JPS58198488A - エポキシプロスタグランジンi↓2誘導体及びその製造法 - Google Patents
エポキシプロスタグランジンi↓2誘導体及びその製造法Info
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- JPS58198488A JPS58198488A JP57080099A JP8009982A JPS58198488A JP S58198488 A JPS58198488 A JP S58198488A JP 57080099 A JP57080099 A JP 57080099A JP 8009982 A JP8009982 A JP 8009982A JP S58198488 A JPS58198488 A JP S58198488A
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- hydrogen atom
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- Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規なエポキシクロスタグランジン!1錦導体
およびその製造法に関する。
およびその製造法に関する。
グロスタグランシフ類は生物学的および薬層♀的に^皺
な活性を有する局所ホルモンであり、それ/&、にそオ
ーらの#!4体Kmする研究も数多く付なわIしている
。かかる誘導体のなかでエポキ7、グロスタグランシフ
I3銹導体として、41開昭66−83485号公報K
Fi、7−アセトキシ−11−デオキシ−5,11−エ
ポキシプロスタグランジンI+gl導体が、特開昭56
−6511111号公報には11−チオキク−5−ヒド
ロキシ−5,11−エポキシプロスタグランジン111
1導体が記載されている。
な活性を有する局所ホルモンであり、それ/&、にそオ
ーらの#!4体Kmする研究も数多く付なわIしている
。かかる誘導体のなかでエポキ7、グロスタグランシフ
I3銹導体として、41開昭66−83485号公報K
Fi、7−アセトキシ−11−デオキシ−5,11−エ
ポキシプロスタグランジンI+gl導体が、特開昭56
−6511111号公報には11−チオキク−5−ヒド
ロキシ−5,11−エポキシプロスタグランジン111
1導体が記載されている。
本発明者らは、プロスタグランジンX2の持つ抗血小板
作用、降圧作用、抗喘息作用、抗潰瘍作用岬に注目し、
上記エポキシプロスタグラ/ジンIzds導体とはその
構造が異なる新規なエボキシプロスタグランンンI、誘
導体を得ることを目的として鋭意研究した結果、7一ヒ
ドcIキシプロスタグランジンIt&!導体あるいはハ
ロゲン化プロスタグランジンlllI4体とフッ素アニ
オン系試薬とを反応せしめるととKよって、新規な51
−fオキシ−7,11−エポキシグロスタグランジンI
2訪導体が得られることf見出し本発明に到達し九4の
である・ すなわち本発明はJr式CI) で表わされるエボキンプロスタグランジン!2誘4幻又
#−tRlが水素原子を表わすときその酸l非41M及
びその製造法である。
作用、降圧作用、抗喘息作用、抗潰瘍作用岬に注目し、
上記エポキシプロスタグラ/ジンIzds導体とはその
構造が異なる新規なエボキシプロスタグランンンI、誘
導体を得ることを目的として鋭意研究した結果、7一ヒ
ドcIキシプロスタグランジンIt&!導体あるいはハ
ロゲン化プロスタグランジンlllI4体とフッ素アニ
オン系試薬とを反応せしめるととKよって、新規な51
−fオキシ−7,11−エポキシグロスタグランジンI
2訪導体が得られることf見出し本発明に到達し九4の
である・ すなわち本発明はJr式CI) で表わされるエボキンプロスタグランジン!2誘4幻又
#−tRlが水素原子を表わすときその酸l非41M及
びその製造法である。
上1式CI) においてR1け水素原子又は低給アルギ
I−基を表わし、かかる低級アルキル基として壷1、例
えばメチル基、エチル基、n−プロピル、g、 1s
o−プロピル基、n−ブチル基、 Ii。
I−基を表わし、かかる低級アルキル基として壷1、例
えばメチル基、エチル基、n−プロピル、g、 1s
o−プロピル基、n−ブチル基、 Ii。
−ブチル基などが挙げられ、なかでもR16ユ水素原−
f父はメチル基が好ましい。
f父はメチル基が好ましい。
