JPS58119654A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPS58119654A JPS58119654A JP57000859A JP85982A JPS58119654A JP S58119654 A JPS58119654 A JP S58119654A JP 57000859 A JP57000859 A JP 57000859A JP 85982 A JP85982 A JP 85982A JP S58119654 A JPS58119654 A JP S58119654A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- epoxy resin
- novolac
- semiconductor device
- novolac type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエポキシ樹脂系組成物の硬化物によって封止さ
れた高倍−性の樹脂封止型半導体装置に関する。
れた高倍−性の樹脂封止型半導体装置に関する。
エポキシ樹脂は電気特性、m械特性、耐薬品性などが優
れているため信頼性の高い電気絶縁材料として半導体装
置の封止に広く用いられている。
れているため信頼性の高い電気絶縁材料として半導体装
置の封止に広く用いられている。
最近では従来のセラずツクスを用いたハーメチクク対止
にかわって、はとんどの半導体装置たとえば集積回路、
大規模集積回路、トランジスタ、ダイオードなどが低圧
成形用のエポキシ樹脂系組成物を用いて封止されている
。
にかわって、はとんどの半導体装置たとえば集積回路、
大規模集積回路、トランジスタ、ダイオードなどが低圧
成形用のエポキシ樹脂系組成物を用いて封止されている
。
半導体封止用エポキシ樹脂系組成物としては、信頼性、
成形性などの点を考慮してエポキシ樹脂。
成形性などの点を考慮してエポキシ樹脂。
ノボラック型フェノール樹脂硬化剤、イミダゾール硬化
促進剤から成るエポキシ樹脂系組成物が広く用いられて
いる。
促進剤から成るエポキシ樹脂系組成物が広く用いられて
いる。
しかし従来のエポキシ樹脂系封止樹脂を用い。
トランスファ成形して得られる樹脂封止蓋半導体装置は
次のような欠慮があった〇 (1)樹脂封止蓋半導体装置に1求される信頼性のレベ
ルの高さに較べ耐S性が劣ること。
次のような欠慮があった〇 (1)樹脂封止蓋半導体装置に1求される信頼性のレベ
ルの高さに較べ耐S性が劣ること。
(2)樹脂封止蓋半導体装置に豊水される信頼性のレベ
ルの高さに較べ高温時の電気特性が劣ること。
ルの高さに較べ高温時の電気特性が劣ること。
ヒ紀耐湿性について説明すると、樹脂封止型半導体装置
は高温高温雰囲気下で使用または保存することがあるの
で、そのような条件においても信頼性を保証しなければ
ならない。耐温性の品質保紅の丸めの評価試験としては
、85℃または120℃の飽和水蒸気中に暴露する加速
評価法が行なわれており、最近では電圧を印加して更に
加速性を高めたバイアス印加麿の評価試験も実施されて
いる。
は高温高温雰囲気下で使用または保存することがあるの
で、そのような条件においても信頼性を保証しなければ
ならない。耐温性の品質保紅の丸めの評価試験としては
、85℃または120℃の飽和水蒸気中に暴露する加速
評価法が行なわれており、最近では電圧を印加して更に
加速性を高めたバイアス印加麿の評価試験も実施されて
いる。
しかし封止したエポキシ樹脂系組成物の硬化物は吸湿性
、透湿性があるため、このような高温高温状態下では外
部から水分が細土樹脂硬化物層を通って内部に浸透し、
または封止樹脂とリードフレームとの界面を通って内部
に入り、半導体素子の表面に牙で到適する。この水分と
封止樹脂中に存在している不純物イオンなどの作用の結
果として、樹脂封止型半導体装置は絶縁性の低下、す+
り[11の増加、アルミニウム電極、配線などの腐食を
主体とした不良を発生する。またバイアス電圧を印加し
た場合にはその電気化学的作用によってアルミニウム電
極、配線の腐食による不良が特に著しく多発する。
、透湿性があるため、このような高温高温状態下では外
部から水分が細土樹脂硬化物層を通って内部に浸透し、
または封止樹脂とリードフレームとの界面を通って内部
に入り、半導体素子の表面に牙で到適する。この水分と
封止樹脂中に存在している不純物イオンなどの作用の結
果として、樹脂封止型半導体装置は絶縁性の低下、す+
り[11の増加、アルミニウム電極、配線などの腐食を
主体とした不良を発生する。またバイアス電圧を印加し
た場合にはその電気化学的作用によってアルミニウム電
