JPS5882547A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS5882547A JPS5882547A JP56180376A JP18037681A JPS5882547A JP S5882547 A JPS5882547 A JP S5882547A JP 56180376 A JP56180376 A JP 56180376A JP 18037681 A JP18037681 A JP 18037681A JP S5882547 A JPS5882547 A JP S5882547A
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- epoxy resin
- epoxy
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- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエポキシ樹脂組成物の硬化物によって封止され
た高信頼性の樹脂封止製半導体装置Ｉ：関する。
た高信頼性の樹脂封止製半導体装置Ｉ：関する。
エポキシ樹脂は電気特性、機械特性、耐薬品性などが優
れているため信頼性の高い電気絶縁材料として半導体装
置の對止口広く用いられている０最近では従来のセツ々
ツクスな用いたハーメチック封止Ｉ：かわって、はとん
どの半導体装置たとえば集積回路、大規模集積回路、ト
ランジスタ、ダイオードなどが低圧成形用のエポキシ樹
脂組成物を用いて封止されている。
れているため信頼性の高い電気絶縁材料として半導体装
置の對止口広く用いられている０最近では従来のセツ々
ツクスな用いたハーメチック封止Ｉ：かわって、はとん
どの半導体装置たとえば集積回路、大規模集積回路、ト
ランジスタ、ダイオードなどが低圧成形用のエポキシ樹
脂組成物を用いて封止されている。
半導体封止用エポキシ樹脂組成物としては、信頼性、成
形性などの点を考慮してエポキシ樹脂、ノボラック波フ
ェノール樹脂硬化剤、イミダゾール硬化促進剤から成る
エポキシ樹脂組成物が広く用いられている。
形性などの点を考慮してエポキシ樹脂、ノボラック波フ
ェノール樹脂硬化剤、イミダゾール硬化促進剤から成る
エポキシ樹脂組成物が広く用いられている。
しかし従来のエポキシ封止樹脂を用い、トランスファ成
形して得られる樹脂封止型半導体装置は次のような欠点
があつ九。
形して得られる樹脂封止型半導体装置は次のような欠点
があつ九。
（１）樹脂封止型半導体装置に要求される信頼性のレベ
ルの高さ１；軟べ耐湿性が劣ること（２）樹脂對止型半
導体装置直二要求される信頼性のレベルの高さ１；−べ
高温時の電気特性が劣ること 上記耐湿性について説明する。と、′！Ｈ脂封止型半導
体装置ｆｉｔ、は高温高湿雰囲気下で使用または保存す
ることがあるので、そのような条件Ｉ−おいても信頼性
を保証しなけれはならない。耐湿性の品質保証のための
評価試験として轄、８５℃または１２０℃の飽和水蒸気
中に暴露する加速評価法が行なわれており、最近では電
圧を印加して更（；加速性を高めたバイアス印加型の評
価試験も実施されている。
ルの高さ１；軟べ耐湿性が劣ること（２）樹脂對止型半
導体装置直二要求される信頼性のレベルの高さ１；−べ
高温時の電気特性が劣ること 上記耐湿性について説明する。と、′！Ｈ脂封止型半導
体装置ｆｉｔ、は高温高湿雰囲気下で使用または保存す
ることがあるので、そのような条件Ｉ−おいても信頼性
を保証しなけれはならない。耐湿性の品質保証のための
評価試験として轄、８５℃または１２０℃の飽和水蒸気
中に暴露する加速評価法が行なわれており、最近では電
圧を印加して更（；加速性を高めたバイアス印加型の評
価試験も実施されている。
しかし封止したエポキシ樹脂組成物の硬化物は吸湿性、
透湿性があるため、このような高温高湿状態下では外部
から水分が封止樹脂硬化物層を通って内部Ｉ：浸透し、