−は水素原子又はメチル基を表わす。W#′i炭素数1
〜lOのアルキル基、シクロペンチル基も[7〈はシク
ロヘキシル基を置換基として有する炭素数1〜4のアル
キル基、/クロヘキシル基又はシクロペンチル基を表わ
す。ここで炭素数1〜10のアルキル基としては、例え
ばメチル基、エチル基、n−プロピル基、 Im(+
−プロピル基、h−ブチル基、虐・C−ブチル基、 t
@rt−ブチル基、n−ペンチル基m !l−ヘキシ
ル基。
〜lOのアルキル基、シクロペンチル基も[7〈はシク
ロヘキシル基を置換基として有する炭素数1〜4のアル
キル基、/クロヘキシル基又はシクロペンチル基を表わ
す。ここで炭素数1〜10のアルキル基としては、例え
ばメチル基、エチル基、n−プロピル基、 Im(+
−プロピル基、h−ブチル基、虐・C−ブチル基、 t
@rt−ブチル基、n−ペンチル基m !l−ヘキシ
ル基。
2−メチルヘキシル基、n−ヘプチル基、tt−オクチ
ル基、n−ノニル基、n−デシル基などを挙げることが
できる。シクロペンチル基もしくはシクロヘキシル基を
置換基として有する炭*a1〜4のアルキル基としては
、例えばシクロヘキシルメチル基、シクロペンチルメチ
ル基。
ル基、n−ノニル基、n−デシル基などを挙げることが
できる。シクロペンチル基もしくはシクロヘキシル基を
置換基として有する炭*a1〜4のアルキル基としては
、例えばシクロヘキシルメチル基、シクロペンチルメチ
ル基。
2−シクロヘキシルエチル基などが挙げられる。
仁れらのなかでもR”1jn−ペンチル基、11−ヘキ
シル基、2−メチルヘキシル基、シクロヘキシル基又は
シクロペンチル基が好ましい。
シル基、2−メチルヘキシル基、シクロヘキシル基又は
シクロペンチル基が好ましい。
Wは水素原子、 ) IJ (C1〜Ctj炭化水素
−シリル皇′又は水酸基のa!本原子と共にアセタール
結合を形成する基を表わす。トIJ (C,〜C?)炭
化水素シリル基としては、的えばトリメチルシリル。
−シリル皇′又は水酸基のa!本原子と共にアセタール
結合を形成する基を表わす。トIJ (C,〜C?)炭
化水素シリル基としては、的えばトリメチルシリル。
トリエチルシリル、t−ブチルジメチルシリル基の如き
トリ(C+〜C4)アルキルシリル、t−プチルンフェ
ニル7リル基の如きジフェニル(C+〜C4)アルキル
ノリル又はトリベンジルシリル基等を好ましいものとし
て挙げることができる。
トリ(C+〜C4)アルキルシリル、t−プチルンフェ
ニル7リル基の如きジフェニル(C+〜C4)アルキル
ノリル又はトリベンジルシリル基等を好ましいものとし
て挙げることができる。
水酸基の酸素原子と共にアセタール結合を形LIIする
基としては、例えばメトキシメチル、!−エトキシエチ
ル、2−メトキン−2−プロピル、2−エトキン−2−
プロピル、(2−メトキノエトキノ)メチル、ベンンル
オキシメチル。
基としては、例えばメトキシメチル、!−エトキシエチ
ル、2−メトキン−2−プロピル、2−エトキン−2−
プロピル、(2−メトキノエトキノ)メチル、ベンンル
オキシメチル。
2−戸トラヒドロビラニル、2−′tトラヒドロ7ラニ
ル父は6.6−ヅメナル−3−オキサ−2−オキノービ
/クロ[:”l”IO)へキス−4−イル&を挙けるこ
とができる。これらのなかでもtは水素原子父はt−ブ
チルジメチルノリル基が特に好ブしい。
ル父は6.6−ヅメナル−3−オキサ−2−オキノービ
/クロ[:”l”IO)へキス−4−イル&を挙けるこ
とができる。これらのなかでもtは水素原子父はt−ブ
チルジメチルノリル基が特に好ブしい。
本発明のエボキンプロスタグランジンh誘4体で、上記
式CI)のWが水素原子の場合には、分“f内にカルボ
ン酸部分を有することを利用し−CCれを塩基性化合物
との塩とすることも出来る。この場合の塩として社非毒
性堪であれげいb・なる塩基性化合物を用いてもよく、
例えば水畝1シノートリウム、水酸化カリウム、水酸カ
ル/ウノ・2炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、重炭酸ナ
トリウム、重炭酸カリウムなどの無機塩基性化合物、ア
ンモニア、エタノールアミン、ジェタノールアミン、モ
ルホリンなどの有機環基性化合物が好ましく用いられる
。
式CI)のWが水素原子の場合には、分“f内にカルボ
ン酸部分を有することを利用し−CCれを塩基性化合物
との塩とすることも出来る。この場合の塩として社非毒
