JPS5833697B2 - フオトレジストの両面塗布装置 - Google Patents
フオトレジストの両面塗布装置Info
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- JPS5833697B2 JPS5833697B2 JP54163926A JP16392679A JPS5833697B2 JP S5833697 B2 JPS5833697 B2 JP S5833697B2 JP 54163926 A JP54163926 A JP 54163926A JP 16392679 A JP16392679 A JP 16392679A JP S5833697 B2 JPS5833697 B2 JP S5833697B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体ウェファに対するフォトレジストの両
面塗布装置に係り、特に均質なフォトレジスト層を得る
ことのできる両面塗布装置に関するものである。
面塗布装置に係り、特に均質なフォトレジスト層を得る
ことのできる両面塗布装置に関するものである。
集積回路等の製造に当り、いわゆるフォトエツチングの
技術が駆使されているが、その一工程として半導体ウェ
ファの表面にフォトレジストを塗布乾燥する工程がある
○フォトエツチングの各工程はすべて集積回路における
バタ・−ンの解像度に影響するので、良質の集積回路を
得るためにはフォトレジストの塗布並びに乾燥がバラツ
キなくしかも各部均等に行なわれる必要がある。
技術が駆使されているが、その一工程として半導体ウェ
ファの表面にフォトレジストを塗布乾燥する工程がある
○フォトエツチングの各工程はすべて集積回路における
バタ・−ンの解像度に影響するので、良質の集積回路を
得るためにはフォトレジストの塗布並びに乾燥がバラツ
キなくしかも各部均等に行なわれる必要がある。
半導体ウェファの材料であるシリコンを製造するには大
量の電力を必要とし、したがって高価なものであるから
、最近ではこれを有効に利用するためその裏面にもフォ
トレジストを塗って両面に回路を形成することが行なわ
れている。
量の電力を必要とし、したがって高価なものであるから
、最近ではこれを有効に利用するためその裏面にもフォ
トレジストを塗って両面に回路を形成することが行なわ
れている。
従来、半導体ウェファの両面にフォトレジストを塗る具
体的手段としては、カセット中に複数枚のウェファを収
容してフォトレジスタ塗布装置の一端にセットし、一枚
ずつ順次ウェファを供給する。
体的手段としては、カセット中に複数枚のウェファを収
容してフォトレジスタ塗布装置の一端にセットし、一枚
ずつ順次ウェファを供給する。
一方の面にフォトレジストが塗られかつ乾燥されたウェ
ファは前記塗布装置の他端に設けられたカセット中に順
次収容される。
ファは前記塗布装置の他端に設けられたカセット中に順
次収容される。
これらのウェファはさらに裏面にフォトレジストを塗る
ため別のカセットに反転して移し替える。
ため別のカセットに反転して移し替える。
このカセットを再度フォトレジスト塗布装置の一端にセ
ットし、同様の経過で裏面の塗布を行なった後他端のカ
セット中に収容する。
ットし、同様の経過で裏面の塗布を行なった後他端のカ
セット中に収容する。
このカセットを乾燥量中に入れて乾燥した後、次段の両
面露光装置において露光作業を行なう。
面露光装置において露光作業を行なう。
このように従来の両面塗布手段は分離された装置による
複数の工程からなるため手数を要するとともに、表面を
塗る工程と裏面を塗る工程との間にかなりの時間が経過
するのが普通である。
複数の工程からなるため手数を要するとともに、表面を
塗る工程と裏面を塗る工程との間にかなりの時間が経過
するのが普通である。
したがって、この間における塗料の状態の変化、作業環
境の変化等により表裏面に塗布したフォトレジストの質
にバラツキが生じあるいは半導体において、最も嫌うダ
ストを拾うなどの欠点があった。
境の変化等により表裏面に塗布したフォトレジストの質
にバラツキが生じあるいは半導体において、最も嫌うダ
ストを拾うなどの欠点があった。
この発明は上記の欠点を除去し、半導体ウェファに対す
るフォトレジストの表面の塗布部と裏面の塗布部との間
にウェファの反転機構を設は短時間に両面の塗布を行な
うことにより、表裏面のフォトレジストが均一かつ良質
であり作業の途中においてフォトレジスト面を傷めるこ
とがなくしかもダスト等を拾うこともないので精度のよ
い素子を得ることのできるフォトレジストの両面塗布装
置を提供しようとするものである。
るフォトレジストの表面の塗布部と裏面の塗布部との間
にウェファの反転機構を設は短時間に両面の塗布を行な
うことにより、表裏面のフォトレジストが均一かつ良質
であり作業の途中においてフォトレジスト面を傷めるこ
とがなくしかもダスト等を拾うこともないので精度のよ
い素子を得ることのできるフォトレジストの両面塗布装
置を提供しようとするものである。
以下図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
第1図および第2図において1はこの装置の本体であり
、この本体1の上面に半導体ウェファの第1の移送路2
を形成する。
、この本体1の上面に半導体ウェファの第1の移送路2
を形成する。
移送路2の具体的構成としてはゴム等の無端ベル)3a
、 3b 。
、 3b 。
3c・・・を用いる。
第1の移送路2の始端に第1のカセット装着部4を形成
する。
する。
このカセット装着部4には複数段の棚を備えたカセット
が装着され上下方向に1段ずつ移動することにより半導
体ウェファSWを1枚ずつ第1の移送路2上に供給する
ものである。
が装着され上下方向に1段ずつ移動することにより半導
