JPS61207019A - 回転塗布装置 - Google Patents
回転塗布装置Info
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- JPS61207019A JPS61207019A JP4880885A JP4880885A JPS61207019A JP S61207019 A JPS61207019 A JP S61207019A JP 4880885 A JP4880885 A JP 4880885A JP 4880885 A JP4880885 A JP 4880885A JP S61207019 A JPS61207019 A JP S61207019A
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- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 37
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 5
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 abstract description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 abstract 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001092070 Eriobotrya Species 0.000 description 1
- 235000009008 Eriobotrya japonica Nutrition 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造工程における感光性樹脂やポ
リイミド樹脂等の塗布に用いる回転塗布装置に関する。
リイミド樹脂等の塗布に用いる回転塗布装置に関する。
半導体装置の製造工程においては、絶り＃層や金属層等
の種々のパターンを形成する九めにホトリソグラフィ技
術が用いられているか、そのためには、これら絶縁膚や
金属層等が形成されたウニノ１上に感光性樹脂（ホトレ
ジスト）ｔ−塗布し、均一な厚さの薄膜を形成すること
が必要である。
の種々のパターンを形成する九めにホトリソグラフィ技
術が用いられているか、そのためには、これら絶縁膚や
金属層等が形成されたウニノ１上に感光性樹脂（ホトレ
ジスト）ｔ−塗布し、均一な厚さの薄膜を形成すること
が必要である。
ホトレジスト等の薄膜を形成すゐ従来の回転塗布装置の
一例をｌ［２図により説明する。
一例をｌ［２図により説明する。
第２図において、シリコンウニノＳ１はスピンナー−２
に真空吸着されており、そしてこのスピンナー２はモー
タ３に連結されている。
に真空吸着されており、そしてこのスピンナー２はモー
タ３に連結されている。
スピンナー２の周囲には、余剰の塗布液を受ける受皿４
が設けられ、受皿４の底壁には排気装置に連結された排
気管５が取付けられている。なお、６は塗布液滴下用ノ
ズルである。次にその動作について説明する。
が設けられ、受皿４の底壁には排気装置に連結された排
気管５が取付けられている。なお、６は塗布液滴下用ノ
ズルである。次にその動作について説明する。
まず、塗布液滴下用ノズル６より１例えば一定量のホト
レジストＲ１がシリコンウェハ１上に滴下されると、ホ
トレジストＲ１は、最初モータ３の低速回転によりウェ
ハ１の全面に引延ばされ、その後数千ｒｐｍの高速回転
により余剰のホトレジストが飛散し、ウェハ１上には均
一な薄いホトレ ７ジスト膜が形成される。
レジストＲ１がシリコンウェハ１上に滴下されると、ホ
トレジストＲ１は、最初モータ３の低速回転によりウェ
ハ１の全面に引延ばされ、その後数千ｒｐｍの高速回転
により余剰のホトレジストが飛散し、ウェハ１上には均
一な薄いホトレ ７ジスト膜が形成される。
飛散したホトレジストは、軽い粒子は排気流ｆにより、
そして液状のものは受皿から排気管を通って外部に導び
かれるようになっている。
そして液状のものは受皿から排気管を通って外部に導び
かれるようになっている。
しかしながら、ホトレジストは、一般に揮発性の溶剤を
含む粘性の高い液体であるため、長時間の使用後には受
皿や排気管の側壁等に余剰のホトレジス）Ｒ，、Ｒ，が
付着し、凝固して排気量に悪影響を及ぼす欠点があった
。