性堪であれげいb・なる塩基性化合物を用いてもよく、
例えば水畝1シノートリウム、水酸化カリウム、水酸カ
ル/ウノ・2炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、重炭酸ナ
トリウム、重炭酸カリウムなどの無機塩基性化合物、ア
ンモニア、エタノールアミン、ジェタノールアミン、モ
ルホリンなどの有機環基性化合物が好ましく用いられる
。
本発明のエボキシプロスタグランンンI、誘導体におけ
る7位及び11位の炭素原子のまわりの配置はR配置で
あり、ビシクロ(state)オクタン骨格のエンド(
ando)t’c 7,11−エポキシ結合がある。
る7位及び11位の炭素原子のまわりの配置はR配置で
あり、ビシクロ(state)オクタン骨格のエンド(
ando)t’c 7,11−エポキシ結合がある。
また上記式(1) において、5位と6位の間の二重結
合の5位の炭素原子が4位の炭lA原子と結合している
結合と、核二重結合の6位の炭素原子が酸素原子と結合
している結合とは、シス、あるいはトランスの関係にあ
るか、又はシスとトランスの関係にあるものが共存する
ものであるO 上記式〔I〕で表わされるヱボキシ10スタグラン)
y 5誘導体又はWが水素原子であるときその酸の非褐
性塩の具体例を挙げれば以下のも(1111−’7’オ
キンー(7R,IIR)−7,11−エボキ/PGI2
゜ 12) 11−デオキシ−(7R,IIR)−7,1
1−エポキシ−15−メチルPCI、。
合の5位の炭素原子が4位の炭lA原子と結合している
結合と、核二重結合の6位の炭素原子が酸素原子と結合
している結合とは、シス、あるいはトランスの関係にあ
るか、又はシスとトランスの関係にあるものが共存する
ものであるO 上記式〔I〕で表わされるヱボキシ10スタグラン)
y 5誘導体又はWが水素原子であるときその酸の非褐
性塩の具体例を挙げれば以下のも(1111−’7’オ
キンー(7R,IIR)−7,11−エボキ/PGI2
゜ 12) 11−デオキシ−(7R,IIR)−7,1
1−エポキシ−15−メチルPCI、。
(31,11−デオキシ−(7R,IIR)−7,11
−エポキシ−16−メチルPGI、。
−エポキシ−16−メチルPGI、。
(4111−デオキシ−(7R,IIR)−7,11−
エポキシ−17,20−ジメチルP(d、。
エポキシ−17,20−ジメチルP(d、。
(5)11−デオキシ−(7R,IIR)−7,11−
エポキシ−16,17,18,19,20−ペンタノル
ー15−シクローキンルPCI、 。
エポキシ−16,17,18,19,20−ペンタノル
ー15−シクローキンルPCI、 。
(す) 11−デオキシ−(7R,IIR)−7,1
1−エポキシ−16,1?、18,19.20−ペンタ
ノルー15−シクロペンチルpal、。
1−エポキシ−16,1?、18,19.20−ペンタ
ノルー15−シクロペンチルpal、。
(71(1)〜(6)の化合物のメチルエステル。
(U) (1)〜(7)の化合物の11位の水酸基が
1−プチルンメチルシリル基によって保積された化dw
。
1−プチルンメチルシリル基によって保積された化dw
。
(9) (13〜(6)の化合物のす) IJウム塩
。
。
本発明の下記式〔■〕で表わされるエボキ・ングロスタ
グラ/ジン!、誘導体は、下記式〔旧で表わされる)〜
ロゲン化プロスタグランジン11鱈導体又は下記式(+
ll] tnc” で表わされるノ・ロゲン化グロスタグランジン1゜請溝
体と、フッ素化削とを、非プロトン性不活1′F有機溶
媒中で反応せしめ、次いで必要により脱+1fi反応お
よび/又は塩生成反応を付すことによって得られる。
グラ/ジン!、誘導体は、下記式〔旧で表わされる)〜
ロゲン化プロスタグランジン11鱈導体又は下記式(+
ll] tnc” で表わされるノ・ロゲン化グロスタグランジン1゜請溝
体と、フッ素化削とを、非プロトン性不活1′F有機溶
媒中で反応せしめ、次いで必要により脱+1fi反応お
よび/又は塩生成反応を付すことによって得られる。
凍料化合轡、上記式〔旧の)・ロゲン化プロス声りラン
ノ/工□鋳導体は、下記式 でkわされるプロスタグランンンI、6%導体と、塩素
、臭本、沃素、N−ブロモコノ・り酸イミド。
ノ/工□鋳導体は、下記式 でkわされるプロスタグランンンI、6%導体と、塩素
、臭本、沃素、N−ブロモコノ・り酸イミド。
N−クロロコノ\り酸イミド、N−イオドコノ1り酸イ
ミドなどの求電子性ノ・ロゲン化試薬と反応拷しめるこ
