JPH0546098B2 - - Google Patents
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- JPH0546098B2 JPH0546098B2 JP59027095A JP2709584A JPH0546098B2 JP H0546098 B2 JPH0546098 B2 JP H0546098B2 JP 59027095 A JP59027095 A JP 59027095A JP 2709584 A JP2709584 A JP 2709584A JP H0546098 B2 JPH0546098 B2 JP H0546098B2
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- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に、新規なペレ
ツト付構造を有する樹脂封止型半導体装置に関す
る。
ツト付構造を有する樹脂封止型半導体装置に関す
る。
従来の半導体プラスチツクパツケージは、リー
ドフレームのタブに半導体ペレツト(チツプ)を
マウントし、この半導体ペレツトとリードフレー
ムのリードとをコネクタワイヤによりワイヤボン
デイングし、樹脂封止を行う構造のものが一般的
であつた。
ドフレームのタブに半導体ペレツト(チツプ)を
マウントし、この半導体ペレツトとリードフレー
ムのリードとをコネクタワイヤによりワイヤボン
デイングし、樹脂封止を行う構造のものが一般的
であつた。
しかし、半導体ペレツトは増々大形化する傾向
にあり、小さいプラスチツクパツケージ内に大ペ
レツトを収納せざるを得ない。このような小パツ
ケージに大ペレツトを収納するパツケージ構造で
は、樹脂封止されたリード部分(インナーリー
ド)が短くなり、機械的強度の点で問題を生じて
きた。
にあり、小さいプラスチツクパツケージ内に大ペ
レツトを収納せざるを得ない。このような小パツ
ケージに大ペレツトを収納するパツケージ構造で
は、樹脂封止されたリード部分(インナーリー
ド)が短くなり、機械的強度の点で問題を生じて
きた。
本発明は、大型の半導体ペレツトを実装するこ
とができ、機械的強度を低減させることなく、む
しろ機械的強度を向上させた半導体装置を提供す
ることにある。
とができ、機械的強度を低減させることなく、む
しろ機械的強度を向上させた半導体装置を提供す
ることにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な
特徴は、本明細書の記述および添付図面からあき
らかになるであろう。
特徴は、本明細書の記述および添付図面からあき
らかになるであろう。
本願において開示される発明のうち代表的なも
のの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
のの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
すなわち、タブを従来のものより小さくし、か
つインナーリード部分を長くして半導体ペレツト
をタブおよびインナーリードの先端部分にマウン
トすることにより、上記目的を達成するものであ
る。
つインナーリード部分を長くして半導体ペレツト
をタブおよびインナーリードの先端部分にマウン
トすることにより、上記目的を達成するものであ
る。
以下、本発明の実施例を図面に従い説明する。
第1図はDIP(Dual In−Line Package)タイ
プの半導体プラスチツクパツケージの断面図、第
2図はリードフレームの平面図であり、本発明に
よる半導体装置は、その半導体ペレツト1がタブ
2上に接合材料3により固着(マウント)されて
いるほか、インナーリード4上に絶縁層5を介し
て固着(マウント)されている。すなわち、本発
明半導体装置はこのようなペレツト付構造を有し
てなる。
プの半導体プラスチツクパツケージの断面図、第
2図はリードフレームの平面図であり、本発明に
よる半導体装置は、その半導体ペレツト1がタブ
2上に接合材料3により固着(マウント)されて
いるほか、インナーリード4上に絶縁層5を介し
て固着(マウント)されている。すなわち、本発
明半導体装置はこのようなペレツト付構造を有し
てなる。
上記半導体ペレツト1たとえばシリコン単結晶
基板から構成され、周知の技術によつて、このペ
レツト内には多数の回路素子が形成され、1つの
回路機能を与えている。回路素子はたとえば絶縁
ゲート型電界効果トランジスタ(MOSトランジ
スタ)からなり、これらの回路素子によつて、た
とえば論理回路およびメモリ回路機能が形成され
ている。
