JPS59119316A - 光アイソレ−タ - Google Patents
光アイソレ−タInfo
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- JPS59119316A JPS59119316A JP22844982A JP22844982A JPS59119316A JP S59119316 A JPS59119316 A JP S59119316A JP 22844982 A JP22844982 A JP 22844982A JP 22844982 A JP22844982 A JP 22844982A JP S59119316 A JPS59119316 A JP S59119316A
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- Japan
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- light
- optical
- magneto
- polarization
- plane
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/09—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on magneto-optical elements, e.g. exhibiting Faraday effect
- G02F1/093—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on magneto-optical elements, e.g. exhibiting Faraday effect used as non-reciprocal devices, e.g. optical isolators, circulators
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4207—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback
- G02B6/4208—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback using non-reciprocal elements or birefringent plates, i.e. quasi-isolators
- G02B6/4209—Optical features
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光アイソレータの改良に関し、更に詳しくは
、磁気光学効果を呈する素子自身に偏光子としての機能
をも！こせることによって、外部に唯一個の偏光子を配
置すれば済むように工夫した光アイソレータに関するも
のである。
、磁気光学効果を呈する素子自身に偏光子としての機能
をも！こせることによって、外部に唯一個の偏光子を配
置すれば済むように工夫した光アイソレータに関するも
のである。
周知のように、光アイソレータは、一方向のみに光を伝
送し、それとは逆の方向には（云送しイＴいような非可
逆ｉ生を右する二端子素子であり、例えば光通信システ
ムで送信側の装置が受信側からの反射光による干渉を受
（プないようにづる場合などに用いられるものである。
送し、それとは逆の方向には（云送しイＴいような非可
逆ｉ生を右する二端子素子であり、例えば光通信システ
ムで送信側の装置が受信側からの反射光による干渉を受
（プないようにづる場合などに用いられるものである。
光発振器どして、特に、半導体レーリー−を用いた場合
には、その発振領域内に外部て反則して戻ってきたレー
ザー光が入ると発振状態か乱され、その結果、半導体レ
ーザーの発振波形が歪み、波長や出力が不安定となり、
雑音が増大するという問題が生じる。そのため、半導体
レーザーを用いた光通信システムでは、半導体レーザー
と光ファイバーとの間に光アイソレータが組込まれる。
には、その発振領域内に外部て反則して戻ってきたレー
ザー光が入ると発振状態か乱され、その結果、半導体レ
ーザーの発振波形が歪み、波長や出力が不安定となり、
雑音が増大するという問題が生じる。そのため、半導体
レーザーを用いた光通信システムでは、半導体レーザー
