JPS61151234A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
- Publication number
- JPS61151234A JPS61151234A JP27322084A JP27322084A JPS61151234A JP S61151234 A JPS61151234 A JP S61151234A JP 27322084 A JP27322084 A JP 27322084A JP 27322084 A JP27322084 A JP 27322084A JP S61151234 A JPS61151234 A JP S61151234A
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- JP
- Japan
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- resin
- epoxy resin
- epoxy
- weight
- softening point
- Prior art date
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- Pending
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕。
本発明は、半導体デバイスを封止するためのエポキシ樹
脂組成物鑑：関し、特に耐湿性にすぐれた高信頼性の樹
脂封止半導体デバイスを提供するととにある。
脂組成物鑑：関し、特に耐湿性にすぐれた高信頼性の樹
脂封止半導体デバイスを提供するととにある。
最近の半導体デバイス、たとえばＩＣ，ＬＳＩ、ＶＬＳ
Ｉ。
Ｉ。
トランジスタダイオード々どは、セラミックや缶封止タ
イプに比べ量産性、コストなどの優位性から樹脂封止が
多用されている。しかし樹脂封止された半導体デバイス
は、セラミックや缶封止に比べ耐湿性が劣っており、半
導体デバイスの信頼性を低下させる問題があった。
イプに比べ量産性、コストなどの優位性から樹脂封止が
多用されている。しかし樹脂封止された半導体デバイス
は、セラミックや缶封止に比べ耐湿性が劣っており、半
導体デバイスの信頼性を低下させる問題があった。
そのため、樹脂封止半導体デバイスの耐湿性の不良を防
ぐための種々の検討が行なわれてきた。
ぐための種々の検討が行なわれてきた。
それらの改良方法の例をあげるとキノン類などの腐食防
止剤を添加する方法、フィラー表面と樹脂の密着性を上
げるためのシランカップリング剤などのフィシ−表面処
理方法、また、撥水性のワックスを混入する方法々どが
ある。
止剤を添加する方法、フィラー表面と樹脂の密着性を上
げるためのシランカップリング剤などのフィシ−表面処
理方法、また、撥水性のワックスを混入する方法々どが
ある。
本発明者らは、耐湿性の良好な樹脂封止半導体デバイス
を得るために封止材料であるエポキシ樹脂組成物：二つ
いて耐湿性改良を目的に種々の検討を行なった結果、特
定のエポキシ樹脂と特定のフェノール樹脂と特定のアル
コキシシランとを含むシリカ充填のエポキシ樹脂組成物
が半導体デバイスの耐湿性の改善に非常な好結果を与え
ることを見出しこの発明をなすに至った。
を得るために封止材料であるエポキシ樹脂組成物：二つ
いて耐湿性改良を目的に種々の検討を行なった結果、特
定のエポキシ樹脂と特定のフェノール樹脂と特定のアル
コキシシランとを含むシリカ充填のエポキシ樹脂組成物
が半導体デバイスの耐湿性の改善に非常な好結果を与え
ることを見出しこの発明をなすに至った。
すなわち本発明は、
（ａ） エポキシ当量が２２０以下で、軟化点が１０
０℃以下のエポキシ樹脂１０〜２５重量％と、（ｂ）
水酸基当量が１５０以下で、軟化点が１２０℃以下の
ノボラック形フェノール樹脂５〜１５ 重量％と、 （ｃ） シリカ粉末６５〜８５重量％と、（ｄ）
少なくとも一個のアルキル基、フェニル基。
０℃以下のエポキシ樹脂１０〜２５重量％と、（ｂ）
水酸基当量が１５０以下で、軟化点が１２０℃以下の
ノボラック形フェノール樹脂５〜１５ 重量％と、 （ｃ） シリカ粉末６５〜８５重量％と、（ｄ）
少なくとも一個のアルキル基、フェニル基。
又はアルキル置換フェニル基を有するアルコキシモノシ
ラン化合物０．０２〜１．０重量％とを含むことを特徴
とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物に係るものであ
る。
ラン化合物０．０２〜１．０重量％とを含むことを特徴
とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物に係るものであ
る。
本発明においては、上述したａ−ｄ成分を必須成分とす
ることによって耐湿性良好なエポキシ樹脂組成物を得る
ことができるが、上記成分のなかでとくに重要な成分は
ｄ成分つまり前記特定のアルコキシモノシラン化合物で
ある。
ることによって耐湿性良好なエポキシ樹脂組成物を得る
ことができるが、上記成分のなかでとくに重要な成分は
ｄ成分つまり前記特定のアルコキシモノシラン化合物で
ある。
シリコーン化合物のうち反応性の基とアルコキシ基を有
するシランカップリング剤は、フィラーの表面処理に多
用され、またエポキシ樹脂に混入して半導体素子に対す
る密着性の向上を図り、耐湿特性を改良する方法は良く
知られている。しかるに上記シランカップリング剤は反
応性の基を有するため撥水性が十分でなく耐湿性の向上
もそれほど期待できるものとはいえなかった。これに対
し、この発明では、前記ｄ成分として非反応性の撥水性
の基であるアルキル基、フェニル基、アルキル置換フェ
ニルヲ有スるアルコキシモノシラン化合物を樹脂に混入
するため、上記シランカップリング剤に比べはるかに高
い耐湿性を得ることができる。
するシランカップリング剤は、フィラーの表面処理に多
用され、またエポキシ樹脂に混入して半導体素子に対す
る密着性の向上を図り、耐湿特性を改良する方法は良く
知られている。しかるに上記シランカップリング剤は反
応性の基を有するため撥水性が十分でなく耐湿性の向上
もそれほど期待できるものとはいえなかった。これに対
し、この発明では、前記ｄ成分として非反応性の撥水性
の基であるアルキル基、フェニル基、アルキル置換フェ
ニルヲ有スるアルコキシモノシラン化合物を樹脂に混入
するため、上記シランカップリング剤に比べはるかに高
い耐湿性を得ることができる。
この発明のａ成分としてのエポキシ樹脂としては、１分
子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、
たとえばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂などのなかから、その
エポキシ当量が２．２０以下でかつ軟化点が１００℃以
下のもので好適には馬ｔ Ｃ１その他の不純物をできう
る限り除いたものが用いられる。
子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、
たとえばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂などのなかから、その
エポキシ当量が２．２０以下でかつ軟化点が１００℃以
下のもので好適には馬ｔ Ｃ１その他の不純物をできう
る限り除いたものが用いられる。
エポキシ当量が２２０を超えると架橋密度が小さくなり
充分な耐熱性や強度などが得られず、また軟化点が１０
０℃より高くなると流れ性が悪くなって成形性に劣り、
これら欠点は結果的に半導体デバイスの耐湿特性の低下
にもつながるものである。
充分な耐熱性や強度などが得られず、また軟化点が１０
０℃より高くなると流れ性が悪くなって成形性に劣り、
これら欠点は結果的に半導体デバイスの耐湿特性の低下
にもつながるものである。
この発明のｂ成分としてのフェノールノボラック樹脂は
、ａ成分としてのエポキシ樹脂９硬化剤として作用する
ものである。これ以外の硬化剤としてたとえば酸無水物
、アミン化合物などが知られているが、かかる硬化剤で
は、耐湿性に劣り、本件発明の目的には不適当である。
、ａ成分としてのエポキシ樹脂９硬化剤として作用する
ものである。これ以外の硬化剤としてたとえば酸無水物
、アミン化合物などが知られているが、かかる硬化剤で
は、耐湿性に劣り、本件発明の目的には不適当である。
上記フェノールノボラック樹脂は、一般に、フェノール
、クレゾール、キシレノール、ノニルフェノール、フェ
ニルフェノール、ビスフェノール゛Ａなどの一種まだは
二種以上の混合物とホルムアルデヒドないしバラホルム
アルデヒドとを酸、塩基または中性塩などを触媒として
反応させて得られるものであり、この反応物は半導体素
子に悪影響を与えるＣｌ を含ませないため塩酸などハ
ロゲン類を含む触媒は好ましくない。Ｃｅを含まない触
媒としては、例えばホウ酸などがあげられる。
、クレゾール、キシレノール、ノニルフェノール、フェ
ニルフェノール、ビスフェノール゛Ａなどの一種まだは
二種以上の混合物とホルムアルデヒドないしバラホルム
アルデヒドとを酸、塩基または中性塩などを触媒として