基板から構成され、周知の技術によつて、このペ
レツト内には多数の回路素子が形成され、1つの
回路機能を与えている。回路素子はたとえば絶縁
ゲート型電界効果トランジスタ(MOSトランジ
スタ)からなり、これらの回路素子によつて、た
とえば論理回路およびメモリ回路機能が形成され
ている。
第2図に示すように、半導体ペレツト1を搭載
しているタブ2はタブ吊りリード6により支持さ
れており、リードフレーム7はこのタブ2、タブ
吊りリード6、インナーリード4、アウターリー
ド8およびフレーム枠9より構成される。
しているタブ2はタブ吊りリード6により支持さ
れており、リードフレーム7はこのタブ2、タブ
吊りリード6、インナーリード4、アウターリー
ド8およびフレーム枠9より構成される。
前記タブ2は、タブ吊りリード6のリード幅寸
法、インナーリードのリード幅寸法の夫々に比べ
て、各辺の長さが長く構成される。このタブ2の
各辺に沿つた周囲にはインナーリード4が複数本
配列される。
法、インナーリードのリード幅寸法の夫々に比べ
て、各辺の長さが長く構成される。このタブ2の
各辺に沿つた周囲にはインナーリード4が複数本
配列される。
当該リードフレームはたとえば42アロイ合金
などの金属材料により構成される。
などの金属材料により構成される。
半導体ペレツト1をタブ2上に固着させる接合
材料3には、Au/Si共晶、ハンダ、Agペースト
等の樹脂接着材等が使用できる。但しAu/Si共
晶、ハンダ、Agペースト等で、ペレツト1とタ
ブ2間の導電性をとる必要がある場合、あらかじ
めペレツト1の裏面周辺、あるいはインナーリー
ド4の先端に絶縁層5を形成しておかねばならな
い。ペレツト1とタブ2間に導電性が必要ない場
合、絶縁層5は接合材料3と同じ、例えばポリイ
ミド又はエポキシ樹脂あるいは絶縁性ペーストな
どの絶縁性接着材を用い、ペレツト付けと同時に
形成させることもできる。あるいは従来半導体ペ
レツト裏面の酸化膜を除去してから、ペレツト付
けをおこなつているが、この酸化膜を残しておく
など、何らかの絶縁処理を施しておくこともよ
い。
材料3には、Au/Si共晶、ハンダ、Agペースト
等の樹脂接着材等が使用できる。但しAu/Si共
晶、ハンダ、Agペースト等で、ペレツト1とタ
ブ2間の導電性をとる必要がある場合、あらかじ
めペレツト1の裏面周辺、あるいはインナーリー
ド4の先端に絶縁層5を形成しておかねばならな
い。ペレツト1とタブ2間に導電性が必要ない場
合、絶縁層5は接合材料3と同じ、例えばポリイ
ミド又はエポキシ樹脂あるいは絶縁性ペーストな
どの絶縁性接着材を用い、ペレツト付けと同時に
形成させることもできる。あるいは従来半導体ペ
レツト裏面の酸化膜を除去してから、ペレツト付
けをおこなつているが、この酸化膜を残しておく
など、何らかの絶縁処理を施しておくこともよ
い。
半導体素子1をタブ2およびインナーリード4
上にマウント後、第1図に示すように、半導体素
子1の電極(パツト)10に、たとえばAu線で
構成されるコネクタワイヤ11の端部を接続し、
コネクタワイヤ11の他端部をインナーリード4
上に接続し、半導体素子1からの信号をインナー
リード4およびアウターリード8を通して外部に
導出する。
上にマウント後、第1図に示すように、半導体素
子1の電極(パツト)10に、たとえばAu線で
構成されるコネクタワイヤ11の端部を接続し、
コネクタワイヤ11の他端部をインナーリード4
上に接続し、半導体素子1からの信号をインナー
リード4およびアウターリード8を通して外部に
導出する。
前記タブ2の面積、具体的にはタブ2の半導体
ペレツト1を搭載した際の半導体ペレツト1と重
なる部分の面積は、この半導体ペレツト1の重ね
られる表面の全体の面積に比べて小さく構成され
る。この結果、インナーリード4はタブ2側に長
くできる。
ペレツト1を搭載した際の半導体ペレツト1と重
なる部分の面積は、この半導体ペレツト1の重ね
られる表面の全体の面積に比べて小さく構成され
る。この結果、インナーリード4はタブ2側に長
くできる。
このようなワイヤボンデイング後、トランスフ
アーモールドなどにより樹脂封止を行い、樹脂封
止体12を形成する。ここに使用される樹脂には
たとえばエポキシ樹脂があげられる。
アーモールドなどにより樹脂封止を行い、樹脂封
止体12を形成する。ここに使用される樹脂には
たとえばエポキシ樹脂があげられる。
(1) タブを小さくし、その分インナーリードを長
くしたので、インナーリードが樹脂封止体中深
く埋め込まれ、したがつて従来インナーリード
が大ペレツトの搭載に従い増々短くなる傾向に
あり、リードの機械強度が問題となつていたが
これを解消できた。すなわち、高信頼度の半導
