JPS6255911A - 軟磁性薄膜 - Google Patents
軟磁性薄膜Info
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- JPS6255911A JPS6255911A JP19671185A JP19671185A JPS6255911A JP S6255911 A JPS6255911 A JP S6255911A JP 19671185 A JP19671185 A JP 19671185A JP 19671185 A JP19671185 A JP 19671185A JP S6255911 A JPS6255911 A JP S6255911A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気ヘッドのコア材等として使用される軟磁
性薄膜に関するものであり、特にpe。
性薄膜に関するものであり、特にpe。
Ajl!、Siを主成分とする軟磁性薄膜の磁気特性の
改良に関するものである。
改良に関するものである。
C発明の概要〕
本発明は、Fe−Al!−Si系合金材料からなる軟磁
性薄膜において、Ti薄膜あるいは■薄膜を中間層とし
て用い、 pe−A6−5i系磁性薄膜とTi薄膜とを、あるいは
Fe−A7!−Si系磁性薄膜とViW膜とを交互に積
層することにより 単層膜では実現されない低保磁力化、高透磁率化を図ろ
うとするものである。
性薄膜において、Ti薄膜あるいは■薄膜を中間層とし
て用い、 pe−A6−5i系磁性薄膜とTi薄膜とを、あるいは
Fe−A7!−Si系磁性薄膜とViW膜とを交互に積
層することにより 単層膜では実現されない低保磁力化、高透磁率化を図ろ
うとするものである。
例えばVTR(ビデオテープレコーダ)等の磁気記録再
生装置においては、記録信号の高密度化や高周波数化等
が進められており、この高密度記録化に対応して、磁気
記録媒体として磁性粉にFe、Co、Ni等の強磁性金
属の粉末を用いた、いわゆるメクルテープや、強磁性金
属材料を蒸着法等の手法によりベースフィルム上に被着
した、いわゆる蒸着テープ等が実用化されつつある。
生装置においては、記録信号の高密度化や高周波数化等
が進められており、この高密度記録化に対応して、磁気
記録媒体として磁性粉にFe、Co、Ni等の強磁性金
属の粉末を用いた、いわゆるメクルテープや、強磁性金
属材料を蒸着法等の手法によりベースフィルム上に被着
した、いわゆる蒸着テープ等が実用化されつつある。
この種の磁気記録媒体は高い抗磁力を有するので、記録
再生に用いる磁気ヘッドのヘッド材料には、高飽和磁束
密度を有することが要求される。
再生に用いる磁気ヘッドのヘッド材料には、高飽和磁束
密度を有することが要求される。
例えば、従来ヘッド材料として多用されているフェライ
ト材では、飽和磁束密度が低く、この高抗磁力化に対処
することができない。
ト材では、飽和磁束密度が低く、この高抗磁力化に対処
することができない。
そこで従来、これら高抗磁力磁気記録媒体に対応するた
めに、セラミックス等の非磁性の基板やフェライト等の
磁性基板上に高飽和磁束密度を有する軟磁性薄膜を被着
し、これら軟磁性薄膜同士を突き合わせて磁気ギャップ
を構成するようにした複合型の磁気ヘッドや、軟磁性薄
膜や導体薄膜を絶縁膜を介して多層積層構造とした薄膜
磁気ヘッド等が提案されている。
めに、セラミックス等の非磁性の基板やフェライト等の
磁性基板上に高飽和磁束密度を有する軟磁性薄膜を被着
し、これら軟磁性薄膜同士を突き合わせて磁気ギャップ
を構成するようにした複合型の磁気ヘッドや、軟磁性薄
膜や導体薄膜を絶縁膜を介して多層積層構造とした薄膜
磁気ヘッド等が提案されている。
上記複合型の磁気ヘッドや薄膜磁気ヘッドに用いられる
軟磁性薄膜としては、熱的に安定で、かつ高飽和磁束密
度を有するFe−Al−3i系磁性薄膜が知られている
。
軟磁性薄膜としては、熱的に安定で、かつ高飽和磁束密
度を有するFe−Al−3i系磁性薄膜が知られている
。
ところで、上記Fe−Al−3t系磁性薄膜は結晶性の
金属磁性膜であることから、その磁気特性は、柱状構造