含む粘性の高い液体であるため、長時間の使用後には受
皿や排気管の側壁等に余剰のホトレジス）Ｒ，、Ｒ，が
付着し、凝固して排気量に悪影響を及ぼす欠点があった
。
排気量はホトレジスト塗布時の溶剤の揮発速度を決める
ものであり、ホトレジストの膜厚の大小に大きな影響を
与える。また、排気量が少くなると飛散したホトレジス
トの粒子がウェハｌの表面に付着し、ホトレジスト膜を
不均一としてパターンの断線などの原因となる不都合を
有する。従って、受皿１！−はずし、受皿と排気管に付
着し凝固したホトレジス）Ｒｚ、 Ｒ１３ｔ”溶剤でと
かし除去する作業を頻繁に行う必要があった。
ものであり、ホトレジストの膜厚の大小に大きな影響を
与える。また、排気量が少くなると飛散したホトレジス
トの粒子がウェハｌの表面に付着し、ホトレジスト膜を
不均一としてパターンの断線などの原因となる不都合を
有する。従って、受皿１！−はずし、受皿と排気管に付
着し凝固したホトレジス）Ｒｚ、 Ｒ１３ｔ”溶剤でと
かし除去する作業を頻繁に行う必要があった。
本発明の目的は、上記欠点を除去し、長時間使用しても
排気流に変化がなく、受皿や排気管の清掃作業が少くて
すむ回転塗布装置を提供することにある。
排気流に変化がなく、受皿や排気管の清掃作業が少くて
すむ回転塗布装置を提供することにある。
本発明の回転塗布装置は、塗布液が塗布される基板を保
持し回転するスピンナーと、底壁と底壁の外周にスピン
ナーを包囲するように形成された外壁及びスピンナーの
下部に位置し底壁の内周に突出して形成された内壁とか
ら構成され余剰塗布液溜を形成する受皿と、この受皿の
底壁を貫通して連結されその頂面が底壁面より高くかつ
内壁の頂面より低く位置するように固定された排気管と
、塗布液の溶剤を受皿中に注入するノズルとを含んで構
成される。
持し回転するスピンナーと、底壁と底壁の外周にスピン
ナーを包囲するように形成された外壁及びスピンナーの
下部に位置し底壁の内周に突出して形成された内壁とか
ら構成され余剰塗布液溜を形成する受皿と、この受皿の
底壁を貫通して連結されその頂面が底壁面より高くかつ
内壁の頂面より低く位置するように固定された排気管と
、塗布液の溶剤を受皿中に注入するノズルとを含んで構
成される。
本発明によれば、飛散し九余剰の塗布液は受皿に溜り、
ここで注入された溶剤により溶され、完全な液体となっ
て排気管より除去される。従って受皿や排気管には塗布
液が付着し凝固すること赤ないため、回転塗布装置の排
気流は変化することがなく、また受皿や排気管の清掃回
数も少なくてすむ。
ここで注入された溶剤により溶され、完全な液体となっ
て排気管より除去される。従って受皿や排気管には塗布
液が付着し凝固すること赤ないため、回転塗布装置の排
気流は変化することがなく、また受皿や排気管の清掃回
数も少なくてすむ。
次に本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例の要部縦断面図である。
第１図において、シリコンウェハｌを吸着保持するスピ
ンナー２はモータ３に連結しており２回転して塗布液滴
下用ノズル６から滴下されたホトレジス）Ｒ１’ｔシリ
コンウェハ１表面に均一に塗布できるようになっている
。
ンナー２はモータ３に連結しており２回転して塗布液滴
下用ノズル６から滴下されたホトレジス）Ｒ１’ｔシリ
コンウェハ１表面に均一に塗布できるようになっている
。
スピンナー２の周囲には、底壁４ａ と、スピンナー２
を包囲するように底壁４ａの外周に形成された外壁４ｂ
及びスピンナー２の下部に位置し底壁４ａの内周に突出
して形成された内壁４ｃとから構成された受皿４が設け
られている。そしてこれら外壁４ｂ、底壁４ａ及び内壁
４Ｃとで余剰のホトレジスト溜を形成している。
を包囲するように底壁４ａの外周に形成された外壁４ｂ
及びスピンナー２の下部に位置し底壁４ａの内周に突出
して形成された内壁４ｃとから構成された受皿４が設け
られている。そしてこれら外壁４ｂ、底壁４ａ及び内壁
４Ｃとで余剰のホトレジスト溜を形成している。
また、受皿４の底壁４ａを貫通して排気装置に連結する
排気管５が設けられているが、この排気管５の先端の頂
面５ａは、受皿４の底壁４ａの面より高く、かつ内壁４
Ｃの頂面４ｄ工り低く位置するように固定されている。
排気管５が設けられているが、この排気管５の先端の頂
面５ａは、受皿４の底壁４ａの面より高く、かつ内壁４
Ｃの頂面４ｄ工り低く位置するように固定されている。
更に、受皿４の外壁４ｂＫはホトレジストの溶剤、（例