体ウェファSWを1枚ずつ第1の移送路2上に供給する
ものである。
第1の移送路2の途中には第1のフォトレジスト塗布部
5が設けられている。
5が設けられている。
このフォトレジスト塗布部5は下部容器6と下部容器6
の中心で回転する真空チャックIと蓋8とによって密閉
型に構成されている。
の中心で回転する真空チャックIと蓋8とによって密閉
型に構成されている。
真空チャック7は頂部に円板状の吸着部9を備え半導体
ウェファSWを吸着しつつ電動機10によって回転され
るものである。
ウェファSWを吸着しつつ電動機10によって回転され
るものである。
また下部容器6は半導体ウェファSWにフォトレジスト
を塗布する際、図示しないシリンダ装置によって押し上
げられて蓋8と密着する構成がとられている。
を塗布する際、図示しないシリンダ装置によって押し上
げられて蓋8と密着する構成がとられている。
下部容器6には吸気管11および下部にたまったフォト
レジストの排出管12が接着されている。
レジストの排出管12が接着されている。
第1のフォトレジスト塗布部5を挾んでその両側に第1
および第2の摺動テーブル13および14が設けられて
いる。
および第2の摺動テーブル13および14が設けられて
いる。
第1の摺動テーブル13はフォトレジスト塗布部5に対
する第1のウェファ供給手段に相当し、第2の摺動テー
ブル14は前記塗布部5に対する第1のウェファ搬出手
段に相当する。
する第1のウェファ供給手段に相当し、第2の摺動テー
ブル14は前記塗布部5に対する第1のウェファ搬出手
段に相当する。
これらの摺動テーブル13.14は図示しないシリンダ
装置によって昇降自在であり、またシリンダ装置15,
16によりガイド17,18に沿って図示左右方向に移
動自在なものである。
装置によって昇降自在であり、またシリンダ装置15,
16によりガイド17,18に沿って図示左右方向に移
動自在なものである。
摺動テーブル13は第1の移送路2上を送られてきた半
導体ウェファSWを吸着により下部より持ち上げて水平
状態を維持したまま真空チャック7上に載置するための
ものであり、また摺動テープル14はフォトレジストの
塗布が終った真空チャック7上の半導体ウェファSWを
吸着により下部より持ち上げ水平状態を維持したまま移
動させて前記第1の移送路2上に戻すためのものである
。
導体ウェファSWを吸着により下部より持ち上げて水平
状態を維持したまま真空チャック7上に載置するための
ものであり、また摺動テープル14はフォトレジストの
塗布が終った真空チャック7上の半導体ウェファSWを
吸着により下部より持ち上げ水平状態を維持したまま移
動させて前記第1の移送路2上に戻すためのものである
。
第2の摺動テーブル14の次に第1の乾燥部19が設け
られている。
られている。
この乾燥部19にはストップピン20,21が出没自在
に形成され、かつホットプレート方式が採用されている
。
に形成され、かつホットプレート方式が採用されている
。
第1の移送路2の終端には、第2のカセット装着部22
が形成されている。
が形成されている。
このカセット装着部22にも複数段の棚を備えたカセッ
トが装着され、上下方向に1段ずつ移動することにより
フォトレジストの塗布の終った半導体ウェファSWを1
枚ずつ順次収納することができるものである。
トが装着され、上下方向に1段ずつ移動することにより
フォトレジストの塗布の終った半導体ウェファSWを1
枚ずつ順次収納することができるものである。
ただし、このカセットは半導体ウェファSWの表面に続
き直ちに裏面にフォトレジストを塗布する場合には使用
されない。
き直ちに裏面にフォトレジストを塗布する場合には使用
されない。
第1の移送路2の終端部と直交して第2の移送路23が
設けられている。
設けられている。
この移送路23の場合も第1の移送路2の場合と同様に
ゴム等の無端ベルト24a 、24bによって構成され
る。
ゴム等の無端ベルト24a 、24bによって構成され
る。
第2の移送路23の途中に半導体ウェファSWを裏返し
にするための反転器25が設けられている。
にするための反転器25が設けられている。
反転器25は半導体ウェファSWの吸着部26、この吸
着部26を支持する腕部27と、この腕部27を反転さ
せる機構および上下方向に移動させる機構を含む駆動部
28を備えている。
着部26を支持する腕部27と、この腕部27を反転さ
せる機構および上下方向に移動させる機構を含む駆動部
28を備えている。
この反転器25は半導体ウェファSWを吸着により下部
より持ち上げ水平状態を保ったまま上昇させて反転波水
平状態を保ったまま下降させて再び前記第2の移送路2
上に戻すものである。
より持ち上げ水平状態を保ったまま上昇させて反転波水
平状態を保ったまま下降させて再び前記第2の移送路2
上に戻すものである。
第3図および第4図は反転器25の詳細を示すもので、
吸着部27は中央に吸気用の小孔29を備え、腕部27
によって支持されている。
吸着部27は中央に吸気用の小孔29を備え、腕部27
によって支持されている。
この腕部27は可動体30に軸受31により回動自在に
支持され、その端部にピニオン32を備えている033
はこのピニオン32と噛合するラックであり、反動体3
0には支持体35および基板36を貫通して摺動する1
対の摺動杆37.38が設けられ、また一端の延長部3
9にはねじ孔40が形成されている。
支持され、その端部にピニオン32を備えている033
はこのピニオン32と噛合するラックであり、反動体3
0には支持体35および基板36を貫通して摺動する1
対の摺動杆37.38が設けられ、また一端の延長部3
9にはねじ孔40が形成されている。
41はこのねじ孔40と螺合するねじ棒であり、支持体
35より突出して形成した支持部42に軸受43.44
によって回転自在に支持されている。
