JP6888846B2 - ドライフィルムレジスト剥離液組成物 - Google Patents

ドライフィルムレジスト剥離液組成物 Download PDF

Info

Publication number
JP6888846B2
JP6888846B2 JP2019545939A JP2019545939A JP6888846B2 JP 6888846 B2 JP6888846 B2 JP 6888846B2 JP 2019545939 A JP2019545939 A JP 2019545939A JP 2019545939 A JP2019545939 A JP 2019545939A JP 6888846 B2 JP6888846 B2 JP 6888846B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dry film
stripping solution
film resist
weight
resist stripping
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019545939A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020519915A (ja
Inventor
チェ、ホソン
キム、キュサン
ペ、チョンイル
イ、チョンスン
ハ、サンク
ヤン、ユンモ
Original Assignee
エルティーシー カンパニー リミテッド
エルティーシー カンパニー リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エルティーシー カンパニー リミテッド, エルティーシー カンパニー リミテッド filed Critical エルティーシー カンパニー リミテッド
Publication of JP2020519915A publication Critical patent/JP2020519915A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6888846B2 publication Critical patent/JP6888846B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor
    • G03F7/422Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D11/00Special methods for preparing compositions containing mixtures of detergents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22Organic compounds
    • C11D7/32Organic compounds containing nitrogen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22Organic compounds
    • C11D7/32Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3218Alkanolamines or alkanolimines
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22Organic compounds
    • C11D7/34Organic compounds containing sulfur
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50Solvents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50Solvents
    • C11D7/5004Organic solvents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10Objects to be cleaned
    • C11D2111/14Hard surfaces
    • C11D2111/22Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)