反応させて得られるものであり、この反応物は半導体素
子に悪影響を与えるＣｌ を含ませないため塩酸などハ
ロゲン類を含む触媒は好ましくない。Ｃｅを含まない触
媒としては、例えばホウ酸などがあげられる。
また水酸基当量が１５０を越えると架橋密度が小さくな
り、充分な耐熱性や、強度などが得られず、また軟化点
が１２０℃より高くなると流れ性が要くなって成形性が
劣り、半導体デバイスの信頼性に悪影響を及ぼす。
り、充分な耐熱性や、強度などが得られず、また軟化点
が１２０℃より高くなると流れ性が要くなって成形性が
劣り、半導体デバイスの信頼性に悪影響を及ぼす。
この発明のＣ成分としての充填剤は、封止材料の線膨張
係数を小さくして封止樹脂と素子やリードフレームなど
とのはぐり現象を防止し、その結果として半導体デバイ
スの耐湿性を向上させるためのものである。
係数を小さくして封止樹脂と素子やリードフレームなど
とのはぐり現象を防止し、その結果として半導体デバイ
スの耐湿性を向上させるためのものである。
トノ発明のｄ成分としてのアルコキシモノシラン化合物
としては、たとえばメチルトリメトキシシラン、メチル
トリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメ
チルジェトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、ブ
チルトリメトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン
、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシ
シラン、フェニルジメチルエトキシシラン、トリフェニ
ルメトキシシラン、ノニルフェニルメトキシシランなど
があげられる。
としては、たとえばメチルトリメトキシシラン、メチル
トリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメ
チルジェトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、ブ
チルトリメトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン
、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシ
シラン、フェニルジメチルエトキシシラン、トリフェニ
ルメトキシシラン、ノニルフェニルメトキシシランなど
があげられる。
この発明において、上述したａ −ｄ成分の使用量は、
組成物全体中Ｃ成分で１０〜２５重量％、ｂ成分で５〜
１５重量％、Ｃ成分で６５〜８５重量％、ｄ成分で０．
０２〜１．０重量％とするのが好適である。このうち、
とくにＣ成分の使用量が６５重量％未満になると半導体
デバイスに要求される耐熱衝撃性能を大きく損ないまた
重量％を超えると組成物の成形性が悪くなる。また、ｄ
成分の使用量が０．０２重量％未満では耐湿性の改善効
果が充分に得られず、逆に多くなりすぎると封止樹脂表
面が汚れたり、捺印性を損なう。ｄ成分の最適使用量は
０．２〜０．５重量％である。
組成物全体中Ｃ成分で１０〜２５重量％、ｂ成分で５〜
１５重量％、Ｃ成分で６５〜８５重量％、ｄ成分で０．
０２〜１．０重量％とするのが好適である。このうち、
とくにＣ成分の使用量が６５重量％未満になると半導体
デバイスに要求される耐熱衝撃性能を大きく損ないまた
重量％を超えると組成物の成形性が悪くなる。また、ｄ
成分の使用量が０．０２重量％未満では耐湿性の改善効
果が充分に得られず、逆に多くなりすぎると封止樹脂表
面が汚れたり、捺印性を損なう。ｄ成分の最適使用量は
０．２〜０．５重量％である。
この発明の半導体封止エポキシ樹脂組成物には、以上の
ａ −ｙ ｄ成分のほか、一般に各種アミン、イミダゾ
ール類、リン化合物などの硬化促進剤やカルナバワック
ス、モンタンワックス、ステアリン酸などの離型剤が用
いられる。硬化促進剤および離型剤の使用量はそれぞれ
組成物全体の０．１〜１．０重量−程度である。また、
必要に応じてブロム化エポキシ樹脂、難燃剤、各種の無
機系難燃剤、顔料、変性剤などの公知の添加剤を配合し
ても差し支えない。
ａ −ｙ ｄ成分のほか、一般に各種アミン、イミダゾ
ール類、リン化合物などの硬化促進剤やカルナバワック
ス、モンタンワックス、ステアリン酸などの離型剤が用
いられる。硬化促進剤および離型剤の使用量はそれぞれ
組成物全体の０．１〜１．０重量−程度である。また、
必要に応じてブロム化エポキシ樹脂、難燃剤、各種の無