と光ファイバーとの間に光アイソレータが組込まれる。
ｉφ来から使用されている光アイソレータは、ファラデ
ー回転素子を使用したもので、第１図△、Ｂに示すよう
に、光軸×にそって順次配設された第１の偏光子１と、
ファラデー回転素子２と、第２の偏光子３とを組合せた
ものである。
ー回転素子を使用したもので、第１図△、Ｂに示すよう
に、光軸×にそって順次配設された第１の偏光子１と、
ファラデー回転素子２と、第２の偏光子３とを組合せた
ものである。
さて、同図Δに示すように、半導体レー１ｒ−４からの
光が光−７アイパー５へ向かう場合（これを順方向とい
う）についで考えると、半導体レーザー４からの光「１
は第１の１幅光子１を通ることによって直線偏光Ｌ２と
なり、次いでファラデー回転素子２において外部磁界ト
１の作用により、入用した直線偏光Ｌ２は、その偏光面
が進行方向に向かって例えば時泪方向に４５度回転した
直線偏光Ｌ３となり、その直線偏光［３をそのまま通過
さ吐るように光軸に関し４５度回転さけて配置した第２
の偏光子３を通って光ファイバー５に入射する。これに
対して、同図Ｂに示すような逆方向の場合（例えは光フ
ァイバー５の端面て反射しＩζ光が半導体レーザー４の
方へ戻ろうとする場合）には、反則光１−４は第２の１
扇光子３をそのまま通過するが、ファラデー回転素子２
によって、今頃は反時旧方向に４５度回転づるため（り
られた直線偏光Ｌ５は前述の入射時にＪ５４づる直線陽
光［２と比べたとき偏光面が９０度回転しており、モの
ため第１の偏光子１によって光の通過が阻止され半導体
レーリ゛−４には戻らないのである。かくして、−上記
のよ−うな構成と覆ることによって、光アイソレータど
してイｊ効に機能させることができる。
光が光−７アイパー５へ向かう場合（これを順方向とい
う）についで考えると、半導体レーザー４からの光「１
は第１の１幅光子１を通ることによって直線偏光Ｌ２と
なり、次いでファラデー回転素子２において外部磁界ト
１の作用により、入用した直線偏光Ｌ２は、その偏光面
が進行方向に向かって例えば時泪方向に４５度回転した
直線偏光Ｌ３となり、その直線偏光［３をそのまま通過
さ吐るように光軸に関し４５度回転さけて配置した第２
の偏光子３を通って光ファイバー５に入射する。これに
対して、同図Ｂに示すような逆方向の場合（例えは光フ
ァイバー５の端面て反射しＩζ光が半導体レーザー４の
方へ戻ろうとする場合）には、反則光１−４は第２の１
扇光子３をそのまま通過するが、ファラデー回転素子２
によって、今頃は反時旧方向に４５度回転づるため（り
られた直線偏光Ｌ５は前述の入射時にＪ５４づる直線陽
光［２と比べたとき偏光面が９０度回転しており、モの
ため第１の偏光子１によって光の通過が阻止され半導体
レーリ゛−４には戻らないのである。かくして、−上記
のよ−うな構成と覆ることによって、光アイソレータど
してイｊ効に機能させることができる。
しかしながｌう、上記のような構成の光アイソレータに
おいては、ファラデー回転素子の前後にそれぞれ偏光子
を配置する必要があり、光ア・イソレータが大型化する
という欠点があった。
おいては、ファラデー回転素子の前後にそれぞれ偏光子
を配置する必要があり、光ア・イソレータが大型化する
という欠点があった。
特に、半導体レーザーを用いた光通信システムに８３い
て用いられる光アイソレータは、極めて高性能のものが
要求され、組込まれる偏光子は、一般に、天然の方解石
結晶を用いてプリズム状に作られたものであり、このた
め例えば−周当り故十万円というような非常に高ｔｉ［
ｌｉなものであるので、二個の偏光子を必要とする光ア
イソレータは半導体レー）ｒ−よりも遥かに高画く丁も
のとなってしまい、光通信システムを俤々な分野で広く
発展させていくうえで非常に大きな問題であった。
て用いられる光アイソレータは、極めて高性能のものが
要求され、組込まれる偏光子は、一般に、天然の方解石
結晶を用いてプリズム状に作られたものであり、このた
め例えば−周当り故十万円というような非常に高ｔｉ［
ｌｉなものであるので、二個の偏光子を必要とする光ア
イソレータは半導体レー）ｒ−よりも遥かに高画く丁も
のとなってしまい、光通信システムを俤々な分野で広く
発展させていくうえで非常に大きな問題であった。
木光明は、上記のような従来技術の実情に鑑みなされた
もので、その目的は、磁気光学素子の外部に設置覆る必
