JPH0129413B2 - - Google Patents
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- JPH0129413B2 JPH0129413B2 JP57124095A JP12409582A JPH0129413B2 JP H0129413 B2 JPH0129413 B2 JP H0129413B2 JP 57124095 A JP57124095 A JP 57124095A JP 12409582 A JP12409582 A JP 12409582A JP H0129413 B2 JPH0129413 B2 JP H0129413B2
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- Japan
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- electrode
- pyroelectric
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- insulating layer
- pyroelectric material
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- Expired
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- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 12
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- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 1
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/34—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は焦電材料の焦電効果を利用した焦電素
子に関する。
子に関する。
従来例の構成とその問題点
焦電材料は入射赤外線エネルギーによる熱変化
を電荷の変化に変えて検出することのできる材料
であり、LiTaO3、SBN、TGS等の単結晶や、
PbTiO3、PZT等のセラミツク、PVF2等の有機
材料がよく用いられている。これは熱的なセンサ
であるので、素子形状、寸法、支持構造等の影響
をうけやすい。このため、センサ構造として従来
種々の工夫が行なわれている。第１図はその一例
である。図において、焦電材料１１の片面に受光
電極１２、他面に反射電極１３が形成され、支持
台１５に反射電極１３側を導電性接着剤１６で接
着される。受光電極１２の一部には接続電極１４
が設けられ、細線１７を介して他の部品（図示せ
ず）と接続させる。
を電荷の変化に変えて検出することのできる材料
であり、LiTaO3、SBN、TGS等の単結晶や、
PbTiO3、PZT等のセラミツク、PVF2等の有機
材料がよく用いられている。これは熱的なセンサ
であるので、素子形状、寸法、支持構造等の影響
をうけやすい。このため、センサ構造として従来
種々の工夫が行なわれている。第１図はその一例
である。図において、焦電材料１１の片面に受光
電極１２、他面に反射電極１３が形成され、支持
台１５に反射電極１３側を導電性接着剤１６で接
着される。受光電極１２の一部には接続電極１４
が設けられ、細線１７を介して他の部品（図示せ
ず）と接続させる。
センサをより高感度にするには、なるべく宙吊
り状態にして伝導による熱の損失を少なくすべき
である。このために素子の支持台１５に熱伝導の
低い材料を用いたり、第１図のように支持台１５
を中空に抜いたりする。特に中空にすると熱の逃
げば少なくなり、リニア・アレイ・センサの如く
熱拡散を非常に問題とする構成の場合は特にこの
方法が良い。
り状態にして伝導による熱の損失を少なくすべき
である。このために素子の支持台１５に熱伝導の
低い材料を用いたり、第１図のように支持台１５
を中空に抜いたりする。特に中空にすると熱の逃
げば少なくなり、リニア・アレイ・センサの如く
熱拡散を非常に問題とする構成の場合は特にこの
方法が良い。
このようにして作つた素子を他の素子と接続す
るためには、従来第１図の如く素子の受光面の一
部に接続電極１４を設け、その電極１４と他部品
との間を細線１７でボンデイング等で行なつてい
た。この場合他の半導体チツプやパツケージと素
子材料のボンデイング条件が異なり、各々ボンデ
イング条件出しを行なわねばならず面倒である。
また焦電材料１１の種類によつても条件は異な
る。それに加えて、リニア・アレイの各素子の横
方向の熱分離を行なうために、ダイシング等で完
全に切断分離を行なうと、一つ一つの素子はかな
り小さくなり、この上の接続電極も小さくなる。
その結果ボンデイング条件はさらにきびしくな
り、単に接続不良ばかりでなく素子の破損を生じ
る。そのためボンデイングの歩留りが悪くなり、
リニア・アレイの如く多素子を作る時のセンサと
しての歩留りが非常に悪くなる。
るためには、従来第１図の如く素子の受光面の一
部に接続電極１４を設け、その電極１４と他部品
との間を細線１７でボンデイング等で行なつてい
た。この場合他の半導体チツプやパツケージと素
子材料のボンデイング条件が異なり、各々ボンデ
イング条件出しを行なわねばならず面倒である。
また焦電材料１１の種類によつても条件は異な
る。それに加えて、リニア・アレイの各素子の横
方向の熱分離を行なうために、ダイシング等で完
