護して、クラックの発生、配線の断
線等を防止することができる。
以下、本発明の実施例を第２図（ａ）及び（ｂ）を参照
して説明する。力お、第２図（ａ）は半導体ベレットの
一部分を示す平前図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ
線に沿う断面図である。
して説明する。力お、第２図（ａ）は半導体ベレットの
一部分を示す平前図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ
線に沿う断面図である。
図中１１はＰ型シリコン基板であり、この基板１１表向
にはフィールド酸化膜１２が形成されている。このフィ
ールド駿化ＩＩψ１２によって囲まれた図示しない集子
領域にはＭＯＳ）ランジスタ等の零子が形成されている
。また、ペレットの４隅にはＣＶＤ酸化膜からなる層間
絶縁膜１３を介して略り字形のグミーＡＡパターン１４
が形成されている。また、この人！ダミーパターン１４
の内側及びペレットの周辺部には層間絶縁膜１３を介し
て禦子領域から延長された人！配線と接続するポンディ
ングパッド部１５が形成されている。前記ダミーＡ！パ
ターン１４上には略り字形のダミーノやツシペーション
膜ノぐターン１６が形成されている。更に、前記Ａ！配
線１５を含むｉｆ部分の全面には／やツシベーション膜
１７が堆積されており、前記人！配線１５上に対応する
部分にはポンプイングツ々ツド用窓１８が開孔されてい
る。
にはフィールド酸化膜１２が形成されている。このフィ
ールド駿化ＩＩψ１２によって囲まれた図示しない集子
領域にはＭＯＳ）ランジスタ等の零子が形成されている
。また、ペレットの４隅にはＣＶＤ酸化膜からなる層間
絶縁膜１３を介して略り字形のグミーＡＡパターン１４
が形成されている。また、この人！ダミーパターン１４
の内側及びペレットの周辺部には層間絶縁膜１３を介し
て禦子領域から延長された人！配線と接続するポンディ
ングパッド部１５が形成されている。前記ダミーＡ！パ
ターン１４上には略り字形のダミーノやツシペーション
膜ノぐターン１６が形成されている。更に、前記Ａ！配
線１５を含むｉｆ部分の全面には／やツシベーション膜
１７が堆積されており、前記人！配線１５上に対応する
部分にはポンプイングツ々ツド用窓１８が開孔されてい
る。
こうした半導体ペレットをリードフレームにマウントし
、ワイヤボンディングを行々い、更にエポキシ樹脂等を
用いて樹脂封止した後、リード成形することにより本発
明に係る樹脂封止型半導体装置が製造される。
、ワイヤボンディングを行々い、更にエポキシ樹脂等を
用いて樹脂封止した後、リード成形することにより本発
明に係る樹脂封止型半導体装置が製造される。
しかして、上記樹脂封止型半導体装置によれば、環境の
温間変化等によって生じる封止樹脂からの応力をグミー
ＡｐＡターン１４及びダミーパッシベーション膜パター
ン１６からなるダミーパターンの段差部が吸収してしま
う。したがって、ダミーパッシベーション膜パターン１
６にクラックが発生したり、ダミーＡ１７等ターン１４
に変形が生じたとしても、これらが機能部分に及ぶこと
はなく、耐湿性の劣化やＡ！配線の断線等が生じること
はない。
温間変化等によって生じる封止樹脂からの応力をグミー
ＡｐＡターン１４及びダミーパッシベーション膜パター
ン１６からなるダミーパターンの段差部が吸収してしま
う。したがって、ダミーパッシベーション膜パターン１
６にクラックが発生したり、ダミーＡ１７等ターン１４
に変形が生じたとしても、これらが機能部分に及ぶこと
はなく、耐湿性の劣化やＡ！配線の断線等が生じること
はない。
事実、以下のような実験により上記効果が確かめられた
。
。
第２図（ａ）図示の略り字形のダミーパターンを形成し
た８−の半導体ベレットと、ダミーパターンを形成して
いない従来の８ＴＩＪＲの半導体ベレットを用い、これ
らを下記第１表に示す特性を有するＡ、Ｂ２種類のエポ
キシ樹脂を用いて樹脂封止して４２ビンのＤＩＰ樹脂封
止型半導体装置を製造した。
た８−の半導体ベレットと、ダミーパターンを形成して
いない従来の８ＴＩＪＲの半導体ベレットを用い、これ
らを下記第１表に示す特性を有するＡ、Ｂ２種類のエポ
キシ樹脂を用いて樹脂封止して４２ビンのＤＩＰ樹脂封
止型半導体装置を製造した。
第１表
得られたＴ）ＩＰ樹脂封止型半導体装置について（２５
℃（５分）→１５０℃（３０分）→２５“ｃ（５分）→
−５５℃（３０分））を１サイクルとする湿度サイクル
試験を行々い、１００サイクル経過後のベレット表面の
ノヤツシベーション膜のクラック及びＡ／配線の変形を
計１へ、その結果を下記第２表に示す。
℃（５分）→１５０℃（３０分）→２５“ｃ（５分）→
−５５℃（３０分））を１サイクルとする湿度サイクル
試験を行々い、１００サイクル経過後のベレット表面の
ノヤツシベーション膜のクラック及びＡ／配線の変形を
計１へ、その結果を下記第２表に示す。
なお、下記第２表中実施例１及び比較例１はエポキシ樹
脂Ａを、実施例２及び比較例２はエポキシ樹脂Ｂをそれ
ぞれ用いたものである。また、比較例１及び２における
／４’ツシベーション膜のクラックの欄に示す数イ「丁
は、機能部分で発生したクラックの先端のダイシングラ
インからの距離である。また、Ａ！配線の変形の有フｖ
（はダイシングラインより２００μｍ離れた位置でのＡ
）配線の変形の有無を示す。
脂Ａを、実施例２及び比較例２はエポキシ樹脂Ｂをそれ
ぞれ用いたものである。また、比較例１及び２における
／４’ツシベーション膜のクラックの欄に示す数イ「丁