Description

本発明は、ドライフィルムレジスト剥離液組成物に関するものであり、より詳細には、微細回路を形成するPCB製造用、特に多層軟性PCB(Flexible Multi-layer Printed Circuit Board)の製造工程に適用可能なドライフィルムレジスト剥離液組成物に関するものである。
最近、電子機器の薄型・軽量・小型化の傾向に伴い、印刷回路基板(Printed Circuit Board:PCB)は、より高密度の配線形成が求められており、片面から両面または多層PCBへと、微細回路の具現されたPCBとしての発展を成し遂げており、特に、折れるぐらい薄い配線板に具現された軟性PCB(Flexible Printed Circuit Board; FPCB)は、多くの電子機器に利用されており、最近はその需要が次第に拡大している。
一方、PCBの回路パターンを形成する方法は、一般的にアディティブ工法(Additive process)、サブトラクティブ工法(Subtractive process)、セミ−アディティブ工法(Semi-additive process;SAP)、モディファイドセミ−アディティブ工法(Modified semi-additive process;MSAP)などがあり、一般的に不要な部分をエッチング加工して除去するサブトラクティブ工法が主に用いられるが、この方法は、回路加工が容易であるとの利点がある反面、微細加工に限界がある。したがって微細回路加工のためにSAP工法が有利である。また、FPCBは両面化、多層化、及び精密化を目指してレーザービームを用いたMSAP工法が使用されるのが最近の傾向であると見なされる。しかし、これらSAPやMSAP工法は、メッキレジストに該当するドライフィルムの剥離工程の難度が高いという欠点がある。
通常、PCBは基板上にドライフィルムを塗布し、露光、現像工程を進行した後、エッチング(食刻)を施して回路を形成する。その後、基板の上部から上記ドライフィルムをアッシング(ashing)したり、剥離液を用いて剥離して上記ドライフィルムを除去した上で、残りのドライフィルム残渣を剥離する方法で製造される。
ところで、上記の剥離過程で剥離液は、必然的に銅配線と接触して電気化学的に腐食を引き起こす因子となるため、特に注意を要する(下記の化学反応式を参照)。
(1)水溶液状態でのアミンと銅の腐食反応
RNH+HO→RNH+OH
Cu2++2OH→Cu(OH)(s)
Cu(OH)(s)+ 4RNH3+→[Cu(RNH
(2)有機溶液状態でのアミンと銅の腐食反応
Cu+4RNH→Cu(RNH
基板上からドライフィルム又はドライフィルム残渣を剥離するために、従来から様々なドライフィルム剥離液が提案されてきた。
大韓民国登録特許第10−0364885号では、ヒドロキシルアミン(Hydroxylamine)類、超純水、モノエタノールアミン(Monoethanolamine)、ジエタノールアミン(Diethanolamine)の中から選択されるいずれか1種以上、ジメチルスルホキシド(Dimethylsulfoxide)、芳香族ヒドロキシル化合物(Aromatic hydroxyl compound)からなるフォトレジスト用剥離液組成物及びこれを用いたフォトレジスト剥離方法を開示している。
また、大韓民国登録特許第10−173090号では、ヒドロキシルアミン類、超純水、酸解離定数(pKa)が7.5乃至13であるアミン類、水溶性有機溶媒、防食剤からなるフォトレジスト用剥離液組成物及びこれを用いたフォトレジスト剥離方法を開示している。
上記のように、従来ドライフィルムを除去する剥離液組成物として水酸化物及びアルカリ金属アミン類を用いた組成物が用いられてきたが、剥離性向上に伴う金属パターンの腐食及びそれによる変色や下部浸食などの問題がある。特にヒドロキシルアミン類は、毒性及び環境汚染の問題を有する組成物であるため、作業者の安全及び環境的な側面から改善が必要であり、これに対応可能な組成物が要望される実情である。
そこで、本発明者らは、フォトレジスト用剥離液又はドライフィルムレジスト剥離液組成物が持つ従来の問題点を解決するために、剥離性に優れるとともに、銅配線の腐食を最小限に抑え、作業安定性及び環境汚染の問題が改善できるフォトレジスト用剥離液またはドライフィルムレジスト剥離液組成物を開発することにより、本発明を完成するに至った。
本発明は、上述した問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、優れた剥離性を有するとともに、従来の剥離液に比べて銅(Cu)配線の腐食を最小化し得るドライフィルムレジスト剥離液組成物を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明は、従来のヒドロキシルアミン類を代替する環境にやさしいアミン類および腐食防止剤としてサルファー(sulfur)を含むアゾール系化合物を含むドライフィルムレジスト剥離液組成物を提供する。