35より突出して形成した支持部42に軸受43.44
によって回転自在に支持されている。
ねじ棒41の基端はカップリング45により上下駆動用
のモータ46の軸に連結されている0 したがってこの反転器25はモータ46の回転により、
ねじ棒41が回転し、このねじ棒41とねじ孔40との
螺合を通じて可動体30が摺動杆37.38に案内され
て上下方向に移動する。
のモータ46の軸に連結されている0 したがってこの反転器25はモータ46の回転により、
ねじ棒41が回転し、このねじ棒41とねじ孔40との
螺合を通じて可動体30が摺動杆37.38に案内され
て上下方向に移動する。
また反転用シリンダ装置34によりラック33を駆動す
ることにより、ピニオン32との噛合を通じて腕部27
が回動じ吸着部26を反転させることができるものであ
る○ 再び第1図および第2図に戻って、第2の移送路23の
延長部と直交して第3の移送路47が形成されている。
ることにより、ピニオン32との噛合を通じて腕部27
が回動じ吸着部26を反転させることができるものであ
る○ 再び第1図および第2図に戻って、第2の移送路23の
延長部と直交して第3の移送路47が形成されている。
したがってこの移送路47は前記第1の移送路2と平行
した状態にある。
した状態にある。
第3の移送路47にもゴム等の無端ベルト48a 。
48b・・・が設けられている。
第3の移送路47の始端には第3のカセット装着部49
、またその途中には密閉型の第2のフォトレジスト塗布
部50、第2のウェファ供給手段に相当する第3の摺動
テーブル51、第2のウェファ排出手段に相当する第4
の摺動テーブル52、第2の乾燥部53、第3の乾燥部
54、さらにその終端には第4のカセット装着部55が
設けられている。
、またその途中には密閉型の第2のフォトレジスト塗布
部50、第2のウェファ供給手段に相当する第3の摺動
テーブル51、第2のウェファ排出手段に相当する第4
の摺動テーブル52、第2の乾燥部53、第3の乾燥部
54、さらにその終端には第4のカセット装着部55が
設けられている。
また56,57は摺動テーブル51.52を、駆動する
ためのシリンダ装置であり、58.59はその際のガイ
ドである。
ためのシリンダ装置であり、58.59はその際のガイ
ドである。
第3の移送路47に設けられた各部はいずれも第1の移
送路2のカセット装着部4、フォトレジスト塗布部5、
摺動テーブル13,14、シリンダ装置15,16、乾
燥部19、カセット装着部22にそれぞれ対応し略同−
の構成を備えている。
送路2のカセット装着部4、フォトレジスト塗布部5、
摺動テーブル13,14、シリンダ装置15,16、乾
燥部19、カセット装着部22にそれぞれ対応し略同−
の構成を備えている。
なお第1ないし第3の移送路2,23,47には半導体
ウェファSWを停止させるためのストップピン、吸着さ
せるための吸気干しあるいはこれを路面より剥離させる
ための送気孔等が随近に設けられている。
ウェファSWを停止させるためのストップピン、吸着さ
せるための吸気干しあるいはこれを路面より剥離させる
ための送気孔等が随近に設けられている。
また60はこの装置全体を制御するための制御部である
。
。
次にこの両面塗装装置の作用を説明する。
まず第1のカセット装置部4に装置されたカセットを上
下方向に1段ずつ移動させ、半導体ウェファSWを1枚
ずつ第1の移送路2の始端に供給する。
下方向に1段ずつ移動させ、半導体ウェファSWを1枚
ずつ第1の移送路2の始端に供給する。
これらの半導体ウェファSWは第1の摺動テーブル13
の位置にとまり、摺動テーブル13が図示しないシリン
ダ装置により上昇し、シリンダ装置15によって第1の
フォトレジスト塗布部5の方向に前進させられた後下降
し、半導体ウェファSWを真空チャック7の吸着部9上
に載置する。
の位置にとまり、摺動テーブル13が図示しないシリン
ダ装置により上昇し、シリンダ装置15によって第1の
フォトレジスト塗布部5の方向に前進させられた後下降
し、半導体ウェファSWを真空チャック7の吸着部9上
に載置する。
すなわち半導体ウェファSWは第1のウェファ供給手段
によって、吸着により下部より持ち上げられ水平状態を
維持したまま移動が行なわれ真空チャック7上に供給さ
れる。
によって、吸着により下部より持ち上げられ水平状態を
維持したまま移動が行なわれ真空チャック7上に供給さ
れる。
ここで吸気管11が働いて半導体ウェファSWを吸着さ
せるとともに摺動テーブル13は元の位置に復帰する。
せるとともに摺動テーブル13は元の位置に復帰する。
第1のフォトレジスト塗布部5においては、下部容器6
が図示しないシリンダ装置によって押し上げられて蓋8
と密着して比較的小容積の密閉空間を形成し、吸着部9
が電動機10によって回転されて半導体ウェファSWが
回転する。
が図示しないシリンダ装置によって押し上げられて蓋8
と密着して比較的小容積の密閉空間を形成し、吸着部9
が電動機10によって回転されて半導体ウェファSWが
回転する。
このようにしてフォトレジスト液を上部より滴下して半
導体ウェファSWの表面に均一に塗布する。
導体ウェファSWの表面に均一に塗布する。
ここで電動機10を停止させ、下部容器6を下降させる
。
。
次いで第2の摺動テーブル14をシリンダ装置16によ
りフォトレジスト塗布部5へ移動させ、これを上昇させ
て半導体ウェファSWを吸着させた後、元の位置に復帰
させさらに下降させることにより半導体ウェファSWを
第1の移送路2上に置く。
りフォトレジスト塗布部5へ移動させ、これを上昇させ
て半導体ウェファSWを吸着させた後、元の位置に復帰
させさらに下降させることにより半導体ウェファSWを
第1の移送路2上に置く。
すなわち半導体ウェファSWは第1の搬出手段によって
、吸着により下部より持上げられ水平状態を維持したま
