JPS58216285A - 透過型液晶表示パネル用薄膜トランジスタ - Google Patents
透過型液晶表示パネル用薄膜トランジスタInfo
- Publication number
- JPS58216285A JPS58216285A JP57099549A JP9954982A JPS58216285A JP S58216285 A JPS58216285 A JP S58216285A JP 57099549 A JP57099549 A JP 57099549A JP 9954982 A JP9954982 A JP 9954982A JP S58216285 A JPS58216285 A JP S58216285A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- thin film
- electrode
- display panel
- film transistor
- Prior art date
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- Pending
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、特性の改善、向上を図った透過型液晶表示パ
ネル用の薄膜トランジスタに関する。
ネル用の薄膜トランジスタに関する。
近年、絶縁基板上ＫＴＦＴを形成する研究が活発に行な
われている。この技術は安価な絶縁基板を用いて薄形デ
ィスプレイを寮現するアクティブマ） ＋Ｊックスバネ
ル、あるいは通常の半導体集積回路上にトランジスタ等
の能動素子を形成する。
われている。この技術は安価な絶縁基板を用いて薄形デ
ィスプレイを寮現するアクティブマ） ＋Ｊックスバネ
ル、あるいは通常の半導体集積回路上にトランジスタ等
の能動素子を形成する。
いわゆる三次元集積回路等、多くの応用が期待で縫る。
％に前者に於いて、表示パネルの表示部電接として酸化
インジウム、酸化スズあるいけインジウムスズ酸化物等
の透明電極を用い、対向する透明電極間に液晶を封入す
ることにより透過型表示パネル構成がとれる。スイッチ
ング素子として用いるＴＰＴの構造を第１図に示す。本
説明では半導体薄膜として多結晶シリコンを用いている
がアモルファスシリコン、セレン化カドミウム等、他の
材料にも応用できる。第１図で１０１は絶縁基板１０２
は多結晶シリコン、１０３けゲート絶縁膜、１０４けゲ
ート電極、１０５けソース、ドレイン電極、１０６け層
間絶縁膜、１０７け配線用金属であり、以上の積層によ
り、単体のＴＰＴが構成される。ＴＦＴをアクティブマ
トリックスパネルに応用した場合の液晶表示装置は前述
したように一般に上側のガラス基板と、下側のＴ’ＦＴ
基板と、その間に封入された液晶とから構成されており
、前記ＴＰＴ基板上にマトリックス状に配置された液晶
駆動素子に接続された液晶駆動ｗ枦に電圧を印加するこ
とによ抄、任意の文字１図形、あるいけ画像の表示を行
なうものである。前記ＴＰＴ基板の一般的な回路図を第
２図に示す。
インジウム、酸化スズあるいけインジウムスズ酸化物等
の透明電極を用い、対向する透明電極間に液晶を封入す
ることにより透過型表示パネル構成がとれる。スイッチ
ング素子として用いるＴＰＴの構造を第１図に示す。本
説明では半導体薄膜として多結晶シリコンを用いている
がアモルファスシリコン、セレン化カドミウム等、他の
材料にも応用できる。第１図で１０１は絶縁基板１０２
は多結晶シリコン、１０３けゲート絶縁膜、１０４けゲ
ート電極、１０５けソース、ドレイン電極、１０６け層
間絶縁膜、１０７け配線用金属であり、以上の積層によ
り、単体のＴＰＴが構成される。ＴＦＴをアクティブマ
トリックスパネルに応用した場合の液晶表示装置は前述
したように一般に上側のガラス基板と、下側のＴ’ＦＴ
基板と、その間に封入された液晶とから構成されており
、前記ＴＰＴ基板上にマトリックス状に配置された液晶
駆動素子に接続された液晶駆動ｗ枦に電圧を印加するこ
とによ抄、任意の文字１図形、あるいけ画像の表示を行