より具体的に、本発明は一実施例において、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(Tetramethylammonium hydroxide,TMAH)、ペンタフルオロキセノン酸テトラメチルアンモニウム(Tetramethylammonium pentafluoroxenate,TMAPF)、及びこれらの混合物からなる群より選ばれた第4級アンモニウム塩水溶液10〜30重量%、アルカノールアミン系化合物30〜60重量%、プロトン性(陽性子性)極性有機溶剤10〜30重量%、及びサルファーを含むアゾール系化合物0.1〜5重量%を含むドライフィルムレジスト剥離液組成物を提供する。
本発明のドライフィルムレジスト剥離液組成物は、約50℃の比較的低い工程条件でも数分内にドライフィルムを剥離し得る優れたポリマー除去力を有するとともに、従来の剥離液に比べて卓越した銅配線の腐食防止効果が得られる。
また、工程環境やフィルム硬化条件など必要に応じて本発明による上記剥離液組成物を超純水に希釈して使用することができるため、工程原価の節減効果があり、作業者の安全及び環境的側面においても優れている。
FPCB基板上に塗布されたドライフィルムの剥離前後の様子を示す実物写真で、(a)はドライフィルムが塗布されている基板、(b)は本発明の一実施例で製造された剥離液組成物を用いて上記ドライフィルムを剥離した後の基板を示す。 FPCB基板上に塗布されたドライフィルムの剥離前後の様子を撮影した光学顕微鏡写真で、(a)はドライフィルムが塗布されている基板、(b)は実施例1で製造された剥離液組成物を用いてドライフィルムを剥離した後の基板、および(c)は実施例3で製造された剥離液組成物を用いてドライフィルムを剥離した後の基板を示す。 FPCB基板上に塗布されたドライフィルムの剥離前後の様子を撮影した光学顕微鏡及び走査電子顕微鏡写真で、(a)及び(d)はドライフィルムが塗布されている基板、(b)及び(e)は実施例4で製造された剥離液組成物を用いてドライフィルムを剥離した後の基板、(c)及び(f)は比較例1で製造された剥離液組成物を用いてドライフィルムを剥離した後の基板写真である。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の一実施例において、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(Tetramethylammonium hydroxide,TMAH)、ペンタフルオロキセノン酸テトラメチルアンモニウム(Tetramethylammonium pentafluoroxenate,TMAPF)及びこれらの混合物からなる群より選ばれた第4級アンモニウム塩水溶液10〜30重量%、アルカノールアミン系化合物30〜60重量%、プロトン性極性有機溶剤10〜30重量%、及びサルファーを含むアゾール系化合物0.1〜5重量%を含むドライフィルムレジスト剥離液組成物を提供する。
本発明による組成物において、上記第4級アンモニウム塩は、固形成分または超純水に希釈して使用可能なものであり、アルカリ性を見せるものであれば何れも使用可能であるが、優れた剥離性及び腐食防止効果を同時に満たすためには、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(Tetramethylammonium hydroxide,TMAH)、ペンタフルオロキセノン酸テトラメチルアンモニウム(Tetramethylammonium pentafluoroxenate,TMAPF)及びこれらの混合物からなる群より選択されたものであることが望ましい。上記第4級アンモニウム塩水溶液は、上記の組成物に10乃至30重量%で含まれるのが望ましく、10重量%未満で含まれる場合は十分なドライフィルム剥離性を確保しにくく、50重量%を超えて含まれる場合は添加重量に比べての剥離性向上の効果が期待し難く、むしろ各種の金属層に腐食を加重させる恐れがある。
本発明による組成物において、上記アルカノールアミン系化合物は、上記第4級アンモニウム塩水溶液の作用を増進させ、ドライフィルム内高分子への浸透及び膨潤を加速化させてフィルムの剥離を補助するもので、本発明において上記アルカノールアミン系化合物は具体的に、モノイソプロパノールアミン(Monoisopropanolamine,MIPA)、2−アミノ−2−メチル−1−プロパノールアミン(2-Amino-2-methyl-1-propanolamine,AMPA)、2−アミノエトキシエタノールアミン(2-Amino ethoxyethanolamine,AEEA)、トリエタノールアミン(Triethanolamine,TEA)、モノエタノールアミン(Monoethanolamine,MEA)及びジエタノールアミン(Diethanolamine,DEA)からなる群より選ばれた何れか一つ以上であってもよい。上記アルカノールアミン系化合物は上記組成物に30乃至60重量%で含まれるのが望ましく、30重量%未満で含まれる場合はドライフィルムの剥離速度が低下し、60重量%を超えて含まれる場合には高分子への浸透及び膨潤効果が十分に発揮されない問題がある。