機系難燃剤、顔料、変性剤などの公知の添加剤を配合し
ても差し支えない。
また、公知の如く使用するシリカ粉末は、事前にシラン
カップリング剤で、表面処理しておく事が好ましい。
カップリング剤で、表面処理しておく事が好ましい。
この発明においては、上述の如き各種の成分をヘンシェ
ルミキサーなどで混合したのち、加熱ロールもしくは押
出し機によって溶融混練するなどの任意の方法で混練な
いし混合し、冷却粉砕して目的とする半導体封止用エポ
キシ樹脂とするが、使用にあたってはこの組成物を事前
にタブレット化したのち、トランスファー成形すること
によりすぐれた樹脂封止半導体デバイスを得ることがで
きる。
ルミキサーなどで混合したのち、加熱ロールもしくは押
出し機によって溶融混練するなどの任意の方法で混練な
いし混合し、冷却粉砕して目的とする半導体封止用エポ
キシ樹脂とするが、使用にあたってはこの組成物を事前
にタブレット化したのち、トランスファー成形すること
によりすぐれた樹脂封止半導体デバイスを得ることがで
きる。
以下に、この発明の実施例を記載してより具体的に説明
する。
する。
実施例
エポキシ当量１９６、軟化点７６℃のオルソクレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂（以下、エポキシ樹脂入とい
う）、エポキシ当量２７０の難燃性エポキシ樹脂（以下
、エポキシ樹脂Ｂという）、フェノール当量１０５のフ
ェノールノボラック樹脂、リン系硬化促進剤（以下、硬
化促進剤人という）、第三級アミン促進剤（以下、硬化
促進剤Ｂという）、カルナバワックス（離型剤）、三酸
化アンチモン（難燃剤）、シランカップリング剤、カー
ボンブラック、シリカ粉およびシラン化合物として、メ
チルトリメトキシシラン（シランＡ）、ブチルトリメト
キシシラン（シランＢ）、フェニルトリメトキシシラン
（シランＣ）、フェニルジメチルエトキシシラン（シラ
ンＤ）を用いて、下記の第１表に示される配合比（重量
％）で比較例を含め９種の半導体封止用エポキシ樹脂組
成物を得た。
ノボラック型エポキシ樹脂（以下、エポキシ樹脂入とい
う）、エポキシ当量２７０の難燃性エポキシ樹脂（以下
、エポキシ樹脂Ｂという）、フェノール当量１０５のフ
ェノールノボラック樹脂、リン系硬化促進剤（以下、硬
化促進剤人という）、第三級アミン促進剤（以下、硬化
促進剤Ｂという）、カルナバワックス（離型剤）、三酸
化アンチモン（難燃剤）、シランカップリング剤、カー
ボンブラック、シリカ粉およびシラン化合物として、メ
チルトリメトキシシラン（シランＡ）、ブチルトリメト
キシシラン（シランＢ）、フェニルトリメトキシシラン
（シランＣ）、フェニルジメチルエトキシシラン（シラ
ンＤ）を用いて、下記の第１表に示される配合比（重量
％）で比較例を含め９種の半導体封止用エポキシ樹脂組
成物を得た。
なお、上記組成物の調製は、まず充てん剤、難燃剤、を
カップリン剤で表面処理したのち残りの成分ヲ加えてヘ
ンシェルミキサーで混合し、そののち６０°〜１１０℃
の加熱ロールで混練し、冷却後粉砕する方法で行なった
。 以千余白 上記の各組成物を用いて低圧トランスファー成形法によ
り耐Ｎ／腐食テスト用素子を樹脂封止し、得られた樹脂
封止半導体装置についてプレッシャークツカーテスト（
２，５気圧の水蒸気中でのテスト）を行ない、アルミ電
極の腐食による耐湿性を評価した。結果は、つぎの第２
表に示されるとおりであった。なお、表中の数値は、試
験個数２４個中の腐食が生じたものの不良個数である。
カップリン剤で表面処理したのち残りの成分ヲ加えてヘ
ンシェルミキサーで混合し、そののち６０°〜１１０℃
の加熱ロールで混練し、冷却後粉砕する方法で行なった
。 以千余白 上記の各組成物を用いて低圧トランスファー成形法によ
り耐Ｎ／腐食テスト用素子を樹脂封止し、得られた樹脂
封止半導体装置についてプレッシャークツカーテスト（
２，５気圧の水蒸気中でのテスト）を行ない、アルミ電
極の腐食による耐湿性を評価した。結果は、つぎの第２
表に示されるとおりであった。なお、表中の数値は、試
験個数２４個中の腐食が生じたものの不良個数である。
第 ２ 表
また第３表にはＭＯＳ ＩＣ素子に１８Ｖの電圧を印加
しつつ、プレツシャークツカーテス）（２，０気圧）に
よる耐湿性を評価した結果を示した。なお試験個数は、
２４個で第３表には不良発生個数を示した。
しつつ、プレツシャークツカーテス）（２，０気圧）に
よる耐湿性を評価した結果を示した。なお試験個数は、
２４個で第３表には不良発生個数を示した。
第 ３ 表
〔発明の効果〕
以上の結果から明らかなようにこの発明のエポキシ樹脂