なうものである。前記ＴＰＴ基板の一般的な回路図を第
２図に示す。
第２図←）はＴＰＴ基板上の液晶駆動素子のマトリ９ク
ス状配置図である。同図れ）の１で囲まれた領域が表示
領域であり、その中に液晶駆動素子２がマトリックス状
に配置されている。５は液晶駆動素子２へのビデオ信号
ラインであり、４は液晶駆動索子２へのタイミング信号
ラインである。液晶駆動素子２のＴＰＴアレーの拡大図
を同図（ｂ）［示す。２０２は多結晶シリコン嘆、２０
４け前述した液晶駆動素子へのタイミング信号ライン、
２０７け液晶駆動素子へのビデオ信号ラインである。２
０８は前記ビデオ信号ラインとＴＰＴソース電極とのコ
ンタクト部、２１０は表示電極部、２０９は前記表示電
極部とＴ’ＦＴドレイン電極とのコンタクト部であり、
透過型液晶表示パネルにするためには、表示電極部２１
０に透明電極を用いなければならない。従来の透過型液
晶表示パネル用ＴＰＴの構造を第３図、第４図に示す。
ス状配置図である。同図れ）の１で囲まれた領域が表示
領域であり、その中に液晶駆動素子２がマトリックス状
に配置されている。５は液晶駆動素子２へのビデオ信号
ラインであり、４は液晶駆動索子２へのタイミング信号
ラインである。液晶駆動素子２のＴＰＴアレーの拡大図
を同図（ｂ）［示す。２０２は多結晶シリコン嘆、２０
４け前述した液晶駆動素子へのタイミング信号ライン、
２０７け液晶駆動素子へのビデオ信号ラインである。２
０８は前記ビデオ信号ラインとＴＰＴソース電極とのコ
ンタクト部、２１０は表示電極部、２０９は前記表示電
極部とＴ’ＦＴドレイン電極とのコンタクト部であり、
透過型液晶表示パネルにするためには、表示電極部２１
０に透明電極を用いなければならない。従来の透過型液
晶表示パネル用ＴＰＴの構造を第３図、第４図に示す。
第３図で透明絶縁基板３０１ニ多結晶シリコン膜３０２
を形成し、所定のパターンに加工する。ゲート絶縁膜６
０３を形成したのち、ゲート電極３０４を形成加工する
。その後前記ゲート電極をマスクとして、Ｎ型不純物を
イオン注入し、ソース、ドレイン電極３０５を形成する
。層間絶縁膜３０６を形成した後、ソース、ドレイン電
極部にコンタクトホール３０８． ３０９を開ける。イ
ンジウムスズ酸化膜等の透明電極を所定のパターンに形
成加工し、ドレイン電極とのコンタクトをとる。しかる
後、ａまたはＡｔ −ｓｔ等のビデオ信号ラインを配線
形成しソース電極とのコンタクトを２ったのが第３図で
ある。第４図は、第３図と同じ製造方法により構成され
、ドレイン電極と透明電極のコンタクト部をＡｔ又Ｖｉ
Ａｔ−ｓｉで被覆した構造となっている。
を形成し、所定のパターンに加工する。ゲート絶縁膜６
０３を形成したのち、ゲート電極３０４を形成加工する
。その後前記ゲート電極をマスクとして、Ｎ型不純物を
イオン注入し、ソース、ドレイン電極３０５を形成する
。層間絶縁膜３０６を形成した後、ソース、ドレイン電
極部にコンタクトホール３０８． ３０９を開ける。イ
ンジウムスズ酸化膜等の透明電極を所定のパターンに形
成加工し、ドレイン電極とのコンタクトをとる。しかる
後、ａまたはＡｔ −ｓｔ等のビデオ信号ラインを配線
形成しソース電極とのコンタクトを２ったのが第３図で
ある。第４図は、第３図と同じ製造方法により構成され
、ドレイン電極と透明電極のコンタクト部をＡｔ又Ｖｉ
Ａｔ−ｓｉで被覆した構造となっている。
なお図面番号は、６０１と４０１・・・・・・・・・・
３１０と４１０が対応する。第１図に示したＴＰＴの特
性は、本出願人が確認したところ、多結晶シリコン膜の
膜厚が小さい程、リーク電流が小さく ０Ｎ１０Ｆ’Ｆ
比が犬といことがわかった。従ってパネルに於ける
液晶駆動トランジヌタ（第６図あるいけ第４図に相当す
る）においても多結晶シリコンの膜厚を小ζくしたい。
３１０と４１０が対応する。第１図に示したＴＰＴの特
性は、本出願人が確認したところ、多結晶シリコン膜の
膜厚が小さい程、リーク電流が小さく ０Ｎ１０Ｆ’Ｆ
比が犬といことがわかった。従ってパネルに於ける
液晶駆動トランジヌタ（第６図あるいけ第４図に相当す