体装置を提供できた。
くしたので、インナーリードが樹脂封止体中深
く埋め込まれ、したがつて従来インナーリード
が大ペレツトの搭載に従い増々短くなる傾向に
あり、リードの機械強度が問題となつていたが
これを解消できた。すなわち、高信頼度の半導
体装置を提供できた。
(2) 半導体素子をタブおよびインナーリードに搭
載した構造と成したので大口径の半導体ペレツ
トにあつても、実装可能と成すことができる。
載した構造と成したので大口径の半導体ペレツ
トにあつても、実装可能と成すことができる。
(3) タブを省略して半導体ペレツトをリード上に
固着してなる半導体装置よりもタブを有してい
る分半導体ペレツトの放熱性がよく、またペレ
ツト付の作業性も良く、さらにボンデイング作
業もし易くなつた。
固着してなる半導体装置よりもタブを有してい
る分半導体ペレツトの放熱性がよく、またペレ
ツト付の作業性も良く、さらにボンデイング作
業もし易くなつた。
以上本発明者によつてなされた発明を実施例に
もとずき具体的に説明したが、本発明は上記実施
例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。たとえば半導体ペレツトとリードとの接続
は、上述のワイヤボンデイングの他に、フエイス
ダウン方式にてペレツトの各電極をリードに直接
的に固定することも可能である。
もとずき具体的に説明したが、本発明は上記実施
例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。たとえば半導体ペレツトとリードとの接続
は、上述のワイヤボンデイングの他に、フエイス
ダウン方式にてペレツトの各電極をリードに直接
的に固定することも可能である。
半導体ペレツト1は通常、素子形成面に、電極
(パツト)10を除いて、絶縁物である最終保護
膜が形成される。前記フエースダウン方式の場
合、半導体ペレツト1は、素子形成面の前記最終
保護膜を下にして、タブ2上に接合材料3により
固着(マウント)される。そして、素子形成面の
各電極(パツト)10は、インナーリード4に直
接的に固定される。
(パツト)10を除いて、絶縁物である最終保護
膜が形成される。前記フエースダウン方式の場
合、半導体ペレツト1は、素子形成面の前記最終
保護膜を下にして、タブ2上に接合材料3により
固着(マウント)される。そして、素子形成面の
各電極(パツト)10は、インナーリード4に直
接的に固定される。
以上の説明では主として本発明者によつてなさ
れた発明をその背景となつた利用分野であるDIP
のプラスチツクスタイプパツケージについて適用
した例を示したが、フラツトパツクタイプパツケ
ージやサーデイツプタイプパツケージなどについ
ても適用することができる。
れた発明をその背景となつた利用分野であるDIP
のプラスチツクスタイプパツケージについて適用
した例を示したが、フラツトパツクタイプパツケ
ージやサーデイツプタイプパツケージなどについ
ても適用することができる。
第1図は、本発明の実施例を示す断面図、第2
図は、本発明の実施例を示す平面図である。 1……半導体ペレツト、2……タブ、3……接
合材料、4……インナーリード、5……絶縁(処
理)層、6……タブ吊りリード、7……リードフ
レーム、8……アウターリード、9……フレーム
枠、10……電極(パツド)、11……コネクタ
ワイヤ、12……樹脂封止体。
図は、本発明の実施例を示す平面図である。 1……半導体ペレツト、2……タブ、3……接
合材料、4……インナーリード、5……絶縁(処
理)層、6……タブ吊りリード、7……リードフ
レーム、8……アウターリード、9……フレーム
枠、10……電極(パツド)、11……コネクタ
ワイヤ、12……樹脂封止体。
Claims (1)
- 1 一端側、他端側の夫々が少なくとも平面方形
状の封止体の周縁まで延在し、かつ中央部分の表
面上に半導体ペレツトを搭載する第1のリード
と、一端側が前記封止体中で前記半導体ペレツト
の電極に接続され、かつ他端側が前記封止体の周
縁からこの封止体の外部に突出されると共に、前
記半導体ペレツトの周囲に複数本配列される第2
のリードとを有する半導体装置において、前記第
1のリードの半導体ペレツトと重なる部分の面積
を、この半導体ペレツトが第1のリードの表面に
重ねられる面側全体の面積より小さくし、前記半
導体ペレツトの周縁が第1のリードから突出する
部分を構成し、前記複数本の第2のリードのう
ち、少なくとも封止体の平面方形状の辺の中央部
分に配列される1本又は複数本の第2のリード
を、前記半導体ペレツトの周縁が第1のリードか