えば、キシレン、アセトン、メチルエチルケトンなど）
を受皿４内に注入するノズル７が設けられてお９、受皿
４内に溜ったホトレジストを溶し、排気管に流し出すに
十分な溶剤が、例えば自動的に注入されるようになって
いる。
えば、キシレン、アセトン、メチルエチルケトンなど）
を受皿４内に注入するノズル７が設けられてお９、受皿
４内に溜ったホトレジストを溶し、排気管に流し出すに
十分な溶剤が、例えば自動的に注入されるようになって
いる。
次に、このように構成された実施例の作用について説明
する。
する。
シリコンウェハ１上に滴下されたホトレジストＲ１は、
モータ３の高速回転の遠心力によりシリコンウェハ１の
周囲に飛ばされる。この時、飛散した余剰のホトレジス
トは受皿４の外壁４ｂに付着してたれ落ちて、受皿４が
形成する余剰塗布液溜に溜る。
モータ３の高速回転の遠心力によりシリコンウェハ１の
周囲に飛ばされる。この時、飛散した余剰のホトレジス
トは受皿４の外壁４ｂに付着してたれ落ちて、受皿４が
形成する余剰塗布液溜に溜る。
また、飛散したホトレジストの比較的軽い粒子は、排気
流ｆによって運ばれ、排気管５を経て外部に排出される
。
流ｆによって運ばれ、排気管５を経て外部に排出される
。
一万、この間にキシレン等のホトレジストの溶剤が自動
的に溶剤ノズル７より余剰塗布液溜に注入される。この
ため、余剰塗布液溜中のホトレジストＲ４は凝固するこ
となく液体の状態で排気管５の頂面５ａ上をオーバーフ
ローし、排気管５より外部に排出される。
的に溶剤ノズル７より余剰塗布液溜に注入される。この
ため、余剰塗布液溜中のホトレジストＲ４は凝固するこ
となく液体の状態で排気管５の頂面５ａ上をオーバーフ
ローし、排気管５より外部に排出される。
このように余剰のホトレジストは、粒子又は液体として
外部に排出されるため、受皿４や排気管５の内部に付着
して凝固することがない。このため、排気流ｆの流量は
変化することがなく、シリコンウェハ１上のホトレジス
ト膜の乾燥時間も一定となり、再現性の良いホトレジス
ト膜が形成できる。そして、ホトレジストの軽い粒子の
はね返りによるシリコンウェハ１表面の汚染もなくなり
信頼性の高いパターンを作ることができる。
外部に排出されるため、受皿４や排気管５の内部に付着
して凝固することがない。このため、排気流ｆの流量は
変化することがなく、シリコンウェハ１上のホトレジス
ト膜の乾燥時間も一定となり、再現性の良いホトレジス
ト膜が形成できる。そして、ホトレジストの軽い粒子の
はね返りによるシリコンウェハ１表面の汚染もなくなり
信頼性の高いパターンを作ることができる。
更に、受皿４や排気管５へのホトレジストの付着がなく
なるため、これらの清掃回数は従来の１１５以下となり
、清掃時間の低減と稼動率の同上に寄与する。
なるため、これらの清掃回数は従来の１１５以下となり
、清掃時間の低減と稼動率の同上に寄与する。
上記賽施例においては、塗布物としてホトレジスト膜用
いる場合について述べたが、半導体装置の製造工程で用
いられるオルガノシリカ溶液（？ｌｌｌ二剤：ルアルコ
ール）やポリイミド樹脂（溶剤：メチルセルソルブ）等
の塗布の場合においても本発明の回転塗布装置を用いる
ことが可能であり、ホトレジストの場合と同様の効果ｔ
Ｗする。
いる場合について述べたが、半導体装置の製造工程で用
いられるオルガノシリカ溶液（？ｌｌｌ二剤：ルアルコ
ール）やポリイミド樹脂（溶剤：メチルセルソルブ）等
の塗布の場合においても本発明の回転塗布装置を用いる
ことが可能であり、ホトレジストの場合と同様の効果ｔ
Ｗする。
以上詳細に説明したように２本発明によれば。
長時間使用しても余剰の塗布物が受皿や排気管に付着し
ないため安定した排気状態を保つことができ、また清掃
回数が少なくてすむ回転塗布装置が得られるので、半導
体装置の製造効′５＄ヲ高める効果がある。
ないため安定した排気状態を保つことができ、また清掃
回数が少なくてすむ回転塗布装置が得られるので、半導
体装置の製造効′５＄ヲ高める効果がある。
算１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図は従来の
回転塗布装置の一例を説明する九めの因である。 １・・・・φ・ノリコンウェハ、２・・・…スピンナー
、３・・・・・・モータ、４・・・・・・受皿、４ａ・
・・・・・底壁、 ４ｂ・・・・・・外壁、４Ｃ・・
・・・・内壁、４ｄ・・・・・・内壁の頂面、５・・・