る）においても多結晶シリコンの膜厚を小ζくしたい。
ところが前述した従来の構造によれば、４結晶シリコン
の膜厚を小ζくすると、ソース電極とビデオ信号ライン
であるＡｔ ′５Ｉはｕ−Ｂｉ とのコンタクトが多結
晶シリコンがｕＫ＜われることによりとれに〈〈なり、
必然的に多結晶シリコンの最小膜厚が限定されてしまう
。従ってリーク電流を小さくで＃ ０Ｎ１０ＦＦ比をζ
らに大きくで詮る可能性を持ちながら、コンタクトがと
れるかどうかによって制限されてしまう。
の膜厚を小ζくすると、ソース電極とビデオ信号ライン
であるＡｔ ′５Ｉはｕ−Ｂｉ とのコンタクトが多結
晶シリコンがｕＫ＜われることによりとれに〈〈なり、
必然的に多結晶シリコンの最小膜厚が限定されてしまう
。従ってリーク電流を小さくで＃ ０Ｎ１０ＦＦ比をζ
らに大きくで詮る可能性を持ちながら、コンタクトがと
れるかどうかによって制限されてしまう。
本発明は以上の欠点を改良したものであり、本発明の目
的とするところは、ソース電極とビデオ信号用電極との
間に透明電極を介在させることに ５− より、多結晶シリコンの膜厚を小享＜シても、安定かつ
良好なコンタクトを得ることにある。以下に第５図に従
−て本発明の一実施例を胛明する。
的とするところは、ソース電極とビデオ信号用電極との
間に透明電極を介在させることに ５− より、多結晶シリコンの膜厚を小享＜シても、安定かつ
良好なコンタクトを得ることにある。以下に第５図に従
−て本発明の一実施例を胛明する。
第５図（ａ）で、透明絶縁基板５０１ Ｋ多結晶シリコ
ン５０２を形成・加工し、ゲート酸化膜５０３を熱酸化
あるいけＣＶＤ法により形成する。次にゲート電極とし
てＮ型不純物を含む多結晶シリコン５０４を形成・加工
し、前記ゲート電極をマスクとして、Ｎ型不純物をイオ
ン注入することにより、ソース。
ン５０２を形成・加工し、ゲート酸化膜５０３を熱酸化
あるいけＣＶＤ法により形成する。次にゲート電極とし
てＮ型不純物を含む多結晶シリコン５０４を形成・加工
し、前記ゲート電極をマスクとして、Ｎ型不純物をイオ
ン注入することにより、ソース。
ドレイン電極５０５を形成し木のが同図（ｂ）である。
さらに同図（ｃ）のようにＣＶＤ法により層間絶縁膜５
０６を全面にデボし、ソース、ドレイン電極とのコンタ
クトホール５０８． ５０９を形成する。その後インジ
ウムスズ酸化物等の透明画、極を全面に形成し、液晶駆
動用電極５１０と、ソース側のコンタクトホール部を被
覆ｒ５１２）するよらにパターン形成したのが同図Ｕ）
である。最後ＶＣＡＩ又はＡｌ−８ｉ等のビデオ信号用
電極５０７を配線形成したのが同図（ｇ）である。
０６を全面にデボし、ソース、ドレイン電極とのコンタ
クトホール５０８． ５０９を形成する。その後インジ
ウムスズ酸化物等の透明画、極を全面に形成し、液晶駆
動用電極５１０と、ソース側のコンタクトホール部を被
覆ｒ５１２）するよらにパターン形成したのが同図Ｕ）
である。最後ＶＣＡＩ又はＡｌ−８ｉ等のビデオ信号用
電極５０７を配線形成したのが同図（ｇ）である。
上記のように、ソース側コンタクトホール部に ６−
も透明電接を残すことによｈ、多結晶シリコンの膜厚を
小さくしていっても、ソース［９を形成する３結晶シリ
コンが、ｄヌけｔｖ −ｓｉ等にくわれる心配はなく、
安定かつ良好なコンタク）Ｗ性を得ることかでλる。
小さくしていっても、ソース［９を形成する３結晶シリ
コンが、ｄヌけｔｖ −ｓｉ等にくわれる心配はなく、
安定かつ良好なコンタク）Ｗ性を得ることかでλる。
以上のように本発明は、プロセスエ稈を増すことなしに
、ＴＰＴの特性を改善、向上させる構造を提供するもの
である。
、ＴＰＴの特性を改善、向上させる構造を提供するもの
である。
第１図はＴＴＦＴの構造、第２図は液晶駆動素子のマト
リックス状配置図及びＴＰＴ７レーの拡大図、第３．４
図は従来の液晶駆動トランジスタであり、第５図が本発
明による液晶駆動トランジスタである。 ５０１・・透明絶縁基板 ５０２・・多結晶シリコン５
０３・・ゲート絶縁膜 ５０４・・ゲート電極５０５・