本発明による組成物において、上記プロトン性極性有機溶剤は、プロトン性グリコール類を一つまたは一つ以上で混合してフォトレジストの剥離を効果的に補助することができる。グリコール類は、溶解されたフォトレジストを剥離剤によく広げる役割をして迅速な除去に役立つ。本発明において、上記プロトン性極性有機溶剤は具体的に、エチレングリコール(Etylene glycol,EG)、プロピレングリコール(Propylene glycol,PG)、ジエチレングリコールモノエチルエーテル(Diethylene glycol monoethyl ether,EDG)、ジエチレングリコールモノブチルエーテル(Diethylene glycol monobutyl ether,BDG)、ジエチレングリコールモノメチルエーテル(Diethylene glycol monomethyl ether,MDG)、エチレングリコールモノエチルエーテル(Ethylene glycol monoethyl ether,EEG)、プロピレングリコールモノブチルエーテル(Propylene glycol monobutyl ether,PGMBE)、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル(Tripropylene glycol monoethyl ether,TPGMEE)、及びトリエチレングリコールモノブチルエーテル(Triethylene glycol monobutyl ether,TEGMBE)からなる群より選ばれた何れか一つ以上であってもよい。
本発明による組成物において、上記サルファーを含むアゾール系化合物は比較的安定した腐食防止及びドライフィルムレジスト剥離能力があるもので、本発明では腐食防止剤として用いられる。具体的に、上記サルファーを含むアゾール系化合物は、メルカプトベンゾイミダゾール(Mercaptobenzimidazole,MBI)、メルカプトベンゾチアジアゾール(Mercaptobenzothiadiazole,MBT)、メルカプトベンゾオキサゾール(Mercaptobenzoxazole,MBO)、メルカプトメチルイミダゾール(Mercaptomethylimidazole,MMI)、4−メチルイミダゾール(4-Methylimidazole,4-MI)、および2,5−ジメルカプト−1,3,4−チアジアゾール(2,5-Dimercapto-1,3,4-thiadiazole)からなる群より選択された何れか一つ以上であってもよい。上記サルファーを含むアゾール系化合物は、上記の組成物に0.1乃至5重量%で含まれるのが望ましく、0.1重量%未満で含まれる場合は金属配線膜に対する腐食防止効果がほとんど現れず、5重量%を超過して含まれる場合はドライフィルムレジスト剥離能力が落ちる問題がある。
本発明の一実施例において、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(Tetramethylammonium hydroxide,TMAH)10〜30重量%、モノイソプロパノールアミン(Monoisopropanolamine,MIPA)または2−アミノエトキシエタノールアミン(2-Amino ethoxyethanolamine,AEEA)30〜60重量%、ジエチレングリコールモノブチルエーテル(Diethylene glycol monobutyl ether,BDG)10〜30重量%、およびメルカプトベンゾイミダゾール(Mercaptobenzimidazole,MBI)、またはメルカプトベンゾオキサゾール(Mercaptobenzoxazole,MBO)0.1〜5重量%を含むドライフィルムレジスト剥離液組成物を提供する。
併せて、本発明の上記の組成物は超純水と1:2乃至1:50の重量比で混合し希釈して使用することができ、希釈倍率に応じて剥離及び腐食程度が制御可能である。本発明の一実施例によると、組成物に対して希釈倍率が高くなるほどドライフィルムの剥離性が低下するが、腐食制御の面では有利となり、逆に希釈倍率が低くなるほど剥離性は優れるが、腐食制御の面では不利となる。
以下、実施例を通じて本発明をより詳細に説明する。以下の実施例は本発明を例示するためのものであり、本発明の範囲がこれらの実施例によって制限されると解釈してはならないのは、当業界において通常の知識を有する者にとって自明なことである。
<実施例1乃至10.ドライフィルムレジスト剥離液組成物の製造>