とによって得られるO 原料化合物、上記式(Ill)のハロゲン化プロるタグ
ランジンI!誘導体は下記式 で表わされるグロスタグランジンIsM導体と上記した
求電子性ハロゲン化試薬とを反応せしめることによって
得らnる。
ミドなどの求電子性ノ・ロゲン化試薬と反応拷しめるこ
とによって得られるO 原料化合物、上記式(Ill)のハロゲン化プロるタグ
ランジンI!誘導体は下記式 で表わされるグロスタグランジンIsM導体と上記した
求電子性ハロゲン化試薬とを反応せしめることによって
得らnる。
l:記式(II)においてXはハロゲン原子を表わし、
臭累、塩素、ヨウ素などが挙げられる。R11は低級ア
ルキル基、W′は) IJ (C,〜at>W化水素−
シリル基又は水酸基の酸素原子と共にアセタール結合を
形成する基、R’ti)す(Ct −Cy )炭化水素
−シリル基を表わす。これらの基の具体例1− F、1前述したと同様のものが挙げられる。
臭累、塩素、ヨウ素などが挙げられる。R11は低級ア
ルキル基、W′は) IJ (C,〜at>W化水素−
シリル基又は水酸基の酸素原子と共にアセタール結合を
形成する基、R’ti)す(Ct −Cy )炭化水素
−シリル基を表わす。これらの基の具体例1− F、1前述したと同様のものが挙げられる。
上記式[II)のハロゲン化グロスタグランンンlI訪
導体又は上記式CUE)のハロゲン化プロスタグランジ
ンbll導体と反応せしめるフッ素化剤とし、では、例
えばフッ化銀、7フ化セシウム。
導体又は上記式CUE)のハロゲン化プロスタグランジ
ンbll導体と反応せしめるフッ素化剤とし、では、例
えばフッ化銀、7フ化セシウム。
フン化カリウム、フッ化ナトリウム、フッ化水匍;、ホ
ウフッ住銀又はテトラブチルアンモニウムフル万ライド
等を挙げることができる。これらのうち、7ノ化錯が特
rC奸1しく用いられる。
ウフッ住銀又はテトラブチルアンモニウムフル万ライド
等を挙げることができる。これらのうち、7ノ化錯が特
rC奸1しく用いられる。
非プロトン註不活性M機鹸媒としては、1jえ1、工、
アセトニトリル、ジメチルホルムアミド。
アセトニトリル、ジメチルホルムアミド。
ンメナルスルホキシド、ヘキyメチルホスホリックIミ
ドの如き物性f!E;at;ベンゼノ、トルエン、キシ
レンの如き縦化水1系皺諌;ジクロルメタン、クロロホ
ルム、四塩化訳嵩の−如きクロル化炭化水嵩f!媒;エ
ーテル、テトシヒド口フラノ、ジエチレングリコールジ
メチルエーテルの如きエーテル系fM媒等が用いられる
。これらのうち上記した極性溶媒就中アセトニトリルが
特に好ましく用いられる。この際フッ素化剤の紐解補助
剤として例えば18−クラウン−6の如きクラウ;ノエ
ーテル類を用いてもよい。
ドの如き物性f!E;at;ベンゼノ、トルエン、キシ
レンの如き縦化水1系皺諌;ジクロルメタン、クロロホ
ルム、四塩化訳嵩の−如きクロル化炭化水嵩f!媒;エ
ーテル、テトシヒド口フラノ、ジエチレングリコールジ
メチルエーテルの如きエーテル系fM媒等が用いられる
。これらのうち上記した極性溶媒就中アセトニトリルが
特に好ましく用いられる。この際フッ素化剤の紐解補助
剤として例えば18−クラウン−6の如きクラウ;ノエ
ーテル類を用いてもよい。
フッ素化剤は出発物質に対し等モル〜lOモル倍量の範
囲で用いることができる。
囲で用いることができる。
反応は、通常O〜2’00℃、好ましくは20〜180
℃で行なわれる。反応時間は数分〜76時間に及ぶが、
通常48時間で充分である。
℃で行なわれる。反応時間は数分〜76時間に及ぶが、
通常48時間で充分である。
反応の際には、反応系内に、)リエテルア建ン、炭酸水
素カリウムもしくはナトリウム、又は炭酸カリウムもし
くはナトリウム等を存在せしめることが好ましい。
素カリウムもしくはナトリウム、又は炭酸カリウムもし
くはナトリウム等を存在せしめることが好ましい。
上記反応は、好ましくはフッ素化剤として7ツ化銀を用
い、0〜80℃で、数分〜4時間実施される。
い、0〜80℃で、数分〜4時間実施される。
反応後、目的物の塾離精製は、例えばシリカゲルカラム
クロマトグラフィー、シリカゲル薄層クロマトグラフィ
ー、フロリジルカラムクロマトグツフィー逐どの手段に
より行なうことができる。
クロマトグラフィー、シリカゲル薄層クロマトグラフィ
ー、フロリジルカラムクロマトグツフィー逐どの手段に
より行なうことができる。
反応により牛成し7cIJ的物は、次いで必要により脱