の成長と、いわゆるスキンデプス効果により、膜厚に強
く支配される。例えば、スパッタリング法により形成さ
れたF・e−A#−3i系磁性薄膜の場合、その保磁力
はバルクのものに較べて一層近く大きい。
金属磁性膜であることから、その磁気特性は、柱状構造
の成長と、いわゆるスキンデプス効果により、膜厚に強
く支配される。例えば、スパッタリング法により形成さ
れたF・e−A#−3i系磁性薄膜の場合、その保磁力
はバルクのものに較べて一層近く大きい。
このように保磁力が大きいと、たとえばメタルテープ等
の磁気記録媒体に記録するために大きな磁界をかけたと
きに、コア材であるFe−Al−3i系磁性薄膜が帯磁
してしまう虞れがある。したがって、磁気ヘッドの特性
向上のためには、この保磁力を含め、さらに軟磁性薄膜
の磁気特性の改善を図る必要がある。
の磁気記録媒体に記録するために大きな磁界をかけたと
きに、コア材であるFe−Al−3i系磁性薄膜が帯磁
してしまう虞れがある。したがって、磁気ヘッドの特性
向上のためには、この保磁力を含め、さらに軟磁性薄膜
の磁気特性の改善を図る必要がある。
上記軟磁性薄膜の保磁力を改善するための方法としては
、従来、磁性体層と非磁性体層とを積層する方法や、磁
性膜層とこの磁性膜層とは異なる磁性膜層とを積層する
方法等がある。例えば特開昭59−9905号公報には
、Feを主成分とする磁性体膜とCo、Niを主体とす
る中間磁性体膜とを積層する方法が開示されている。
、従来、磁性体層と非磁性体層とを積層する方法や、磁
性膜層とこの磁性膜層とは異なる磁性膜層とを積層する
方法等がある。例えば特開昭59−9905号公報には
、Feを主成分とする磁性体膜とCo、Niを主体とす
る中間磁性体膜とを積層する方法が開示されている。
しかしながら、上述の従来の軟磁性膜でも、保磁力は0
.3工ルステツド程度まで抑制するのが限度で、また、
Co、Niを主体とする中間磁性体膜を積層した場合に
は、耐蝕性の改善が問題となる。この耐蝕性の改善には
、各種添加物を添加することが考えられるが、添加物を
加えた場合には飽和磁束密度等の磁気特性を損なう傾向
にある。
.3工ルステツド程度まで抑制するのが限度で、また、
Co、Niを主体とする中間磁性体膜を積層した場合に
は、耐蝕性の改善が問題となる。この耐蝕性の改善には
、各種添加物を添加することが考えられるが、添加物を
加えた場合には飽和磁束密度等の磁気特性を損なう傾向
にある。
上述の従来技術の記載からも明らかなように、高飽和磁
束密度を有する軟磁性薄膜においては、保磁力、透磁率
、耐蝕性等の一層の改善が要望されている。
束密度を有する軟磁性薄膜においては、保磁力、透磁率
、耐蝕性等の一層の改善が要望されている。
かかる状況に鑑み、本発明は、保磁力が極めて小さく、
i3磁率、耐蝕性に優れた軟磁性薄膜を提(共すること
を目的とする。
i3磁率、耐蝕性に優れた軟磁性薄膜を提(共すること
を目的とする。
本発明者等は、上述の目的を達成せんものと鋭意研究の
結果、主体となる磁性膜にFe−A1−3i系磁性薄膜
を用い、中間膜としてTiあるいはVを主成分とするm
1lIを用いることが保磁力の抑f、IL耐蝕性の改善
等に有効であることを見出し本発明を完成するに至った
ものであって、Fe−Al−3i系磁性薄膜とTi薄膜
又はV薄膜とを交互に積層したことを特徴とするもので
ある。
結果、主体となる磁性膜にFe−A1−3i系磁性薄膜
を用い、中間膜としてTiあるいはVを主成分とするm
1lIを用いることが保磁力の抑f、IL耐蝕性の改善
等に有効であることを見出し本発明を完成するに至った
ものであって、Fe−Al−3i系磁性薄膜とTi薄膜
又はV薄膜とを交互に積層したことを特徴とするもので
ある。
本発明において、主体となるFe−A#−3i系磁性薄
膜に含まれるFe、A6.Stの組成範囲としては、A
ffの含有量が2〜10重■%、Slの含有量が4〜1
5重量%、残部がFeであることが好ましい。すなわち
、上記Fe−Al−3i系磁性薄膜を F e、 Alb S 1c (a、b、cは各成分の重量比を表す。)としたときに
