JPS5845617A - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS5845617A JPS5845617A JP14123181A JP14123181A JPS5845617A JP S5845617 A JPS5845617 A JP S5845617A JP 14123181 A JP14123181 A JP 14123181A JP 14123181 A JP14123181 A JP 14123181A JP S5845617 A JPS5845617 A JP S5845617A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic
- metal
- magnetic thin
- layer
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁性膜積層ヘッドに関する。
近年、磁気記録の高密度化に伴い、高抗磁カテーブが登
場したが、従来から使用されているフェライト磁気ヘッ
ドは飽和磁束密度が小さく、そのテープの特性を充分に
生かしきれないという欠点があり、またセンダスト等の
合金ヘッドの場合は、飽和磁束密度は大きいが、この磁
性材は高周波での渦損が大きく、そのため高周波再生特
性が悪いという欠点がある。
場したが、従来から使用されているフェライト磁気ヘッ
ドは飽和磁束密度が小さく、そのテープの特性を充分に
生かしきれないという欠点があり、またセンダスト等の
合金ヘッドの場合は、飽和磁束密度は大きいが、この磁
性材は高周波での渦損が大きく、そのため高周波再生特
性が悪いという欠点がある。
そこで金属磁性材により磁気ヘッドを形成する場合、金
属磁性材を絶縁層を介して積層するという方法で対処す
るように成されている。
属磁性材を絶縁層を介して積層するという方法で対処す
るように成されている。
この金属磁性材積層ヘッドとして磁性膜積層ヘッドがあ
る。この磁性膜積層ヘッドは基板に例えばＦｅ−８ｉ−
Ａｌ磁性合金（センダスト）膜と絶縁膜例えば５ｉ０２
を交互に積層して基板と同材質のもので挾んで形成され
る。
る。この磁性膜積層ヘッドは基板に例えばＦｅ−８ｉ−
Ａｌ磁性合金（センダスト）膜と絶縁膜例えば５ｉ０２
を交互に積層して基板と同材質のもので挾んで形成され
る。
ところがこの磁性膜積層ヘッドは加工工程において磁性
膜と絶縁膜の界面から剥離されることがあり、これは磁
性膜と絶縁膜との付着が弱いために生じるものである。
膜と絶縁膜の界面から剥離されることがあり、これは磁
性膜と絶縁膜との付着が弱いために生じるものである。
そこで本発明は、上述の点に鑑みなされたもので、軟質
金属磁性薄膜の絶縁被膜を介しての積層において、両者
を強固に付着させ、ヘッドの加工工程等において剥離さ
れることなく、機械的強度を十分に保有し、信頼性の高
い磁気ヘッドを提供するものである。
金属磁性薄膜の絶縁被膜を介しての積層において、両者
を強固に付着させ、ヘッドの加工工程等において剥離さ
れることなく、機械的強度を十分に保有し、信頼性の高
い磁気ヘッドを提供するものである。
即ち、本発明は積層される軟質金属磁性薄膜にこの金属
と付着性のよい金属、例えば’１ ｒ ｒ Ｃｒ ＋
ｋＱより選ばれた金属層を設け、この金属層間にこの金
属の酸化物或いは窒化物等の化合物層を設けて磁性膜積
層の磁気ヘッドを構成するものである。
と付着性のよい金属、例えば’１ ｒ ｒ Ｃｒ ＋
ｋＱより選ばれた金属層を設け、この金属層間にこの金
属の酸化物或いは窒化物等の化合物層を設けて磁性膜積
層の磁気ヘッドを構成するものである。
以下、図面を用いて本発明による磁気ヘッドの実施例を
その製法と共に説明する。
その製法と共に説明する。
第１図乃至第１１図は本発明の一実施例である。