全に切断分離を行なうと、一つ一つの素子はかな
り小さくなり、この上の接続電極も小さくなる。
その結果ボンデイング条件はさらにきびしくな
り、単に接続不良ばかりでなく素子の破損を生じ
る。そのためボンデイングの歩留りが悪くなり、
リニア・アレイの如く多素子を作る時のセンサと
しての歩留りが非常に悪くなる。
発明の目的
本発明は上記欠点を除き、歩留りよく製造する
ことの出来る焦電素子を提供するものである。
ことの出来る焦電素子を提供するものである。
発明の構成
本発明は表面側の電極も支持台上の絶縁物上の
電極に接続するようにしたものである。
電極に接続するようにしたものである。
実施例の説明
本発明による焦電素子の断面構造を第２図に示
す。素子は焦電材料１１の受光面に吸収電極１
２、接続電極１４、裏面に反射電極１３をもつた
構成で第１図のものと同一である。この素子を電
気的な絶縁層２５をもつた中空支持台１５に絶縁
性接着剤２７、導電性接着剤１６を用いて接着さ
せる。導電性接着剤１６は中空支持台１５の内側
を通して支持台１５の下側へ接続しており、素子
の裏面電極１３は支持台１５の下側でリードレス
で接続可能である。受光側は接続電極１４と支持
台の絶縁層２５上に形成した電極２９を導電性接
着剤２８で電気的に接続させる。リニア・アレイ
にする場合は支持台１５の一部を素子と共にダイ
シング等で切断していけばよいので、この導電性
接着剤２８、電極２９を１緒に横方向分離するの
は容易である。このようにして構成した素子を電
極２９を通して他の部品とボンデイングで結線す
ることができる。
す。素子は焦電材料１１の受光面に吸収電極１
２、接続電極１４、裏面に反射電極１３をもつた
構成で第１図のものと同一である。この素子を電
気的な絶縁層２５をもつた中空支持台１５に絶縁
性接着剤２７、導電性接着剤１６を用いて接着さ
せる。導電性接着剤１６は中空支持台１５の内側
を通して支持台１５の下側へ接続しており、素子
の裏面電極１３は支持台１５の下側でリードレス
で接続可能である。受光側は接続電極１４と支持
台の絶縁層２５上に形成した電極２９を導電性接
着剤２８で電気的に接続させる。リニア・アレイ
にする場合は支持台１５の一部を素子と共にダイ
シング等で切断していけばよいので、この導電性
接着剤２８、電極２９を１緒に横方向分離するの
は容易である。このようにして構成した素子を電
極２９を通して他の部品とボンデイングで結線す
ることができる。
次に具体的実施例を示す。支持台１５としてSi
板を用いその表面に酸化膜、窒化膜等の絶縁層２
５を作製し、エツチングで中抜きをし、それをダ
イシングで切断して支持台枠を作る。絶縁層２５
上にAlの電極２９を蒸着で作成する。この上に
分極されたPbTiO3セラミツクにNiCr蒸着受光電
極１２、Al蒸着反射電極１３、Al蒸着接続電極
１４をつけた素子を接着剤１６，２７でつける。
その後受光面接続電極１４とSi支持台絶縁層２５
上にあるAl電極２９とを導電性接着剤２８で接
続する。これをリニア・アレイにするには焦電素
子をSi支持台１５に切れ込みを入れるようにダイ
シングで細条に切断すればよい。その様子を第３
図に示す。３５は素子３１を切断分離するダイシ
ング・ラインであり、支持枠１５のSiも少し切り
こんで横方向の熱分離をすると共に電気的分離も
行なう。ダイシング・ライン３５のヒツチは
100μは容易であり、切りしろも20μ位なら可能で
ある。他の半導体チツプやパツケージパツドへは
支持枠１５上の電極２９よりボンデイングで接続
できる。こうすることにより支持枠１５が他の半
導体チツプと同じSiでもあるのでボンデイング条
件等はほぼそろい、ボンデイングの歩留りは良く
なり、信頼性は向上する。この接続法はボンデイ
ングに限らず、フイルムキヤリヤー等の別の手段
にも良い結果をもたらす。なお支持枠１５は絶縁
さえとれれば金属、絶縁体いずれも使用可能であ
る。
板を用いその表面に酸化膜、窒化膜等の絶縁層２
５を作製し、エツチングで中抜きをし、それをダ
イシングで切断して支持台枠を作る。絶縁層２５
上にAlの電極２９を蒸着で作成する。この上に
分極されたPbTiO3セラミツクにNiCr蒸着受光電
極１２、Al蒸着反射電極１３、Al蒸着接続電極
１４をつけた素子を接着剤１６，２７でつける。
その後受光面接続電極１４とSi支持台絶縁層２５
上にあるAl電極２９とを導電性接着剤２８で接
続する。これをリニア・アレイにするには焦電素
子をSi支持台１５に切れ込みを入れるようにダイ
シングで細条に切断すればよい。その様子を第３
図に示す。３５は素子３１を切断分離するダイシ
ング・ラインであり、支持枠１５のSiも少し切り
こんで横方向の熱分離をすると共に電気的分離も
行なう。ダイシング・ライン３５のヒツチは
100μは容易であり、切りしろも20μ位なら可能で
ある。他の半導体チツプやパツケージパツドへは
支持枠１５上の電極２９よりボンデイングで接続
できる。こうすることにより支持枠１５が他の半
導体チツプと同じSiでもあるのでボンデイング条
件等はほぼそろい、ボンデイングの歩留りは良く
なり、信頼性は向上する。この接続法はボンデイ
ングに限らず、フイルムキヤリヤー等の別の手段
にも良い結果をもたらす。なお支持枠１５は絶縁
さえとれれば金属、絶縁体いずれも使用可能であ
る。
発明の効果
以上のように、本発明は表面に絶縁層を有する
支持台上に両面に電極を形成した焦電材料を取り
付け、焦電材料の受光電極を支持台の絶縁層上に
形成した接続電極に結合し、この接続電極からボ
ンデイングをとるようにした焦電素子で、外部素
子、外部回路とのボンデイングが非常に容易にな
り、歩留りを大幅に改善でき信頼性の高い焦電素
子を得ることができる。特にリニア・アレイ構造