第4級アンモニウム塩水溶液としてのテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、アルカノールアミン系化合物、プロトン性グリコール類、サルファーを含むアゾール系化合物で構成された実施例1乃至10のドライフィルムレジスト剥離液組成物を製造した。各組成物の構成成分および含量は、下の表1にまとめて示した。
<比較例1乃至4.>
第4級アンモニウム塩水溶液としてのテトラメチルアンモニウムクロリド水溶液、アルカノールアミン系化合物、プロトン性グリコール類、サルファーを含むアゾール系化合物で構成された比較例1乃至4のドライフィルムレジスト剥離液組成物を製造した。各組成物の含量は上記実施例と類似の範囲であるが、上記アルカノールアミン系化合物又はプロトン性グリコール類の成分を異にして配合した。各組成物に対する構成成分および含量は、下の表1にまとめて示した。
Figure 0006888846
<実験例1.剥離性の評価>
上記一実施例で製造された剥離液組成物のドライフィルム剥離性を評価するために、パターン形成のためのエッチング及び現像工程の後、配線の形成されたFPCB基板で銅配線上部膜にドライフィルムが塗布された試験片を製作し、これを剥離液組成物に浸漬させた。
具体的に、剥離液組成物1Lをビーカーに入れ、マグネチックバーを用いて100rpmで撹拌しながら50℃の温度で加熱した。加熱された剥離液組成物にドライフィルム膜(約10μm)の塗布された試験片を300秒間浸漬し、上記ドライフィルム膜を剥離させた。続いて、上記の試験片を取り出し、超純水で洗浄乾燥した後、ドライフィルム膜の残存度を分析した。
銅配線の腐食程度を判断するために、まずは肉眼で試験片の変色の有無を確認した後、光学顕微鏡や走査電子顕微鏡を用いて腐食程度を綿密に分析し、その結果を下の表2及び図2乃至3に示した。
Figure 0006888846
[ドライフィルム剥離に対する判断基準]
肉眼および光学顕微鏡測定時
○:PCB基板上でドライフィルムが完全剥離される。
△:PCB基板上でドライフィルムが残存する。
×:PCB基板上でドライフィルムが全然除去されていない。
[銅配線腐食に対する判断基準]
肉眼、光学顕微鏡及び走査電子顕微鏡測定時
○:銅配線の腐食現象なし。
△:銅配線の変色などが観察される。
×:銅配線の腐食が明白に観察される。
表2から明らかなように、本発明の実施例1及び実施例9で製造された組成物が、剥離性に優れると共に銅配線腐食を最小化した最も優秀な特性を有することが確認できる。反面、比較例1乃至4で製造された組成物を用いての剥離の際には、試験片の銅配線の腐食及び浸食現象が現れ、かかる結果は剥離性の強いアルカノールアミンとテトラメチルアンモニウムクロリド塩のために、銅配線の腐食制御が難しいことと判断される。一方、実施例7乃至10で製造された組成物を用いての剥離の際、希釈倍率による差があって、希釈倍率が高い組成物の場合はドライフィルムの剥離性が低下するが、腐食制御の面では有利となり、逆に希釈倍率が低い組成物の場合は剥離性では優れた結果を見せるが、腐食制御の面では不利となることが観察できる。
併せて、図2乃至3は、本発明の一実施例で製造された組成物の剥離性程度を評価するために、各組成物を用いて試験片を剥離処理した後、試験片を光学顕微鏡または走査電子顕微鏡で撮影した写真である。
図2を参照すると、剥離液組成物の剥離性を比較してみるとき、実施例3に比べて実施例1で製造された組成物を用いての剥離の際に、ドライフィルムがもっと綺麗に除去されたことが確認できる。
また、図3を参照すると、剥離液組成物の腐食程度を比較してみるとき、実施例4および比較例1で製造された組成物を用いての剥離の際、光学顕微鏡写真を見ると、ドライフィルムが全般的にうまく除去されていることが確認できる。しかし、比較例1で製造された組成物を用いての剥離の際、走査電子顕微鏡写真を見ると、銅配線部分の変色及び表面粗さの増加に伴って腐食がもっと進んでいることが確認できる。
このような結果は、本発明の一実施例と比較例で製造された剥離液組成物のうち、アルカノールアミン系化合物の成分の差異によるもので、2次アミンと1次アミンのポリマー反応性の差による影響と解釈することができる。上記比較例1で製造された組成物の場合、アミンの反応性が強くて上記ドライフィルムの剥離性に優れているが、腐食性も強いため、本発明で提案する剥離性に優れると共に腐食制御可能な剥離液組成物としては適していない。反面、実施例1で製造された組成物の場合は、アミンの反応性が比較的安定していて剥離性及び腐食防止効果の面で優秀である。
以上、本発明を好ましい実施例をもって説明したが、本発明の属する技術分野についての通常の知識を有する者であれば、本発明の本質的な特性から逸脱しない範囲内で様々な変形が可能であることが理解できるであろう。
本発明は、ドライフィルムレジスト剥離液組成物に関するもので、微細回路を形成するPCB製造用、特に多層軟性PCB(Flexible Multi-layer Printed Circuit Board)製造工程に適用可能なドライフィルムレジスト剥離液組成物を提供する。