極、配線の腐食による不良が特に著しく多発する。
従来のfM脂封止聾半導体装置は上記耐tM、性に関し
充分に満足できるものではなく、耐湿性の向りが求めら
れていた。
充分に満足できるものではなく、耐湿性の向りが求めら
れていた。
次に高温時の電気特性について説明すると、樹脂封止型
半導体装置は高温条件下で使用することがあるので、そ
のような条件においても信頼性を保証しなければならな
い。そのための評価試験としては80℃〜150’Oで
バイアス電圧を印加して信頼性を評価する加速試験が一
般的である。
半導体装置は高温条件下で使用することがあるので、そ
のような条件においても信頼性を保証しなければならな
い。そのための評価試験としては80℃〜150’Oで
バイアス電圧を印加して信頼性を評価する加速試験が一
般的である。
このような試験において表面が鋭敏なMO8構造をもつ
素子や、逆バイアスが印加されたPN接合をtつ素子K
特に著しく多発する不良として。
素子や、逆バイアスが印加されたPN接合をtつ素子K
特に著しく多発する不良として。
チャンネリングによるリーク電流の増加する現象がある
ことはよく知られている。この現象は電圧が印加された
素子の表面に接している樹脂層に電界が作用することに
よって発生すると考えられているO 従来の樹脂封止型半導体装置は上記高温時の電気特性に
関し充分に満足できるものではなく、改良が求められて
いた。
ことはよく知られている。この現象は電圧が印加された
素子の表面に接している樹脂層に電界が作用することに
よって発生すると考えられているO 従来の樹脂封止型半導体装置は上記高温時の電気特性に
関し充分に満足できるものではなく、改良が求められて
いた。
本発明の目的はこのような従来の樹脂封止型半導体装置
の一点を改良し、優れた耐温性と高温電気特性を有する
エポキシ樹脂系組成物によって封止された信頼性の高い
樹脂封止型半導体装置を提供することにある0 上記目的を達成すべく、本発明者らが鋭意研究を重ねた
結果、硬化促進剤などが上記難点を形成する主要因であ
ることを解明し、更に次に示すエポキシ樹脂系組成物が
、半導体樹上用樹脂として従来のものく較べ、優れた耐
湿性と1I4Ill電気II!#性を有することを見出
し、これを用いることによって従来のものに較べ、耐湿
性中高温電気特性などの信頼性に優れた樹脂封止型半導
体装置が得られることを見出した0 すなわち本発明は、 (a)エポキシ当量170〜300のノボラック臘エポ
キシ樹脂、 (b)ノボラクク臘フェノールllt Jilil N
化剤。
の一点を改良し、優れた耐温性と高温電気特性を有する
エポキシ樹脂系組成物によって封止された信頼性の高い
樹脂封止型半導体装置を提供することにある0 上記目的を達成すべく、本発明者らが鋭意研究を重ねた
結果、硬化促進剤などが上記難点を形成する主要因であ
ることを解明し、更に次に示すエポキシ樹脂系組成物が
、半導体樹上用樹脂として従来のものく較べ、優れた耐
湿性と1I4Ill電気II!#性を有することを見出
し、これを用いることによって従来のものに較べ、耐湿
性中高温電気特性などの信頼性に優れた樹脂封止型半導
体装置が得られることを見出した0 すなわち本発明は、 (a)エポキシ当量170〜300のノボラック臘エポ
キシ樹脂、 (b)ノボラクク臘フェノールllt Jilil N
化剤。
(C)一般式、
(式中R1〜R4はアルキル基またはアリール基の群か
ら選ばれ、Xはカルボン酸根である)で示される#14
級ホスホニウム塩および、(d) m機質充てん剤を必
須成分とするエポキシ樹脂組成物の硬化物によって半導
体装置が封止されていることを特徴とする樹脂封止型半
導体装置である0 本発明において用いられるエポキシ樹脂は、エポキシ当
量170〜300のノボラック型エポキシ樹脂であって
、たとえばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレ
ゾールノボラック薯エポキシ樹脂、ハロゲン化フェノー
ルノボラック型エポキシ樹脂などである。これらエポキ
シ樹脂は1種も・しくは2種以上の混合系で用いてもよ
い。上記以外のエポキシ樹脂たとえばビスフェノールλ
型エポキシ樹脂など一般のグリシジルエーテル型エポキ
シ樹脂、グリシジルエステル麿エポキシ樹脂、グリシン
ルアンン型エポキシ樹脂1m状脂肪族千ボキシ樹脂、脂
環式エポキシ樹脂、複auimエポキン樹脂、・・ロゲ
ン化エポキシ樹脂などは、上記エポキシfiii170
〜3000ノボラック臘エポキシ樹脂に併用した場合に
使用することができる。配合量はノボラック型エポキシ
樹脂に対し団重量−以下が好ましい。またこれらエポキ