ら突出する部分に重ね合せたことを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59027095A JPS60171733A (ja) | 1984-02-17 | 1984-02-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59027095A JPS60171733A (ja) | 1984-02-17 | 1984-02-17 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60171733A JPS60171733A (ja) | 1985-09-05 |
JPH0546098B2 true JPH0546098B2 (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=12211518
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59027095A Granted JPS60171733A (ja) | 1984-02-17 | 1984-02-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60171733A (ja) |
Families Citing this family (8)
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---|---|---|---|---|
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JPH0673358B2 (ja) * | 1986-09-08 | 1994-09-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JPS6348618U (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-02 | ||
JPH0763019B2 (ja) * | 1987-08-26 | 1995-07-05 | 松下電器産業株式会社 | 熱電池 |
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CH686325A5 (de) * | 1992-11-27 | 1996-02-29 | Esec Sempac Sa | Elektronikmodul und Chip-Karte. |
US6265761B1 (en) * | 1999-05-07 | 2001-07-24 | Maxim Integrated Products, Inc. | Semiconductor devices with improved lead frame structures |
KR20010008823A (ko) * | 1999-07-05 | 2001-02-05 | 이중구 | 비엘피 패키지 |
Citations (2)
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JPS57114261A (en) * | 1981-01-07 | 1982-07-16 | Hitachi Ltd | Lead frame structure |
JPS5811247B2 (ja) * | 1979-10-09 | 1983-03-02 | 三菱油化株式会社 | ガス混合装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5811247U (ja) * | 1981-07-13 | 1983-01-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
-
1984
- 1984-02-17 JP JP59027095A patent/JPS60171733A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5811247B2 (ja) * | 1979-10-09 | 1983-03-02 | 三菱油化株式会社 | ガス混合装置 |
JPS57114261A (en) * | 1981-01-07 | 1982-07-16 | Hitachi Ltd | Lead frame structure |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS60171733A (ja) | 1985-09-05 |
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