本例においては先ず第１図に示すように例えばガラスセ
ラミック基板（１）トにＰｃ −Ｓ ｉ−Ａ、Ｑ合金（
センダスト）をスパッタリングにより所要の厚さ例えば
４μｍの膜厚で付着させ金属磁性薄膜（２）を形成する
。次いでその土にセンダスト磁性薄膜（２）と付着性の
良い金属例えばＴ１をスパッタリングにより所要の厚さ
例えば１（１０ｆｌＸの膜厚で伺着させ金属層（３）を
形成する。この゛■゛１金属層（３）の上にＴｉ金属を
アルゴン−酸素（Ａｒ＋２０％０２）Ｗ囲気中でスノ（
ツタリングにより所要の厚さ例えば２ｏｏｏＸに刺着さ
ぜろことにより′」゛ｉ金金属酸化されて酸化チタン（
＋ＰＨ０２） トナＦ） ｉ’ｔ 金層／１１ （３）
１７）上に酸化皮膜（４）が形成される。この酸化皮膜
（４）の上に再び１゛１金属をスパッタリングにより前
回の場合と同様に所要の厚さ例えば１ｏｏｏＸで付ｆｔ
させ１゛１金属層（３）を形成する。
ラミック基板（１）トにＰｃ −Ｓ ｉ−Ａ、Ｑ合金（
センダスト）をスパッタリングにより所要の厚さ例えば
４μｍの膜厚で付着させ金属磁性薄膜（２）を形成する
。次いでその土にセンダスト磁性薄膜（２）と付着性の
良い金属例えばＴ１をスパッタリングにより所要の厚さ
例えば１（１０ｆｌＸの膜厚で伺着させ金属層（３）を
形成する。この゛■゛１金属層（３）の上にＴｉ金属を
アルゴン−酸素（Ａｒ＋２０％０２）Ｗ囲気中でスノ（
ツタリングにより所要の厚さ例えば２ｏｏｏＸに刺着さ
ぜろことにより′」゛ｉ金金属酸化されて酸化チタン（
＋ＰＨ０２） トナＦ） ｉ’ｔ 金層／１１ （３）
１７）上に酸化皮膜（４）が形成される。この酸化皮膜
（４）の上に再び１゛１金属をスパッタリングにより前
回の場合と同様に所要の厚さ例えば１ｏｏｏＸで付ｆｔ
させ１゛１金属層（３）を形成する。
このようにして基板（１）上に磁性薄膜（２１＋ Ｔ＋
金属層（３１，Ｔｉ酸化皮膜（４）及びＴｉ金属層（３
）から成る連続した多層膜が形成され、この上に１・”
ｅ−８ｉ −ＡＱ金合金センダスト）をｉ？ｉＪ回の場
合と同様にスパッタリングにより、４μｎ］の膜厚で刺
着させ金属磁性薄膜（２）を形成する。以後この順序を
繰ν［７行い磁性薄膜（２）を複数層形成する。
金属層（３１，Ｔｉ酸化皮膜（４）及びＴｉ金属層（３
）から成る連続した多層膜が形成され、この上に１・”
ｅ−８ｉ −ＡＱ金合金センダスト）をｉ？ｉＪ回の場
合と同様にスパッタリングにより、４μｎ］の膜厚で刺
着させ金属磁性薄膜（２）を形成する。以後この順序を
繰ν［７行い磁性薄膜（２）を複数層形成する。
しかる後、第２図に示すようにその積層膜十に基板（１
）と同材質の基板［＋１を有磯接宥削により接着し、コ
アブロック（１υを形成″［る。次に第；う図に示すよ
うにブロック（１］）を磁性膜層に垂直な方向に短冊状
に切断し、ヘッドコアブロック片（１，２１（（１２Ａ
） １（１２Ｂ）〕を得る。この切断後の各ヘッドコア
ブロック片（１２）は本例では、−＼ラドコアブロック
片（１２Ａ）と（１２Ｂ）とを一対として用いる。
）と同材質の基板［＋１を有磯接宥削により接着し、コ
アブロック（１υを形成″［る。次に第；う図に示すよ
うにブロック（１］）を磁性膜層に垂直な方向に短冊状
に切断し、ヘッドコアブロック片（１，２１（（１２Ａ
） １（１２Ｂ）〕を得る。この切断後の各ヘッドコア
ブロック片（１２）は本例では、−＼ラドコアブロック
片（１２Ａ）と（１２Ｂ）とを一対として用いる。
次に第４図に示すようにヘッドコアブロック片（１２Ａ
）及び（１２Ｂ）の切断面、即ちギャップ対接面を所定
の厚みになるように研削し、第５図に示すように少くと
も一方のへラドコアブロック片（１２Ｃのギャップ対接
面に磁性膜層に直交する巻線溝０３）をブロックの長手
方向に所要間隔で削設すると共ニ、両ヘッドコアブロッ
ク（１２Ａ）、（１２Ｂ）のギャップ対接面を鏡面加工