、その組成範囲が 70≦a≦95 2≦b≦10 4≦C≦15 a+b+c=100 であることが望ましい。上記A1やSiが少なすぎても
、また逆に多すぎても磁気特性が劣化してしまう。
膜に含まれるFe、A6.Stの組成範囲としては、A
ffの含有量が2〜10重■%、Slの含有量が4〜1
5重量%、残部がFeであることが好ましい。すなわち
、上記Fe−Al−3i系磁性薄膜を F e、 Alb S 1c (a、b、cは各成分の重量比を表す。)としたときに
、その組成範囲が 70≦a≦95 2≦b≦10 4≦C≦15 a+b+c=100 であることが望ましい。上記A1やSiが少なすぎても
、また逆に多すぎても磁気特性が劣化してしまう。
また、上記Feの一部をCOあるいはNiのうち少なく
とも一種と置換することも可能である。
とも一種と置換することも可能である。
上記Feの一部をCoと置換することにより、飽和磁束
密度を上げることができる。特に、Feの40重景%を
COで置換したもので最大の飽和磁束密度が得られる。
密度を上げることができる。特に、Feの40重景%を
COで置換したもので最大の飽和磁束密度が得られる。
このcoの置換量としては、Feに対して0〜60重量
%の範囲内とすることが好ましい。
%の範囲内とすることが好ましい。
同様に、上記Fdの一部をNiと置換することにより、
飽和磁束密度を減少することなく透磁率を高い状態に保
つことができる。このNiの置換量としては、Feに対
して0〜40重量%の範囲内であることが好ましい。
飽和磁束密度を減少することなく透磁率を高い状態に保
つことができる。このNiの置換量としては、Feに対
して0〜40重量%の範囲内であることが好ましい。
さらに、上述のFe−Aβ−3i系磁性薄膜には、耐蝕
性や耐摩耗性を改善するために各種元素を添加剤として
加えてもよい。上記添加剤として使用される元素として
は、Sc、Y、La、Ce。
性や耐摩耗性を改善するために各種元素を添加剤として
加えてもよい。上記添加剤として使用される元素として
は、Sc、Y、La、Ce。
Nd、(、d等のランタン系列元素を含むIIIa族元
素、Ti、Zr、Hf等のIVa族元素、V、Nb、T
a等のVa族元素、Cr = M O+ W等のVla
族元素、Mn、Tc、Re等の■a族元素、Cu。
素、Ti、Zr、Hf等のIVa族元素、V、Nb、T
a等のVa族元素、Cr = M O+ W等のVla
族元素、Mn、Tc、Re等の■a族元素、Cu。
Ag、Au等のIb族元素、Ga、In、Ge。
Sn、Sb等が挙げられる。これら添加剤の1種または
2種以上を組み合わせて、0〜10重量%の範囲で添加
する。すなわち、上記添加剤をTとし、Fe−Aff−
5i系磁性薄膜を F e、 Affb S i c Td(a、b
、c、dは各成分の重量比を表す。)としたときに、そ
の組成範囲が 65≦a≦95 2≦b≦10 4≦C≦15 0≦d≦】O a+ l、 + c、 + d = 100を満足する
ことが望ましい。上記添加剤の添加量が10重量%を越
えると磁気特性を劣化してしまう虞れがある。
2種以上を組み合わせて、0〜10重量%の範囲で添加
する。すなわち、上記添加剤をTとし、Fe−Aff−
5i系磁性薄膜を F e、 Affb S i c Td(a、b
、c、dは各成分の重量比を表す。)としたときに、そ
の組成範囲が 65≦a≦95 2≦b≦10 4≦C≦15 0≦d≦】O a+ l、 + c、 + d = 100を満足する
ことが望ましい。上記添加剤の添加量が10重量%を越
えると磁気特性を劣化してしまう虞れがある。
あるいは、上記添加剤としてRu、Rh、Pd。
Os、I(Pt等の白金族元素を1種以上添加してもよ
い。この場合、上記白金族元素の添加量としては40重
量%以下であることが好ましい。
い。この場合、上記白金族元素の添加量としては40重
量%以下であることが好ましい。
この添加量が40重量%を越えると磁気特性を劣化して
しまう虞れがある。
しまう虞れがある。
さらに、前述のma族元素、IVa族元素等の添加剤と
、上記白金族元素の両者を添加することも可能である。
、上記白金族元素の両者を添加することも可能である。