組成物を用いれば、耐湿性が良好で高信頼性の樹脂封止
半導体デバイスが得られるものであることがわかる。
組成物を用いれば、耐湿性が良好で高信頼性の樹脂封止
半導体デバイスが得られるものであることがわかる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （ａ）エポキシ当量が２２０以下で、軟化点が１００℃
以下のエポキシ樹脂１０〜２５重量％と、（ｂ）水酸基
当量が１５０以下で、軟化点が１２０℃以下のノボラッ
ク形フェノール樹脂５〜１５重量％と、 （ｃ）シリカ粉末６５〜８５重量％と、 （ｄ）少なくとも一個のアルキル基、フェニル基、又は
アルキル置換フェニル基を有するアルコキシモノシラン
化合物０．０２〜１．０重量％ とを含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組
成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27322084A JPS61151234A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27322084A JPS61151234A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61151234A true JPS61151234A (ja) | 1986-07-09 |
Family
ID=17524782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27322084A Pending JPS61151234A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61151234A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03119051A (ja) * | 1989-10-02 | 1991-05-21 | Toray Ind Inc | エポキシ樹脂組成物 |
| JP2005162846A (ja) * | 2003-12-02 | 2005-06-23 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
| JP2014009233A (ja) * | 2012-06-27 | 2014-01-20 | Hitachi Chemical Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
| JP2017101254A (ja) * | 2017-02-28 | 2017-06-08 | 日立化成株式会社 | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
| CN113388235A (zh) * | 2021-06-28 | 2021-09-14 | 华南理工大学 | 一种耐湿热的高介电常数环氧树脂复合材料及其制备方法 |
-
1984
- 1984-12-26 JP JP27322084A patent/JPS61151234A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03119051A (ja) * | 1989-10-02 | 1991-05-21 | Toray Ind Inc | エポキシ樹脂組成物 |
| JP2005162846A (ja) * | 2003-12-02 | 2005-06-23 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
| JP2014009233A (ja) * | 2012-06-27 | 2014-01-20 | Hitachi Chemical Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
| JP2017101254A (ja) * | 2017-02-28 | 2017-06-08 | 日立化成株式会社 | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
| CN113388235A (zh) * | 2021-06-28 | 2021-09-14 | 华南理工大学 | 一种耐湿热的高介电常数环氧树脂复合材料及其制备方法 |
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