・ソース・ドレイン電標 ５０６・・層間絶縁膜 ５０７・・ビデオ信号電極 ５０８’、 ５０９・・コンタクトホール５１０、
５１２・・透明電接 以上 出願人 株式会社 諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第１図 （ｂ７ ！− 第４図 第５図
リックス状配置図及びＴＰＴ７レーの拡大図、第３．４
図は従来の液晶駆動トランジスタであり、第５図が本発
明による液晶駆動トランジスタである。 ５０１・・透明絶縁基板 ５０２・・多結晶シリコン５
０３・・ゲート絶縁膜 ５０４・・ゲート電極５０５・
・ソース・ドレイン電標 ５０６・・層間絶縁膜 ５０７・・ビデオ信号電極 ５０８’、 ５０９・・コンタクトホール５１０、
５１２・・透明電接 以上 出願人 株式会社 諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第１図 （ｂ７ ！− 第４図 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）シリコン薄膜を用い、ソース電極とドレイン電極及
びゲート電極を備えた薄膜トランジスタの、ソース電極
と、ａ又はＡｔ−８＜であるビデオ信号ラインが、透明
電極である酸化インジウム。 酸化スズあるいけインジウムスズ酸化物を介してコンタ
クトを有する三層電極構造であることを特徴とする透過
型液晶表示パネル用薄膜トランジスタ。 ２）シリコン薄膜として多結晶シリコンを用いたことを
特徴とする特許請求範囲第１項記載の透過型液晶表示パ
ネル用薄膜トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57099549A JPS58216285A (ja) | 1982-06-10 | 1982-06-10 | 透過型液晶表示パネル用薄膜トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57099549A JPS58216285A (ja) | 1982-06-10 | 1982-06-10 | 透過型液晶表示パネル用薄膜トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58216285A true JPS58216285A (ja) | 1983-12-15 |
Family
ID=14250255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57099549A Pending JPS58216285A (ja) | 1982-06-10 | 1982-06-10 | 透過型液晶表示パネル用薄膜トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58216285A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6887744B2 (en) | 2001-12-18 | 2005-05-03 | Fujitsu Display Technologies Corporation | Method of forming a thin film transistor substrate with a interconnection electrode |
-
1982
- 1982-06-10 JP JP57099549A patent/JPS58216285A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6887744B2 (en) | 2001-12-18 | 2005-05-03 | Fujitsu Display Technologies Corporation | Method of forming a thin film transistor substrate with a interconnection electrode |
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