は、機能部分で発生したクラックの先端のダイシングラ
インからの距離である。また、Ａ！配線の変形の有フｖ
（はダイシングラインより２００μｍ離れた位置でのＡ
）配線の変形の有無を示す。
第 ２ 表
上記第２表から明らかなように比較例１及び２の従来の
樹脂封止型半導体装置では樹脂部分の７千ツシペーシヨ
ン膜にクラックが発生し対湿性が劣化したり、ＡＡ配線
の変形が起こったりしている。これに対して実施例１及
び２の本発明の樹脂封止＾り半導体装置ではパッシベー
ション膜のクラック発生はダミーパターンのみであＩＪ
、樹１１旨部分のパッシベーション膜にはクラックが発
生しないので酬ｔ！＋ｉ！性の劣化を招くことば々い。
樹脂封止型半導体装置では樹脂部分の７千ツシペーシヨ
ン膜にクラックが発生し対湿性が劣化したり、ＡＡ配線
の変形が起こったりしている。これに対して実施例１及
び２の本発明の樹脂封止＾り半導体装置ではパッシベー
ション膜のクラック発生はダミーパターンのみであＩＪ
、樹１１旨部分のパッシベーション膜にはクラックが発
生しないので酬ｔ！＋ｉ！性の劣化を招くことば々い。
また、機能部分での人！配線の変形も生じることがない
ので、半導体装置の性能に悪影響が及ばない。
ので、半導体装置の性能に悪影響が及ばない。
なお、本発明の樹脂封止型半導体装置におけるダミーパ
ターンの形状は第２図（ａ）に示すものに眼らず、例え
ば第３図及び第４図に示す形状でもよい、 第３図図示のダミーパターンは略り字形のダたものであ
る。
ターンの形状は第２図（ａ）に示すものに眼らず、例え
ば第３図及び第４図に示す形状でもよい、 第３図図示のダミーパターンは略り字形のダたものであ
る。
一方、第４図図示のダミーパターンは３個に分割された
略り字形のダミー人ｆツヤターン２ハ。
略り字形のダミー人ｆツヤターン２ハ。
２１、．２１．を覆うように略り字形のグミ−ご↓」
ノぐツシペーション膜２２を形成したものである。
また、ダミーパターンは機能部分のノｆツシベーション
膜にまでクラックが延びなければよいので、部分的に機
能部分のパッシベーション膜から分離され、一部は機能
部分の・ぐツンベーション膜七接続していてもよい。
膜にまでクラックが延びなければよいので、部分的に機
能部分のパッシベーション膜から分離され、一部は機能
部分の・ぐツンベーション膜七接続していてもよい。
また、ダミーパターンはベレットの４隅に形成する場合
に■らず、ベレットの周辺部に形成してもよい。この場
合、ダミーパターンの形状は略り字形でなくてもよいこ
とは勿論である。
に■らず、ベレットの周辺部に形成してもよい。この場
合、ダミーパターンの形状は略り字形でなくてもよいこ
とは勿論である。
更ニ、タミー７４ターンはタミーＡ／３パターンのみ、
あるいはダミーノ４ツシベーショバｈｔでもよい。
あるいはダミーノ４ツシベーショバｈｔでもよい。
［発明の効果］
以上詳述した如く本発明によれば、パッシベーション膜
のクラックの発生やＡ４配線の断線等を防止して耐湿性
が高く、高性能の樹脂封止型半導体装置を提供できるも
のである。
のクラックの発生やＡ４配線の断線等を防止して耐湿性
が高く、高性能の樹脂封止型半導体装置を提供できるも
のである。
第１図（、）は従来の横１１旨封止型半導体装置のベレ
ットの一部分を示す平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）の
Ｂ−Ｂ線に沿う断面図、第２図（ａ）は本発明の実施例
における樹脂封止型半導体装置のペレットの一部分を示
す平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断
面図、第３図及び第４図は本発明の他の実施例における
樹脂封止型半導体装置のベレットの一部分を示す平面図
である。 １ノ・・・Ｐ型シリコン基板、１２・・・フィールド酸
化願、１３・・・層間絶縁膜、１４ 、１９ 、２１．
。
ットの一部分を示す平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）の
Ｂ−Ｂ線に沿う断面図、第２図（ａ）は本発明の実施例
における樹脂封止型半導体装置のペレットの一部分を示
す平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断
面図、第３図及び第４図は本発明の他の実施例における
樹脂封止型半導体装置のベレットの一部分を示す平面図
である。 １ノ・・・Ｐ型シリコン基板、１２・・・フィールド酸
化願、１３・・・層間絶縁膜、１４ 、１９ 、２１．
。
Claims (3)
- （１）半導体ベレット表面に機能部分のパターンとは少
なくとも一部分分離された、応力を吸収する機能を有す
るパターンを形成し、樹脂封止したことを特徴とする樹
脂封止型半導体装置。 - （２）応力を吸収する機能を有するパターンが半導体ベ
レットの四隅に形成された略り字型アルミニウムパター
ンと、該アルミニラムノやターン上の少なくとも一部を
覆うように形成されたパッシベーション膜／母ターンか
らなり、この応力を吸収する機能を有するパターンの内
ｇ４ＩＩにポンディングパッド部を配置したことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止型半導体装
置。 - （３） アルミニウムパターンが複数の／４ターンに
分割されていることを特徴とする特許請求の範囲第２項