する。
）及び（１２Ｂ）の切断面、即ちギャップ対接面を所定
の厚みになるように研削し、第５図に示すように少くと
も一方のへラドコアブロック片（１２Ｃのギャップ対接
面に磁性膜層に直交する巻線溝０３）をブロックの長手
方向に所要間隔で削設すると共ニ、両ヘッドコアブロッ
ク（１２Ａ）、（１２Ｂ）のギャップ対接面を鏡面加工
する。
しかる後、第６図に示すように何れか一方のヘッドコア
ブロック片、本例ではブロック片（１２Ｂ）のギャップ
対接面に例えばｓｉｏ、５ｉｏ２等のギャップスペーサ
（作動磁気ギャップ長と等しい厚さ）■をスパッタリン
グ等によって形成し、両ヘッドコアブロック片（１，２
Ａ、）と（１２１：３）とを互にギャップ対接面をギャ
ップスペーサ（Ｉ４１を介して対向させギャップ対接面
に有機接着剤等を塗布して接合する。
ブロック片、本例ではブロック片（１２Ｂ）のギャップ
対接面に例えばｓｉｏ、５ｉｏ２等のギャップスペーサ
（作動磁気ギャップ長と等しい厚さ）■をスパッタリン
グ等によって形成し、両ヘッドコアブロック片（１，２
Ａ、）と（１２１：３）とを互にギャップ対接面をギャ
ップスペーサ（Ｉ４１を介して対向させギャップ対接面
に有機接着剤等を塗布して接合する。
次に第７図に示すようにこのヘッドコアブロック（１２
Ａ、） 、 （１２Ｂ）の接合体を作動磁気ギャップｇ
の深さｄよりやや深い位１ｉｌ ｄ’において各巻線溝
（１３）と平行に切断し、第８図に示すヘッドチップブ
ロック（１５１を形成する。
Ａ、） 、 （１２Ｂ）の接合体を作動磁気ギャップｇ
の深さｄよりやや深い位１ｉｌ ｄ’において各巻線溝
（１３）と平行に切断し、第８図に示すヘッドチップブ
ロック（１５１を形成する。
しかる後、第９図に示すようにヘッドチップブロック（
１５１のテープ対接面側を作動磁気ギャップｇの深さが
所定の深さｄになるように円筒研摩してテープ対接面（
＋６１を形成することによりヘッドチップＯＤを得る。
１５１のテープ対接面側を作動磁気ギャップｇの深さが
所定の深さｄになるように円筒研摩してテープ対接面（
＋６１を形成することによりヘッドチップＯＤを得る。
以−りの工程において、金属層（３）の厚みは５００Ｘ
乃至２ｏｏｏＸが好ましく、また金属層（３）土の酸化
皮膜（４）の厚みは５００Ｘ乃至３０００Ｘが好ましい
。
乃至２ｏｏｏＸが好ましく、また金属層（３）土の酸化
皮膜（４）の厚みは５００Ｘ乃至３０００Ｘが好ましい
。
また酸化皮膜に代えてＩｌｌ ｉ等の金属をアルゴン−
窒素（Ａｒ＋Ｎ２）Ｗ囲気中でスノ（ツタリングにより
金属層（３）に付着させて窒化物皮膜を形成してもよい
。
窒素（Ａｒ＋Ｎ２）Ｗ囲気中でスノ（ツタリングにより
金属層（３）に付着させて窒化物皮膜を形成してもよい
。
かかるヘッドチップ即ち磁気ヘッド（１ηはガラスセラ
ミック基板（１）（１’１間に磁性薄膜＋２１ （２＋
が非遣為金属層（３）を介して積層されて構成されるが
、磁性薄膜＋２１ （２）に夫々付層される介遣・件金
属層Ｌ３） （３１間はその金属の酸化皮膜（４）或い
は窒化物皮膜等の化合物皮膜を介して接合されて磁性薄
膜＋２１ ＋２）の積層部は一体化され、テープ対接面
Ｕに）の研摩工程等において磁性薄膜ｉ２） ＋２１間
が剥離されるおそれがなく、また磁性薄膜（２）（２）
間は化合物皮膜が絶縁層となって良好な再生出力が得ら
れる。
ミック基板（１）（１’１間に磁性薄膜＋２１ （２＋
が非遣為金属層（３）を介して積層されて構成されるが
、磁性薄膜＋２１ （２）に夫々付層される介遣・件金
属層Ｌ３） （３１間はその金属の酸化皮膜（４）或い
は窒化物皮膜等の化合物皮膜を介して接合されて磁性薄
膜＋２１ ＋２）の積層部は一体化され、テープ対接面
Ｕに）の研摩工程等において磁性薄膜ｉ２） ＋２１間
が剥離されるおそれがなく、また磁性薄膜（２）（２）
