JPS59117815A - 電気抵抗制御回路 - Google Patents

電気抵抗制御回路

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JPS59117815A
JPS59117815A JP57228909A JP22890982A JPS59117815A JP S59117815 A JPS59117815 A JP S59117815A JP 57228909 A JP57228909 A JP 57228909A JP 22890982 A JP22890982 A JP 22890982A JP S59117815 A JPS59117815 A JP S59117815A
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    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、純電気的に抵抗値を変化させることができ
る電気抵抗制御回路に関する。
2端子間の電気抵抗値を変化させる手段としては、一般
に、機械式の可変抵抗器が用いられている。しかしなが
ら、この種の可変抵抗器は摺動片の摩耗あるいは汚れ等
によって経年変化を起こし易く、抵抗値を変化させる手
段としての安定性あるいは信頼性に乏しい。また、この
種の可変抵抗器は、電気的に抵抗値を変化させることが
厄介であり、また信号経路に挿入すると8/Nを劣化さ
せ易いという問題もある。一方、純電気的暑こ抵抗値を
変化させる手段としては、所謂VCA、あるいは電界効
果トランジスタ(以下、FISTという)等の半導体の
導通特性変化を利用した可変抵抗回路(所蛸電子ボリュ
ーム)などが知られている。
しかしながら、vCAには、フローティング状態の可変
抵抗素子として使用することができないという使用上の
制約があり、またFETを用いた可変抵抗素子瘉こは、
素子自体の特性により耐入力電圧が低く、かつFE’l
’が非線形素子であるため歪を発生させ易いという問題
があり、さら(こF’ETを用いた可変抵抗回路には、
接地点との間の抵抗値を制御する方式のものが多いため
、前記70人と同様に使用上の制約がある。
この発明は、以上の事情に鑑みてなさね、たもので、そ
の目的とするところは、純電気的に抵抗値を変化させる
ことができ、かつ低歪率であって、しかもフローティン
グ状態の可変抵抗素子として使用することができる電気
抵抗制御回路を提供することにある。そして、この発明
の特徴は、ベースとコレクタとが第1の端子なこ接続さ
れた第1のトランジスタとベースが第2の端子に接続さ
れた第2のトランジスタとをエミッタ共通接続したトラ
ンジスタペアと、前記第1.第2のトランジスタの各コ
レクタに等しい電流を供給する負荷回路と、前記第1.
第2のトランジスタの共通エミッタ(こ一定′亀流を流
す定電流(ロ)路とからなる回路を2回路対称に接続し
、これら回路における各定′岨流回路の電流値を制御す
ることによって前記第1゜第2の端子間の抵抗値を変化
させるようにしたことをこある。
以下、この発明の実施例を、図面を参照しながら詳細に
説明する。
まず、この発明の原理を第1図番こ示す基本回路(こ基
づいて説明する。この図fこ示す基本回路1は、第1の
端子2にベースおよびコレクタが接続されたNPN )
ランジスタ3(@1のトランジスタ)と第2の端子4に
ベースが接続さ石、たNPN トランジスタ5(第2の
トランジスタ)とをエミッタ共通接続して構成したトラ
ンジスタペア6と、前記トランジスタ3,5の各コレク
タに等しい電流を供給するためのカレントミラー回路7
(負荷回路)と、前記トランジスタ3,5の共通エミッ
タに一定電流を流すための定電流回路8とから構成さ右
ている。この場合、前記カレントミラー回路7は、コレ
クタが前記トランジスタ3のコレクタに接続され、かつ
エミッタが正電源端子9(電圧+Voo)に接続さ雇た
PNP トランジスタ10と、ベースおよびコレクタが
前記トランジスタ5のコレクタに接続されるお共に前記
トランジスタ10のベースに接続され、かつエミッタが
前記正電源端子9に接続されたPNP トランジスタ1
1とから構成され、ている。また前記定′覗流回路8の
電流出力端は、負電源端子12(電圧−VEg)に接続
され、ている。
次に、以上の構成におけるこの基本回路1の動作につい
て考察する。まず、端子2,4間に印加さζ1.る鎮圧