ま移動され再び第1の移送路2に復帰させることが行な
われる。
、吸着により下部より持上げられ水平状態を維持したま
ま移動され再び第1の移送路2に復帰させることが行な
われる。
この半導体ウェファSWはベルト駆動により第1の乾燥
部19に移送されストップピン20.21により停止さ
れるとともに、吸気孔により吸着されて例えば120〜
135℃において30〜45秒加熱される。
部19に移送されストップピン20.21により停止さ
れるとともに、吸気孔により吸着されて例えば120〜
135℃において30〜45秒加熱される。
このようにホトレジストの塗布乾燥された半導体ウェフ
ァSWは第1の移送路2上を再び移送され、その終端部
において第2の移送部23上に乗り移る。
ァSWは第1の移送路2上を再び移送され、その終端部
において第2の移送部23上に乗り移る。
第2の移送路23上を送られた半導体ウェファSWはや
がて反転器25の位置に停止する。
がて反転器25の位置に停止する。
ここで吸気用の小孔29によって半導体ウェファSWを
吸着部26に吸着させ、モーフ46を回転させることに
より可動体30を上昇させる。
吸着部26に吸着させ、モーフ46を回転させることに
より可動体30を上昇させる。
次いで反転用シリンダ装置34によってラック33、ピ
ニオン32の噛合を通じて腕部27を回動させ半導体ウ
ェファSWを反転させる。
ニオン32の噛合を通じて腕部27を回動させ半導体ウ
ェファSWを反転させる。
さらに、モーフ46を逆転させることにより、可動体3
0を下降させ第2の移送路23上に載置した状態で半導
体ウェファSWの吸着を解く。
0を下降させ第2の移送路23上に載置した状態で半導
体ウェファSWの吸着を解く。
すなわち半導体ウェファSWは、反転器25において、
吸着により下部より持ち上げられ水平状態を保ったまま
上昇されて反転した後水平状態に保ったまま下降されて
再び前記第2の移送路23上に戻すことが行なわれてい
る。
吸着により下部より持ち上げられ水平状態を保ったまま
上昇されて反転した後水平状態に保ったまま下降されて
再び前記第2の移送路23上に戻すことが行なわれてい
る。
反転された半導体ウェファSWは再び第2の移送路23
上を送られ、その端末において第3の移送路47に送ら
れ、第1の移送路2の場合に説明したと同様の経過をた
どって第2のフォトレジスト塗布部50において裏面に
フォトレジストの均一な塗布が行なわれ、第2および第
3の乾燥部53.54において複数段の乾燥が行なわれ
て第4のカセット装着部55に準備されたカセット中に
順次収納される。
上を送られ、その端末において第3の移送路47に送ら
れ、第1の移送路2の場合に説明したと同様の経過をた
どって第2のフォトレジスト塗布部50において裏面に
フォトレジストの均一な塗布が行なわれ、第2および第
3の乾燥部53.54において複数段の乾燥が行なわれ
て第4のカセット装着部55に準備されたカセット中に
順次収納される。
この場合に、第2のフォトレジスト塗布部50も密閉型
に構成され、第2のウェファ供給手段によって第3の移
送路47上を送られてきた半導体ウェファSWを吸着に
より下部より持ち上げ水平状態を維持したまま移動させ
て前記第2の塗布部の真空チャック7上に載置するとと
もに、第2のウェファ搬出手段によりフォトレジストの
塗布が終った真空チャック7上の半導体ウェファSWを
吸着により下部より持ち上げ水平状態を維持したまま移
動させて第3の移送路47に戻すことが行なわれる。
に構成され、第2のウェファ供給手段によって第3の移
送路47上を送られてきた半導体ウェファSWを吸着に
より下部より持ち上げ水平状態を維持したまま移動させ
て前記第2の塗布部の真空チャック7上に載置するとと
もに、第2のウェファ搬出手段によりフォトレジストの
塗布が終った真空チャック7上の半導体ウェファSWを
吸着により下部より持ち上げ水平状態を維持したまま移
動させて第3の移送路47に戻すことが行なわれる。
ちなみに上記乾燥工程の数値を示せば、例えば第2の乾
燥部53では60〜70’Cで15〜25秒、第3の乾
燥部54では110°〜120℃で15〜25秒の乾燥
が行なわれる。
燥部53では60〜70’Cで15〜25秒、第3の乾
燥部54では110°〜120℃で15〜25秒の乾燥
が行なわれる。
かくして両面にホトレジストの塗布された半導体ウェフ
ァは次段の両面露光装置において露光作業が行なわれた
後ホトエツチングを行なう。
ァは次段の両面露光装置において露光作業が行なわれた
後ホトエツチングを行なう。
この発明の両面塗布装置は反転器を移送路の途中に設け
ることにより、半導体ウェファの両面にフォトレジスト
を連続して極めて短時間に行なうものである点に特徴が
ある。
ることにより、半導体ウェファの両面にフォトレジスト
を連続して極めて短時間に行なうものである点に特徴が
ある。
したがって表面を塗る工程と裏面を塗る工程との間に長
時間の経過がある従来の場合のように塗料の状態の変化
、作業環境の変化等に起因するバラツキを生ずるおそれ
もなく、またこの間においてダストを拾う心配もない。
時間の経過がある従来の場合のように塗料の状態の変化
、作業環境の変化等に起因するバラツキを生ずるおそれ
もなく、またこの間においてダストを拾う心配もない。
したがって均一で良質の塗布を行ない得るので精度のよ
い半導体素子を得ることができる。
い半導体素子を得ることができる。
また塗布乾燥を一貫した工程で行なうものであるから、
効率的に作業を行なうことができ多量生産に適したもの
とすることができる。
効率的に作業を行なうことができ多量生産に適したもの
とすることができる。
この発明の両面塗布装置は各部の構成においても、両面
に形成されるフォトレジスト層が均一かつ良質なもので
あるとともに製造工程の途中においてフォトレジスト層