要のある偏光子数が唯一個で済むようにし、それによっ
て装置の小型化並び°に軽量化を図ることがでさ、また
大幅な低ｒｉＦ化を図ることができるような光アイソレ
ータを提供することにある。
もので、その目的は、磁気光学素子の外部に設置覆る必
要のある偏光子数が唯一個で済むようにし、それによっ
て装置の小型化並び°に軽量化を図ることがでさ、また
大幅な低ｒｉＦ化を図ることができるような光アイソレ
ータを提供することにある。
上記の目的を達成づべく案出された本発明は、磁気光学
材料の表面（幾重を巧みに応用し、陽気光学素子自身が
偏光子としての機能をも具備するにうに工夫したもので
、唯一個の偏光子と磁気光学素子とを組合せた光アイソ
レータである。
材料の表面（幾重を巧みに応用し、陽気光学素子自身が
偏光子としての機能をも具備するにうに工夫したもので
、唯一個の偏光子と磁気光学素子とを組合せた光アイソ
レータである。
そして、磁気光学素子は、磁気光学材料の薄板からなり
、その一つの面が光軸に対してブリュースター角の余角
となる向きに配置した傾斜面を有し、その傾斜面で偏光
作用を生じるように構成されている。
、その一つの面が光軸に対してブリュースター角の余角
となる向きに配置した傾斜面を有し、その傾斜面で偏光
作用を生じるように構成されている。
以下、図面に基づき本発明について詳述覆る。
第２図は本発明の一実施例を模式的に示り説明 図であ
り、Ａは光が順方向に（半導体レーザー側から光フアイ
バー側へ）進む場合、Ｂは光が逆方向に進む場合をそれ
ぞれ示している。同図に示されているように、本発明に
係る光アイソレータは、磁気光学素子１０と偏光子１１
とを組合せたものからなる。磁気光学素子１０は磁気光
学効果を呈する材料（例えはイツトリウム−鉄−カーネ
ット単結晶）の薄板からなり、での−′つの表面は、入
側方向に対し材料の屈折率に依存Ｊるフリュースター角
Ｑの全角（即ち９０度−φ）たけ傾斜して設置された１
頃斜面１２て、該傾斜面１２の入射点近（ジ′；以外の
部分と該傾斜面１２に対して平行なもう一つの面とには
それそ′れ反射膜１４．が形成され、また、前記薄板の
一端面が前記傾斜面１２に対してブリュースター角の余
角となる如く傾斜しだ透過面１３となっており、前記薄
板に垂直な方向に印加される外部磁界ト（の作用により
、傾斜面１２にその法線に対しブリュースター角φて入
射し、偏光屈折されて材料中に入った光が、材料内て反
Ｉｌｌ ｌｌ＊１４によって多重反則して透過面１３か
ら垂直に出射する間、材料内で光の偏光面を４５度回転
させうる光路長をもつ索子である。
り、Ａは光が順方向に（半導体レーザー側から光フアイ
バー側へ）進む場合、Ｂは光が逆方向に進む場合をそれ
ぞれ示している。同図に示されているように、本発明に
係る光アイソレータは、磁気光学素子１０と偏光子１１
とを組合せたものからなる。磁気光学素子１０は磁気光
学効果を呈する材料（例えはイツトリウム−鉄−カーネ
ット単結晶）の薄板からなり、での−′つの表面は、入
側方向に対し材料の屈折率に依存Ｊるフリュースター角
Ｑの全角（即ち９０度−φ）たけ傾斜して設置された１
頃斜面１２て、該傾斜面１２の入射点近（ジ′；以外の
部分と該傾斜面１２に対して平行なもう一つの面とには
それそ′れ反射膜１４．が形成され、また、前記薄板の
一端面が前記傾斜面１２に対してブリュースター角の余
角となる如く傾斜しだ透過面１３となっており、前記薄
板に垂直な方向に印加される外部磁界ト（の作用により
、傾斜面１２にその法線に対しブリュースター角φて入
射し、偏光屈折されて材料中に入った光が、材料内て反
Ｉｌｌ ｌｌ＊１４によって多重反則して透過面１３か
ら垂直に出射する間、材料内で光の偏光面を４５度回転
させうる光路長をもつ索子である。
前記傾斜面１２並びに透過面１３は綺麗に研磨されてお
り、透過面１３には無反射コート（例えば、高周波スパ
ッタにより形成した二酸化硅素の薄喚）が形成されてい
る。この様な磁気光学素子１０と組合ぜられる偏光子１
１は、従来のものど同作てあってよく、例えばブリスム
状に加工した方解石の結晶であり、前記Ｉｔ磁気光学素
子０の透過面１３に対向し、且つ光軸が一致し、 Ｆｔ
ｌｉ気光学素子１０によって偏光面の回転さけられた光
がそのまま通過Ｃきるように光軸に関し４５度傾けた状
態で配置される。
り、透過面１３には無反射コート（例えば、高周波スパ
ッタにより形成した二酸化硅素の薄喚）が形成されてい