をvllこの電圧v1  により端子2からトランジス
タ3のベース側へ供給される電流をiいl・ランジスタ
3,5の各コレクタ電流を’!+”R1定電流回路8の
電流値を1とする。この場合、トランジスタ3,5のベ
ース電流を無視して考えると、電流”Ieitr”Sの
間には、カレントミラー回路7の性質から、 1−i=i   ・・・川・mm・・ (1)+1  
   1      3     ”なる関係が成り立
ち、才た電流’!+i3は、12−4−i3=■  ・
川・川・・・・・・・ (21なる関係にある。一方、
電流”2 + 18と電圧V。
七の間には、トランジスタ3,5のPN接合の性質から
、 i、=i、°exp (Kv、 )  ・−川、  (
3)(ただし、K = −;ここでqは電子の1荷、k
T はボルツマン定数、Tは接合温度である。)なる関係が
成立する。したがって、この(3)式に、前記(2)式
を代入すイ9ば、 it =(l−1t) ’ exp(Kv、 )なる(
4)式が得られる。他方、電流11は、(1)式および
(2)式から、 i、=2i、−I  ・・山1川川・・・・・ (6)
と表わすことができるから、この(5)式に前記(4)
式を代入すね、ば、 が得られる。
ところで、ティラーの定理によれば、1x1がOlこ近
けむ、ば eX中1+Xと近似することができるから、
前記(6)式は、lKv、lがOに近い値であるとすれ
ば、 さ表わすことができる。したがって、この(7)式から
、電圧v1が小さい領域においては、電圧v1と電流i
1が比例する、言い換えれば、端子2゜4間は抵抗値I
R6(、−の抵抗であると見做し得ることが解る。
ところで、2端子間(こ接続された回路を、完全にフロ
ーティング状態の抵抗であると見做し得るには、キルヒ
ホッフの法則から、一方の端子から流入された電流に等
しい電流が、他方の端子から流出しなけわばならない。
そこで、上記条件を考慮して構成したこの発明の一実施
例を第2図に示す。
この@2図に示す電気抵抗制御回路人(こおいて、符号
1aで示す回路は、第1図(こ示した基本回路1と同様
に構成さ1.たもので、対応する各構成要素にはサフィ
ックスaが付さねている。また、符号1bで示す回路は
、この回路1aと同様に構成されているが、端子2,4
に対して回路1aとは逆関係(対称))こ接続されたも
ので、対応する各構成要素警こはサフィックスbが付さ
れている。
この構成(こおいて、端子2,4間に印加さnる′ぼ圧
をvl、端子2から流入する電流を11、端子4から流
出する電流をitとし、また定電流回路8a(第1の定
電流回路))こ流れる電流を工、定・直流回路3b(第
2の定電流回路)に流れる電流をI′とすれば、電流’
I、”Iは、 となる。したがって、■−■′ と設定すればi。
−i;  となり、端子2,4間の回路は、完全にフ0
−ティング状態の抵抗(値匹=訂)であると見做すこと
ができる。かくして、この第2図における定電流回路8
a、8bを互い(こ連動する可変定′道流回路とすれば
、この第2図に示す電気抵抗制御回路Aの等価回路は、
第3図に示すものおなる。次に、第2図に示した電気抵
抗制御回路Aのダイナミックレンジを考察すると、各ト
ランジスタ3a、5a、3b、5bは、それら(7)、
1ミツタ側が定電流回路8a、8bによって高インピー
ダンスとなっており、またコレクタ側もカレントミラー
回路7a(第1の負荷回路)、カレントミラー回路7b
(第2の負荷回路)によって高インピーダンスとなって
いるから、前記各トランジスタ3a、5a、3b、5b
の動作点変化可能範囲は電源電圧+Vooと電源電圧−
VEEとの間の範囲となる。したがって、電圧v1の変
化可能範囲も電圧+Voa〜−VEPIの間であって、
ダイナミックレンジは極めて大きな値となる。
りで構成することによって低歪化を計ったこの発明の他
の実施例を第4図に示す。この図(こおいて、第1のト
ランジスタペア6aはNPN )ランジスタ3a、5a
から構成され、一方第2のトランジスタペア6bはPN
P )ランジスタ3b、5bから構成されている。そし
て、こ口らトランジスタ3a、5a、3b、5biこは
、こわら各トランジスタのVBE−Io特性を揃えるた
めに、NPNトランジスタ3a、5aの各エミッタには
ダイオード接続さ石たPNP l−ランジスタ13a、
L5aが、またPNP hランジメタ3b、5bの各エ
ミッタにはダイオード接続されたNPN トランジスタ
1313,15bが、各々直列に接続されている◇また