を傷めることがない特長を一層高めるように集中して格
段の配慮がなされている。
に形成されるフォトレジスト層が均一かつ良質なもので
あるとともに製造工程の途中においてフォトレジスト層
を傷めることがない特長を一層高めるように集中して格
段の配慮がなされている。
すなわち、この発明の塗布装置は第1に、第1および第
2のフォトレジスト塗布部を蓋8、下部容器6およびそ
の中心にあって回転する真空チャック7を有する密閉型
に構成している○このようにして、蓋8と下部容器6を
密着させ密閉空間を作ることによりフォトレジスト液中
の有機溶剤をガスとしてこの空間内に充満させ、濡れた
雰囲気が形成される。
2のフォトレジスト塗布部を蓋8、下部容器6およびそ
の中心にあって回転する真空チャック7を有する密閉型
に構成している○このようにして、蓋8と下部容器6を
密着させ密閉空間を作ることによりフォトレジスト液中
の有機溶剤をガスとしてこの空間内に充満させ、濡れた
雰囲気が形成される。
したがって、フォトレジストの急速な乾燥が抑えられる
ので、フォトレジスト液は真空チャック7の回転ととも
に流動性を保って周囲に拡がって行き厚さの均一な層を
形成することができる。
ので、フォトレジスト液は真空チャック7の回転ととも
に流動性を保って周囲に拡がって行き厚さの均一な層を
形成することができる。
また真空チャック7の回転により周囲に飛び散るフォト
レジストの一部は濡れた雰囲気によって緩衝され壁面を
伝って流下しはね返りもないので、形成されたフォトレ
ジスト層の表面にさらに付着しフォトレジスト層の質を
低下させることがなく良質のものを得ることができる。
レジストの一部は濡れた雰囲気によって緩衝され壁面を
伝って流下しはね返りもないので、形成されたフォトレ
ジスト層の表面にさらに付着しフォトレジスト層の質を
低下させることがなく良質のものを得ることができる。
第2に、この発明においてフォトレジスト塗布部5およ
び50に対するウェファSWの供給は、摺動テーブル1
3,51のような半導体ウェファSWを吸着により下部
より持ち上げ水平状態を維持したまま移動させて真空チ
ャック7上に載置する第1および第2のウェファ供給手
段により行なっている。
び50に対するウェファSWの供給は、摺動テーブル1
3,51のような半導体ウェファSWを吸着により下部
より持ち上げ水平状態を維持したまま移動させて真空チ
ャック7上に載置する第1および第2のウェファ供給手
段により行なっている。
またフォトレジストの塗布が終った真空チャックI上の
半導体ウェファSWの搬出は、半導体ウェファSWを吸
着により下部より持ち上げ水平状態を維持したまま移動
させて第1または2の移送路2,47上に戻す第1およ
び第2の搬出手段により行なっている。
半導体ウェファSWの搬出は、半導体ウェファSWを吸
着により下部より持ち上げ水平状態を維持したまま移動
させて第1または2の移送路2,47上に戻す第1およ
び第2の搬出手段により行なっている。
したがって半導体ウェファSWのフォトレジスト塗布面
にはウェファ供給手段が直接触れることがなくしかもフ
ォトレジスト塗布直後の半導体ウェファSWも水平状態
を保ったまま移動するので半導体ウェファが傾むくこと
によりフォトレジストが片寄ってフォトレジスト面が不
均一となるようなおそれもない。
にはウェファ供給手段が直接触れることがなくしかもフ
ォトレジスト塗布直後の半導体ウェファSWも水平状態
を保ったまま移動するので半導体ウェファが傾むくこと
によりフォトレジストが片寄ってフォトレジスト面が不
均一となるようなおそれもない。
第3に、この発明は両面塗布のため半導体ウェファを反
転させるに際して、最も無理のない状態で反転させしか
もフォトレジスト面を最も傷めることの少ない状態で移
送路上に復帰させている。
転させるに際して、最も無理のない状態で反転させしか
もフォトレジスト面を最も傷めることの少ない状態で移
送路上に復帰させている。
すなわち、例えば半導体ウェファSWの吸着部26と、
この吸着部を支持する腕部27と、この腕部27を反転
させる機構および上下方向に移動させる機構を含む駆動
部とを備えたような反転器を用い、半導体ウェファSW
を吸着により下部より持ち上げ水平状態を保ったまま上
昇させて反転波水平状態を保ったまま下降させて再び第
2の移送路23上に戻すものである。
この吸着部を支持する腕部27と、この腕部27を反転
させる機構および上下方向に移動させる機構を含む駆動
部とを備えたような反転器を用い、半導体ウェファSW
を吸着により下部より持ち上げ水平状態を保ったまま上
昇させて反転波水平状態を保ったまま下降させて再び第
2の移送路23上に戻すものである。
したがって半導体ウェファSWは最大限水平に保たれ、
最も重要な反転後のフォトレジスト面を初めて移送路上
に触れさせる際も、水平な状態において無理な力が加わ
らないかたちで静かに載置されるのでこれを傷めること
がない。
最も重要な反転後のフォトレジスト面を初めて移送路上
に触れさせる際も、水平な状態において無理な力が加わ
らないかたちで静かに載置されるのでこれを傷めること
がない。
上述した両面塗布装置は反転器を用いない場合にはその
まま一方の面に2回塗りを行なうことができ、フォトレ
ジストの塗布層を厚くする要求に答えることができる○
また第2および第3のカセット装着部22.29を用い
、第1および第2の移送路2および23を別々に使用す
れば片面塗りを併行して行なうこともでき、極めて多機
能を備えたものということができる。
まま一方の面に2回塗りを行なうことができ、フォトレ
ジストの塗布層を厚くする要求に答えることができる○
また第2および第3のカセット装着部22.29を用い
、第1および第2の移送路2および23を別々に使用す
れば片面塗りを併行して行なうこともでき、極めて多機