間は化合物皮膜が絶縁層となって良好な再生出力が得ら
れる。
なお、上側においてに’ｅ −８ｉ −ｋＱ合金（セン
ダスト）の磁性薄膜（２）間をＡＥ金属層、 Ａｆｆｉ
酸化皮膜。
ダスト）の磁性薄膜（２）間をＡＥ金属層、 Ａｆｆｉ
酸化皮膜。
ＡＱ金金属一の組み合せ、またＣｒ金縞層、 Ｃｒ酸化
皮膜、Ｃｒ金属層の組み合せにより接合した場合も上述
のＴＩ＠属層 ＩＰｉ酸化皮膜、ＴＩ金属層の組み合せ
と同等の付着強度が得られた。
皮膜、Ｃｒ金属層の組み合せにより接合した場合も上述
のＴＩ＠属層 ＩＰｉ酸化皮膜、ＴＩ金属層の組み合せ
と同等の付着強度が得られた。
さらに磁性薄膜としてＦご−Ｃｏ−８ｔ−Ｂ合金（アモ
ルファス）により形成し、この磁性薄膜間の介在膜とし
て上述の３種類の金属、酸化皮膜、金属の組み合せによ
り形成した場合も同様のｔＪ着強度が得られた。
ルファス）により形成し、この磁性薄膜間の介在膜とし
て上述の３種類の金属、酸化皮膜、金属の組み合せによ
り形成した場合も同様のｔＪ着強度が得られた。
第１０図乃至第１４図は本発明の他の実施例であり、こ
れはアジマス付き磁気ヘッドに適用Ｉ−だ場合である。
れはアジマス付き磁気ヘッドに適用Ｉ−だ場合である。
本例においては第１０図に示す如く、前述の実施例と同
様に基板ｔｌ） （１１間に磁性薄膜（２）、金属層（
３）。
様に基板ｔｌ） （１１間に磁性薄膜（２）、金属層（
３）。
酸化皮膜（４）から成る磁性膜の多積層を設けたブロッ
ク＋Ｉｌｌを形成する。
ク＋Ｉｌｌを形成する。
次に第１１図に示す如くこのブロック（１１）を磁性ｊ
模層の面と垂直な線Ｘ１に対して所定角度α（所ｉ＋Ｗ
アジマス角）だけ傾斜する傾斜線Ｘ２を通るようにして
切断し、ヘッドコアブロック片（１２Ａ’）、（１２１
−ｉ）を形成する。この２つのヘッドコアブロック片（
］ ２Ａ′）及び（：＋２１イ）を前述の実施例の第５
図乃至第８図と同様に一方のへラドコアブロック片（１
２Ａ）のギャップ対接面に巻線溝（１３）を削設し、両
へラドコアブロック片（１２Ｘ）及び＜１２１−ｒ）を
そのギャップ対接面を鏡面加工し、第１２図に示す如く
ギャップスペーサ０滲を介して接合する。■−かる後、
このヘッドコアブロック片（１２Ａ′）、（１２１３′
）の接合体を各巻線溝０３）と平行に切断しヘッドチッ
プブロック（１つを形成する。次いで第１３図に示すよ
うにヘッドチップブロック０ωのテープ対接面側を円筒
研摩してテープ対接面（１６）を形成することによりヘ
ッドチップ＋１７）を得る。
模層の面と垂直な線Ｘ１に対して所定角度α（所ｉ＋Ｗ
アジマス角）だけ傾斜する傾斜線Ｘ２を通るようにして
切断し、ヘッドコアブロック片（１２Ａ’）、（１２１
−ｉ）を形成する。この２つのヘッドコアブロック片（
］ ２Ａ′）及び（：＋２１イ）を前述の実施例の第５
図乃至第８図と同様に一方のへラドコアブロック片（１
２Ａ）のギャップ対接面に巻線溝（１３）を削設し、両
へラドコアブロック片（１２Ｘ）及び＜１２１−ｒ）を
そのギャップ対接面を鏡面加工し、第１２図に示す如く
ギャップスペーサ０滲を介して接合する。■−かる後、
このヘッドコアブロック片（１２Ａ′）、（１２１３′
）の接合体を各巻線溝０３）と平行に切断しヘッドチッ
プブロック（１つを形成する。次いで第１３図に示すよ
うにヘッドチップブロック０ωのテープ対接面側を円筒
研摩してテープ対接面（１６）を形成することによりヘ
ッドチップ＋１７）を得る。
かくすることにより、第１４図に示すように作動磁気ギ
ャップｇ′が母性膜層の面と垂直な線ＸＩに対して角度
αだけ傾斜した所蛸アジマスイ」きヘッドチップ即ち磁
気ヘッドａ６が得られる。
ャップｇ′が母性膜層の面と垂直な線ＸＩに対して角度
αだけ傾斜した所蛸アジマスイ」きヘッドチップ即ち磁
気ヘッドａ６が得られる。
以上の各実施例の工程中、Ｆｅ−８ｉ−Ａｆｆｉ合金の