記載の樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3793183A JPS59163841A (ja) | 1983-03-08 | 1983-03-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3793183A JPS59163841A (ja) | 1983-03-08 | 1983-03-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59163841A true JPS59163841A (ja) | 1984-09-14 |
Family
ID=12511295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3793183A Pending JPS59163841A (ja) | 1983-03-08 | 1983-03-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59163841A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61128547A (ja) * | 1984-11-28 | 1986-06-16 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPS62112149U (ja) * | 1985-12-28 | 1987-07-17 | ||
| JPH01260845A (ja) * | 1988-02-22 | 1989-10-18 | Motorola Inc | 半導体装置 |
| JPH0371630U (ja) * | 1989-11-17 | 1991-07-19 | ||
| EP0707341A1 (en) * | 1994-10-06 | 1996-04-17 | Altera Corporation | Integrated circuit die comprising of metal patterns at the corners |
| JPH08264683A (ja) * | 1995-03-15 | 1996-10-11 | Siemens Ag | 樹脂モールド被覆を備えた半導体デバイス及びその製造方法 |
| JP2006100558A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2006318989A (ja) * | 2005-05-10 | 2006-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2009021528A (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-29 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| WO2014181766A1 (ja) * | 2013-05-07 | 2014-11-13 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
-
1983
- 1983-03-08 JP JP3793183A patent/JPS59163841A/ja active Pending
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| JPH0334857B2 (ja) * | 1984-11-28 | 1991-05-24 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPS62112149U (ja) * | 1985-12-28 | 1987-07-17 | ||
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| US4928162A (en) * | 1988-02-22 | 1990-05-22 | Motorola, Inc. | Die corner design having topological configurations |
| JPH0371630U (ja) * | 1989-11-17 | 1991-07-19 | ||
| EP0707341A1 (en) * | 1994-10-06 | 1996-04-17 | Altera Corporation | Integrated circuit die comprising of metal patterns at the corners |
| US5572067A (en) * | 1994-10-06 | 1996-11-05 | Altera Corporation | Sacrificial corner structures |
| JPH08264683A (ja) * | 1995-03-15 | 1996-10-11 | Siemens Ag | 樹脂モールド被覆を備えた半導体デバイス及びその製造方法 |
| US5742098A (en) * | 1995-03-15 | 1998-04-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Semiconductor component with plastic sheath and method for producing the same |
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