または封止樹脂とリードフレームとの界面を通って内部
に入り、半導体素子の表面Ｃ：まで到達する。この水分
と封止梅脂中（−存在している不純物イオンなどの作用
の結果として、樹脂封止型半導体装置は絶縁性の低下、
リーク電流の増加、アルミニウム電極、配線などの腐食
を主体とした不良を発生する。またバイアス電圧を印加
した場合にはその電気化学的作用によってアルミニウム
電極、配線の腐食ぽ二よる不良が特１：着しく多発する
。
透湿性があるため、このような高温高湿状態下では外部
から水分が封止樹脂硬化物層を通って内部Ｉ：浸透し、
または封止樹脂とリードフレームとの界面を通って内部
に入り、半導体素子の表面Ｃ：まで到達する。この水分
と封止梅脂中（−存在している不純物イオンなどの作用
の結果として、樹脂封止型半導体装置は絶縁性の低下、
リーク電流の増加、アルミニウム電極、配線などの腐食
を主体とした不良を発生する。またバイアス電圧を印加
した場合にはその電気化学的作用によってアルミニウム
電極、配線の腐食ぽ二よる不良が特１：着しく多発する
。
従来の樹脂封止型半導体装置は上記耐湿性５二関し充分
に満足できるものではなく、耐湿性の向上が求められて
いた。
に満足できるものではなく、耐湿性の向上が求められて
いた。
次Ｃ高温時の電気特性について説明すると、樹脂封止型
半導体装置は高温条件下で使用することがあるので、そ
のようカ条件６−おいても信頼性を保証しなければなら
ない。そのための評価試験として８０℃−１５０℃でバ
イアス電圧を印加して［１１性を評価する加速試験が一
般的である。
半導体装置は高温条件下で使用することがあるので、そ
のようカ条件６−おいても信頼性を保証しなければなら
ない。そのための評価試験として８０℃−１５０℃でバ
イアス電圧を印加して［１１性を評価する加速試験が一
般的である。
このような試験（−おいて表面が鋭敏なＭＯ８構造を一
つ素子や、逆バイアスが印加されたＩ’ｌｌ接合をもつ
素子砿−４１％−著しく多発する不良として、チャンネ
リングによるリーク電流の増加する現象があることはよ
く知られている。この現象は電圧が印加された素子の表
面礁；接している樹脂層（−電界が作用するととＣ二よ
って発生すると考えられている。
つ素子や、逆バイアスが印加されたＩ’ｌｌ接合をもつ
素子砿−４１％−著しく多発する不良として、チャンネ
リングによるリーク電流の増加する現象があることはよ
く知られている。この現象は電圧が印加された素子の表
面礁；接している樹脂層（−電界が作用するととＣ二よ
って発生すると考えられている。
従来の樹脂封止型半導体装置は上記高温時の電気特性−
二関し充分５二満足できるものではなく、改良が求めら
れてい九〇 本発明の目的はこのような従来の樹脂封止型半導体装置
の難点を改良し、優れた耐湿性と高温電気特性を有する
エポキシ樹脂組成物４二よって封止された信頼性の高い
樹脂封止型半導体装置を提供すること６−ある。
二関し充分５二満足できるものではなく、改良が求めら
れてい九〇 本発明の目的はこのような従来の樹脂封止型半導体装置
の難点を改良し、優れた耐湿性と高温電気特性を有する
エポキシ樹脂組成物４二よって封止された信頼性の高い
樹脂封止型半導体装置を提供すること６−ある。
上記目的を達成すべく、本発明′者らが鋭意研究を重ね
た結果、硬化促進剤などが上記難点を形成する主賛因で
あることを解明し、更Ｃ二次に示すエポキシ樹脂組成物
が、半導体封止用樹脂として従来のものに較べ、優れた
耐湿性と高温電気特性を有することを見出し、これを用
いることによって従来のもの１＝較べ、耐湿性や高温電
気特性などの（ｆｆ頼性に優れた樹脂封止型半導体装置
が得られることを見出した。
た結果、硬化促進剤などが上記難点を形成する主賛因で
あることを解明し、更Ｃ二次に示すエポキシ樹脂組成物
が、半導体封止用樹脂として従来のものに較べ、優れた
耐湿性と高温電気特性を有することを見出し、これを用
