JPS5886725A - 改良されたコンタクト孔を有する半導体装置 - Google Patents
改良されたコンタクト孔を有する半導体装置Info
- Publication number
- JPS5886725A JPS5886725A JP19858482A JP19858482A JPS5886725A JP S5886725 A JPS5886725 A JP S5886725A JP 19858482 A JP19858482 A JP 19858482A JP 19858482 A JP19858482 A JP 19858482A JP S5886725 A JPS5886725 A JP S5886725A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- contact
- sio2
- type region
- metal wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 241000208140 Acer Species 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 abstract description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- 229910002796 Si–Al Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 abstract 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- UUWCBFKLGFQDME-UHFFFAOYSA-N platinum titanium Chemical compound [Ti].[Pt] UUWCBFKLGFQDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は高集積度の半導体集積回路装置に最適な改良
されたコンタクト孔を有する半導体装置に関する。
されたコンタクト孔を有する半導体装置に関する。
半導体集積回路装置の高速化、大集積化のために半導体
素子自体の縮少と同時に素子間および素子と配線とのコ
ンタクト部の面積縮少が必要上されている。従来のコン
タクト部は一専電型半導体領域内に形成した逆導電型領
域の表面に選択的に開孔を設け、この開孔を通して半導
体基体表面に被着する絶縁被膜上に金楓配線を設ける。
素子自体の縮少と同時に素子間および素子と配線とのコ
ンタクト部の面積縮少が必要上されている。従来のコン
タクト部は一専電型半導体領域内に形成した逆導電型領
域の表面に選択的に開孔を設け、この開孔を通して半導
体基体表面に被着する絶縁被膜上に金楓配線を設ける。
ここで開孔は逆導電型領域と一擲電型領域との境界のＰ
Ｎ接合が基体表面に到るＰＮ接合端部よシ製造工程上の
余裕度を含めて内側に設計される。しかし乍ら、この余
裕度°は集積回路装置の集積度を瑞じるしく低下する。
Ｎ接合が基体表面に到るＰＮ接合端部よシ製造工程上の
余裕度を含めて内側に設計される。しかし乍ら、この余
裕度°は集積回路装置の集積度を瑞じるしく低下する。
これを解決する従来唯−の方法は、半導体層を導電配線
として用い、導電配線形成後に不純物導入を行って逆導
電型領域を形成する方法である。然し乍らこの方法も半
導体集積回路装置では電流供給能力の優れた金属配線と
逆導電型領域との直接コンタク）ｔｌ−許さないため、
高速化、大集積化のための牛導体集槍回路装ｗ構造とし
て不十分である。
として用い、導電配線形成後に不純物導入を行って逆導
電型領域を形成する方法である。然し乍らこの方法も半
導体集積回路装置では電流供給能力の優れた金属配線と
逆導電型領域との直接コンタク）ｔｌ−許さないため、
高速化、大集積化のための牛導体集槍回路装ｗ構造とし
て不十分である。
この発明の目的社、高速、大集積の半導体集積回路装置
に最適なコンタクト孔を有する半導体装置を提供するこ
とにある。
に最適なコンタクト孔を有する半導体装置を提供するこ
とにある。
この発明の特徴は、半導体基鈑に設けられたコンタクト
領域の両端が各々この基板に埋設された絶縁膜に接して
設けられ、さらにこのコンタクト領域に接続された金属
配線かこの絶縁膜上に延在している半導体装飯にある。
領域の両端が各々この基板に埋設された絶縁膜に接して
設けられ、さらにこのコンタクト領域に接続された金属
配線かこの絶縁膜上に延在している半導体装飯にある。
この発明によれは、十分なる特性を有するコンタクト部
が極めて小面積で実現できるので半導体集積回路装置を
十分に高集積化できる。
が極めて小面積で実現できるので半導体集積回路装置を
十分に高集積化できる。
次にこの発明の実施例につき図を用いて説明する０
第１図乃至第４図はこの発明の最も好ましい実施例の各
