JPS5913926A - 焦電素子 - Google Patents
焦電素子Info
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- JPS5913926A JPS5913926A JP57124095A JP12409582A JPS5913926A JP S5913926 A JPS5913926 A JP S5913926A JP 57124095 A JP57124095 A JP 57124095A JP 12409582 A JP12409582 A JP 12409582A JP S5913926 A JPS5913926 A JP S5913926A
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- JP
- Japan
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- electrode
- bonding
- vapor
- insulating layer
- pyroelectric
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- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 12
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/34—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors
Landscapes
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は焦電材料の焦電効果を利用した焦電素子に関す
る。
る。
従来例の構成とその問題点
２ベージ
焦電材料は入射赤外線エネルギーによる熱変化を電荷の
変化に変えて検出することのできる材料であり、ＬｉＴ
ａＯ３，ＳＢＮ、ＴＧＳ等の単結晶や、ＰｂＴ１０３．
ＰＺＴ等（Ｄ セラミック、ＰｖＦ２等の有機材料がよ
く用いられている。これは熱的なセンサであるので、素
子形状１寸法、支持構造等の影響をうけやすい。このた
め、センサ構造として従来様々の工夫が行なわれている
。第１図はその一例である。図において、焦電材料１１
の片面に受光電極１２．他面に反射電極１３が形成され
、支持台１５に反射電極１３側を導電性接着剤１６で接
着させる。受光電極１２の一部には接続電極１４が設け
られ、細線１７を介して他の部品（図示せず）と接続さ
れる。
変化に変えて検出することのできる材料であり、ＬｉＴ
ａＯ３，ＳＢＮ、ＴＧＳ等の単結晶や、ＰｂＴ１０３．
ＰＺＴ等（Ｄ セラミック、ＰｖＦ２等の有機材料がよ
く用いられている。これは熱的なセンサであるので、素
子形状１寸法、支持構造等の影響をうけやすい。このた
め、センサ構造として従来様々の工夫が行なわれている
。第１図はその一例である。図において、焦電材料１１
の片面に受光電極１２．他面に反射電極１３が形成され
、支持台１５に反射電極１３側を導電性接着剤１６で接
着させる。受光電極１２の一部には接続電極１４が設け
られ、細線１７を介して他の部品（図示せず）と接続さ
れる。
センサをより高感度にするには、なるべく宙吊り状態に
して伝導による熱の損失を少なくすべきである。このた
めに素子の支持台１５に熱伝導の低い材料を用いたり、
第１図のように支持台１６を中空に抜いたりする。特に
中空にすると熱の逃げは少なくなり、リニア・アレイ・
センサの如く３ページ 熱拡散を非常に問題とする構成の場合は特にこの方法が
良い。
して伝導による熱の損失を少なくすべきである。このた
めに素子の支持台１５に熱伝導の低い材料を用いたり、
第１図のように支持台１６を中空に抜いたりする。特に
中空にすると熱の逃げは少なくなり、リニア・アレイ・
センサの如く３ページ 熱拡散を非常に問題とする構成の場合は特にこの方法が
良い。
このようにして作った素子を他の素子と接続するために
は、従来第１図の如く素子の受光面の一部に接続電極１
４を設け、その電極１４と他部品どの間を細線１７でボ
ンディング等で行なっていた。この場合他の半導体チッ
プやパッケージと素子材料のボンディング条件が異なり
、各々ボンディング条件出しを行なわねばならず面倒で
ある。
は、従来第１図の如く素子の受光面の一部に接続電極１
４を設け、その電極１４と他部品どの間を細線１７でボ
ンディング等で行なっていた。この場合他の半導体チッ
プやパッケージと素子材料のボンディング条件が異なり
、各々ボンディング条件出しを行なわねばならず面倒で
ある。
また焦電材料１１の種類によっても条件は異なる。
それに加えて、リニア・アレイの各素子の横方向の熱分
離を行なうために、ダイシング等で完全に切断分離を行
なうと、一つ一つの素子はかなり小さくなり、この上の
接続電極も小さくなる。その結果ボンディング条件はさ
らにきびしくなり、単に接続不良ばかりでなく素子の破
損を生じる。そのためボンディングの歩留りが悪くなり
、リニア・アレイの如く多素子を作る時のセンサとして
の歩留りが非常に悪くなる。
離を行なうために、ダイシング等で完全に切断分離を行
なうと、一つ一つの素子はかなり小さくなり、この上の
接続電極も小さくなる。その結果ボンディング条件はさ
らにきびしくなり、単に接続不良ばかりでなく素子の破
損を生じる。そのためボンディングの歩留りが悪くなり
、リニア・アレイの如く多素子を作る時のセンサとして
の歩留りが非常に悪くなる。
発明の目的
本発明は」二記欠点を除き、歩留りよく製造することの
出来る焦電素子を提供するものである。
出来る焦電素子を提供するものである。
発明の構成
本発明は表面側の電極も支持台上の絶縁物」二の電極に
接続するようにしたものである。
接続するようにしたものである。
実施例の説明
本発明による焦電素子の断面構造を第２図に示す。素子