この場合の組成範囲としては、上記ma族元素、Na族
元素等の添加剤をT、上記白金族元素をPとし、Fe−
Affi−3i系磁性R膜を F ea Alb S lc Td P@(a
、b、c、d、eは各成分の重量比を表す。)としたと
きに、その組成範囲が 55≦a≦95 2≦b≦10 4≦C≦15 0≦d≦10 0≦e≦40 a+b+c+d+e=100 を満足することが好ましく、さらに上記白金族元素とし
て第5周期の白金族元素、すなわちRu。
元素等の添加剤をT、上記白金族元素をPとし、Fe−
Affi−3i系磁性R膜を F ea Alb S lc Td P@(a
、b、c、d、eは各成分の重量比を表す。)としたと
きに、その組成範囲が 55≦a≦95 2≦b≦10 4≦C≦15 0≦d≦10 0≦e≦40 a+b+c+d+e=100 を満足することが好ましく、さらに上記白金族元素とし
て第5周期の白金族元素、すなわちRu。
Rh、Pdを使用したときにはd+e≦20′、上記白
金族元素として第6周期の白金族元素、すなわちOs、
Ir、Ptを使用したときにはd+e≦40であること
が望ましい。上述の範囲を越える添加剤を添加すると、
磁気特性が劣化する虞れがある。
金族元素として第6周期の白金族元素、すなわちOs、
Ir、Ptを使用したときにはd+e≦40であること
が望ましい。上述の範囲を越える添加剤を添加すると、
磁気特性が劣化する虞れがある。
一方、中間膜として積層される薄膜の材質としては、T
1もしくはTiを主成分とする合金、■もしくは■を主
成分とする合金が用いられる。
1もしくはTiを主成分とする合金、■もしくは■を主
成分とする合金が用いられる。
上記Fe−An−5i系磁性薄膜とT i ilLある
いはv薄膜とは、スパ/タリング、真空整着。
いはv薄膜とは、スパ/タリング、真空整着。
イオンブレーティング等の真空薄膜形成技術により交互
に積層され、本発明の軟磁性薄膜を構成するが、各Fe
−Al−5i系磁性薄膜の膜j7としては0.2〜5μ
mの範囲、中間膜であるT1薄膜またはV薄膜の膜厚と
しては10〜200人の範囲とすることが好ましい。
に積層され、本発明の軟磁性薄膜を構成するが、各Fe
−Al−5i系磁性薄膜の膜j7としては0.2〜5μ
mの範囲、中間膜であるT1薄膜またはV薄膜の膜厚と
しては10〜200人の範囲とすることが好ましい。
上記Ti薄膜またはV薄膜の膜厚が1(lλ未満である
と、中間膜としての効果が不足し、単層である場合と同
程度の磁気特性を示す。逆に、上記Ti薄膜またはVa
膜の膜厚が200人を越えると、中間膜が厚すぎて各F
e−Al−3i系磁性薄膜が単独での磁気的特性を示し
、積層化の効果が薄れる。
と、中間膜としての効果が不足し、単層である場合と同
程度の磁気特性を示す。逆に、上記Ti薄膜またはVa
膜の膜厚が200人を越えると、中間膜が厚すぎて各F
e−Al−3i系磁性薄膜が単独での磁気的特性を示し
、積層化の効果が薄れる。
上述のように一1Fe−A#−3i系磁性薄膜とTi薄
膜、あるいはFe−Aβ−3i系磁性薄膜と■薄膜とを
交互に積層することにより、各Fe−Al−5i系磁性
薄膜が中間膜であるTi薄膜。
膜、あるいはFe−Aβ−3i系磁性薄膜と■薄膜とを
交互に積層することにより、各Fe−Al−5i系磁性
薄膜が中間膜であるTi薄膜。
vi膜を介して磁気的に結合され、磁気特性の向上が図
られる。
られる。
〔実施例]
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本
発明がこれら実施例に限定されるものではない。
発明がこれら実施例に限定されるものではない。
実施例1゜
F e++zA x、 S i 11合金(組成ハ重i
t比)及ヒTiをターゲットとして用い、2元スパッタ
装置により下記のスパッタ条件にしたがってスパッタリ
ングを行い、第1図に示すように、円板状のガラスセラ
ミック(CaTiOs)基板(1)上にFe−A12−
5i系磁性薄膜(2)およびTi薄膜(3)を積層した
後、550°Cで1時間熱処理して軟磁性薄膜とした。