Claims (5)

  1. テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(Tetramethylammonium hydroxide, TMAH)、ペンタフルオロキセノン酸テトラメチルアンモニウム(Tetramethylammonium pentafluoroxenate, TMAPF)、及びこれらの混合物からなる群より選ばれた第4級アンモニウム塩水溶液10〜30重量%、アルカノールアミン系化合物30〜60重量%、プロトン性(陽性子性)極性有機溶剤10〜30重量%、およびサルファーを含むアゾール系化合物0.1〜5重量%を含む、ドライフィルムレジスト剥離液組成物。
  2. 上記アルカノールアミン系化合物は、モノイソプロパノールアミン(Monoisopropanolamine, MIPA)、2−アミノ−2−メチル−1−プロパノールアミン(2-Amino-2-methyl-1-propanolamine,AMPA)、2−アミノエトキシエタノールアミン(2-Amino ethoxyethanolamine,AEEA)、トリエタノールアミン(Triethanolamine,TEA)、モノエタノールアミン(Monoethanolamine,MEA)、及びジエタノールアミン(Diethanolamine,DEA)からなる群より選択された何れか一つ以上である、請求項1に記載のドライフィルムレジスト剥離液組成物。
  3. 上記プロトン性極性有機溶剤は、エチレングリコール(Etylene glycol,EG)、プロピレングリコール(Propylene glycol, PG)、ジエチレングリコールモノエチルエーテル(Diethylene glycol monoethyl ether, EDG)、ジエチレングリコールモノブチルエーテル(Diethylene glycol monobutyl ether,BDG)、ジエチレングリコールモノメチルエーテル(Diethylene glycol monomethyl ether,MDG)、エチレンクリゴールモノエチルエーテル(Ethylene glycol monoethyl ether, EEG)、プロピレングリコールモノブチルエーテル(Propylene glycol monobutyl ether,PGMBE)、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル(Tripropylene glycol monoethyl ether,TPGMEE)、およびトリエチレングリコールモノブチルエーテル(Triethylene glycol monobutyl ether,TEGMBE)からなる群より選ばれた何れか一つ以上である、請求項1に記載のドライフィルムレジスト剥離液組成物。
  4. 上記サルファーを含むアゾール系化合物は、メルカプトベンゾイミダゾール(Mercaptobenzimidazole,MBI)、メルカプトベンゾチアジアゾール(Mercaptobenzothiadiazole,MBT)、メルカプトベンゾオキサゾール(Mercaptobenzoxazole,MBO)、メルカプトメチルイミダゾール(Mercaptomethylimidazole,MMI)、および2,5−ジメルカプト−1,3,4−チアジアゾール(2,5-Dimercapto-1,3,4-thiadiazole)からなる群より選択された何れか一つ以上である、請求項1に記載のドライフィルムレジスト剥離液組成物。
  5. 上記の組成物を超純水と1:2乃至1:50の重量比で混合して希釈することを特徴とする、請求項1に記載のドライフィルムレジスト剥離液組成物。
JP2019545939A 2018-04-17 2019-04-16 ドライフィルムレジスト剥離液組成物 Active JP6888846B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180044429A KR102224907B1 (ko) 2018-04-17 2018-04-17 드라이필름 레지스트 박리액 조성물
KR10-2018-0044429 2018-04-17
PCT/KR2019/004560 WO2019203529A1 (ko) 2018-04-17 2019-04-16 드라이필름 레지스트 박리액 조성물