る。この様な磁気光学素子１０と組合ぜられる偏光子１
１は、従来のものど同作てあってよく、例えばブリスム
状に加工した方解石の結晶であり、前記Ｉｔ磁気光学素
子０の透過面１３に対向し、且つ光軸が一致し、 Ｆｔ
ｌｉ気光学素子１０によって偏光面の回転さけられた光
がそのまま通過Ｃきるように光軸に関し４５度傾けた状
態で配置される。
この様な構成の光アイソレータの動作は次の如くである
。第２図の場合、磁気光学素子１０の傾斜面１２が半導
体レーナー４の方を向くように光アイソレータが組込ま
れる。先ず、同図△に示１ように、半導体レーザー４か
ら放射さ１′する光Ｌ１０は、磁気光学素子１ｏの傾斜
面１２に対しブリュースター角φで入射する。このとき
、入用面（入側光線の伝播方向と入射点に立てた傾斜面
１２の法線とを含む而）内で端光している成分は全てブ
リコースタ−角φの余色をなして屈折し、入用面とは垂
直に１幅光している成分はその大部分が反射されてしま
うことになる。つまり、ブリュースター角めの余角をな
す如く配置された傾斜面１２は偏光子としＣの機能を果
たし、入用面内で偏光している成分のみを磁気光学素子
１ｏの内部に導き入れるのである。傾斜面１２で屈折し
て磁気光学素子１ｏの内部に導入された光は、外部磁界
（−１の作用によって−での偏光面が例えば時計方向に
回転しつつ、材料中を伝播するとする。伝播する光は、
反用嘆１４で反射されながら、透過面１３に達する。
。第２図の場合、磁気光学素子１０の傾斜面１２が半導
体レーナー４の方を向くように光アイソレータが組込ま
れる。先ず、同図△に示１ように、半導体レーザー４か
ら放射さ１′する光Ｌ１０は、磁気光学素子１ｏの傾斜
面１２に対しブリュースター角φで入射する。このとき
、入用面（入側光線の伝播方向と入射点に立てた傾斜面
１２の法線とを含む而）内で端光している成分は全てブ
リコースタ−角φの余色をなして屈折し、入用面とは垂
直に１幅光している成分はその大部分が反射されてしま
うことになる。つまり、ブリュースター角めの余角をな
す如く配置された傾斜面１２は偏光子としＣの機能を果
たし、入用面内で偏光している成分のみを磁気光学素子
１ｏの内部に導き入れるのである。傾斜面１２で屈折し
て磁気光学素子１ｏの内部に導入された光は、外部磁界
（−１の作用によって−での偏光面が例えば時計方向に
回転しつつ、材料中を伝播するとする。伝播する光は、
反用嘆１４で反射されながら、透過面１３に達する。
子のとき前述の如く、傾斜面１２の入射点から透過面１
３迄の多重反射を繰返した光路の全長が、大川した光の
偏光面を４５度回転さけ８長さに設定されているので、
磁気光学素子１ｏを通過しｌζ光Ｌ１１は、その進行方
向に苅して時計方向に４５度回転した偏光面をもつ直線
偏光となり、そのまま、前述の如く４５度１頃いて配置
されている偏光子１１を通過して光ファイバー５に達す
る。
３迄の多重反射を繰返した光路の全長が、大川した光の
偏光面を４５度回転さけ８長さに設定されているので、
磁気光学素子１ｏを通過しｌζ光Ｌ１１は、その進行方
向に苅して時計方向に４５度回転した偏光面をもつ直線
偏光となり、そのまま、前述の如く４５度１頃いて配置
されている偏光子１１を通過して光ファイバー５に達す
る。
光ファイバー５は、通常石英ガラスからなり、極めて細
いものであるから、その端面に無反射］−ディングを施
ずことが不可能で、そのため通常約４％程度の光が端面
で反射するとされている。このため、光ファイバー５の
端面゛Ｃ反開用た光Ｌ１２は、同図Ｂに示すように、半
導体レーザー４の方に向かって逆行覆ることになる。
いものであるから、その端面に無反射］−ディングを施
ずことが不可能で、そのため通常約４％程度の光が端面
で反射するとされている。このため、光ファイバー５の
端面゛Ｃ反開用た光Ｌ１２は、同図Ｂに示すように、半
導体レーザー４の方に向かって逆行覆ることになる。
この反射光は１幅光子１１を通って磁気光学素子１０の
透過面１３に入側する。そして磁気光学素子１０の内部
において、外部磁界１」の作用を受１プで、光軸に対し
今度はその偏光面が及時ｄ１回りに回転しつ゛つ、かつ
反射ｌ１１１４で反射されながら伝播覆ることになる。
透過面１３に入側する。そして磁気光学素子１０の内部
において、外部磁界１」の作用を受１プで、光軸に対し
今度はその偏光面が及時ｄ１回りに回転しつ゛つ、かつ
反射ｌ１１１４で反射されながら伝播覆ることになる。