保劇反応お上び/又は塩住成反応に付される。
保劇反応お上び/又は塩住成反応に付される。
脱保賎反応は反応が終了した反応混合物中で実施するこ
ともでき、また上記の如くして単醗精製した目的物につ
いて実施することもできる。
ともでき、また上記の如くして単醗精製した目的物につ
いて実施することもできる。
水#基の保護基(茫)の除去け、保静基が水酸Iのll
素原子と共にアセタール結合を形成する基の場合K i
、、r 、例えば酢酸、p−)ルエンスルホン酸のピリ
ジニウム塩又は陽イオン交換樹脂等を触媒とし、例えば
水、テトラヒドロフラン。
素原子と共にアセタール結合を形成する基の場合K i
、、r 、例えば酢酸、p−)ルエンスルホン酸のピリ
ジニウム塩又は陽イオン交換樹脂等を触媒とし、例えば
水、テトラヒドロフラン。
ゴテルエーテル、ジオキサン、アセトン、アセトニトリ
ル郷を反応溶媒とすることKより好適に実施される。反
応は通常−78℃〜+30℃の温度範囲で10分〜3日
間程度行なわれる。
ル郷を反応溶媒とすることKより好適に実施される。反
応は通常−78℃〜+30℃の温度範囲で10分〜3日
間程度行なわれる。
また、保護基がトリ(C+ −Ct )炭化水素−シリ
ル基の場合に社、例えに酢酸、テト°ラブチルアンモニ
ウムフルオライド、セシウムフルオライド郷、好1 +
、 <は後2者のいずれか(更に好ましくは、トリエチ
ルアミンなどの塩基性化合物の存在下)の存在下に、上
記した如き反応溶媒(好ましくは水以外の反応溶媒)中
で同様の1斐で同様の時間実施される。
ル基の場合に社、例えに酢酸、テト°ラブチルアンモニ
ウムフルオライド、セシウムフルオライド郷、好1 +
、 <は後2者のいずれか(更に好ましくは、トリエチ
ルアミンなどの塩基性化合物の存在下)の存在下に、上
記した如き反応溶媒(好ましくは水以外の反応溶媒)中
で同様の1斐で同様の時間実施される。
カルボキシル基の保護基(R11)の除去は、例え1R
− はリパーゼ郷の酵素を用い、水又社水を含む溶媒中で一
10〜+60℃の温度範囲で10分〜24時間程度行な
われる。
− はリパーゼ郷の酵素を用い、水又社水を含む溶媒中で一
10〜+60℃の温度範囲で10分〜24時間程度行な
われる。
本発明eζよれば、上記の如き保護基の除去反応により
生成せしめたカルボキシル基分有する化合物は、次いで
必要により、更に塩生成反応に付され和尚するカルボン
酸塩を与える。塩生成反応はそれ自体公知であり、カル
ボン酸とほぼ等量の水酸化? ) +7ウム、水酸化カ
リウム。
生成せしめたカルボキシル基分有する化合物は、次いで
必要により、更に塩生成反応に付され和尚するカルボン
酸塩を与える。塩生成反応はそれ自体公知であり、カル
ボン酸とほぼ等量の水酸化? ) +7ウム、水酸化カ
リウム。
戻酸す) IJウムなどの塩基性化合物、あるいはアン
モニア、トリメチレアミン、モノエタノールアミン、モ
ルホリンとを通常の方法で中和反応せし、めることKよ
り行なわれる。
モニア、トリメチレアミン、モノエタノールアミン、モ
ルホリンとを通常の方法で中和反応せし、めることKよ
り行なわれる。
まl(本発明のエポキ/プロスタグランジン!。
誘導体は下記式〔■〕
で表わ々れる7−ヒドロギシブロスタグランジシt ■
、誘導体と、)(C1〜Cs)アルキルアミノ−8F、
。
、誘導体と、)(C1〜Cs)アルキルアミノ−8F、
。
ビス〔ジCC,〜Cs)アルキルアずノ) −”Ft
+モルオリノー8F3又はCF@ CHCFt N (
Ct HI)tとを、非グaト/性不活性有機−媒中で
反応せしめ、次いで必要に応じて脱係−および/又は塩
生成反応に付すととくよっても製造される。
+モルオリノー8F3又はCF@ CHCFt N (
Ct HI)tとを、非グaト/性不活性有機−媒中で
反応せしめ、次いで必要に応じて脱係−および/又は塩
生成反応に付すととくよっても製造される。
原料化合物、上記式Cu1l)の7−ヒトロキシグロス
タグランンンl鵞#褥体は次の反応式に示されるように
して得られる。
タグランンンl鵞#褥体は次の反応式に示されるように
して得られる。
ジ(C+〜Cs)アルキルアミノ−8F、としては、例
えばジメチルアミノ−8F8. ジエチル−8F、。
えばジメチルアミノ−8F8. ジエチル−8F、。
ジプロピルアミノ−8F、、ジインチルアミノ−5F−
等があげられる。
等があげられる。
ビス〔ジ(c+〜Cs)アルキルアミノ) 8F!