いることによって従来のもの１＝較べ、耐湿性や高温電
気特性などの（ｆｆ頼性に優れた樹脂封止型半導体装置
が得られることを見出した。
す々わち本発明は
（赫エポキシ当量１７０〜３０００ノボラック型エポキ
シ樹脂 （ｂ）ノボラック型フェノール樹脂 および（ｃ）Ｗｐ
リン酸エステル を必須成分とするエポキシ樹脂組成物の硬化物６二よっ
て半導体装置が封止されて成ることを特徴とする樹脂封
止型半導体装置である。
シ樹脂 （ｂ）ノボラック型フェノール樹脂 および（ｃ）Ｗｐ
リン酸エステル を必須成分とするエポキシ樹脂組成物の硬化物６二よっ
て半導体装置が封止されて成ることを特徴とする樹脂封
止型半導体装置である。
本発明において用いられるエポキシ樹脂は、エポキシ当
量１７０〜３００のツメラック型エポキシ樹脂であって
、たとえばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ハロゲン化フェノー
ルノボラック型エポキシ桐脂などである。これらエポキ
シ樹脂Ｖ１１種もしくは２種以上の混合系で用いてもよ
い。上記以外のエポキシ樹脂たとえばビスフェノールＡ
型エポキシ樹脂など一般のダリシジルエーテル型エポキ
シ樹脂、グリシジルエステル驚エポキシ樹脂、グリシジ
ルアミン型エポキシ樹診、線状脂肪族エポキシ樹脂、脂
環式エポキシ樹脂、禎素環型エポキシ樹脂、ハロゲン化
エポキシ樹脂などは、上記エポキシ当量１７０〜３００
のノボラック型エポキシ樹脂番＝併用した場合Ｉ：使用
することができる。配合量はノボラック型エポキシ樹脂
に対し５０重量−以下が好ましい。またこれらエポキシ
樹脂は塩素イオンの含有量ｄｆ’ｌＯｐνｍ以下、加水
分解性塩素の含有量が０．１重ｉｔ％以下のものが望ま
しい。
量１７０〜３００のツメラック型エポキシ樹脂であって
、たとえばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ハロゲン化フェノー
ルノボラック型エポキシ桐脂などである。これらエポキ
シ樹脂Ｖ１１種もしくは２種以上の混合系で用いてもよ
い。上記以外のエポキシ樹脂たとえばビスフェノールＡ
型エポキシ樹脂など一般のダリシジルエーテル型エポキ
シ樹脂、グリシジルエステル驚エポキシ樹脂、グリシジ
ルアミン型エポキシ樹診、線状脂肪族エポキシ樹脂、脂
環式エポキシ樹脂、禎素環型エポキシ樹脂、ハロゲン化
エポキシ樹脂などは、上記エポキシ当量１７０〜３００
のノボラック型エポキシ樹脂番＝併用した場合Ｉ：使用
することができる。配合量はノボラック型エポキシ樹脂
に対し５０重量−以下が好ましい。またこれらエポキシ
樹脂は塩素イオンの含有量ｄｆ’ｌＯｐνｍ以下、加水
分解性塩素の含有量が０．１重ｉｔ％以下のものが望ま
しい。
本発明において用いられるノボラック型フェノール樹脂
硬化剤としてはフェノールノボラック樹脂、クレゾール
ノボラック樹脂、ｔθｒｔ−ブチルフェノールノボラッ
ク樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂などが挙けら
れる。こ１れらのフェノール樹脂の軟化点Ｆ１６０℃〜
１２０℃の範囲内にあることが好ましく、更に常温にお
ける水に可溶性のフェノール樹脂成分が３％以下である
ことが好ましい。しかしてこれらの硬化剤は１種もしく
＃ｉ２種以上の混合系で使用することができる。
硬化剤としてはフェノールノボラック樹脂、クレゾール
ノボラック樹脂、ｔθｒｔ−ブチルフェノールノボラッ
ク樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂などが挙けら
れる。こ１れらのフェノール樹脂の軟化点Ｆ１６０℃〜
１２０℃の範囲内にあることが好ましく、更に常温にお
ける水に可溶性のフェノール樹脂成分が３％以下である
ことが好ましい。しかしてこれらの硬化剤は１種もしく
＃ｉ２種以上の混合系で使用することができる。
エポキシ樹脂と硬化剤の配合比については、ノボラック
