JPS59157639A - フオトレジスト剥離液組成物およびその使用法 - Google Patents

フオトレジスト剥離液組成物およびその使用法

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JPS59157639A
JPS59157639A JP59024525A JP2452584A JPS59157639A JP S59157639 A JPS59157639 A JP S59157639A JP 59024525 A JP59024525 A JP 59024525A JP 2452584 A JP2452584 A JP 2452584A JP S59157639 A JPS59157639 A JP S59157639A
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ス−ザン・エム・ダレスサンドロ
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はフォトレジスト剥離液組成物として有用な組成
物ならびに本発明の組成物の使用による耐光性物質の除
去法に関する。
プリント回路板は代表的には均一の厚さのエポキシ−ガ
ラス布積層板または雲母板上に銅の薄層紫メッキするこ
とによって製造される。次いで予め定めたパターンの孔
にドリルであけて種々の電気要素ケ適応させる。部分重
合した耐光性プラスチックのフイルムケ銅メッキ上の積
層物に沈着させる。
これらの耐光性フィルムは通常はアクリル樹脂、ポリビ
ニルシンナメート、ジアゾ化合物、フェノールホルムア
ルデヒド、″またはその他の類似のフィルム形成性物質
から成る。このフィルムは紫外線の作用によって更に重
合もしくは交差結合せしめられて硬い化学的に耐性のあ
るフィルムとなる。
適当なガラスもしくはプラスチック物質によるマスクに
よって、この耐性フィルムは特定の区域で露光されて選
択的に硬fヒせしめられ、マスクされない区域中の耐性
フィルムは未変化のまま残る。未変化の耐性フィルムは
次いで溶媒たとえば1.1.1−1−ジクロロメタンま
たはブトキシェタノールとナトリウムカーボネートとの
溶液もしくは類似の溶液に↓る1現像剤”中で溶解せし
められる。洗浄区域中の銅は次いでエツチングにぶって
除くことができ、あるいは追加の銅およびその他の金属
はその上にメッキすることができる。いづれの場合にも
、露光して硬化させた耐性フイルムケ積層物から除去す
ることが必要となる。
この工うな耐性フィルムが強力な有機溶媒たとえばメチ
レンクロライドまたはトリクロロエチレンの作用によっ
て除きうろことは知られている。
ペンキおよびフェスの除去剤がジクロロメタン?ベース
にしたものであることも知られている。これらの多くの
ものはアルコールと1種またはそれ以上の他の添加剤に
も含んでいる。たとえば米国特許第3,650.969
号には1〜2個の炭素原子のジクロロアルカン、1〜3
個の炭素原子會含む脂肪族1価アルコール、お工び弗化
水素と水、から成るペンキ除去用組成物が記載されてい
る。米国特許第3.600,322号にはジクロロメタ
ン、メタノールおよび第4級窒素セルローズエ。
−チルr含むペンキ除去剤組成物が記載されている。
ジクロロメタンtアルカノールおよび種々の他の添加剤
ト共に使用するその他の特許には米国特許第3.147
,224号、同第3,075,923号、同第4,26
9,724号および同第4,278゜557号がある。
プリント回路板からレジスト(耐性フィルム)を除去す
る方法は米国特許第3.789,007号に記載されて
おり、そこでは回路板が85〜97重量%のジクロロメ
タンと残余チのメタノールとの混合物で処理されている
ジクロロメタンr含む他のフォトレジスト剥離液組成物
は米国特許第3,625,763号、同第3.813.
309号および同第3.625.76 a号に記載され
ている。
本発明はジクロロメタン(メチレンクロライド)、メタ
ノールおよびメチルメタノエート(メチルフォーメート
)ン含む改良されたフォトレジスト剥離液組成物である
。この組合せはレジスIf従来技術の組成物ニジも速い
速度で除去する。
好ましい組成物はまた非フラッシング混合物(ブレンド
)?提供し且つ現在商業的に入手しうる剥離液ニジも良
好な線決定會与える。
フォトレジスト剥離液として使用するための改良された
ジクロロメタン組成物は該組成物の合計容量會基準にし
てそれぞれ約1チ〜約10チの濃度でメタノールとメチ
ルメタノエート7含む。この組成物は任意にジクロロメ
タンの安定剤たとえば隣接エポキシド(たとえばプロピ
レンオキサイド)?含むことができる。アミンたとえば
インプロピルアミンは屡々剥離助剤として使用される。
シクロヘキシルアミンおよびトリエチルアミンも有用で
ある。このようなアミンは現在市販されている剥離液組
成物の若干のものにも含まれていることが知られている
へ 本発明によるブレンドを次の方法で試験した。
試験1・・・・・・滴下試験 試験ブレンド(ジクロロメタン中1〜25チ添加物)の
凹μを小滴ケプリント回路板上の交差結合フォトレジス
トフィルムにのせた。この溶媒−フィルム区域’に15
0X顕微鏡下で観察して回路板から破砕および持ち上げ
られるのに必要な時間ケ測定した。商業上の操作では短
い時間が好ましい。
この試験ケ商業的に製造されたフォトレジスト被覆プリ
ント回路板ケ使用して多数の可能な添加剤候補について
行なった。これらの回路板はイー・アイ・デュポン・ド
・ヌムール社から商業的に入手しうる交差結合耐光性(
フォトレジスト)フイルムヶ使用したものであった。こ
れらの試験結果會第■表お工び第■表に示す。添加剤の
すべては0.1容量チの2−アミノプロパン(インプロ
ピルアミン)會添加した抑制品位のジクロロメタンクロ
ライド中で試験した。
第 I 表本 添加剤*ネ        滴下時間(秒)(チ)  
  5   7.5   10   15   .25
MeEt   13.1  13.2  13,5  
15,9  20.0第 H表車 添加剤**       滴下時間(秒)(%)5  
 7.5   10   15Mere     11
.8  12.5  12.8  14.5Ethh 
    14.8  15.0  15.3  16.
5MgOH12,412,312,211,42−Pr
OH12,112,313,113,4MeEt   
  14.2  14.9  15.0  18.0T
HF      12.7  12.5  13.3 
 16.4ムを使用した結果7示すものである。
THF=テトラヒドロフラン 試験2・・・・・・スプレー装置試験 耐性(レジスト)フイルムケ剥離するのに工業的に使用
される装置の実験規模の型の鋼製スプレー装置ケ使用し
て試験ケ行なった。予備スクリーニングから示唆された
試験ブレンドの2ガロン(7,6t)ftこのスプレー
装置で使用した。
20psigC138kPαゲージ)、23〜24’C
の溶媒スプレーに懸吊ボードに10〜15秒間吹きつけ
た。スプレー前後の回路板ケ秤量した。除去されたフォ
トレジストの量の差?次式ケ使用して標準剥離液組成物