能を備えたものということができる。
なお、この発明は上記の実施例に限定されるものではな
く要旨を変更しない範囲において種々変更して実施する
ことができる。
く要旨を変更しない範囲において種々変更して実施する
ことができる。
例えば反転器、フォトレジスト塗布部、乾燥部等の構造
も図示のもののみに限定されるものではない。
も図示のもののみに限定されるものではない。
また半導体ウェファの移送路にゴムの無端ベルトを用い
たものを示したが、これはいわゆるエアベアリング等信
の手段によるものであっても差し支えない。
たものを示したが、これはいわゆるエアベアリング等信
の手段によるものであっても差し支えない。
以上述べたようにこの発明によれば、半導体ウェファに
対するフォトレジストの表面の塗布部と裏面の塗布部と
の間にウェファの反転機構を設は短時間に両面の塗布を
行なうことにより、表裏面のフォトレジストが均一かつ
良質であり作業の途中においてフォトレジスト面を傷め
ることがなくしかもダストを拾うこともないので精度の
よい素子を得ることのできるフォトレジストの両面塗布
装置を提供することができる0
対するフォトレジストの表面の塗布部と裏面の塗布部と
の間にウェファの反転機構を設は短時間に両面の塗布を
行なうことにより、表裏面のフォトレジストが均一かつ
良質であり作業の途中においてフォトレジスト面を傷め
ることがなくしかもダストを拾うこともないので精度の
よい素子を得ることのできるフォトレジストの両面塗布
装置を提供することができる0
第1図はこの発明の一実施例の平面図、第2図は同実施
例の正面図、第3図は同実施例において用いた反転器部
分の平面図、第4図は同じく一部を切欠いて示した側面
図である0 1・・・・・・本体、2・・・・・・第1の移送路、3
a )3b+3c・・・・・・無端ベルト、4・・・・
・・第1のカセット装着部、5・・・・・・第1のフォ
トレジスト塗布部、6・・・・・・下部容器、7・・・
・・・真空チャック、8・・・・・・蓋、9・・・・・
・吸着部、10・・・・・・電動機、11・・・・・・
吸気管、12・・・・・・排出管、13,14・・・・
・・摺動テーブル、is、is・・・・・・シリンダ装
置、17,18・・・・・・ガイド、19・・・・・・
第1の乾燥部、20.21・・・・・・ストップピン、
22・・・・・・第2のカセット装着部、23・・・・
・・第2の移送路、24a 、24b・・・・・・無端
ベルト、25・・・・・・反転器、26・・・・・・吸
着部、27・・・・・・腕部、28・・・・・・駆動部
、29・・・・・・小孔、30・・・・・・可動体、3
1・・・・・・軸受、32・・・・・・ピニオン、33
・・・・・・ラック、34・・・・・・反転用のシリン
ダ装置、35・・・・・・支持体、36・・・・・・基
板、37 、38・・・・・・摺動杆、39・・・・・
・延長部、40・・・・・・ねじ孔、41・・・・・・
ねじ棒、42・・・・・・支持部、43,44・・・・
・・軸受、45・・・・・・カップリング、46・・・
・・・上下駆動用のモーフ、47・・・・・・第3の移
送路、48a、48b・・・・・・無端ベルト、49・
・・・・・第3のカセット装着部、50・・・・・・第
2のフォトレジスト塗布部、51・・・・・・第3の摺
動テーブル、52・・・・・・第4の摺動テーブル、5
3・・・・・・第2の乾燥部、54・・・・・・第3の
乾燥部、54・・・・・・第4のカセット装着部、56
,57・・・・・・シリンダ装置、58.59・・・・
・・ガイド、60・・・・・・制御装置。
例の正面図、第3図は同実施例において用いた反転器部
分の平面図、第4図は同じく一部を切欠いて示した側面
図である0 1・・・・・・本体、2・・・・・・第1の移送路、3
a )3b+3c・・・・・・無端ベルト、4・・・・
・・第1のカセット装着部、5・・・・・・第1のフォ
トレジスト塗布部、6・・・・・・下部容器、7・・・
・・・真空チャック、8・・・・・・蓋、9・・・・・
・吸着部、10・・・・・・電動機、11・・・・・・
吸気管、12・・・・・・排出管、13,14・・・・
・・摺動テーブル、is、is・・・・・・シリンダ装
置、17,18・・・・・・ガイド、19・・・・・・
第1の乾燥部、20.21・・・・・・ストップピン、
22・・・・・・第2のカセット装着部、23・・・・
・・第2の移送路、24a 、24b・・・・・・無端
ベルト、25・・・・・・反転器、26・・・・・・吸
着部、27・・・・・・腕部、28・・・・・・駆動部
、29・・・・・・小孔、30・・・・・・可動体、3
1・・・・・・軸受、32・・・・・・ピニオン、33
・・・・・・ラック、34・・・・・・反転用のシリン
ダ装置、35・・・・・・支持体、36・・・・・・基
板、37 、38・・・・・・摺動杆、39・・・・・
・延長部、40・・・・・・ねじ孔、41・・・・・・
ねじ棒、42・・・・・・支持部、43,44・・・・
・・軸受、45・・・・・・カップリング、46・・・
・・・上下駆動用のモーフ、47・・・・・・第3の移
送路、48a、48b・・・・・・無端ベルト、49・
・・・・・第3のカセット装着部、50・・・・・・第
2のフォトレジスト塗布部、51・・・・・・第3の摺
動テーブル、52・・・・・・第4の摺動テーブル、5
3・・・・・・第2の乾燥部、54・・・・・・第3の
乾燥部、54・・・・・・第4のカセット装着部、56
,57・・・・・・シリンダ装置、58.59・・・・
・・ガイド、60・・・・・・制御装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 半導体ウェファを1枚ずつ順次移送する第1の移送
路と、この移送路の途中に設けられ蓋、下部容器および
その中心にあって回転する真空チャックを有する密閉型
の第1のフォトレジスト塗布部と、前記第1の移送路上