にしたときの歩留り向上は著しく、赤外リニア・
アレイ素子として特に好適である。
支持台上に両面に電極を形成した焦電材料を取り
付け、焦電材料の受光電極を支持台の絶縁層上に
形成した接続電極に結合し、この接続電極からボ
ンデイングをとるようにした焦電素子で、外部素
子、外部回路とのボンデイングが非常に容易にな
り、歩留りを大幅に改善でき信頼性の高い焦電素
子を得ることができる。特にリニア・アレイ構造
にしたときの歩留り向上は著しく、赤外リニア・
アレイ素子として特に好適である。
第１図は従来の焦電素子の一例を示す断面図、
第２図は本発明による焦電素子の実施例における
断面図、第３図は本発明による焦電素子をリニ
ア・アレイ構造にした実施例の平面図である。 １１……焦電材料、１２……受光電極、１３…
…反射電極、１４……接続電極、１５，２４……
支持台、１６，２８……導電性接着剤、２５……
絶縁層、２７……絶縁性接着剤、１７……細線、
２９……接続電極、３１……素子、３５……ダイ
シングライン。
第２図は本発明による焦電素子の実施例における
断面図、第３図は本発明による焦電素子をリニ
ア・アレイ構造にした実施例の平面図である。 １１……焦電材料、１２……受光電極、１３…
…反射電極、１４……接続電極、１５，２４……
支持台、１６，２８……導電性接着剤、２５……
絶縁層、２７……絶縁性接着剤、１７……細線、
２９……接続電極、３１……素子、３５……ダイ
シングライン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 焦電材料板の一方の面に第１の電極、他方の
面に焦電材料板の一端部を露出させて第２の電極
を形成し、前記焦電材料板の第２の電極側を一表
面に絶縁層を有する中空の導電性支持台に対して
前記第２の電極と導電性支持台とを導電性接着剤
で、焦電材料板の露出部と前記絶縁層とを絶縁性
接着剤で接着し、前記第１の電極と前記絶縁層上
に形成して第３の電極とを導電性接着剤で接続し
たことを特徴とする焦電素子。 ２ 導電性支持台がシリコンであり、絶縁層がシ
リコンの酸化物又は窒化物である特許請求の範囲
第１項記載の焦電素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57124095A JPS5913926A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | 焦電素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57124095A JPS5913926A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | 焦電素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5913926A JPS5913926A (ja) | 1984-01-24 |
| JPH0129413B2 true JPH0129413B2 (ja) | 1989-06-09 |
Family
ID=14876795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57124095A Granted JPS5913926A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | 焦電素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5913926A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH073362B2 (ja) * | 1984-06-14 | 1995-01-18 | 株式会社村田製作所 | 一次元焦電型センサアレイ |
| JPS61108935A (ja) * | 1984-11-01 | 1986-05-27 | Toshiba Component Kk | 焦電形赤外線センサ素子 |
| US5420426A (en) * | 1991-09-24 | 1995-05-30 | Nohmi Boasai Ltd. | Pyroelectric device |
| JP2616654B2 (ja) * | 1993-03-24 | 1997-06-04 | 株式会社村田製作所 | 一次元焦電型センサアレイ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5728223A (en) * | 1980-07-26 | 1982-02-15 | New Japan Radio Co Ltd | Pyroelectric type radiation wave detector and manufacture thereof |
-
1982
- 1982-07-15 JP JP57124095A patent/JPS5913926A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5728223A (en) * | 1980-07-26 | 1982-02-15 | New Japan Radio Co Ltd | Pyroelectric type radiation wave detector and manufacture thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5913926A (ja) | 1984-01-24 |
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