と比較した。
標準剥離液ブレンドの性能と比較して(→値はより完全
な剥離7示し、(−)値はエシ不完全な剥離葡示すもの
である。標準は容量基準で7.5係メタノールと0.1
0%2−アミノプロパンとケシクロロメタン(抑制品位
)中に含む市販の剥離液であった。
4インチ×4インチ(102X102fi”)の試験回
路板?市販のフォトレジスト樹脂フィルム(その主要成
分はポ1ジメチルメタアクリレート樹脂である)および
幅および間隔の異なる多数の線から成る試験パターンン
使用して商業的製作機にエリ製作した。スズー鉛メッキ
ケしたこれらの回路板は剥離ケ受ける用意のできたもの
であった。
種々の量のメタノールとメチルメタノエートと?含むジ
クロロメタンの種々の組成物ヶ上記のスプレー試験にお
いて使用した。10秒間のスプレ一時間會使用した。メ
タノールとメチルメタノエートはそれぞれ溶媒と添加剤
との合計容fv基準にして1.0 、2.sおよび4.
0容量チの量でジクロロメタン(抑制品位)中に使用し
た。2−アミノプロパンはそれぞれの組成物の合計ヶ基
準にして0.1容量係の量で存在させた。
それぞれの組成物の剥離性能の結果會標準メチレンクロ
ライド剥離液より良いもの(+)または悪いもの←)の
係として第■表に示す。
1.0   −17.5  −10.7    +’7
−42.5    −1.6   +13.8   +
13.24.0     +5.3    +4.4 
   +4.4これらの組成物について蒸発お工び腐食
の試験も行なった。
蒸発については2つの試験會行なった。第1の試験にお
いて、30師の試験溶液全製造し、フード中の室温のビ
ーカーに入れ、ガスクロマトグラフ?使用して添加剤組
成物ヶ種々の時間において分析した。これらの結果ケ第
■表に示す。第2の試験において、2ガロンC7,6t
’)の試験溶液會スプレー装置に、蓋rやや開放させて
、入れた。この装置220psig(i38 kPαゲ
ージ)で60分間操作した。再び添加剤の濃度ケ種々の
時間において検査した。1時間の終シにおけるこの試験
について、メチルメタノエートの濃度は約2.85%で
あり、メタノールの濃度は約2.30%であった。なお
、始めの濃度はそれぞれ3.0容量チであった。これら
は混合物からの各成分の若干のロス葡示すものである。
第■表 * 組成物(容量%) 時間                  容量0  
  3.00    3.00    30020  
  2.80    2.85    27560  
  2.55    2.80    21590  
  2.45    2.85    175120 
   2.00    2.75    140153
    1.60    2.70    100いの
でその分析は省略した。
銅腐食試験は0.5X2.45インチ(12,7X62
.2m)の銅板音用い試験溶媒ブレンド100m1 f
 7日間還流させることから成るものであった。それぞ
れの溶媒ブレンドについて3回の測定?行なった。7日
後にそれぞれの試料についてガスクロマトグラフ分析7
行なった。銅板の腐食率は次式音用い1年肖シのミル侵
透(1ミル= 0.0254調) utpy)で示した
MPY=銅板重量損失(η)/平方インチ/日 (22
,3/8.93 ’)商業用ブレンド(4)お工び本発
明によるブレンドののそれぞれの組成物についての上記
試験条件下での結果ケ下記に示す。
A  MeOH,7,51,010,02562−AP
*   0.I B  MeOH2,5 Mere   2.5      0.1    0.
QO252−AP*   0.1 * 2−アミノプロパン アミンは金属の存在下で室温に最小12時間放置したと
きの銅の変色と溶媒の褪色について僅かに問題r生せし
めることがある。然し、これは回路板について重大な問
題とはならない。実際の商業的用途において溶媒は銅の
回路板と僅か2〜3分間接触するにすぎないからである
。然し、工業的装置は代表的に銅配管?使用するので、
この現象は装置の寿命に悪影響ケ及ぼすことがありうる
。上記Bの組成物において2−アミノプロパンの代りに
0.1容量チのトリエチルアミンケ使用すると室温での
銅腐食試験における溶媒褪色の問題が著るしく減少する
ことに注目するのは興味あることである。このような低
濃度でのアミンは組成物の剥離性能特性に何も付は加え
ることがなく、且つ銅の腐食と褪色ケ完全に防ぐ。
本発明による組成物はメタノールとメチルメタノニー)
kそれぞれ約1〜約10容量チ含み然もメタノールとメ
チルメタノエートとの合計が全組成物の少なくとも5容
量チであって且つ約10容量チ以下のものである。この
組成物はまたアミンr含むことができる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、全混合物の容量?基準にしてそれぞれ1〜10%の
    量でメタノールとメチルメタノエート?含むジクロロメ
    タンから成り然もメタノールとメチルメタノエートとの
    合計量が全混合物の少なくとも5容量チで且つ10容量
    多以下である交差結合耐光性ポリマーの剥離に好適な組
    成物。 2、メタノールとメチルメタノエートがそれぞれ全混合
    物の1〜5容量チの量で存在する特許請求の範囲第1項
    記載の組成物。 3、メタノールとメチルメタノエートがそれぞれ2.5
    〜5容量チの量で存在する特許請求の範囲第2項記載の
    組成物。 4、更にアミン會も含む特許請求の範囲第1項記載の組
    成物。 5、更にアミン會も含む特許請求の範囲第2項記載の組
    成物。 6、アミンが3〜6個の炭素原子?もつ低級脂肪族アミ
    ンである特許請求の範囲第5項記載の組成物。 7、アミンが2−アミノプロパンである特許請求の範囲
    第5項記載の組成物。 8、アミンがシクロヘキシルアミンでおる特許請求の範
    囲第6項記載の組成物。 9、アミンがトリエチルアミンである特許請求の範囲第
    6項記載の組成物。 10、ジクロロメタンとメタノールとの混合物に使用す
    る交差結合耐光性ポリマーの剥離法における改良であっ
    て、その改良がメチルフォルメートを更に含む該混合物
    ケ使用することを特徴とする方法。 11、メタノールとメチルメタノエートがそれぞれ全混
    合物の1〜10容量チの量で存在し然もメタノールとメ
    チルメタノエートとの合計量が全混合物の少なくとも5
    容量チであり且つ10容8%以下である特許請求の範囲
    第1θ項記載の方法。 12、メタノールとメチルメタノエートがそれぞれ全混
    合物の1〜5容量チの量で存在する特許請求の範囲第1
    1項記載の方法。 13、メタノールとメチルメタノエートがそれぞれ2.
    5〜5容量チの量で存在する特許請求の範囲第12項記
    載の方法。 14、剥離液混合物がアミンケも含む特許請求の範囲第
    13項記載の方法。
JP59024525A 1983-02-14 1984-02-14 フオトレジスト剥離液組成物およびその使用法 Pending JPS59157639A (ja)