t比)及ヒTiをターゲットとして用い、2元スパッタ
装置により下記のスパッタ条件にしたがってスパッタリ
ングを行い、第1図に示すように、円板状のガラスセラ
ミック(CaTiOs)基板(1)上にFe−A12−
5i系磁性薄膜(2)およびTi薄膜(3)を積層した
後、550°Cで1時間熱処理して軟磁性薄膜とした。
なお、各Fe−Af−3i系磁性薄膜(2)の膜厚は2
000人×5層、中間層となるT1薄膜(3)の膜厚は
100人×6層とした。
000人×5層、中間層となるT1薄膜(3)の膜厚は
100人×6層とした。
スパッタ条件
RFパワー 100W
ターゲツト・基板間距離 30m
基板温度 〜20℃(水冷)到達真空度
3 X 10−”Torrガス圧力
4 X 10 ”’Torr上記スパッタ条件に従
ってスパッタリングを行い、得られた軟磁性薄膜につい
て、磁化曲線(M−H曲線)を測定した。結果を第2図
に示す。
3 X 10−”Torrガス圧力
4 X 10 ”’Torr上記スパッタ条件に従
ってスパッタリングを行い、得られた軟磁性薄膜につい
て、磁化曲線(M−H曲線)を測定した。結果を第2図
に示す。
この第2図より、本実施例の軟磁性薄膜が良好な軟磁気
特性を示すことがわかる。
特性を示すことがわかる。
また、上記軟磁性薄膜の保磁力を求めたところ、0、3
5 (Oe)と極めて小さな値を示した。
5 (Oe)と極めて小さな値を示した。
上述の方法で得られた軟磁性薄膜について、塩水噴霧を
施し、耐蝕試験を行ったところ、耐蝕性に向上がみられ
た。
施し、耐蝕試験を行ったところ、耐蝕性に向上がみられ
た。
実施例2゜
先の実施例1において、■(バナジウム)薄膜を中間層
として積層し、他は実施例1と同様な方法により軟磁性
薄膜を作製した。
として積層し、他は実施例1と同様な方法により軟磁性
薄膜を作製した。
得られた軟磁性薄膜の磁化曲線(M−H曲線)を第3図
に示す。
に示す。
この結果、中間層をV薄膜とした場合にも良好な軟磁気
特性を示し、その保磁力は0.5 (Oe)と小さな値
を示すことがわかった。
特性を示し、その保磁力は0.5 (Oe)と小さな値
を示すことがわかった。
実施例3゜
先の実施例1において、各Fe−A1−3i系磁性薄膜
の膜厚を4000人とし、他は実施例1と同様の方法に
より軟磁性薄膜を作製した。
の膜厚を4000人とし、他は実施例1と同様の方法に
より軟磁性薄膜を作製した。
得られた軟磁性薄膜の保磁力は0.15 (Oe)と極
めて小さなものであった。 ゛また、IMll
zにおける透磁率を測定したところ、2000〜250
0と高い値を示し、また透磁率の値は面内等方的である
ことがわかった。
めて小さなものであった。 ゛また、IMll
zにおける透磁率を測定したところ、2000〜250
0と高い値を示し、また透磁率の値は面内等方的である
ことがわかった。
実施例4゜
先の実施例2において、各Fe−Al−3i系磁性薄膜
の膜厚を4000人とし、他は実施例2と同様の方法に
より軟磁性薄膜を作製した。
の膜厚を4000人とし、他は実施例2と同様の方法に
より軟磁性薄膜を作製した。
得られた軟磁性薄膜の保磁力は0.18 (Oe)と極
めて小さなものであった。
めて小さなものであった。
また、1Ml1zにおける透磁率を測定したところ、2
000〜2500と高い値を示し、また透磁率の値は面
内等方的であることがわかった。
000〜2500と高い値を示し、また透磁率の値は面
内等方的であることがわかった。
実施例5゜
先の実施例1のT1薄膜の膜厚を400人とし、他は実
施例1と同様の方法により軟磁性薄膜を作製した。
施例1と同様の方法により軟磁性薄膜を作製した。
得られた軟磁性薄膜の磁化面m(M−H曲線)は第4図
に示すようなものであり、保磁力はおよそ0.80 (
Oe)と若干高い値を示した。
に示すようなものであり、保磁力はおよそ0.80 (
Oe)と若干高い値を示した。
これは、Ti薄膜が厚くなったことにより、各Fe−A
1−3i系磁性薄膜間の磁気的な結合が弱まったことに
よると考えられる。
1−3i系磁性薄膜間の磁気的な結合が弱まったことに
よると考えられる。
比較例1゜