としては、例えばビス(ジメチルアミノ) −”1mビ
ス(ジエチルアミン) −SF、、ビス(ジプロピルア
ミノ) ”−sr2.ビス(ジプチルアミノ)−8)’
j、ビス(ジプチルアミノ) −SF、等があげられる
。
としては、例えばビス(ジメチルアミノ) −”1mビ
ス(ジエチルアミン) −SF、、ビス(ジプロピルア
ミノ) ”−sr2.ビス(ジプチルアミノ)−8)’
j、ビス(ジプチルアミノ) −SF、等があげられる
。
上記非プロトン性不活性有機溶媒としては、例えば、ジ
、タロルメタ/、クロロホルム、四塩化炭=e t*
2−ジクロルエタン等のクロル系溶媒;エーテル、デト
ラヒドロフラン、)メトキノエタン等のエーテル類;ベ
ンゼン、トルエン。
、タロルメタ/、クロロホルム、四塩化炭=e t*
2−ジクロルエタン等のクロル系溶媒;エーテル、デト
ラヒドロフラン、)メトキノエタン等のエーテル類;ベ
ンゼン、トルエン。
ギンレン等の炭化水素類等が用いられる。好ましくは/
クロルメタ/、りI″Ir′1Ir′1ホルムれる。
クロルメタ/、りI″Ir′1Ir′1ホルムれる。
に記フッ素化剤は出発物實に対し等モル−10モル倍μ
でhlいZ)ことができる。
でhlいZ)ことができる。
反応温度番寸−100℃〜80℃であるが、好ましく1
j−70℃〜30℃である。反応時間は、反応1度及び
用いる試鶴、熔媒の量醇によって異なるが、0.1〜4
8時!IJl楊度が好ましく、さらに好ましくは0.′
5〜16時間楊度である。
j−70℃〜30℃である。反応時間は、反応1度及び
用いる試鶴、熔媒の量醇によって異なるが、0.1〜4
8時!IJl楊度が好ましく、さらに好ましくは0.′
5〜16時間楊度である。
得られた反応混合物からの目的物の拳離・精製は前述し
たと同様にして行なうことかで〜きる。
たと同様にして行なうことかで〜きる。
また得られた目的物忙対して必要により実施する脱係1
戻応又は塩変換反応も前述したと同様、Cして実施する
ことができる。
戻応又は塩変換反応も前述したと同様、Cして実施する
ことができる。
つ<シて上記式(1)で表わされるエポキシプロスタク
ランジン尋導体又はR1が水蓄原子′を表わすときその
甑の非毒性塩が得られ、かかる化合物は抗血小板作用、
降圧作用、抗喘息作用。
ランジン尋導体又はR1が水蓄原子′を表わすときその
甑の非毒性塩が得られ、かかる化合物は抗血小板作用、
降圧作用、抗喘息作用。
抗am作用尋O栗理作用t−4する化合物として期待さ
れるものでめる・ 9ト、本発明を実施例により史に評aK説明する。
れるものでめる・ 9ト、本発明を実施例により史に評aK説明する。
実施例1゜
PCI、メチルエステル11.15−ビス−1−プチル
ジメチノノシリルエーテル301.vを順化メチレンo
、4fntK溶解し、N−ブロモフッ・り酸イiドロη
を0℃で加え、1時間反応させたー次いでその1Lカラ
ムクロマトグラフイー(/リカゲル、・/クロヘキサン
/酢酸エチル=c+*二x() リ エ チ ル °
r ミ >′、 t)、5 % ) )にて
精製し、7 niの5−プロモーΔ−PCI、メテルヱ
ステルー11.15−ビスーt−ブチルジメ千ル7リル
エーテル管得た。
ジメチノノシリルエーテル301.vを順化メチレンo
、4fntK溶解し、N−ブロモフッ・り酸イiドロη
を0℃で加え、1時間反応させたー次いでその1Lカラ
ムクロマトグラフイー(/リカゲル、・/クロヘキサン
/酢酸エチル=c+*二x() リ エ チ ル °
r ミ >′、 t)、5 % ) )にて
精製し、7 niの5−プロモーΔ−PCI、メテルヱ
ステルー11.15−ビスーt−ブチルジメ千ル7リル
エーテル管得た。
このものの性状は次の如くであった。
NMRスペクトル(CDC74)δ:
3.69(3H,a)、3.78−4.15(211,
nu)。
nu)。
4.3−4.9(2)1.n+) 、5.C12(jH
,d、J=2)1z) 、 5.5 (2H、rn )
。
,d、J=2)1z) 、 5.5 (2H、rn )
。
674.672(M+)、617,615.59j57
7、 661. 535,377゜(1]の如<Kl、
て得られ石5−ブロモーム0−PC11メチルエステル
11.1!−ビス−1−ブチルジメチルシリルエーテル
go、sqにトリニーナルアミン32μtを加え、次い
でアセトニトリル2.4−を加えた。フルボン置換後、
フッ化観170ηを加え、室温で40分間撹拌した彼、
シタロメタンを加え、セライト−グラスノイルターで濾
過し、濃[後TLC分離(ベンゼンで1回、とI(いで