、トランジスタ3a、5aの負荷回路となるカレントミ
ラー回路7aにおいて、PNPトランジスタ10a、l
laの各エミッタには抵抗16a。
17a(値は共(こr)が各々直列に接続さ右、ている
。また、トランジスタ3b、5bの負荷回路となるカレ
ントミラー回路7bは、これらトランジスタ3b、5b
のコレクタと負電源端子12との間に介挿され、このカ
レントミラー回路7bにおいて、NPNトランジスタ1
0b、llbの各エミッタには抵抗16b、17b(値
は共にr)が各々直列に接続されている。また、定電流
回路8aは、端子18にベースが接続されたNPN ト
ランジスタ19と、同トランジスタ19のエミッタと負
電源端子12との間に介挿された抵抗20(値R)とか
ら構成されており、前記端子18Gこ印加される制御電
圧VCに応じた一定゛畦流を前記トランジスタ13a、
15aの共通コレクタ(こ流すようをこなっている。ま
た、定電流回路8bは、端子18にベースが接続された
NPNトランジスタ21とこのトランジスタ21のエミ
ッタと負電源端子12との間に介挿された抵抗22(値
R)とからなす前記トランジスタ21のコレクタに前記
制御電圧Voに応じた一定電流を得るようにした回路と
、PNP )ランジスタ23,24とこれらトランジス
タ23.24の各エミッタと正′区源端子9との間に各
々介挿され、た抵抗25,26(値は共(こR)とから
なり前記トランジスタ13b、15bの共通コレクタに
前記トランジスタ21のコレクタ電流に等しい電流を流
すカレントミラー回路27とから構成されている。
この第4図(こ示す電気抵抗制御回路人によれば、トラ
ンジスタペア6aとトランジスタペア6bが互い(こ逆
導電性のトランジスタで構成さね、ているので、トラン
ジスタ3a、5aのベースに流入する電流と、トランジ
スタ3b、5bのベースから流出する電流とが略等しく
なり、これによってベース電流の流入/流出゛樅の差に
よって生ずる誤差を略完全に除去することができる。ま
たこの場合、トランジスタ3a、5a、3b、5bの各
VB−Ic 特性は、これらトランジスタに互いに逆導
電性のトランジスタ13a、15a、13b、15bが
各々付加されているため略等しくなるから、これらトラ
ンジスタの特性のバラツキをこよる歪も極小比さぜるこ
とができる。さら(こ、この実施例によれば、トランジ
スタペア6a、カレントミラー回路7a、定′シ流回路
8aからなる回路と、トランジスタペア6b、カレント
ミラー回路7b、定電流回路8bからなる回路とは、端
子2,4間に印加さ石、る相反する極性の信号(こ対し
て全く対称(こ動作するから、偶数次歪も略完全に除去
することができる。なお、前記各トランジスタペア5a
6bの共通エミッタ電流は端子18に印加され、る電圧
Vcと、トランジスター9,21.23.24の各エミ
ッタに介挿されている抵抗の値Rによって決まり、その
値工は各トランジスタのVBEを無視すれば工=:V7
a となる(ここで、上記トランジスタ19 、21 
、23 、24+1DVnJ(全テ同シであればこ口、
らトランジスタのコレクタ’tiは完全(こ一致する)
。従って端子2,4間の等価抵抗mは、第2,3図のも
のと同様にB−灯であるのでこの第4,5図の実施例で
は、 R IR−=KViE−となり、VCに反比例してBをコン
トロールし得る。したがって、この第4図(こ示した電
気抵抗制御回路Aの等価回路は、第5図のようになる。
次に、この発明による電気抵抗制御回路の応用例を、第
6図ないし第9図に示す。第6図は、この電気抵抗制御
回路Aを電子ボリュームとして応用した場合を示すもの
で、端子4と接地点との間に介挿された抵抗28の抵抗
値を小さく設定しておけば、端子2,4間の抵抗値を無
限大(こして音量を絞った場合争こも残留ノイズを少な
くでき、良好な8/N を得ることができる。
また、笛7図は、この発明による電気抵抗制御回路A%
可変形のローパスフィルタに応用した場合を示すもので
ある。
さらに、第8図は、この発明による電気抵抗制御回路を
アナログスイッチ回路(こ応用したイ1jを示すもので
ある。このアナログスイッチ回路は、入力端子29−1
,29−2.29−3に入力される信号vI、■6.v
、を、制御端子18−1.18−2.18−3の各制御
信号によって選択し、出力端子3゜から出力するもので
ある。このアナログスイッチ回路においては、電気抵抗
制御回路A−1〜A−3の回路開閉比が極めて大きい(