製造工程における断面図である。
製造工程における断面図である。
第１図：比抵抗１Ω−ａのＰ型シリコン単結晶基体１０
１の表面に選択的にシリコン窒化１１１１０２を形成し
、このシリコン窒化膜１０２を選択酸化用マスクとして
、熱酸化して不活性領域となる基体１０１の表向に約ｌ
Ｏμｍのシリコン酸化膜１０３を形成する。
１の表面に選択的にシリコン窒化１１１１０２を形成し
、このシリコン窒化膜１０２を選択酸化用マスクとして
、熱酸化して不活性領域となる基体１０１の表向に約ｌ
Ｏμｍのシリコン酸化膜１０３を形成する。
第２図：次にシリコン窒化膜１０２に機われた部分から
燐を導入して接合深さ０．３μｍのＮ型領域１０４を形
成する。このＮ型領域１０４はシリコン酸化膜１０３を
マスクとして用いて選択的に導入され、不純物導入後の
熱酸化処理で表面に２００９Ａのシリコン酸化膜１０５
を有する。
燐を導入して接合深さ０．３μｍのＮ型領域１０４を形
成する。このＮ型領域１０４はシリコン酸化膜１０３を
マスクとして用いて選択的に導入され、不純物導入後の
熱酸化処理で表面に２００９Ａのシリコン酸化膜１０５
を有する。
第３Ｎ：次にコンタクトエツチング工程で７オトレジス
ト膜１０６をマスクとしてＮ型領域１０４の上面のシリ
コン酸化膜１０５を除去する。この時のコンタクトエツ
チング工程での７オトレジスト展１０６に写真蝕刻する
開孔１０７は、少くとも一部が不活性領域を覆うシリコ
ン酸化膜１０３の上面にあｐ、従ってＮ型領域１０４の
上面の端部１０８，１０９は開孔形成によシ襄呈する。
ト膜１０６をマスクとしてＮ型領域１０４の上面のシリ
コン酸化膜１０５を除去する。この時のコンタクトエツ
チング工程での７オトレジスト展１０６に写真蝕刻する
開孔１０７は、少くとも一部が不活性領域を覆うシリコ
ン酸化膜１０３の上面にあｐ、従ってＮ型領域１０４の
上面の端部１０８，１０９は開孔形成によシ襄呈する。
第４図：開孔形成によシＮ型領域１０４の上面を層比し
た半導体基体は、フォトレジスト１ｏ６を除去し、さら
に洗浄工程を通して６５０℃乃至８５０℃の比較的低温
でのリン拡散処理もしくはリンのイオン注入処理を行う
。この実施例では一条件として８００℃で４０分の燐拡
散処理を行う。
た半導体基体は、フォトレジスト１ｏ６を除去し、さら
に洗浄工程を通して６５０℃乃至８５０℃の比較的低温
でのリン拡散処理もしくはリンのイオン注入処理を行う
。この実施例では一条件として８００℃で４０分の燐拡
散処理を行う。
このＮ型不純物である燐の開孔形成後の基体への接触は
、開孔１０７が為呈するＮ型領域１０４の端部の欠陥を
気膜するＮ型領域１１０，１１１を形成する。
、開孔１０７が為呈するＮ型領域１０４の端部の欠陥を
気膜するＮ型領域１１０，１１１を形成する。
又、この接触の後の半導体基体は弱弗酸液に殻時間侵潰
して表面処理を行い、開孔形成時のＮ型領域１０４の表
面を蕗呈し、シリコン−アルミニウム二重層を表面に蒸
着する。この二重層は周知の写真蝕刻技術を用いて、Ｎ
型領域１０４から厚いシリコン酸化膜１０３の上面に延
出する金属配線１１２に加工され、４００〜５００℃で
合金処理されてＮ型領域１０４との接触性を良好にする
。
して表面処理を行い、開孔形成時のＮ型領域１０４の表
面を蕗呈し、シリコン−アルミニウム二重層を表面に蒸
着する。この二重層は周知の写真蝕刻技術を用いて、Ｎ
型領域１０４から厚いシリコン酸化膜１０３の上面に延
出する金属配線１１２に加工され、４００〜５００℃で
合金処理されてＮ型領域１０４との接触性を良好にする
。
第５図Ａ乃至第５図Ｃは第１図乃至第４図に示した実施
例におけるＮ型領域と開孔との関係を示す平面図である
。第５図Ａｈ従来の開孔形状で、Ｎ型領域５０１０表面
の内側に所要の余裕度を見込んで開孔５０２を設けたも
のである。第５図Ｂはこの発明によＪＩＩＮ型領域５０
３に対して縦方向で開孔５０４の端部が外側に設計され
九票子パターンを示す。第５図Ｃは第５図Ｂを更に横方
向にも適用し、Ｎ型領域５０５０表面の完全に外側で開
孔５０６を設けたものである。
例におけるＮ型領域と開孔との関係を示す平面図である
。第５図Ａｈ従来の開孔形状で、Ｎ型領域５０１０表面
の内側に所要の余裕度を見込んで開孔５０２を設けたも
のである。第５図Ｂはこの発明によＪＩＩＮ型領域５０
３に対して縦方向で開孔５０４の端部が外側に設計され
九票子パターンを示す。第５図Ｃは第５図Ｂを更に横方
向にも適用し、Ｎ型領域５０５０表面の完全に外側で開
孔５０６を設けたものである。
Ｎ型領域５０１，５０３，５０５は全て第１図に示した
如く、活性領域にシリコン窒化膜を選択絃化マスクとし
て用い九製造工程で得られる。仁の選択酸化法は通常７
ラツ）ＭＯ８技術（Ｆｌａｔ−ＭＯＳ）、ロコス技術（
ＬＯＣＯ８）、アイ４．ンプレーナ技術（ｌ５ＯＰＬＡ
ＮＡＲ）と呼ばれ、この発明の効果の最も顕著な製造技
術である。又、第５図Ａ３至第５図Ｃは全て金輌配線と
Ｎ型領域とが同一の接触面積を有し、この間の接触抵抗
