JPS5821850A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS5821850A JPS5821850A JP56122091A JP12209181A JPS5821850A JP S5821850 A JPS5821850 A JP S5821850A JP 56122091 A JP56122091 A JP 56122091A JP 12209181 A JP12209181 A JP 12209181A JP S5821850 A JPS5821850 A JP S5821850A
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- silicon element
- semiconductor device
- sealing resin
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- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体素子の特性劣化や破壊および内部配
線の破断等を防止した樹脂封止型半導体装置に関するも
のである。
線の破断等を防止した樹脂封止型半導体装置に関するも
のである。
従来、半導体装置を樹脂封止する場合には次のように行
われていた。すなわち、第1図において、1は回路パタ
ーンが形成されているシリコン素子(半導体素子)、2
は前記シリコン素子1を保持固定する基板(以下ダイパ
ッドという)、3は前記シリコン素子10回路電極から
の配線を接続する外部リード用導体、4は前記シリコン
素子10回路電極と外部リード用導体3とを接続する内
部配線、5は封止用樹脂である。
われていた。すなわち、第1図において、1は回路パタ
ーンが形成されているシリコン素子(半導体素子)、2
は前記シリコン素子1を保持固定する基板(以下ダイパ
ッドという)、3は前記シリコン素子10回路電極から
の配線を接続する外部リード用導体、4は前記シリコン
素子10回路電極と外部リード用導体3とを接続する内
部配線、5は封止用樹脂である。
この樹脂封止型半導体装置の樹脂封止は、まず、シリコ
ン素子1をダイパッド2の中央にろう付けし、クリフン
素子1の回路電極と外部リード用導体3とを内部配線4
によって接続し、シリコン素子1.ダイパッド2.内部
配線4.および外部リード用導体3の所要部分を封止用
樹脂5によって封止することにより行われる。
ン素子1をダイパッド2の中央にろう付けし、クリフン
素子1の回路電極と外部リード用導体3とを内部配線4
によって接続し、シリコン素子1.ダイパッド2.内部
配線4.および外部リード用導体3の所要部分を封止用
樹脂5によって封止することにより行われる。
従来の樹脂封止型半導体装置は以上のような工程により
製造されているので、次のような欠点がある。
製造されているので、次のような欠点がある。
第1に、封止用樹脂5の成形時には封止用樹脂5の硬化
にともなう体積収縮によりシリコン素子1および内部配
線4に機械的歪が加わり、これらに過大の内部応力を発
生させる。
にともなう体積収縮によりシリコン素子1および内部配
線4に機械的歪が加わり、これらに過大の内部応力を発
生させる。
第2に、装置使用時のヒートサイクルにより、クリコン
素子1.ダイパッド2.内部配線4.および封止用樹脂
5の各線膨張係数の差異のため、なかでも特に封止用樹
脂5がシリコン素子1および内部配線4に対し過大の熱
応力を発生させる。
素子1.ダイパッド2.内部配線4.および封止用樹脂
5の各線膨張係数の差異のため、なかでも特に封止用樹
脂5がシリコン素子1および内部配線4に対し過大の熱
応力を発生させる。
以上の要因により、シリコン素子1の電気的特性の劣化
、さらにはシリコン素子1の破壊、また内部配線4の破
断な引き起こすなどの欠点があった。
、さらにはシリコン素子1の破壊、また内部配線4の破
断な引き起こすなどの欠点があった。
この発明は上記の欠点を除去するため釦なされたもので
、シリコン素子、ダイパッド、および内部配線の各所要
部分を封止用樹脂よりも弾性率の低い樹脂で覆って保護
層を形成し、封止用樹脂の機械的歪が直接それらに加わ
らないよ5Kして、シリコン素子の特性劣化や破壊、ま
た内部配線の破断を防ぎ、信頼性の高い樹脂封止型半導
体装置を提供することを目的としている。以下、この発
明について説明する。
、シリコン素子、ダイパッド、および内部配線の各所要
部分を封止用樹脂よりも弾性率の低い樹脂で覆って保護
層を形成し、封止用樹脂の機械的歪が直接それらに加わ
らないよ5Kして、シリコン素子の特性劣化や破壊、ま
た内部配線の破断を防ぎ、信頼性の高い樹脂封止型半導
体装置を提供することを目的としている。以下、この発
明について説明する。
第2図はこの発明の一実施例を示す樹脂封止型半導体装
置の断面図である。この製造について説明すると、まず
、シリコン素子1.ダイパッド2゜内部配線4を保護用
樹脂6でσつて保護層を形成し、その後、第1図と同様
な封止用樹脂5で樹脂封止して樹脂封止型半導体装置を
構成する。なお、3は外部リード用導体である。前記保
護用樹脂6は封止用樹脂5よりも弾性率の低い樹脂が用