・・・排気管、５ａ・・・・・・排気管の頂面、６・・
・・・・塗布液滴下用ノズル、７・・・・・・溶剤用ノ
ズル。 峯１杷 茅２紹
回転塗布装置の一例を説明する九めの因である。 １・・・・φ・ノリコンウェハ、２・・・…スピンナー
、３・・・・・・モータ、４・・・・・・受皿、４ａ・
・・・・・底壁、 ４ｂ・・・・・・外壁、４Ｃ・・
・・・・内壁、４ｄ・・・・・・内壁の頂面、５・・・
・・・排気管、５ａ・・・・・・排気管の頂面、６・・
・・・・塗布液滴下用ノズル、７・・・・・・溶剤用ノ
ズル。 峯１杷 茅２紹
Claims (1)
- 塗布液が塗布される基板を保持し回転するスピンナーと
、底壁と底壁の外周に前記スピンナーを包囲するように
形成された外壁及び前記スピンナーの下部に位置し底壁
の内周に突出して形成された内壁とから構成され余剰塗
布液溜を形成する受皿と、該受皿の底壁を貫通して連結
されその頂面が底壁面より高くかつ内壁の頂面より低く
位置するように固定された排気管と、塗布液の溶剤を前
記受皿に注入するノズルとを含むことを特徴とする回転
塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4880885A JPS61207019A (ja) | 1985-03-12 | 1985-03-12 | 回転塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4880885A JPS61207019A (ja) | 1985-03-12 | 1985-03-12 | 回転塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61207019A true JPS61207019A (ja) | 1986-09-13 |
Family
ID=12813506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4880885A Pending JPS61207019A (ja) | 1985-03-12 | 1985-03-12 | 回転塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61207019A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02116730U (ja) * | 1989-03-07 | 1990-09-19 | ||
| JPH02249225A (ja) * | 1989-03-22 | 1990-10-05 | Fujitsu Ltd | レジスト塗布装置 |
| US5095848A (en) * | 1989-05-02 | 1992-03-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Spin coating apparatus using a tilting chuck |
| US5264246A (en) * | 1989-05-02 | 1993-11-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Spin coating method |
-
1985
- 1985-03-12 JP JP4880885A patent/JPS61207019A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02116730U (ja) * | 1989-03-07 | 1990-09-19 | ||
| JPH02249225A (ja) * | 1989-03-22 | 1990-10-05 | Fujitsu Ltd | レジスト塗布装置 |
| US5095848A (en) * | 1989-05-02 | 1992-03-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Spin coating apparatus using a tilting chuck |
| US5264246A (en) * | 1989-05-02 | 1993-11-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Spin coating method |
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