型フェノール樹脂のフェノール性水酸基の数とエポキシ
樹脂のエポキシ基の数の比が０．ｓ〜１．５の範囲内−
二あるよう６二配合することが好ましい。その理由は０
．５未満あるいＦｉｌ、 ５を超えると反応が充分シニ
おこりＣ：＜＜なり、硬化物の特性が劣化しやすいため
である。
型フェノール樹脂のフェノール性水酸基の数とエポキシ
樹脂のエポキシ基の数の比が０．ｓ〜１．５の範囲内−
二あるよう６二配合することが好ましい。その理由は０
．５未満あるいＦｉｌ、 ５を超えると反応が充分シニ
おこりＣ：＜＜なり、硬化物の特性が劣化しやすいため
である。
本発明Ｃ二おいて硬化促進剤として用いられる亜リン酸
トリエステルとしては一般式 においてＲ１−ガが飽和または不飽和の脂肪族。
トリエステルとしては一般式 においてＲ１−ガが飽和または不飽和の脂肪族。
芳香族、脂環式化合物などから選ばれる有機基であるよ
うな化合物であって、具体的Ｉ：例示すると亜リン酸ト
リフェニル、亜リン酸トリベンジル。
うな化合物であって、具体的Ｉ：例示すると亜リン酸ト
リフェニル、亜リン酸トリベンジル。
亜すン酸トリシクロヘキクル、亜リン酸トリオクタデシ
ル、亜リン酸トリブチル、亜リン酸ジフェニルヘキシル
、亜リン酸ジオクチルフェニル、亜リン酸オクタデシル
ブチルフェニル、亜リン酸トリプル、亜リン酸トリオレ
イルなどである。これらの亜りン駿トリエステルの配合
量は樹脂分（エポキシ樹脂とフェノール樹脂）の０．０
１〜２０重量−の範囲が好ましい。
ル、亜リン酸トリブチル、亜リン酸ジフェニルヘキシル
、亜リン酸ジオクチルフェニル、亜リン酸オクタデシル
ブチルフェニル、亜リン酸トリプル、亜リン酸トリオレ
イルなどである。これらの亜りン駿トリエステルの配合
量は樹脂分（エポキシ樹脂とフェノール樹脂）の０．０
１〜２０重量−の範囲が好ましい。
本発明口おいて必ｌｌ！Ｉ：応じて用いられる無機質充
てん剤としては、石英ガラス粉末、結晶性シリカ粉末、
ガラス繊維、タルク、アルさす粉末、ケイ酸カルシウム
粉末、炭酸カルシウム粉末、硫酸バリウム粉末、マグネ
シア粉末などであるが、これらの中で石英ガラス粉末や
、結晶性シリカ粉末が、高純度と低熱、膨張係数の点で
最も好ましい。
てん剤としては、石英ガラス粉末、結晶性シリカ粉末、
ガラス繊維、タルク、アルさす粉末、ケイ酸カルシウム
粉末、炭酸カルシウム粉末、硫酸バリウム粉末、マグネ
シア粉末などであるが、これらの中で石英ガラス粉末や
、結晶性シリカ粉末が、高純度と低熱、膨張係数の点で
最も好ましい。
しかしてこれら無機質充てん剤の配合量はエポキシ樹脂
、フェノール樹脂硬化剤および無機質充てん剤の種類Ｉ
：よっても異るが、たとえばトランスファ成形Ｉ：用い
る場合Ｉ：はエポキシ樹脂とフェノール樹脂硬化剤の総
量Ｃ対しｌ比で１．５倍〜４倍程度でよい。無機質充て
ん剤の粒度分布については、粗い粒子と細い粒子を組み
合せて分布を均一（−することによって成形性を改善す
ることができる。
、フェノール樹脂硬化剤および無機質充てん剤の種類Ｉ
：よっても異るが、たとえばトランスファ成形Ｉ：用い
る場合Ｉ：はエポキシ樹脂とフェノール樹脂硬化剤の総
量Ｃ対しｌ比で１．５倍〜４倍程度でよい。無機質充て
ん剤の粒度分布については、粗い粒子と細い粒子を組み
合せて分布を均一（−することによって成形性を改善す
ることができる。
本発明Ｃ：係るエポキシ樹脂組成物は必要に応じて、例
えば天然ワックス類、合成ワックス類、直 １鎖脂肪酸
の金属塩、酸アミド類、エステル類もしくはパラフィン
類などの離歴剤、塩素化パラフィン、ブロムトルエン、
ヘキサ７’Ｅｌムベンゼン、三酸化アンチそンなどの難
燃剤、カーボンブラックなどの着色剤、シランカップリ
ング剤などを適宜添加配合しても差しつかえ表い。
えば天然ワックス類、合成ワックス類、直 １鎖脂肪酸
の金属塩、酸アミド類、エステル類もしくはパラフィン
類などの離歴剤、塩素化パラフィン、ブロムトルエン、
ヘキサ７’Ｅｌムベンゼン、三酸化アンチそンなどの難