なぜなら、これら′電気抵抗制御回路の抵抗値は、対応
する定電流回路のTll流を零にすると、PN接合の逆
バイアス時のインピーダンスに略等しい値になるから)
という利点が得られると同時をこ、使用する電源電圧を
適宜選定することによって、C−MOS ゲート等を用
いた従来のアナログスイッチ回路(この種のアナログス
イッチ回路の許容入力電圧は12V前後に過ぎない)f
こ比べて、充分に高い許容人力′電圧を容易に得ること
ができる。
以上の説明から明らかなよう(こ、この発明(こよる電
気抵抗制御回路は、ベースとコレクタとが第1の端子に
接続された第1のトランジスタとベースが第2の端子警
こ接続された第2のトランジスタとをエミッタ共通接続
して構成したトランジスタペアと、前記第1.第2のト
ランジスタの各コレクタ(こ等しい電流を供給する負荷
回路と、前記第1、第2のトランジスタの共通エミッタ
に一定電流を流す定電流回路とを有してなる回路を2回
路対称に接続し、これら回路(こおける各定電流回路の
電流値を制御することによって、前記第1.第2の端子
間の抵抗値を変化させるよう(こしたものであるから、 ■ 定電流回路の電流値を変化させるという純電気的手
法蚤こよって抵抗値を変化させることができ、しかも半
導体素子を用いて構成されているから、特性の劣化がな
く、高い信頼度が得られると同時に良好な8/Nを得る
ことができ、しかも遠隔操作が容易である。
■ 完全蚤こフローティング状態の可変抵抗器として扱
うことができるから、電子ボリューム、フィルタ、アナ
ログスイッチ等の広い分野に、高い設計自由度で応用す
ることができる。
■ ダイナミックレンジは回路の電源゛電圧で決まるの
で、許容入力電圧を充分(こ高い値まで自由に選定する
ことができる。
■ 回路構成が対称となっているので歪率が小さく、オ
ーディオ用の回路(こ用いて好適である。
■ 集積回路化が容易である。
等の利点が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の基本回路の構成を示す回路図、第2
図はこの発明の一実施例の構成を示す回路図、第3図は
同実施例の等価回路図、第4図はこの発明の他の実施例
の構成を示す回路図、第5図は同実施例の等価回路図、
第6図はこの発明を応用した電子ボリュームの一例を示
す回路図、第7図はこの発明を応用した可変形のローパ
スフィルタの一例を示す回路図、第8図はこの発明を応
用したアナログスイッチ回路の一例を示す回路図である
。 2・・・・・第1の端子、3a・・・・・・第1のトラ
ンジスタ、3b・・・・・第3のトランジスタ、4・・
・・・・第2の端子、5a・・・・・第2のトランジス
タ、5 b、、、、、、第、4のトランジスタ、6a・
・・・・・第1のトランジスタペア、6b・・・・・・
第2のトランジスタペア、7a・・・・・・第1の負荷
回路(カレントミラー回路)、7b38100.第2の
負荷回路(カレントミラー回路)、8a・・・・・第1
の定゛銃流回路、8b・・・・・第2の定電流回路、入
・・・電気抵抗制御回路。 第4図 q 第5図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ■ ベースとコレクタとが第1の端子番こ接続された第
    1のトランジスタと、ベースが第2の端子に接続された
    第2のトランジスタとからなり、かつ互いのエミッタが
    共通接続された第1のトランジスタペアと、 @ ベースとコレクタとが前記第2の端子に接続された
    第3のトランジスタと、ベースが前記第1の端子に接続
    された第4のトランジスタとからなり、かつ互いのエミ
    ッタが共通接続された第2のトランジスタペアと、 θ 前記第1.第2のトランジスタの各コレクタに等し
    い電流を供給する第1の負荷回路と、O前記第3.第4
    のトランジスタの各コレクタ(こ等しい電流を供給する
    第2の負荷回路と、■ 前記第1.第2のトランジスタ
    の共通エミッタ(こ一定電流を流す@1の定電流回路と
    、θ 前記第3.第4のトランジスタの共通エミッタに
    一定電流を流す第2の定電流回路と、からなり、前記第
    1.第2の定電流回路の電流値によって前記第1.第2
    の端子間の抵抗値を変化させることを特徴とする電気抵
    抗制御回路。
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