は同一である。半導体集積回路においては活性領域の占
有面積が集積度を支配するため、第５図への従来素子に
対して第５１ＭＩＣの本発明実施例の素子では集積度が
４倍に向上゛する。
如く、活性領域にシリコン窒化膜を選択絃化マスクとし
て用い九製造工程で得られる。仁の選択酸化法は通常７
ラツ）ＭＯ８技術（Ｆｌａｔ−ＭＯＳ）、ロコス技術（
ＬＯＣＯ８）、アイ４．ンプレーナ技術（ｌ５ＯＰＬＡ
ＮＡＲ）と呼ばれ、この発明の効果の最も顕著な製造技
術である。又、第５図Ａ３至第５図Ｃは全て金輌配線と
Ｎ型領域とが同一の接触面積を有し、この間の接触抵抗
は同一である。半導体集積回路においては活性領域の占
有面積が集積度を支配するため、第５図への従来素子に
対して第５１ＭＩＣの本発明実施例の素子では集積度が
４倍に向上゛する。
なお、とζで金属配線にはアルミニウム、モリブデン、
シリコン−アルきニウムの二重層もしくは合金層、チタ
ン−白金又はパラジウムの二重層勢の主成分を金属とす
る導電配線等が用いられるが、シリコン−アルミニウム
の二重層が最も好ましい特性を示す。この二重層のＮ型
領域に接触するシリコンは無定形でＩＯＡ乃至５００Ａ
、多結晶で１０ｉ乃至１００λが良好な接触と上層のア
ルミニウムの合金侵入を防ぐ障壁作用とを与える。
シリコン−アルきニウムの二重層もしくは合金層、チタ
ン−白金又はパラジウムの二重層勢の主成分を金属とす
る導電配線等が用いられるが、シリコン−アルミニウム
の二重層が最も好ましい特性を示す。この二重層のＮ型
領域に接触するシリコンは無定形でＩＯＡ乃至５００Ａ
、多結晶で１０ｉ乃至１００λが良好な接触と上層のア
ルミニウムの合金侵入を防ぐ障壁作用とを与える。
アルミニウムは０．５μｍ乃至２μｍ程度までの膜厚で
ある。この＃魯か用いられる金属配線としてはシリコン
を０．０１％乃至１％程度含有するアルミニウム合金、
パラジウム又は白金と金又はアルミニウムの二重層があ
る。
ある。この＃魯か用いられる金属配線としてはシリコン
を０．０１％乃至１％程度含有するアルミニウム合金、
パラジウム又は白金と金又はアルミニウムの二重層があ
る。
又、実施例にはＰ型基体にＮ型領域を形成した。
ＰＮ接合ダイオードを示したが、導電型の変更。
ＭＯ８型トランジスタもしくはバイポーラ素子のような
他の半導体装置にも適用可能である。開孔形成後の不純
物接触は拡散およびイオン注入の＃１かにリンガラス層
もしくはボロンガラス層からの不純物接触法を用いても
よい。
他の半導体装置にも適用可能である。開孔形成後の不純
物接触は拡散およびイオン注入の＃１かにリンガラス層
もしくはボロンガラス層からの不純物接触法を用いても
よい。
第１図乃至第４図はこの発明の一実施例の各製造工程に
おける断面図、第５図Ａ乃至第５図Ｃはこの発明の作用
効果を説明するための半導体素子のコンタクト部の平面
で第５図Ａは従来のコンタクト部の平面図、第５図Ｂ、
第５図Ｃは各々本発明実施例のコンタクト部の平面図で
ある。 なお図において、１０１・・・・・・Ｐ型半導体基体、
１０２・・・・・・シリコン窒化膜、１０３・・・・・
・シＩＪ ニア ン酸化膜、１０４・・・・・・Ｎ型領
域、１０５・・・・・・シリコン酸化膜、１０６・・・
・・・フォトレジストｊｌ、１０７・・・・・・開孔、
１０８，１０９・・・・・・Ｎ型領域１０４の上面の端
部、１１０，１１１・・・・・・Ｎ型領域、１１２・・
・、・・金属配線、５０１，５０３，５０５ ・・−・
・Ｎ型領域、 ゛情／ ｙコ 箔Ｚ ＩＹＩ ゴ ／ 箔３図１ 第４ 図 ｆ７．、’；１シ１
おける断面図、第５図Ａ乃至第５図Ｃはこの発明の作用
効果を説明するための半導体素子のコンタクト部の平面
で第５図Ａは従来のコンタクト部の平面図、第５図Ｂ、
第５図Ｃは各々本発明実施例のコンタクト部の平面図で
ある。 なお図において、１０１・・・・・・Ｐ型半導体基体、
１０２・・・・・・シリコン窒化膜、１０３・・・・・
・シＩＪ ニア ン酸化膜、１０４・・・・・・Ｎ型領
域、１０５・・・・・・シリコン酸化膜、１０６・・・
・・・フォトレジストｊｌ、１０７・・・・・・開孔、
１０８，１０９・・・・・・Ｎ型領域１０４の上面の端
部、１１０，１１１・・・・・・Ｎ型領域、１１２・・
・、・・金属配線、５０１，５０３，５０５ ・・−・
・Ｎ型領域、 ゛情／ ｙコ 箔Ｚ ＩＹＩ ゴ ／ 箔３図１ 第４ 図 ｆ７．、’；１シ１
Claims (1)
- 半導体基板の一主表面に該半導体基板に埋設された絶縁
膜が設けられた半導体装置において、両端が各々前記絶
縁膜に接するコンタクト領域が前記半導体基板に設けら
れ、前記コンタクト領域に接続された金楓配線が前記絶
縁膜上に延在していることを％做とする改良されたコン