先の実施例1と同様のスパッタ条件に従い、Fe8□A
17Siz合金(組成は重量比)をターゲットとして用
いて、Fe−Al−3i系磁性薄膜をガラスセラミック
基板上に単層膜として形成した後、550℃で1時間熱
処理した。
17Siz合金(組成は重量比)をターゲットとして用
いて、Fe−Al−3i系磁性薄膜をガラスセラミック
基板上に単層膜として形成した後、550℃で1時間熱
処理した。
得られた軟磁性薄膜の保磁力は、膜厚1μmのとき1.
1 (Oe)、膜厚2μmのとき0.5 (Oe)であ
った。
1 (Oe)、膜厚2μmのとき0.5 (Oe)であ
った。
また、IMll’zにおける透磁率は、1000〜20
00で、面内異方性があるためバラツキが大きくなって
いた。
00で、面内異方性があるためバラツキが大きくなって
いた。
比較例2゜
先の実施例1において、SiO□薄膜を中間層として積
層し、他は実施例1と同様な方法により軟磁性薄膜を作
製した。
層し、他は実施例1と同様な方法により軟磁性薄膜を作
製した。
得られた軟磁性FiJ膜の磁化曲線(M−8曲線)を第
5図に示す。
5図に示す。
この結果、SiO□薄膜を中間層とした場合には、保磁
力はおよそ8 (Oe)と高い値を示すことがわかった
。
力はおよそ8 (Oe)と高い値を示すことがわかった
。
比較例3゜
先の実施例1において、Nb3膜を中間層として積層し
、他は実施例1と同様な方法により軟磁性薄膜を作製し
た。
、他は実施例1と同様な方法により軟磁性薄膜を作製し
た。
得られた軟磁性薄膜の磁化曲線(M−8曲線)を第6図
に示す。
に示す。
この結果、Nb薄膜を中間層とした場合には、保磁力は
およそ15 (Oe)と高い値を示すことがわかった。
およそ15 (Oe)と高い値を示すことがわかった。
以上の説明からも明らかなように、本発明の軟磁性薄膜
はFC−A+!−5i系磁性Fitl膜とTi薄膜ある
いはFe−Al−5i系磁性薄膜とV薄膜の積層構造と
しているので、保磁力が極めて小さなものとなるととも
に、高透磁率化が達成される等、良好な軟磁性特性が得
られる。
はFC−A+!−5i系磁性Fitl膜とTi薄膜ある
いはFe−Al−5i系磁性薄膜とV薄膜の積層構造と
しているので、保磁力が極めて小さなものとなるととも
に、高透磁率化が達成される等、良好な軟磁性特性が得
られる。
また、これらTi薄膜やVTil膜をを中間層として介
在させることにより、添加剤等を加えることなく耐蝕性
を向上することができる。
在させることにより、添加剤等を加えることなく耐蝕性
を向上することができる。
さらに、真空薄膜形成技術で薄膜を形成した場合には、
葎発i(ターゲット)からの入射方向に対して直交する
方向に容易軸ができ、磁気特性に異方性を示すのが一般
的であるが、Ti薄膜あるいはVFlf膜を中間膜とす
ることにより、この異方性を減少し、均質で特性のバラ
ツキの少ない軟磁性薄膜とすることができる。
葎発i(ターゲット)からの入射方向に対して直交する
方向に容易軸ができ、磁気特性に異方性を示すのが一般
的であるが、Ti薄膜あるいはVFlf膜を中間膜とす
ることにより、この異方性を減少し、均質で特性のバラ
ツキの少ない軟磁性薄膜とすることができる。
したがって、高記録密度化に対応可能で、帯磁の少ない
磁気ヘッド材料の提供が可能となる。
磁気ヘッド材料の提供が可能となる。
第1図は本発明にかかる軟磁性薄膜の構成の一例を示す
要部拡大断面図である。 第2図はTi薄膜(膜厚200人)を中間層とした軟磁
性薄膜のM−8曲線を示す特性図、第3図はV薄膜を中
間層とした軟磁性薄膜のM −8曲線を示す特性図であ
る。第4図はTi薄nり(V厚400人)を中間層とし
た軟磁性薄膜のM −8曲線を示す特性図である。 第5図ばS i O2薄膜を中間層とした軟磁性薄膜の
M−8曲線を示す特性図であり、第6(2]はNb薄膜
を中間層とした軟磁性薄膜のM −8曲線を示す特性図
である。 )・ ・基板 2・□ ・Fe Aff−3i系磁性a膜3 ・ ・
・ Cr薄1模
要部拡大断面図である。 第2図はTi薄膜(膜厚200人)を中間層とした軟磁
性薄膜のM−8曲線を示す特性図、第3図はV薄膜を中