シ樹脂は塩素イオンの含有量カ月Oppm以下、−加水
分解性塩素の含有量が0.IJiji*以下のものが望
ましい。
ら選ばれ、Xはカルボン酸根である)で示される#14
級ホスホニウム塩および、(d) m機質充てん剤を必
須成分とするエポキシ樹脂組成物の硬化物によって半導
体装置が封止されていることを特徴とする樹脂封止型半
導体装置である0 本発明において用いられるエポキシ樹脂は、エポキシ当
量170〜300のノボラック型エポキシ樹脂であって
、たとえばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレ
ゾールノボラック薯エポキシ樹脂、ハロゲン化フェノー
ルノボラック型エポキシ樹脂などである。これらエポキ
シ樹脂は1種も・しくは2種以上の混合系で用いてもよ
い。上記以外のエポキシ樹脂たとえばビスフェノールλ
型エポキシ樹脂など一般のグリシジルエーテル型エポキ
シ樹脂、グリシジルエステル麿エポキシ樹脂、グリシン
ルアンン型エポキシ樹脂1m状脂肪族千ボキシ樹脂、脂
環式エポキシ樹脂、複auimエポキン樹脂、・・ロゲ
ン化エポキシ樹脂などは、上記エポキシfiii170
〜3000ノボラック臘エポキシ樹脂に併用した場合に
使用することができる。配合量はノボラック型エポキシ
樹脂に対し団重量−以下が好ましい。またこれらエポキ
シ樹脂は塩素イオンの含有量カ月Oppm以下、−加水
分解性塩素の含有量が0.IJiji*以下のものが望
ましい。
本発明にお・いて用いられるノボラック型フェノール樹
脂硬化剤としてはフェノールノボラック樹脂、クレゾー
ルノボラック樹脂、fast−プチルフェノールノホラ
ック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂などが挙げ
られる。これらのフェノール樹脂の軟化点は60℃〜1
20℃の範囲内にあることが好ましく、更に常温にお・
ける水に可溶性のフェノール樹脂成分が3−以ドである
ことが好ましい。
脂硬化剤としてはフェノールノボラック樹脂、クレゾー
ルノボラック樹脂、fast−プチルフェノールノホラ
ック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂などが挙げ
られる。これらのフェノール樹脂の軟化点は60℃〜1
20℃の範囲内にあることが好ましく、更に常温にお・
ける水に可溶性のフェノール樹脂成分が3−以ドである
ことが好ましい。
しかしてこれらの硬化剤は1種もしくは2種以上の混合
系で使用することができる。
系で使用することができる。
エポキシ樹脂と硬化鋼の配合比については、ノボラック
截フェノール樹脂のフェノール性水酸基の数とエポキシ
樹脂のエポキシ基の数の比が0.5〜1.5の範囲内に
あることが望ましい。その理由は0.5未満あるいは1
.5を超えると反応が充分におこりに〈〈なシ、硬化物
の特性が劣化するためである。
截フェノール樹脂のフェノール性水酸基の数とエポキシ
樹脂のエポキシ基の数の比が0.5〜1.5の範囲内に
あることが望ましい。その理由は0.5未満あるいは1
.5を超えると反応が充分におこりに〈〈なシ、硬化物
の特性が劣化するためである。
本発明において硬化促進剤として用いられる第4級ホス
ホニウム塩としては、 化学式(1)においてRt〜84がアルキル基またはア
リール基の評から選ばれ、XはカルボンIII根で示さ
れる@4級ホスホニウム塩であって具体的に例示すると
酢酸テトラブチル承スホニウム、安JL香酸テトラエチ
ルホスホニウム、プロピオン酸メチルトリフェニルホス
ホニウム、酢酸テトラフェニルホスホニウムなどである
0これらのホスホニウム塩の配合量は樹脂成分(エポキ
シ樹脂とフェノール樹脂)の0,01〜20重量−の範
囲内にあることが好ましい。
ホニウム塩としては、 化学式(1)においてRt〜84がアルキル基またはア
リール基の評から選ばれ、XはカルボンIII根で示さ
れる@4級ホスホニウム塩であって具体的に例示すると
酢酸テトラブチル承スホニウム、安JL香酸テトラエチ
ルホスホニウム、プロピオン酸メチルトリフェニルホス
ホニウム、酢酸テトラフェニルホスホニウムなどである
0これらのホスホニウム塩の配合量は樹脂成分(エポキ
シ樹脂とフェノール樹脂)の0,01〜20重量−の範
囲内にあることが好ましい。
本発明において用いられる無機質充てん剤とし゛(は1
石英ガラス粉末、結晶性シリカ粉末、ガラス繊維、タル
ク、アルはす粉末、ケイ酸カルシウム粉末、炭酸カルシ
ウム粉末、硫酸バリウム粉末。
石英ガラス粉末、結晶性シリカ粉末、ガラス繊維、タル
ク、アルはす粉末、ケイ酸カルシウム粉末、炭酸カルシ
ウム粉末、硫酸バリウム粉末。
マグネシア粉末などであるが、これらの中で石英ガラス