を送られてきた半導体ウェファを吸着により持ち上げ水
平状態を維持したまま移動させて前記真空チャック上に
載置する第1のウェファ供給手段と、フォトレジストの
塗布が終ったこの真空チャック上の半導体ウェファを下
部より持ち上げ水平状態を維持したまま移動させ前記第
1の移送路上に戻す第1のウェファ搬出手段と、前記第
1の移送路にこの搬出手段の後順位に設けられた第1の
乾燥部と、前記第1の移送路と連絡され半導体ウェファ
を1枚ずつ順次移送する第2の移送路と、この第2の移
送路の途中に設けられ半導体ウェファを吸着により下部
より持ち上げ水平状態を保ったまま上昇させて反転波水
平状態を保ったまま下降させて再び前記第2の移送路上
に戻す反転器と、前記第2の移送路と連絡され半導体ウ
ェファを1枚ずつ順次移送する第3の移送路と、この第
3の移送路の途中に設けられ蓋、下部容器およびその中
心にあって回転する真空チャックを有する密閉型の第2
のフォトレジスト塗布部と、前記第3の移送路上を送ら
れてきた半導体ウェファを吸着により下部より持ち上げ
水平状態を維持したまま移動させて前記第2の塗布部の
真空チャック上に載置する第2のウェファ供給手段と、
フォトレジストの塗布が終ったこの真空チャック上の半
導体ウェファを吸着により下部より持ち上げ水平状態を
維持したまま移動させて前記第3の移送路上に戻す第2
のウェファ搬出手段と、前記第3の移送路の途中にこの
ウェファ搬出手段の後順位に設けられた第2の乾燥部と
を備え、半導体ウェファの表裏面に対するフォトレジス
トの塗布を連続的かつ比較的短時間に行なうことを特徴
とするフォトレジストの両面塗布装置。 2 上記第1および第2の移送路は平行して設けられ第
3の移送路は前記第1および第2の移送路に対して直交
して設けられていることを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載のフォトレジストの両面塗布装置。 3 上記第1の移送路の始端と第3の移送路の終端に少
くともそれぞれカセット装着部が設けられていることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載のフォトレジスト
の両面塗布装置。 4 上記第1の移送路および第3の移送路の各始端並び
に各終端にそれぞれカセット装着部が設けられているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のフォトレジ
ストの両面塗布装置。 5 上記反転器は半導体ウェファの吸着部と、この吸着
部を支持する腕部と、この腕部を反転させる機構および
上下方向に移動させる機構を含む駆動部とを備えたこと
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載のフォトレジス
トの両面塗布装置06 上記第2の乾燥部の後順位に第
3の乾燥部を備えていることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の両面塗布装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP54163926A JPS5833697B2 (ja) | 1979-12-17 | 1979-12-17 | フオトレジストの両面塗布装置 |
DE19803047578 DE3047578A1 (de) | 1979-12-17 | 1980-12-17 | Vorrichtung zum beschichten beider seiten von halbleiterplaettchen mit einem fotowiderstandsmaterial |
US06/217,544 US4344380A (en) | 1979-12-17 | 1980-12-17 | Apparatus for applying photo resist on both surfaces of semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP54163926A JPS5833697B2 (ja) | 1979-12-17 | 1979-12-17 | フオトレジストの両面塗布装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5687320A JPS5687320A (en) | 1981-07-15 |
JPS5833697B2 true JPS5833697B2 (ja) | 1983-07-21 |
Family
ID=15783440
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP54163926A Expired JPS5833697B2 (ja) | 1979-12-17 | 1979-12-17 | フオトレジストの両面塗布装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4344380A (ja) |
JP (1) | JPS5833697B2 (ja) |
DE (1) | DE3047578A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6466391A (en) * | 1987-08-10 | 1989-03-13 | Christian Bartenbach | Glare shield device |
Families Citing this family (11)
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---|---|---|---|---|