は焦電材料１１の受光面に吸収電極１２゜接続電極１４
．裏面に反射電極１３をもった構成で第１図のものと同
一である。この素子を電気的な絶縁層２５をもった中空
支持台１６に絶縁性接着剤２７．導電性接着剤１６を用
いて接着させる。
は焦電材料１１の受光面に吸収電極１２゜接続電極１４
．裏面に反射電極１３をもった構成で第１図のものと同
一である。この素子を電気的な絶縁層２５をもった中空
支持台１６に絶縁性接着剤２７．導電性接着剤１６を用
いて接着させる。
導電性接着剤１６は中空支持台１６の内側を通して支持
台１５の下側へ接続しており、素子の裏面電極１３は支
持台１５の下側でリードレスで接続可能である。受光側
は接続電極１４と支持台の絶縁層２５上に形成した電極
２９を導電性接着剤２８で電気的に接続させる。リニア
・アレイにする場合は支持台１５の一部を素子と共にダ
イシング等で切断していけばよいので、この導電性接着
剤２８゜５ページ 電極２９を分離するのは容易である。このようにして構
成した素子を電極２９を通して他の部品とボンディング
で結線することができる。
台１５の下側へ接続しており、素子の裏面電極１３は支
持台１５の下側でリードレスで接続可能である。受光側
は接続電極１４と支持台の絶縁層２５上に形成した電極
２９を導電性接着剤２８で電気的に接続させる。リニア
・アレイにする場合は支持台１５の一部を素子と共にダ
イシング等で切断していけばよいので、この導電性接着
剤２８゜５ページ 電極２９を分離するのは容易である。このようにして構
成した素子を電極２９を通して他の部品とボンディング
で結線することができる。
次に具体的実施例を示す。支持台１５としてＳｉ板を用
いその表面に酸化膜、窒化膜等の絶縁層２５を作製し、
エツチングで中抜きをし、それをダイシングで切断して
支持台枠を作る。絶縁層２５上にＡｌの電極２９を蒸着
で作成する。この上に分極されたＰｂＴｉＯ３セラミッ
クにＮ１Ｃｖ蒸着受光電極１２．Ａｌ蒸着反射電極１３
．Ａｌ蒸着接続電極１４をつけた素子を接着剤１６．２
７でつける。その後受光面接続電極１４とＳｉ支持台絶
縁層２６上にあるＡ［電極２９とを導電性接着剤２８で
接続する。これをリニア・アレイにするには焦電素子を
Ｓｉ支持台１５に切れ込みを入れるようにダイシングで
細条に切断すればよい。その様子を第３図に示す。３６
は素子３１を切断分離するダイシング・ラインであり、
支持枠１５のＳｉ も少し切りこんで横方向の熱分離
をすると共に電気的分離も行なう。ダイシング・ライン
３５のピッ６ページ チは１００μは容易であり、切りしるも２０μ位なら可
能である他の半導体チップやパソケージパソドへは支持
枠１５上の電極２９よりボンディングで接続できる。こ
うすることにより支持枠１５が他の半導体チップと同じ
Ｓｉでもあるのでボンディング条件等はほぼそろい、ボ
ンディングの歩留りは良くなり、信頼性は向上する。こ
の接続法はボンディングに に限らず、フィルムキャリ
ヤー等の別の手段にも良い結果をもたらす。なお支持枠
１５は絶縁さえとれれば金属、絶縁体いずれも使用可能
である。
いその表面に酸化膜、窒化膜等の絶縁層２５を作製し、
エツチングで中抜きをし、それをダイシングで切断して
支持台枠を作る。絶縁層２５上にＡｌの電極２９を蒸着
で作成する。この上に分極されたＰｂＴｉＯ３セラミッ
クにＮ１Ｃｖ蒸着受光電極１２．Ａｌ蒸着反射電極１３
．Ａｌ蒸着接続電極１４をつけた素子を接着剤１６．２
７でつける。その後受光面接続電極１４とＳｉ支持台絶
縁層２６上にあるＡ［電極２９とを導電性接着剤２８で
接続する。これをリニア・アレイにするには焦電素子を
Ｓｉ支持台１５に切れ込みを入れるようにダイシングで
細条に切断すればよい。その様子を第３図に示す。３６
は素子３１を切断分離するダイシング・ラインであり、
支持枠１５のＳｉ も少し切りこんで横方向の熱分離
をすると共に電気的分離も行なう。ダイシング・ライン
３５のピッ６ページ チは１００μは容易であり、切りしるも２０μ位なら可
能である他の半導体チップやパソケージパソドへは支持
枠１５上の電極２９よりボンディングで接続できる。こ
うすることにより支持枠１５が他の半導体チップと同じ
Ｓｉでもあるのでボンディング条件等はほぼそろい、ボ
ンディングの歩留りは良くなり、信頼性は向上する。こ
の接続法はボンディングに に限らず、フィルムキャリ
ヤー等の別の手段にも良い結果をもたらす。なお支持枠
１５は絶縁さえとれれば金属、絶縁体いずれも使用可能
である。
発明の効果
以上のように、本発明は表面に絶縁層を有する支持台上
に両面に電極を形成した焦電材料を取り付け、焦電材料
の受光電極を支持台の絶縁層上に形成した接続電極に結
合し、この接続電極からボンディングをとるようにした
焦電素子で、外部素子、外部回路とのボンディングが非
常に容易になり、歩留りを大幅に改善でき信頼性の高い
焦電素子を得ることができる。特にリニア・アレイ構造
７ページ にしたときの歩留り向トは著しく、赤外リニア・アレイ
素子として特に好適である。
に両面に電極を形成した焦電材料を取り付け、焦電材料
の受光電極を支持台の絶縁層上に形成した接続電極に結
合し、この接続電極からボンディングをとるようにした
焦電素子で、外部素子、外部回路とのボンディングが非
常に容易になり、歩留りを大幅に改善でき信頼性の高い
焦電素子を得ることができる。特にリニア・アレイ構造
７ページ にしたときの歩留り向トは著しく、赤外リニア・アレイ
素子として特に好適である。
第１図は従来の焦電素子の一例を示す断面図、第２図は
本発明による焦電素子の実施例における断面図、第３図
は本発明による焦電素子をＩＪ ニア・アレイ構造にし
た実施例の平面図である。 １１・・・・・・焦電材料、１２・・・・・・受光電極
、１３・・・・・・反射電極、１４・・・・・・接続電
極、１５．２４・・・・・・支持台、１６ 、２８・・
・・・・導電性接着剤、２５・・・・・・絶縁層、２７
・・・・・・絶縁性接着剤、１了・・・・・・細線、２