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020519915A JP2020519915A (ja) 2020-07-02
JP6888846B2 true JP6888846B2 (ja) 2021-06-16

Family

ID=68239787

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019545939A Active JP6888846B2 (ja) 2018-04-17 2019-04-16 ドライフィルムレジスト剥離液組成物

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11092895B2 (ja)
EP (1) EP3617801A4 (ja)
JP (1) JP6888846B2 (ja)
KR (1) KR102224907B1 (ja)
CN (1) CN110622071A (ja)
WO (1) WO2019203529A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102444014B1 (ko) 2019-02-05 2022-09-15 가부시키가이샤 도쿠야마 실리콘 에칭액 및 상기 에칭액을 이용한 실리콘 디바이스의 제조방법

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2911792B2 (ja) 1995-09-29 1999-06-23 東京応化工業株式会社 レジスト用剥離液組成物
JP3773227B2 (ja) 1997-10-16 2006-05-10 東京応化工業株式会社 レジスト用剥離液組成物およびこれを用いたレジスト剥離方法
JP3372903B2 (ja) * 1999-06-21 2003-02-04 ニチゴー・モートン株式会社 フォトレジスト剥離剤
KR100518714B1 (ko) 2002-02-19 2005-10-05 주식회사 덕성 레지스트 박리액 조성물
JP4159929B2 (ja) * 2003-05-28 2008-10-01 花王株式会社 レジスト用剥離剤組成物
US7384900B2 (en) * 2003-08-27 2008-06-10 Lg Display Co., Ltd. Composition and method for removing copper-compatible resist
KR101488265B1 (ko) 2007-09-28 2015-02-02 삼성디스플레이 주식회사 박리 조성물 및 박리 방법
JP2010121148A (ja) * 2008-11-17 2010-06-03 Ube Ind Ltd ビアリール化合物を含有する防食剤又は剥離剤。
US9005367B2 (en) * 2009-05-07 2015-04-14 Basf Se Resist stripping compositions and methods for manufacturing electrical devices
US8110535B2 (en) * 2009-08-05 2012-02-07 Air Products And Chemicals, Inc. Semi-aqueous stripping and cleaning formulation for metal substrate and methods for using same
KR20110049066A (ko) 2009-11-04 2011-05-12 동우 화인켐 주식회사 컬러 레지스트 박리액 조성물
JP5498768B2 (ja) 2009-12-02 2014-05-21 東京応化工業株式会社 リソグラフィー用洗浄液及び配線形成方法
KR101089211B1 (ko) * 2010-12-02 2011-12-02 엘티씨 (주) 1차 알칸올 아민을 포함하는 lcd 제조용 포토레지스트 박리액 조성물
CN102411269A (zh) * 2011-11-18 2012-04-11 西安东旺精细化学有限公司 光致抗蚀剂膜的剥离液组合物
US20140100151A1 (en) 2012-10-08 2014-04-10 Air Products And Chemicals Inc. Stripping and Cleaning Compositions for Removal of Thick Film Resist
CN103713476B (zh) * 2012-10-08 2017-12-12 弗萨姆材料美国有限责任公司 用于除去厚膜抗蚀剂的剥离和清除组合物
JP2014157339A (ja) * 2013-02-18 2014-08-28 Lion Corp レジスト剥離剤組成物
KR101420571B1 (ko) 2013-07-05 2014-07-16 주식회사 동진쎄미켐 드라이필름 레지스트 박리제 조성물 및 이를 이용한 드라이필름 레지스트의 제거방법
JP2015018957A (ja) * 2013-07-11 2015-01-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体処理液、及びそれを用いた処理方法
JP6464578B2 (ja) * 2013-08-01 2019-02-06 三菱瓦斯化学株式会社 プリント配線板の製造方法
JP6277511B2 (ja) * 2013-10-18 2018-02-14 パナソニックIpマネジメント株式会社 レジスト剥離液
JP2015118125A (ja) * 2013-11-18 2015-06-25 富士フイルム株式会社 変性レジストの剥離液、これを用いた変性レジストの剥離方法および半導体基板製品の製造方法
JP6233779B2 (ja) * 2013-11-18 2017-11-22 富士フイルム株式会社 変性レジストの剥離方法、これに用いる変性レジストの剥離液および半導体基板製品の製造方法
TWI690780B (zh) * 2014-12-30 2020-04-11 美商富士軟片電子材料美國股份有限公司 用於自半導體基板去除光阻之剝離組成物
KR101567407B1 (ko) 2015-03-27 2015-11-10 주식회사 심텍 열경화성 솔더마스크 제거용 조성물과 이를 이용한 레지스트 패턴의 형성 방법
KR102183400B1 (ko) * 2015-06-23 2020-11-26 주식회사 이엔에프테크놀로지 세정액 조성물
KR20170097256A (ko) 2016-02-17 2017-08-28 삼성전기주식회사 드라이필름 레지스트 박리제 조성물 및 이를 이용한 드라이필름 레지스트의 제거방법
KR101821663B1 (ko) * 2016-02-26 2018-01-24 삼영순화(주) 포토레지스트 박리액 조성물
KR102508822B1 (ko) * 2016-04-28 2023-03-10 (주)덕산테코피아 포토레지스트 박리액 조성물
KR20190006483A (ko) * 2016-05-13 2019-01-18 가부시끼가이샤 제이씨유 레지스트 박리액