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EP (1) EP0116343B1 (ja)
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FI (1) FI78310C (ja)
HK (1) HK79489A (ja)
NO (1) NO165218C (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03127674A (ja) * 1989-10-13 1991-05-30 Shin Etsu Chem Co Ltd オーバーヘッドプロジェクタ用フィルムの再生方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3444293A1 (de) * 1984-12-05 1986-06-05 Metallgesellschaft Ag, 6000 Frankfurt Mittel zum reinigen von verarbeitungsanlagen fuer hochviskose reaktive mehrkomponentenmischungen
FR2601703B1 (fr) * 1986-07-21 1993-05-07 Atochem Composition a base de chlorure de methylene - son utilisation pour l'enlevement des films photoresist
CA2024589A1 (en) * 1989-09-05 1991-03-06 Masaru Sugita Cleaning compositions and applications thereof
US5218979A (en) * 1989-09-05 1993-06-15 Nagase & Company, Ltd. Method of cleaning printed circuit boards with dimethylcyclooctadienes
FR2657877B1 (fr) * 1990-02-07 1992-05-15 Atochem Composition nettoyante a base de 1,1-dichloro-1-fluoroethane, de formiate de methyle et de methanol.
FR2657876B1 (fr) * 1990-02-07 1992-05-15 Atochem Composition nettoyante a base de 1,1-dichloro-1-fluoroethane et de formiate de methyle.
US5741368A (en) * 1996-01-30 1998-04-21 Silicon Valley Chemlabs Dibasic ester stripping composition
US5909744A (en) * 1996-01-30 1999-06-08 Silicon Valley Chemlabs, Inc. Dibasic ester stripping composition
US6511547B1 (en) 1996-01-30 2003-01-28 Siliconvalley Chemlabs, Inc. Dibasic ester stripping composition
AU2001273598A1 (en) 2000-06-29 2002-01-14 Huntsman Petrochemical Corporation Carbonate-based photoresist stripping compositions