９・・・・・・接続電極、３１・・・・・・素子、３５
・・・・・・ダイシングライン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
本発明による焦電素子の実施例における断面図、第３図
は本発明による焦電素子をＩＪ ニア・アレイ構造にし
た実施例の平面図である。 １１・・・・・・焦電材料、１２・・・・・・受光電極
、１３・・・・・・反射電極、１４・・・・・・接続電
極、１５．２４・・・・・・支持台、１６ 、２８・・
・・・・導電性接着剤、２５・・・・・・絶縁層、２７
・・・・・・絶縁性接着剤、１了・・・・・・細線、２
９・・・・・・接続電極、３１・・・・・・素子、３５
・・・・・・ダイシングライン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
Claims (3)
- （１）表面に絶縁層を有する中空の支持台上に、両面に
電極を形成した焦電材料をとり付け、上記焦電材料の表
面側の第１の電極を前記支持台の絶縁層」二に形成した
第３の電極に接続し、焦電材料の裏面側の第２の電極を
前記支持台に接続したことを特徴とする焦電素子。 - （２）焦電材料を細条に切断した特許請求の範囲第１項
記載の焦電素子。 - （３）支持台がシリコンであり、絶縁層がシリコンの酸
化物又は窒化物である特許請求の範囲第１項記載の焦電
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57124095A JPS5913926A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | 焦電素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57124095A JPS5913926A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | 焦電素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5913926A true JPS5913926A (ja) | 1984-01-24 |
| JPH0129413B2 JPH0129413B2 (ja) | 1989-06-09 |
Family
ID=14876795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57124095A Granted JPS5913926A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | 焦電素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5913926A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS612025A (ja) * | 1984-06-14 | 1986-01-08 | Murata Mfg Co Ltd | 一次元焦電型センサアレイ |
| JPS61108935A (ja) * | 1984-11-01 | 1986-05-27 | Toshiba Component Kk | 焦電形赤外線センサ素子 |
| EP0558766A1 (en) * | 1991-09-24 | 1993-09-08 | Nohmi Bosai Kogyo Kabushiki Kaisha | Pyroelectric element |
| JPH06186083A (ja) * | 1993-03-24 | 1994-07-08 | Murata Mfg Co Ltd | 一次元焦電型センサアレイ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5728223A (en) * | 1980-07-26 | 1982-02-15 | New Japan Radio Co Ltd | Pyroelectric type radiation wave detector and manufacture thereof |
-
1982
- 1982-07-15 JP JP57124095A patent/JPS5913926A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5728223A (en) * | 1980-07-26 | 1982-02-15 | New Japan Radio Co Ltd | Pyroelectric type radiation wave detector and manufacture thereof |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS612025A (ja) * | 1984-06-14 | 1986-01-08 | Murata Mfg Co Ltd | 一次元焦電型センサアレイ |
| JPS61108935A (ja) * | 1984-11-01 | 1986-05-27 | Toshiba Component Kk | 焦電形赤外線センサ素子 |
| EP0558766A1 (en) * | 1991-09-24 | 1993-09-08 | Nohmi Bosai Kogyo Kabushiki Kaisha | Pyroelectric element |
| JPH06186083A (ja) * | 1993-03-24 | 1994-07-08 | Murata Mfg Co Ltd | 一次元焦電型センサアレイ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0129413B2 (ja) | 1989-06-09 |
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