Also Published As

Publication number Publication date
CN110622071A (zh) 2019-12-27
US20200272056A1 (en) 2020-08-27
EP3617801A4 (en) 2020-12-23
KR102224907B1 (ko) 2021-03-09
KR20190120996A (ko) 2019-10-25
US11092895B2 (en) 2021-08-17
EP3617801A1 (en) 2020-03-04
JP2020519915A (ja) 2020-07-02
WO2019203529A1 (ko) 2019-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6006711B2 (ja) 1級アルカノールアミンを含むlcd製造用フォトレジスト剥離液組成物
EP1904898B1 (en) Method for fine line resist stripping
KR101668126B1 (ko) 포토레지스트 박리제 조성물 및 포토레지스트 박리 방법
JP2005043873A (ja) フォトレジスト剥離液組成物及びそれを用いたフォトレジストの剥離方法
CN104281017A (zh) 干膜抗蚀剂剥离剂组合物以及使用该组合物的干膜抗蚀剂的除去方法
JP6888846B2 (ja) ドライフィルムレジスト剥離液組成物
KR100718527B1 (ko) 네거티브 포토레지스트용 박리액 조성물
KR101821663B1 (ko) 포토레지스트 박리액 조성물
KR102029442B1 (ko) 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물 및 이를 이용한 드라이필름 레지스트의 박리방법
JP2019112498A (ja) 樹脂マスク剥離洗浄方法
JP4395148B2 (ja) レジスト剥離剤
KR20080045501A (ko) 포토레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한포토레지스트의 박리방법
JP3854523B2 (ja) レジスト剥離剤
WO2022114110A1 (ja) 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物
KR101130353B1 (ko) 포토레지스트용 박리 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리방법
KR101374686B1 (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
JP2015230333A (ja) レジスト剥離剤及びそれを用いたレジスト剥離方法
KR20240024847A (ko) 회로 기판용 수지막의 박리제 및 회로 기판의 제조 방법
WO2022050386A1 (ja) 基板の洗浄方法
Chu et al. Development of new photoresist stripping agent
JP2023172703A (ja) 洗浄方法
JP2015068845A (ja) レジスト剥離剤及びそれを用いたレジスト剥離方法
EP1958028A1 (en) Developer solution and process for use
JP2014010185A (ja) レジスト剥離剤及びそれを用いた剥離方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190822

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190822

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20201021

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201027

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210120

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210422

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210513

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6888846

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250