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
LU37804A1 (ja) 1958-11-04
LU37891A1 (ja) 1958-12-11
US3113154A (en) 1960-05-27 1963-12-03 Ethyl Corp Stable methylchloroform compositions
US3600322A (en) 1968-05-29 1971-08-17 Union Carbide Corp Paint removal formulation
US3650969A (en) 1968-07-29 1972-03-21 Allied Chem Compositions for removal of finish coatings
US3625763A (en) 1968-12-04 1971-12-07 Bunker Ramo Conformal coating stripping method and composition
US3813309A (en) 1969-12-23 1974-05-28 Ibm Method for stripping resists from substrates
GB1329731A (en) 1970-08-12 1973-09-12 Imp Chemical Ind Ld Method for removal of resists from printed circuit boards
US3988256A (en) 1974-04-03 1976-10-26 Allied Chemical Corporation Photoresist stripper rinse
GB2000874B (en) 1977-07-12 1982-02-17 Asahi Chemical Ind Process for producing image and photosensitive element therefor and method of producing printed circuit board
US4187191A (en) 1978-07-26 1980-02-05 General Motors Corporation Photoresist stripper with dodecylsulfonic acid and chlorinated solvents
EP0011658B1 (en) * 1978-12-01 1982-05-19 Dow Chemical (Europe) S.A. Stabilized methylene chloride formulation for vapor degreasing
US4246130A (en) 1979-06-21 1981-01-20 Amchem Products, Inc. Stripping composition and method for metals
US4367324A (en) 1980-02-05 1983-01-04 Ciba-Geigy Corporation Photocrosslinkable polymers with thioxanthone and imidyl groupings in side chains
US4269724A (en) 1980-02-13 1981-05-26 Hodson James V Composition for paint stripper
NL8001016A (nl) * 1980-02-22 1981-09-16 Kluthe Gmbh Chem Werke Toepassing van methylalcohol als stabilisator tegen explosiegevaar in een ontvettingsmiddel uit dichloormethaan voor metaaloppervlakken.
US4278557A (en) 1980-04-15 1981-07-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Solvent mixture for dissolving and removing epoxy resinous compounds

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03127674A (ja) * 1989-10-13 1991-05-30 Shin Etsu Chem Co Ltd オーバーヘッドプロジェクタ用フィルムの再生方法

Also Published As

Publication number Publication date
US4438192A (en) 1984-03-20
NO165218C (no) 1991-01-09
EP0116343B1 (en) 1988-06-01
CA1193177A (en) 1985-09-10
NO840515L (no) 1984-08-15
FI78310B (fi) 1989-03-31
EP0116343A2 (en) 1984-08-22
EP0116343A3 (en) 1985-10-30
HK79489A (en) 1989-10-13
BR8400680A (pt) 1984-09-18
FI840593A (fi) 1984-08-15
DE3471770D1 (en) 1988-07-07
NO165218B (no) 1990-10-01
FI78310C (fi) 1989-07-10
FI840593A0 (fi) 1984-02-14

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