タクト孔を有する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19858482A JPS5886725A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 改良されたコンタクト孔を有する半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19858482A JPS5886725A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 改良されたコンタクト孔を有する半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13672575A Division JPS5950104B2 (ja) | 1975-11-13 | 1975-11-13 | ハンドウタイソウチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5886725A true JPS5886725A (ja) | 1983-05-24 |
Family
ID=16393601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19858482A Pending JPS5886725A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 改良されたコンタクト孔を有する半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5886725A (ja) |
-
1982
- 1982-11-12 JP JP19858482A patent/JPS5886725A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4819054A (en) | Semiconductor IC with dual groove isolation | |
| US4870475A (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| US4519126A (en) | Method of fabricating high speed CMOS devices | |
| EP0055521B1 (en) | Method of filling a groove in a semiconductor substrate | |
| JPH0644603B2 (ja) | 半導体装置とその製法 | |
| JPH1070281A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| GB2148591A (en) | Semiconductor device isolation grooves | |
| JPS58139468A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS59119762A (ja) | 埋込シヨツトキ−クランプ型トランジスタ | |
| JP4014738B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| JPS5950104B2 (ja) | ハンドウタイソウチ | |
| US3776786A (en) | Method of producing high speed transistors and resistors simultaneously | |
| JPS59207652A (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 | |
| JPS5886725A (ja) | 改良されたコンタクト孔を有する半導体装置 | |
| JPS5951130B2 (ja) | 漏洩電流の少ない半導体装置の製造方法 | |
| JPS58222574A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS61172346A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS6322065B2 (ja) | ||
| JPS5943832B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6113383B2 (ja) | ||
| JPH03145729A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6230364A (ja) | Ｍｉｓ半導体装置の製法 | |
| JPH01241163A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JPS5980971A (ja) | Ｍｉｓ半導体装置の製法 | |
| JPS60785B2 (ja) | Ｍｏｓ型半導体装置の製造方法 |