磁性薄膜のスパッタリングによる形成において、その膜
厚を２μｍ、４μｍ、６μｍに夫々形成し、これら磁性
薄膜を４７０Ｃで熱処理して保持力ｌ−１ｃを測定した
結果は次の如くなった。
磁性薄膜のスパッタリングによる形成において、その膜
厚を２μｍ、４μｍ、６μｍに夫々形成し、これら磁性
薄膜を４７０Ｃで熱処理して保持力ｌ−１ｃを測定した
結果は次の如くなった。
なお、磁性薄膜の厚さ８μｍ１ｌ（１μＩｎについても
測定した結果、膜厚に対するｌ−１ｃの関係は第１５図
の如くなった。
測定した結果、膜厚に対するｌ−１ｃの関係は第１５図
の如くなった。
またこれ等の膜厚のものを厚さ２ｏｏｏＸの絶縁膜を介
して積層したもの例えば膜厚２μｍｘ７層。
して積層したもの例えば膜厚２μｍｘ７層。
４μｍＸＪ層、６μｍＸ３層についても上述の１層のも
のとほとんど同じ結果が得られた。
のとほとんど同じ結果が得られた。
次にこれらの３種類の積層膜の初透率−周波数の関係は
第１６図に示す如くなった。
第１６図に示す如くなった。
即ち、ｌ ＭＨｚ以下の低周波ではＨｃに逆比例し、膜
厚６μｍ、４μｍ、２μＩｎの順に初透磁率μ′が犬き
く、ところが周波数が高くなるとその順位は逆転して例
えば３９Ｍ）ｌｚになると膜厚２μｍ、４ｐｒｎ、６μ
ｍの順に、膜厚大になるに従って初透磁率μが小さくな
る。
厚６μｍ、４μｍ、２μＩｎの順に初透磁率μ′が犬き
く、ところが周波数が高くなるとその順位は逆転して例
えば３９Ｍ）ｌｚになると膜厚２μｍ、４ｐｒｎ、６μ
ｍの順に、膜厚大になるに従って初透磁率μが小さくな
る。
さらに、上記製法で１・”ｅ−８ｉ−ＡＱ金合金磁性薄
膜の膜厚を変えて作成した磁気ヘッドとフェライト磁気
ヘッドとを保持力１−ｉｃが６０００ｅの磁気テープを
使用し、相対速度５旧Ｖδｅｃで走行させた際の周波数
特性を対比すると下表の如くなった。
膜の膜厚を変えて作成した磁気ヘッドとフェライト磁気
ヘッドとを保持力１−ｉｃが６０００ｅの磁気テープを
使用し、相対速度５旧Ｖδｅｃで走行させた際の周波数
特性を対比すると下表の如くなった。
このように３０ＭＨｚでは磁性薄膜厚２μｍ月、４μＩ
ｎのものはフェライト磁気ヘッドと同等以上の再生出力
が得られた。
ｎのものはフェライト磁気ヘッドと同等以上の再生出力
が得られた。
また磁性薄膜をｌ１１ｅ−Ｃｏ−８ｉ−Ｂ合金（アモル
ファス）により形成し、この膜厚を変えて作成した磁気
ヘッドとフェライトａ気ヘッドとの周波数特性を比較す
ると下表の如くなった。
ファス）により形成し、この膜厚を変えて作成した磁気
ヘッドとフェライトａ気ヘッドとの周波数特性を比較す
ると下表の如くなった。
このようにＦｅ −ｋＱ −Ｓ １合金膜の場合とほぼ
同じ結果となり、磁性薄膜２μｍ、４μｍのものについ
てはフェライト磁気ヘッドと同等以上となった。
同じ結果となり、磁性薄膜２μｍ、４μｍのものについ
てはフェライト磁気ヘッドと同等以上となった。
以上のように本発明によれは磁性膜の積層型の磁気ヘッ
ドを敬意的に且つ歩留り良く高信頼性をもって得られる
ものであり、特に磁性膜を多層に積層して構成する磁気
ヘッドにおいて加工性が優れその実用的効果が犬である
。
ドを敬意的に且つ歩留り良く高信頼性をもって得られる
ものであり、特に磁性膜を多層に積層して構成する磁気
ヘッドにおいて加工性が優れその実用的効果が犬である
。
第１図乃至第９図は本発明の一実施例を示す工程図、第
１０図乃至第１４図は本発明の他実施例を示す工程図、
第１５図は本発明の説明に供する磁性膜の膜厚−保持力
の特性図、第１６図は同、磁性膜の初透磁率−周波数の
特性図である。 は化合物被膜、（＋３１は巻線溝、（１６１はブープ対
接面である。
１０図乃至第１４図は本発明の他実施例を示す工程図、
第１５図は本発明の説明に供する磁性膜の膜厚−保持力