いられる。
置の断面図である。この製造について説明すると、まず
、シリコン素子1.ダイパッド2゜内部配線4を保護用
樹脂6でσつて保護層を形成し、その後、第1図と同様
な封止用樹脂5で樹脂封止して樹脂封止型半導体装置を
構成する。なお、3は外部リード用導体である。前記保
護用樹脂6は封止用樹脂5よりも弾性率の低い樹脂が用
いられる。
このように構成された樹脂封止型半導体装置は次のよう
な利点がある。
な利点がある。
第1に、封止用樹脂5を所要の形状に成形する際に、硬
化過程で生じる体積収縮歪を封止用樹脂5よりも弾性率
の低い保護用樹脂6によって吸収し、シリコン素子1の
特性劣化や破壊、また内部配線4の破断を防止すること
ができる。
化過程で生じる体積収縮歪を封止用樹脂5よりも弾性率
の低い保護用樹脂6によって吸収し、シリコン素子1の
特性劣化や破壊、また内部配線4の破断を防止すること
ができる。
第2に、本装置をヒートサイクルにかけたとき、シリコ
ン素子1.ダイパッド2.内部配線4.および封止用樹
脂5の各線膨張係数の差異により熱歪が生じるが、特に
ここでシリコン素子1および内部配線4に対する熱応力
の大きな要因となる封止用樹脂5の熱歪を、封止用樹脂
5よりも弾性率の低い保護用樹脂6によって吸収し、シ
リコン素子1の特性劣化や破壊、また内部配線の破断を
防止することができる。
ン素子1.ダイパッド2.内部配線4.および封止用樹
脂5の各線膨張係数の差異により熱歪が生じるが、特に
ここでシリコン素子1および内部配線4に対する熱応力
の大きな要因となる封止用樹脂5の熱歪を、封止用樹脂
5よりも弾性率の低い保護用樹脂6によって吸収し、シ
リコン素子1の特性劣化や破壊、また内部配線の破断を
防止することができる。
第3に、シリコン素子1.ダイパッド2.および内部配
線4を保護用樹脂6で覆い、その後これらを封止用樹脂
5で封止しているため、外部から封止用樹脂5に湿気が
入った場合でもこの保護用樹脂6によってそれ以上の浸
入を阻止し、シリコン素子1の特性劣化を防止すること
ができる。
線4を保護用樹脂6で覆い、その後これらを封止用樹脂
5で封止しているため、外部から封止用樹脂5に湿気が
入った場合でもこの保護用樹脂6によってそれ以上の浸
入を阻止し、シリコン素子1の特性劣化を防止すること
ができる。
第3図はこの発明の他の実施例を示すもので、シリコン
素子1.ダイパッド2.および内部配線4を保護用メタ
ルシール7を施して保護層を形成し、その後、封止用樹
脂5で封止したものであり、この方法によって得られた
樹脂封止型半導体装置も第2図の実施例と同様の効果を
奏する。
素子1.ダイパッド2.および内部配線4を保護用メタ
ルシール7を施して保護層を形成し、その後、封止用樹
脂5で封止したものであり、この方法によって得られた
樹脂封止型半導体装置も第2図の実施例と同様の効果を
奏する。
以上詳細に説明したように、この発明による樹脂封止型
半導体装置は、シリコン素子、ダイパッド、および内部
配線に対して保護層を設けたので、これらに直接封止用
樹脂の機械的歪が加わらず、したがって、シリコン素子
の特性劣化や破壊、また内部配線の破断を防止すること
ができ、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置が得られる
効果がある。
半導体装置は、シリコン素子、ダイパッド、および内部
配線に対して保護層を設けたので、これらに直接封止用
樹脂の機械的歪が加わらず、したがって、シリコン素子
の特性劣化や破壊、また内部配線の破断を防止すること
ができ、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置が得られる
効果がある。
第1図は従来の樹脂封止型半導体装置の一例を示す断面
図、第2図はこの発明の一実施例を示す樹脂封止型半導
体装置の断面図、第3図はこの発明の他の実施例を示す
樹脂封止型半導体装置の断面図である。 図中、1はシリコン素子、2はダイパッド、3は外部リ
ード用導体、4は内部配線、5は封止用樹脂、6は保護
用樹脂、7は保護用メタルシールである。なお、図中の
同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 葛 野信−(外1名)
図、第2図はこの発明の一実施例を示す樹脂封止型半導
体装置の断面図、第3図はこの発明の他の実施例を示す
樹脂封止型半導体装置の断面図である。 図中、1はシリコン素子、2はダイパッド、3は外部リ
ード用導体、4は内部配線、5は封止用樹脂、6は保護
用樹脂、7は保護用メタルシールである。なお、図中の
同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 葛 野信−(外1名)
Claims (1)
- 半導体素子、前記半導体素子が取り付けられている基板
および一端が前記半導体素子に接続された内部配線に対
し形成された保護層、ならびに前記保護層上に所要の形
状に形成された封止用樹脂とからなることを特徴とする
樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56122091A JPS5821850A (ja) | 1981-08-03 | 1981-08-03 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56122091A JPS5821850A (ja) | 1981-08-03 | 1981-08-03 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5821850A true JPS5821850A (ja) | 1983-02-08 |
Family
ID=14827423
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56122091A Pending JPS5821850A (ja) | 1981-08-03 | 1981-08-03 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5821850A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4746392A (en) * | 1982-12-28 | 1988-05-24 | Gao Gesellschaft Fur Automation Und Organisation Mbh | Method for producing an identification card with an integrated circuit |
JPH0244339U (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-27 | ||
US5047834A (en) * | 1989-06-20 | 1991-09-10 | International Business Machines Corporation | High strength low stress encapsulation of interconnected semiconductor devices |
US5192995A (en) * | 1988-08-26 | 1993-03-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electric device utilizing antioxidation film between base pad for semiconductor chip and organic encapsulating material |
US5208467A (en) * | 1988-07-28 | 1993-05-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a film-covered packaged component |
US5438222A (en) * | 1989-08-28 | 1995-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device with plural pad connection of semiconductor chip to leads |
EP1739740A3 (en) * | 2005-06-30 | 2008-04-09 | Hitachi, Ltd. | Power semiconductor |
JP2015225029A (ja) * | 2014-05-29 | 2015-12-14 | 株式会社デンソー | 物理量センサ |
JP2016191656A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | 株式会社不二工機 | 圧力センサ |
JP2018523286A (ja) * | 2015-04-02 | 2018-08-16 | タクトテク オーユー | 埋込みエレクトロニクスを有するマルチ材料構造体 |
-
1981
- 1981-08-03 JP JP56122091A patent/JPS5821850A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US5013900A (en) * | 1982-12-28 | 1991-05-07 | Gao Gesellschaft Fur Automation Und Organisation Mbh | Identification card with integrated circuit |
US5208467A (en) * | 1988-07-28 | 1993-05-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a film-covered packaged component |
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JP2018523286A (ja) * | 2015-04-02 | 2018-08-16 | タクトテク オーユー | 埋込みエレクトロニクスを有するマルチ材料構造体 |
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