燃剤、カーボンブラックなどの着色剤、シランカップリ
ング剤などを適宜添加配合しても差しつかえ表い。
本発明に係るエポキシ樹脂組成物を成形材料として調製
する場合の一般的な方法としては、所定の組成比に選ん
だ原料組成分を例えばミキサーＩ：よって充分混合後、
さらＩ：熱ｐ−ルによる溶融混合処理、またはニーグー
などＣ二よる混合処理を加えることＣ；より容品Ｉ：エ
ポキシ樹脂成形材料を得ることができる。
する場合の一般的な方法としては、所定の組成比に選ん
だ原料組成分を例えばミキサーＩ：よって充分混合後、
さらＩ：熱ｐ−ルによる溶融混合処理、またはニーグー
などＣ二よる混合処理を加えることＣ；より容品Ｉ：エ
ポキシ樹脂成形材料を得ることができる。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、上記エポキシ樹脂組
成物または成形材料を用いて半導体装置を封止すること
Ｃ；より容易Ｃ：製造することができる。封止の最も一
般的な方法としては低圧トランスファ成形法があるが、
インジェクション成形。
成物または成形材料を用いて半導体装置を封止すること
Ｃ；より容易Ｃ：製造することができる。封止の最も一
般的な方法としては低圧トランスファ成形法があるが、
インジェクション成形。
圧縮成形注型などによる封止も可能である。特殊な封止
法としては溶剤ｍあるいは非溶剤製の組成物を用いて半
導体表面を被覆する封止法や、いわゆるジャンクシ璽ン
コーティングとしての局部的な封止の用途Ｉ：も用いる
ことができる。
法としては溶剤ｍあるいは非溶剤製の組成物を用いて半
導体表面を被覆する封止法や、いわゆるジャンクシ璽ン
コーティングとしての局部的な封止の用途Ｉ：も用いる
ことができる。
エポキシ樹脂組成物または成形材料は封止の際に加熱し
て硬化させ、最終的Ｃ：はこの組成物または成形材料の
硬化物Ｉ：よって封止された樹脂封止型半導体装置を得
ることができる。硬化に際しては１５０℃以上に加熱す
ることが望ましい。
て硬化させ、最終的Ｃ：はこの組成物または成形材料の
硬化物Ｉ：よって封止された樹脂封止型半導体装置を得
ることができる。硬化に際しては１５０℃以上に加熱す
ることが望ましい。
本発明でいう半導体装置とは集積回路、大規模集積回路
、トランジスタ、サイリスタ、ダイオードなどであって
特響二限定されるものではない。
、トランジスタ、サイリスタ、ダイオードなどであって
特響二限定されるものではない。
次に本発明の詳細な説明する。
実施例１〜３
エポキシ当量２２０のクレゾールノボラック型エポキシ
樹脂、分子蓋８００のフェノールノボラック樹脂硬化剤
、フタル酸無水物、亜リン酸トリフェニル、亜リン酸ト
リシクロヘキシル、亜リン酸トリオレイル、２−メチル
イミダゾール、ジメチルベンジルアミン、石英ガラス粉
末、三酸化アンチモン、カルナバワックス、カーボンブ
ラック、シランカップリング剤（ｒ−グリシドキシプロ
ビルトリメトキシシラン）を第１ｉｔユ示す組成比（重
量部）Ｃ二速び、各組成物をミキサーによる混合。
樹脂、分子蓋８００のフェノールノボラック樹脂硬化剤
、フタル酸無水物、亜リン酸トリフェニル、亜リン酸ト
リシクロヘキシル、亜リン酸トリオレイル、２−メチル
イミダゾール、ジメチルベンジルアミン、石英ガラス粉
末、三酸化アンチモン、カルナバワックス、カーボンブ
ラック、シランカップリング剤（ｒ−グリシドキシプロ
ビルトリメトキシシラン）を第１ｉｔユ示す組成比（重
量部）Ｃ二速び、各組成物をミキサーによる混合。
加熱ロールによる混練を行ゲことＣ二よって、比較例を
含め６種のトランスファ成形材料を調製した。
含め６種のトランスファ成形材料を調製した。
このようにして得た成形材料を用いてトランスファ成形
すること【二より、Ｍ０８型集積回路な樹脂封止し友。
すること【二より、Ｍ０８型集積回路な樹脂封止し友。
封止は高周波予熱器で９０℃Ｉ：加熱した成形材料を１
９５℃で３０分間モールドし、更Ｃ：１８０℃でｌθ時