、偏光面が４５度回転して傾斜面１２に達した直線陽光
は、第２図への場合と比較したとき９０度回転しており
、このため前記傾斜面１２で反則して反射光１−１３と
なる。かくして光ファイバー５で反射した戻り光は磁気
光学素子１０の傾斜面１２て反則されるため半導体レー
ザー４の方には殆んど戻らなくなる。このようにしで、
上記のような特定構造の磁気光学素子１０と偏光子１１
と相合ぜることにより、光アイツレ−′りを構成づるこ
とが出来るのである。
は、第２図への場合と比較したとき９０度回転しており
、このため前記傾斜面１２で反則して反射光１−１３と
なる。かくして光ファイバー５で反射した戻り光は磁気
光学素子１０の傾斜面１２て反則されるため半導体レー
ザー４の方には殆んど戻らなくなる。このようにしで、
上記のような特定構造の磁気光学素子１０と偏光子１１
と相合ぜることにより、光アイツレ−′りを構成づるこ
とが出来るのである。
なお、第２図において、黒丸並びに小さな矢印は偏光方
向を模式的に示すものであり、黒丸（ｊ入θＪ面と垂直
な偏波を示し、光軸に垂直な小矢印は入用面内での（偏
波を、傾いた示矢印（す入ｑ」面から傾いた偏波をそれ
ぞれ示している。
向を模式的に示すものであり、黒丸（ｊ入θＪ面と垂直
な偏波を示し、光軸に垂直な小矢印は入用面内での（偏
波を、傾いた示矢印（す入ｑ」面から傾いた偏波をそれ
ぞれ示している。
ところで、磁気光学（Ａ料にＪ５１ブるファラデー回転
角（’、、’ｃｍ）は、光の波長の関数″Ｃあり、しか
も水弁２明では磁気光学素子の一端面が傾斜しているの
で光軸の入射位階をずらＪ−ことによって光の波長が変
化した場合でも偏光面を４５度回転させることができる
。このことは一種類の磁気光学素子を、別の波長の光ア
イソレータに応用することが出来ることを意味し、広帯
域化でき、また部品点数を低減できる魚におい−（も極
めて有効である。
角（’、、’ｃｍ）は、光の波長の関数″Ｃあり、しか
も水弁２明では磁気光学素子の一端面が傾斜しているの
で光軸の入射位階をずらＪ−ことによって光の波長が変
化した場合でも偏光面を４５度回転させることができる
。このことは一種類の磁気光学素子を、別の波長の光ア
イソレータに応用することが出来ることを意味し、広帯
域化でき、また部品点数を低減できる魚におい−（も極
めて有効である。
上配実廁例は、磁気光学素子の傾斜面を半う９体し−リ
゛−の方に向けて配置した例であるが、逆に第３図に示
ずにうに、偏光子１１を半導体レーザー４の方に向りる
ように配置してもよい。
゛−の方に向けて配置した例であるが、逆に第３図に示
ずにうに、偏光子１１を半導体レーザー４の方に向りる
ように配置してもよい。
その場合の光アイソレータとしての基本的な（ＩＪ１成
並びに動作は第２図の場合、と同様であるのぐ、対応す
る部分には同一符号を付し、それらについでの記載は省
略する。
並びに動作は第２図の場合、と同様であるのぐ、対応す
る部分には同一符号を付し、それらについでの記載は省
略する。
ところで、最近の半導体レーザーは、かなり偏光度の良
い直線１扇光を出力し、この直線【偏光に対しで垂直な
ｉε先の戻り光は、さＩＪど半導体レーザーに影響を与
えないと言われている。従って、光アイソレータにお（
プる光入射例の偏光子はさくよど消光比の良好なもので
なくてよい。
い直線１扇光を出力し、この直線【偏光に対しで垂直な
ｉε先の戻り光は、さＩＪど半導体レーザーに影響を与
えないと言われている。従って、光アイソレータにお（
プる光入射例の偏光子はさくよど消光比の良好なもので
なくてよい。
この柱な点を都１れば、レーザー光が磁気光学素子の１
頃斜而に入用してそこで偏光させるようにした構成は、
性能も低下させることなく極めて良好な結果がもたらさ
れる。
頃斜而に入用してそこで偏光させるようにした構成は、
性能も低下させることなく極めて良好な結果がもたらさ
れる。
本発明は、上記のように構成した光アイソレータである
から、高面な園光子が１１１ｔ−個あればＪ、いので、
非ａｌｌに安価に製作てさるし、また構造も１小めて簡
単で小型化、軽量化に適し、更には磁気光学素子の一端
面は傾♀ｚ１面であるので無反射コートが不要であり製
作しやすいし、更に入用光と透過光の向きを９０ｍ変え
ることができ、かつ薄板ＩＩ造のため光ＩＣ等にも適用
できるなと数々の優れた効果を炎しうるちのである。
から、高面な園光子が１１１ｔ−個あればＪ、いので、