間層とした軟磁性薄膜のM −8曲線を示す特性図であ
る。第4図はTi薄nり(V厚400人)を中間層とし
た軟磁性薄膜のM −8曲線を示す特性図である。 第5図ばS i O2薄膜を中間層とした軟磁性薄膜の
M−8曲線を示す特性図であり、第6(2]はNb薄膜
を中間層とした軟磁性薄膜のM −8曲線を示す特性図
である。 )・ ・基板 2・□ ・Fe Aff−3i系磁性a膜3 ・ ・
・ Cr薄1模
Claims (1)
- Fe−Al−Si系磁性薄膜とTi薄膜又はV薄膜と
が交互に積層されてなる軟磁性薄膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19671185A JPS6255911A (ja) | 1985-09-05 | 1985-09-05 | 軟磁性薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19671185A JPS6255911A (ja) | 1985-09-05 | 1985-09-05 | 軟磁性薄膜 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6255911A true JPS6255911A (ja) | 1987-03-11 |
Family
ID=16362317
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19671185A Pending JPS6255911A (ja) | 1985-09-05 | 1985-09-05 | 軟磁性薄膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6255911A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0295475A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-06 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 多岐配管の管内面ライニング方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49127195A (ja) * | 1973-04-10 | 1974-12-05 | ||
JPS5271696A (en) * | 1975-04-16 | 1977-06-15 | Ibm | Method of forming iron oxide film containing ferrite film |
JPS5567928A (en) * | 1978-11-13 | 1980-05-22 | Fujitsu Ltd | Forming method for closely contacted layer of thin-film magnetic head |
JPS5845617A (ja) * | 1981-09-08 | 1983-03-16 | Sony Corp | 磁気ヘツド |
JPS61179509A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-12 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁性材料 |
-
1985
- 1985-09-05 JP JP19671185A patent/JPS6255911A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS61179509A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-12 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁性材料 |
Cited By (1)
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