粉末や、結晶性シリカ粉末が、高純度と低熱11張係数
の点で蛾も好ましい。しかしてこれら無機質充てん剤の
配合量はエポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤および無
機質充てん剤の種類によっても異るが、たとえばトラン
スファ成形に用いる場合にはエポキシ樹脂とフェノール
樹脂硬化剤の総量に対し重量比で1.5倍〜4倍程度で
よい。無機質充てん剤の粒度分布くついては Itい粒
子と細い粒子を組み合せて分布を均一にするととによっ
て成形性を改善することができる。
粉末や、結晶性シリカ粉末が、高純度と低熱11張係数
の点で蛾も好ましい。しかしてこれら無機質充てん剤の
配合量はエポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤および無
機質充てん剤の種類によっても異るが、たとえばトラン
スファ成形に用いる場合にはエポキシ樹脂とフェノール
樹脂硬化剤の総量に対し重量比で1.5倍〜4倍程度で
よい。無機質充てん剤の粒度分布くついては Itい粒
子と細い粒子を組み合せて分布を均一にするととによっ
て成形性を改善することができる。
本発明に係るエポキシ樹脂系組成物は必畳に応じて1例
えば天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金
属塩、酸アミド類、エステル@tしくはパフフィン類な
どの離置剤、a素化パラフィン、ブロムトルエン、ヘキ
サブロムベンゼン。
えば天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金
属塩、酸アミド類、エステル@tしくはパフフィン類な
どの離置剤、a素化パラフィン、ブロムトルエン、ヘキ
サブロムベンゼン。
三酸化アンチモ/などの峻燃剤、カーボ/ブラックなど
の着色剤、シランカップリング剤などを適宜添加配合し
ても差しつかえない。
の着色剤、シランカップリング剤などを適宜添加配合し
ても差しつかえない。
本発明に係るエポキシ樹脂系組成物を成形材料として*
擬する場合の一般的な方法としては、所定の組成比に選
んだ原料組成分を例えば2キサ−によって充分混合後、
さらに熱ロールによる溶融混合処理、またはニーダ−な
どによる混合処理を加えることにより容易にエポキシ樹
脂系成形材料を得ることができる。
擬する場合の一般的な方法としては、所定の組成比に選
んだ原料組成分を例えば2キサ−によって充分混合後、
さらに熱ロールによる溶融混合処理、またはニーダ−な
どによる混合処理を加えることにより容易にエポキシ樹
脂系成形材料を得ることができる。
本発明の樹脂樹上型半導体装置は、上記エポキシ樹脂系
組成物乃至成形材料を用いて半導体装置を封止すること
により容易に製造することかで角る◇封止の最も一般的
な方法としては低圧トランスファ成形法があるが、イ/
ジェクシ1)成形。
組成物乃至成形材料を用いて半導体装置を封止すること
により容易に製造することかで角る◇封止の最も一般的
な方法としては低圧トランスファ成形法があるが、イ/
ジェクシ1)成形。
圧縮成形、注臘などによる封止も可能である。
エポキシ樹脂系組成物乃至成形材料は封止の際に加熱し
て硬化させ、最終的にはこの組成物乃至成形材料の硬′
化物によって封止された樹11%・11半導体装置を得
ることができる。硬化r!綜150’0以Fに加熱する
ことが特に望ましい。
て硬化させ、最終的にはこの組成物乃至成形材料の硬′
化物によって封止された樹11%・11半導体装置を得
ることができる。硬化r!綜150’0以Fに加熱する
ことが特に望ましい。
本発明でいう半導体装置とは集積回路、大規模集積回路
、トランジスタ、サイリスタ、ダイオードなどであって
特に限定されるものではない。
、トランジスタ、サイリスタ、ダイオードなどであって
特に限定されるものではない。
次に本発明の詳細な説明する。
実施例1〜3
エボキン当ji 220のクレゾールノボラック型エボ
キン樹脂(エポキシ樹脂入)、エポキシ轟量290の臭
素化エポキシノボラック樹脂(エポキシ樹脂B)、分子
量800のフェノールノボラック樹脂硬化剤、酢酸テト
ラブチルホスホニウム、安息香酸テトラエチルホスホニ
ウム、酢酸テトラフェニルホスホニウム、塩化テトラフ
ェニルホスホニウム、2−ヘプタデシルイミダゾール、
石英ガラス粉末、三酸化アンチモン、カルナバワックス
。
キン樹脂(エポキシ樹脂入)、エポキシ轟量290の臭
素化エポキシノボラック樹脂(エポキシ樹脂B)、分子
量800のフェノールノボラック樹脂硬化剤、酢酸テト
ラブチルホスホニウム、安息香酸テトラエチルホスホニ