1%酢、酸エテルーヘンゼンで11121展rA)L、
、ll目的物、OW (収率:]4チ)Q待た。
7、 661. 535,377゜(1]の如<Kl、
て得られ石5−ブロモーム0−PC11メチルエステル
11.1!−ビス−1−ブチルジメチルシリルエーテル
go、sqにトリニーナルアミン32μtを加え、次い
でアセトニトリル2.4−を加えた。フルボン置換後、
フッ化観170ηを加え、室温で40分間撹拌した彼、
シタロメタンを加え、セライト−グラスノイルターで濾
過し、濃[後TLC分離(ベンゼンで1回、とI(いで
1%酢、酸エテルーヘンゼンで11121展rA)L、
、ll目的物、OW (収率:]4チ)Q待た。
IR(液1il):1730,1フ05c1R’NMR
(CDCl4.δ):0.88(9H,a)。
(CDCl4.δ):0.88(9H,a)。
2.7−3.1(2H,br)、3.66(3H,s)
。
。
3.8S〜4.2(2H,m)、4.35(IH,d、
J=−3Hz )、 4.65 (I H、J、=7H
z )。
J=−3Hz )、 4.65 (I H、J、=7H
z )。
4.80 (l)T、 m)、 5.48 (IN、
m )Mgga(in/e) : !78(λ1−20)、447(hl−20−31)。
m )Mgga(in/e) : !78(λ1−20)、447(hl−20−31)。
421(M−20−67)。
施例2
7−ヒドロキシPGI、メチルエステル11.15−ビ
スーt−プチルジメチルシリャエーテル1Ouq (o
、o 16 rllmote ) tジクロルメタンl
Htに溶解し、フルボン置換して一70℃に冷却した。
スーt−プチルジメチルシリャエーテル1Ouq (o
、o 16 rllmote ) tジクロルメタンl
Htに溶解し、フルボン置換して一70℃に冷却した。
次いでジエチルアミノプルファートリフルオライド4μ
l (0,024mmolm )を加え、−70℃で1
.5時間反応した。反応恢、飽和縦敵水素ナトリウム水
溶液6献を加え、酢酸エチルで抽出後、水で洗浄、乾燥
し、溶媒を留去し得られる粗成成物魯、oiyをTLC
分離(3チ酢酸エチル−ベンゼンで展開)し、目的物3
.4 mg (収率:4B%)を得た。このものの物性
値は実施例1のそれと一致した。
l (0,024mmolm )を加え、−70℃で1
.5時間反応した。反応恢、飽和縦敵水素ナトリウム水
溶液6献を加え、酢酸エチルで抽出後、水で洗浄、乾燥
し、溶媒を留去し得られる粗成成物魯、oiyをTLC
分離(3チ酢酸エチル−ベンゼンで展開)し、目的物3
.4 mg (収率:4B%)を得た。このものの物性
値は実施例1のそれと一致した。
火1阿3゜
11−f、tキノ−(7B、IIR)−7,11−エポ
キシPCI。
キシPCI。
メチルエステル1B−t−グチルジメチルシIJル工−
テtし6.61?/ (13,8μmate )をテト
ラヒト。
テtし6.61?/ (13,8μmate )をテト
ラヒト。
ロノラン1.*+;Jに力0え、次いでトリエチルアミ
ン” 28 pt(−! OOpxoL* ) 、テト
ラブチルアンモニウムフルオライドo、63yy(2o
Oμmote)を加えて、室温で2時間反応した。反応
復製&−し、酢酸エチルで抽出し4.7ηの粗生成物を
得た。こノLl&フーリジールカラム(20%酢酸エチ
エチヘキチン、0.1%トリエチルアミン)で精徊し、
目的物3.0qを得た。
ン” 28 pt(−! OOpxoL* ) 、テト
ラブチルアンモニウムフルオライドo、63yy(2o
Oμmote)を加えて、室温で2時間反応した。反応
復製&−し、酢酸エチルで抽出し4.7ηの粗生成物を
得た。こノLl&フーリジールカラム(20%酢酸エチ
エチヘキチン、0.1%トリエチルアミン)で精徊し、
目的物3.0qを得た。
IR(液膜):1730,1702cIR−”NMR(
CDC4,δ): 2.8〜3.0(2)1.br)、3.65(3H,s
)。
CDC4,δ): 2.8〜3.0(2)1.br)、3.65(3H,s
)。
3.95〜4.2 (2H,m)、 4.34−(I
H,d、 J=311z )、 4.56 (l H
,t、 J=7Hz )。
H,d、 J=311z )、 4.56 (l H
,t、 J=7Hz )。
4.82(11’!、t、J=6.5itm)、6.b
5(2H,m)。
5(2H,m)。
Masa(frI/*):
364(M”)、346(M−1it)、333(M−
31)実施例4゜ 11−デオキシ−(7R,IIR)−7,11−エポキ