非ａｌｌに安価に製作てさるし、また構造も１小めて簡
単で小型化、軽量化に適し、更には磁気光学素子の一端
面は傾♀ｚ１面であるので無反射コートが不要であり製
作しやすいし、更に入用光と透過光の向きを９０ｍ変え
ることができ、かつ薄板ＩＩ造のため光ＩＣ等にも適用
できるなと数々の優れた効果を炎しうるちのである。
第１図Ａ、Ｂは従来技術の説明図、第２図Ａ。
Ｂは本発明に係る光アーイソレータの一実ＩＭ！ｉ例を
承り説明図、第３図（３１伯の実施例を示づ一説明図で
ある。 １・・・第１の偏光子、２・・・ファラテー回転素子、
Ｓ・・・第２の偏光子、４・・・半導１本レーザー、５
・・・光ファイバー、１０・・・磁気光学素子、′１１
・・・（偏光子、１２・・・傾斜面、１３・・・透過面
。
承り説明図、第３図（３１伯の実施例を示づ一説明図で
ある。 １・・・第１の偏光子、２・・・ファラテー回転素子、
Ｓ・・・第２の偏光子、４・・・半導１本レーザー、５
・・・光ファイバー、１０・・・磁気光学素子、′１１
・・・（偏光子、１２・・・傾斜面、１３・・・透過面
。
Claims (1)
- １、磁気光学（Δ利からなる）Ｗ板の一つの表面を光軸
に罰してブリュースター角の余角だ（プｌＬｉ斜させた
１頃斜面とし、該１頃斜面の一部と、それと平行な而と
にそれぞれ反射膜を設りるとどちに、前記薄板の一端面
を前記傾斜面に対してブリュースター角の余角となる如
く１頃斜した透過面どじ、前記薄板に垂直な方向に印加
される外部磁界の作用によって材料内で・多ｍ反躬ｌ−
だ光がその偏光面を４５度回転さけうる光路長をもつよ
うにした磁気光学素子と、該磁気光学素子の前記透過面
に対向づる如く配置される偏光子とを組合せたことを特
徴とする光アイソレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22844982A JPS59119316A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 光アイソレ−タ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22844982A JPS59119316A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 光アイソレ−タ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59119316A true JPS59119316A (ja) | 1984-07-10 |
| JPS6230608B2 JPS6230608B2 (ja) | 1987-07-03 |
Family
ID=16876662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22844982A Granted JPS59119316A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 光アイソレ−タ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59119316A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5670519A (en) * | 1979-11-15 | 1981-06-12 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | Light isolator |
-
1982
- 1982-12-27 JP JP22844982A patent/JPS59119316A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5670519A (en) * | 1979-11-15 | 1981-06-12 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | Light isolator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6230608B2 (ja) | 1987-07-03 |
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