ウム、酢酸テトラフェニルホスホニウム、塩化テトラフ
ェニルホスホニウム、2−ヘプタデシルイミダゾール、
石英ガラス粉末、三酸化アンチモン、カルナバワックス
。
カーボンブラック、シランカップリング削(r−グリシ
ドキシプロビルトリメトキシシラン)を第1sに示す組
成比(重量部)に選び、各組成物をiキサ−による混合
、加熱ロールによる1練を行うことによってトランスフ
ァ成形材料を間開し九〇このようにして得た成形材料を
用いてトランスファ成形することにより、MO8W果槓
回路を樹脂封止した。封止は高周波予熱器で90℃に加
熱した成形材料を175℃で2分間モールドし、更に1
80℃で3時間アフタキ島アすることにより行ったO 上記樹脂封止朦半導体装置各100個について次の試験
を行っ九〇 (1) 120℃、2気圧の水蒸気中で10 V印加し
てアルfニウム配線の腐食による断線不要を調べる耐湿
試験(バイアスPCT )を行い、その結果を第2表に
示した。
ドキシプロビルトリメトキシシラン)を第1sに示す組
成比(重量部)に選び、各組成物をiキサ−による混合
、加熱ロールによる1練を行うことによってトランスフ
ァ成形材料を間開し九〇このようにして得た成形材料を
用いてトランスファ成形することにより、MO8W果槓
回路を樹脂封止した。封止は高周波予熱器で90℃に加
熱した成形材料を175℃で2分間モールドし、更に1
80℃で3時間アフタキ島アすることにより行ったO 上記樹脂封止朦半導体装置各100個について次の試験
を行っ九〇 (1) 120℃、2気圧の水蒸気中で10 V印加し
てアルfニウム配線の腐食による断線不要を調べる耐湿
試験(バイアスPCT )を行い、その結果を第2表に
示した。
(2) 100℃のオーブン中でオフセラトゲ−) M
O8FIT回路にFレイン電圧5V、オフセットゲート
電圧5vを印加して電気特性の劣化によるリーク電流不
良を調べる試験(MOS−BT試験)を行い。
O8FIT回路にFレイン電圧5V、オフセットゲート
電圧5vを印加して電気特性の劣化によるリーク電流不
良を調べる試験(MOS−BT試験)を行い。
リーク電流が初期値の100倍以上に増加した場合を不
良と判定してその結果を′a3表に示した。
良と判定してその結果を′a3表に示した。
以 下 余 白
第 1 表
第 2 表
第3表
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (荀エポキシ当Jl1170〜3000ノボラック臘エ
ポキシ樹脂。 (b)ノボラック型フェノール樹脂硬化剤、(式中R1
〜R4はアルキル基またはアリール基の群から選ばれ、
Xはカルボン1141である)で示される@4級ホスホ
ニウム塩及び(d)無機質充てん剤。 を必須成分とするエポキシ樹脂系組成物の硬化物によっ
て半導体装置が封止されていることを特徴2する樹脂封
止型半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57000859A JPS58119654A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57000859A JPS58119654A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58119654A true JPS58119654A (ja) | 1983-07-16 |
Family
ID=11485381
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57000859A Pending JPS58119654A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58119654A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6664344B1 (en) | 1999-07-22 | 2003-12-16 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Composition of polyepoxide, phenolic co-condensate and phosphonium-polyphenolic molecular association product |
US20160260645A1 (en) * | 2015-01-30 | 2016-09-08 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Sealing epoxy resin composition, hardened product, and semiconductor device |
-
1982
- 1982-01-08 JP JP57000859A patent/JPS58119654A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6664344B1 (en) | 1999-07-22 | 2003-12-16 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Composition of polyepoxide, phenolic co-condensate and phosphonium-polyphenolic molecular association product |
US20160260645A1 (en) * | 2015-01-30 | 2016-09-08 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Sealing epoxy resin composition, hardened product, and semiconductor device |
US9633922B2 (en) * | 2015-01-30 | 2017-04-25 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Sealing epoxy resin composition, hardened product, and semiconductor device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0445982B2 (ja) | ||
JPS6153321A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置 | |
JPS6181426A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
JPS6137788B2 (ja) | ||
JPS6219066B2 (ja) | ||
JPS58119654A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPS6119625A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
JPH0379370B2 (ja) | ||
JPS583382B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPS58119655A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPS6054458A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPS61221220A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPS5882545A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPH0319707B2 (ja) | ||
JP2654376B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置 | |
JPS5956748A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の | |
JPS5882547A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPH0420268B2 (ja) | ||
JPS6069130A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JP2000248155A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JPS5895846A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPS6219070B2 (ja) | ||
JP2534330B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPS6219069B2 (ja) | ||
JPS5895847A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 |