間アフタキヱアすることにより行った。上記樹脂封止型
半導体装置去１００個（二ついて次の試験を行った。
９５℃で３０分間モールドし、更Ｃ：１８０℃でｌθ時
間アフタキヱアすることにより行った。上記樹脂封止型
半導体装置去１００個（二ついて次の試験を行った。
＋１） １２０℃、２気圧の水蒸気中でＩＯＶ印加し
てアルミニウム配線の腐食による断線不良を調べる耐湿
試験（バイアスＰＣＴ ）を行い、その結果を第２表に
示した。
てアルミニウム配線の腐食による断線不良を調べる耐湿
試験（バイアスＰＣＴ ）を行い、その結果を第２表に
示した。
（２１１００℃のオーブン中でオフセラトゲ−） Ｍ０
８７ＩＴ回路≦−ドレイン電圧５７．オフセットゲート
電圧５ｖを印加して電気特性の劣化によるリーク電流不
良を調べる試験（ＭＯＳ−ＢＴ試験）を行い、リーク電
流が初期値の１００倍以上に増加した場合を不良と判定
してその結果を第３表１＝示した。
８７ＩＴ回路≦−ドレイン電圧５７．オフセットゲート
電圧５ｖを印加して電気特性の劣化によるリーク電流不
良を調べる試験（ＭＯＳ−ＢＴ試験）を行い、リーク電
流が初期値の１００倍以上に増加した場合を不良と判定
してその結果を第３表１＝示した。
工久下＃白
第１表
第２表
第３表
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（ａ）エポキシ当量１７０〜３００のノボラック型
エポキシ樹脂 （ｂ）ノボラック型フェノール樹脂 および（ｃ）亜リ
ン酸エステル を必須成分とするエポキシ樹脂組成物の硬化物によって
半導体装置が封止されて成ることを特徴とする樹脂封止
型半導体装置。 ２、特許請求の範囲第１項の記載Ｃおいて、エポキシ樹
脂組成物が無機質光てん剤を含有する樹脂封止型半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56180376A JPS5882547A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56180376A JPS5882547A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5882547A true JPS5882547A (ja) | 1983-05-18 |
Family
ID=16082153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56180376A Pending JPS5882547A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5882547A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5331080A (en) * | 1992-04-02 | 1994-07-19 | Ppg Industries, Inc. | Epoxide-phosphorous acid-containing reaction products and their use in coating compositions |
-
1981
- 1981-11-12 JP JP56180376A patent/JPS5882547A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5331080A (en) * | 1992-04-02 | 1994-07-19 | Ppg Industries, Inc. | Epoxide-phosphorous acid-containing reaction products and their use in coating compositions |
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