の特性図、第１６図は同、磁性膜の初透磁率−周波数の
特性図である。 は化合物被膜、（＋３１は巻線溝、（１６１はブープ対
接面である。
Claims (1)
- 軟質金属磁性薄膜を積層してコアを形成して成る磁気ヘ
ッドにおいて、上記軟質磁性薄膜間に、該磁性薄膜側に
Ｔｉ 、 Ｃｒ 、ＡＱより選ばれた金属層を設け、該
金属層間に該金属の化合物層を設けたことを特徴とする
磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14123181A JPS5845617A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14123181A JPS5845617A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | 磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5845617A true JPS5845617A (ja) | 1983-03-16 |
Family
ID=15287152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14123181A Pending JPS5845617A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5845617A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5996519A (ja) * | 1982-11-24 | 1984-06-04 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS6050610A (ja) * | 1983-08-29 | 1985-03-20 | Sony Corp | 薄膜型磁気ヘツド |
| EP0191447A2 (en) * | 1985-02-15 | 1986-08-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic head |
| JPS61290703A (ja) * | 1985-06-19 | 1986-12-20 | Sony Corp | 軟磁性薄膜 |
| JPS6255911A (ja) * | 1985-09-05 | 1987-03-11 | Sony Corp | 軟磁性薄膜 |
| JPS6275918A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-07 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS6380509A (ja) * | 1986-09-24 | 1988-04-11 | Hitachi Ltd | 磁性超格子膜およびそれを用いた磁気ヘツド |
| JPH05217114A (ja) * | 1992-09-28 | 1993-08-27 | Sony Corp | 薄膜型磁気ヘッド |
| US6628478B2 (en) | 2001-04-17 | 2003-09-30 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Write head with all metallic laminated pole pieces with thickness differential |
-
1981
- 1981-09-08 JP JP14123181A patent/JPS5845617A/ja active Pending
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