シPG I。
31)実施例4゜ 11−デオキシ−(7R,IIR)−7,11−エポキ
シPG I。
メチル。エステル3.0191エタノール(20μt)
と0.IN水酸化ナトリウム浴液(zopz)との;1
合物に加え、室温で5時間撹拌してナトリウム1の、#
類を稠整した@
と0.IN水酸化ナトリウム浴液(zopz)との;1
合物に加え、室温で5時間撹拌してナトリウム1の、#
類を稠整した@
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 下記式(I) Lセタール結合を形成する基を表わす。 ノで表わされ
るエポキシプロスタグランジンI。 誘導体又はWが水素原子を表わすときその酸の非毒性塩
。 2 上記式CI) において R1が水素原子又はメチ
ル基である特許請求の範囲第1項記載のエポキシプロス
タグランジン1.@導体又は聾が水素原子を表わすとき
その酸の非毒性塩。 3 上記式CI) において、Vがれ−ベンチル基。 n−ヘキシル基# 3−メチルヘキシル基、シクロヘキ
シル基又はシクロペンチル基である特許請求の範囲第1
y;A又11項記載のエポキシプロスタグランジン11
誘尋体又はR1が水素原子1に表わすときその酸の非毒
性塩。 4、 下記式CI) において、tが水素原子又はt−
ブチルジメチルシリル基である特許請求の範囲第1項〜
第3項のいずれか1項記載のエポキシプロスタグランジ
ン11誘尋体又は鰺が水素原子を表わすときその酸の非
毒性塩。 4 下2式(II) で表わされるハ賞ゲン化プロスタグランジン1、n導体
又は下記式(III) で表わされるハロゲン化グロスタグランジン不活性有機
溶媒中で反応せしめ、次いで必要に応じて脱保鏝および
/又は塩生成反応に付すことを特徴とする下記式(1) で表わされるエポキシプロスタグランジンl。 鋳導体又FiR1が水素原子を表わすときその酸の非毒
性塩の製造法。 6、 フッ素化剤が7ツ化銀、フッ化セシウム。 フッ化カリウム、7ツ化ナトリウム、7ツ化水銀、ホウ
フッ化銀又はテトラブチルアンモニウムフルオライドで
ある特許請求の範囲第S項記載のエポキシプロスタグラ
ンジンI、鋳導体又はR1が水素原子を表わすときその
毫の非毒性塩の製造法。 7、 下記式(ffl) 1 で表わされる1−ヒドクキシグロスタダ2ノジン!雪−
導体と、ジ(C1〜も)アルキルアiノーsr、、ビス
〔ジ(う〜喝)アルキルアミノ〕−8F%す、jt り
/ −IBF、又a C17’@ CHFCF*N
(Q ’% b トを、非プロトン性不活性有機溶媒中
で反応せしめ、次いで必9に応じて脱保−および/又は
塩生成反応に付すことを41黴とする下記式で表わされ
るエポキ7プロスタグランンy 1゜−導体又FiR1
が水素原子を表わすときその酸の非毒性塩の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57080099A JPS58198488A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | エポキシプロスタグランジンi↓2誘導体及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57080099A JPS58198488A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | エポキシプロスタグランジンi↓2誘導体及びその製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58198488A true JPS58198488A (ja) | 1983-11-18 |
Family
ID=13708733
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57080099A Pending JPS58198488A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | エポキシプロスタグランジンi↓2誘導体及びその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58198488A (ja) |
-
1982
- 1982-05-14 JP JP57080099A patent/JPS58198488A/ja active Pending
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