JPS5952845A (ja) * | 1982-09-20 | 1984-03-27 | Fujitsu Ltd | 基板移替機 |
JPS60169148A (ja) * | 1984-02-13 | 1985-09-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の搬送方法及びその装置 |
DE3602350C2 (de) * | 1986-01-27 | 1994-08-18 | Weber Marianne | Verfahren und Anlage zum beidseitigen Beschichten von Platten mit flüssigem Beschichtungsmaterial |
US4926789A (en) * | 1987-10-13 | 1990-05-22 | Ciba-Geigy Corporation | Transport apparatus for boards |
US5006432A (en) * | 1987-10-28 | 1991-04-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing a shadow mask |
DE4107224C1 (ja) * | 1991-03-07 | 1992-06-04 | Dupont De Nemours Gmbh, 6380 Bad Homburg, De | |
DE4107464A1 (de) * | 1991-03-08 | 1992-09-10 | Schmid Gmbh & Co Geb | Verfahren und vorrichtung zum einseitigen behandeln von plattenfoermigen gegenstaenden |
DK166907B1 (da) * | 1992-05-21 | 1993-08-02 | Bodilsen Holding As | Fremgangsmaade til lakering af emner enkeltvis, apparat til brug ved lakering af emner enkeltvis samt anvendelser af fremgangsmaaden og apparatet |
ES2082432T3 (es) * | 1992-09-28 | 1996-03-16 | Ciba Geigy Ag | Procedimiento y dispositivo para el recubrimiento a ambos lados de articulos en forma de placa. |
JP3888754B2 (ja) * | 1997-12-08 | 2007-03-07 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハの自動貼付け装置 |
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JPS5038471A (ja) * | 1973-08-08 | 1975-04-09 | ||
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US3610397A (en) * | 1969-03-05 | 1971-10-05 | Epec Systems Corp | Method and apparatus for turning over a plate |
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JPS5226793B2 (ja) * | 1974-04-30 | 1977-07-15 | ||
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DE2743011C2 (de) * | 1977-09-23 | 1982-06-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Anordnung zum Aufbringen einer lichtempfindlichen Lackschicht auf eine Halbleiterscheibe |
-
1979
- 1979-12-17 JP JP54163926A patent/JPS5833697B2/ja not_active Expired
-
1980
- 1980-12-17 US US06/217,544 patent/US4344380A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-12-17 DE DE19803047578 patent/DE3047578A1/de active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5038471A (ja) * | 1973-08-08 | 1975-04-09 | ||
JPS5413777A (en) * | 1977-07-01 | 1979-02-01 | Nec Corp | Photo resist coater of semiconductor wafers |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3047578C2 (ja) | 1989-05-18 |
DE3047578A1 (de) | 1981-09-17 |
US4344380A (en) | 1982-08-17 |
JPS5687320A (en) | 1981-07-15 |
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