JPS5821850A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPS5821850A
JPS5821850A JP56122091A JP12209181A JPS5821850A JP S5821850 A JPS5821850 A JP S5821850A JP 56122091 A JP56122091 A JP 56122091A JP 12209181 A JP12209181 A JP 12209181A JP S5821850 A JPS5821850 A JP S5821850A
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JP
Japan
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resin
silicon element
semiconductor device
sealing resin
die pad
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JP56122091A
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English (en)
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Junko Miwa
三輪　順子
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、半導体素子の特性劣化や破壊および内部配
線の破断等を防止した樹脂封止型半導体装置に関するも
のである。
従来、半導体装置を樹脂封止する場合には次のように行
われていた。すなわち、第１図において、１は回路パタ
ーンが形成されているシリコン素子（半導体素子）、２
は前記シリコン素子１を保持固定する基板（以下ダイパ
ッドという）、３は前記シリコン素子１０回路電極から
の配線を接続する外部リード用導体、４は前記シリコン
素子１０回路電極と外部リード用導体３とを接続する内
部配線、５は封止用樹脂である。
この樹脂封止型半導体装置の樹脂封止は、まず、シリコ
ン素子１をダイパッド２の中央にろう付けし、クリフン
素子１の回路電極と外部リード用導体３とを内部配線４
によって接続し、シリコン素子１．ダイパッド２．内部
配線４．および外部リード用導体３の所要部分を封止用
樹脂５によって封止することにより行われる。
従来の樹脂封止型半導体装置は以上のような工程により
製造されているので、次のような欠点がある。
第１に、封止用樹脂５の成形時には封止用樹脂５の硬化
にともなう体積収縮によりシリコン素子１および内部配
線４に機械的歪が加わり、これらに過大の内部応力を発
生させる。
第２に、装置使用時のヒートサイクルにより、クリコン
素子１．ダイパッド２．内部配線４．および封止用樹脂
５の各線膨張係数の差異のため、なかでも特に封止用樹
脂５がシリコン素子１および内部配線４に対し過大の熱
応力を発生させる。
以上の要因により、シリコン素子１の電気的特性の劣化
、さらにはシリコン素子１の破壊、また内部配線４の破
断な引き起こすなどの欠点があった。
この発明は上記の欠点を除去するため釦なされたもので
、シリコン素子、ダイパッド、および内部配線の各所要
部分を封止用樹脂よりも弾性率の低い樹脂で覆って保護
層を形成し、封止用樹脂の機械的歪が直接それらに加わ
らないよ５Ｋして、シリコン素子の特性劣化や破壊、ま
た内部配線の破断を防ぎ、信頼性の高い樹脂封止型半導
体装置を提供することを目的としている。以下、この発
明について説明する。
第２図はこの発明の一実施例を示す樹脂封止型半導体装
置の断面図である。この製造について説明すると、まず
、シリコン素子１．ダイパッド２゜内部配線４を保護用
樹脂６でσつて保護層を形成し、その後、第１図と同様
な封止用樹脂５で樹脂封止して樹脂封止型半導体装置を
構成する。なお、３は外部リード用導体である。前記保
護用樹脂６は封止用樹脂５よりも弾性率の低い樹脂が用
いられる。
このように構成された樹脂封止型半導体装置は次のよう
な利点がある。
第１に、封止用樹脂５を所要の形状に成形する際に、硬
化過程で生じる体積収縮歪を封止用樹脂５よりも弾性率
の低い保護用樹脂６によって吸収し、シリコン素子１の
特性劣化や破壊、また内部配線４の破断を防止すること
ができる。
第２に、本装置をヒートサイクルにかけたとき、シリコ
ン素子１．ダイパッド２．内部配線４．および封止用樹
脂５の各線膨張係数の差異により熱歪が生じるが、特に
ここでシリコン素子１および内部配線４に対する熱応力
の大きな要因となる封止用樹脂５の熱歪を、封止用樹脂
５よりも弾性率の低い保護用樹脂６によって吸収し、シ
リコン素子１の特性劣化や破壊、また内部配線の破断を
防止することができる。
第３に、シリコン素子１．ダイパッド２．および内部配
線４を保護用樹脂６で覆い、その後これらを封止用樹脂
５で封止しているため、外部から封止用樹脂５に湿気が
入った場合でもこの保護用樹脂６によってそれ以上の浸
入を阻止し、シリコン素子１の特性劣化を防止すること
ができる。
第３図はこの発明の他の実施例を示すもので、シリコン
素子１．ダイパッド２．および内部配線４を保護用メタ
ルシール７を施して保護層を形成し、その後、封止用樹
脂５で封止したものであり、この方法によって得られた
樹脂封止型半導体装置も第２図の実施例と同様の効果を
奏する。
以上詳細に説明したように、この発明による樹脂封止型
半導体装置は、シリコン素子、ダイパッド、および内部
配線に対して保護層を設けたので、これらに直接封止用
樹脂の機械的歪が加わらず、したがって、シリコン素子
の特性劣化や破壊、また内部配線の破断を防止すること
ができ、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置が得られる
効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の樹脂封止型半導体装置の一例を示す断面
図、第２図はこの発明の一実施例を示す樹脂封止型半導
体装置の断面図、第３図はこの発明の他の実施例を示す
樹脂封止型半導体装置の断面図である。 図中、１はシリコン素子、２はダイパッド、３は外部リ
ード用導体、４は内部配線、５は封止用樹脂、６は保護
用樹脂、７は保護用メタルシールである。なお、図中の
同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　葛　野信−（外１名）

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体素子、前記半導体素子が取り付けられている基板
    および一端が前記半導体素子に接続された内部配線に対
    し形成された保護層、ならびに前記保護層上に所要の形
    状に形成された封止用樹脂とからなることを特徴とする
    樹脂封止型半導体装置。
JP56122091A 1981-08-03 1981-08-03 樹脂封止型半導体装置 Pending JPS5821850A (ja)

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