JP2000159745A - メチルチオメチルアリールスルホン誘導体の製造法 - Google Patents
メチルチオメチルアリールスルホン誘導体の製造法Info
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- JP2000159745A JP2000159745A JP10335181A JP33518198A JP2000159745A JP 2000159745 A JP2000159745 A JP 2000159745A JP 10335181 A JP10335181 A JP 10335181A JP 33518198 A JP33518198 A JP 33518198A JP 2000159745 A JP2000159745 A JP 2000159745A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 農薬及び医薬などの中間体として有用な、メ
チルチオメチルアリールスルホン誘導体の効率的な製造
法の提供 【解決手段】 式(1) 【化1】 [式中、R1は C1-6アルキル基を意味する。]で表わ
されるアシロキシメチルスルフィドと、式(2) 【化2】 [式中、 R2はフェニル基、ナフチル基(該フェニル基
及びナフチル基はいずれもC1-4アルキル基、ハロゲン
原子又はニトロ基で任意に置換されていても良い。)を
意味し、Mはアルカリ金属、ベリリウム、マグネシウム
又はアルカリ土類金属を意味する。]で表わされるスル
フィン酸塩を、ギ酸の共存下で反応させることを特徴と
する、式(3) 【化3】 [式中、R2は前記に同じ。]で表わされるメチルチオ
メチルアリールスルホン誘導体の製造法。
チルチオメチルアリールスルホン誘導体の効率的な製造
法の提供 【解決手段】 式(1) 【化1】 [式中、R1は C1-6アルキル基を意味する。]で表わ
されるアシロキシメチルスルフィドと、式(2) 【化2】 [式中、 R2はフェニル基、ナフチル基(該フェニル基
及びナフチル基はいずれもC1-4アルキル基、ハロゲン
原子又はニトロ基で任意に置換されていても良い。)を
意味し、Mはアルカリ金属、ベリリウム、マグネシウム
又はアルカリ土類金属を意味する。]で表わされるスル
フィン酸塩を、ギ酸の共存下で反応させることを特徴と
する、式(3) 【化3】 [式中、R2は前記に同じ。]で表わされるメチルチオ
メチルアリールスルホン誘導体の製造法。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、アシロキシメチル
スルフィドからのメチルチオメチルアリールスルホン誘
導体の製造法に関する。
スルフィドからのメチルチオメチルアリールスルホン誘
導体の製造法に関する。
【0002】
【従来の技術】メチルチオメチルアリールスルホン誘導
体(以下本化合物と称す)は有機反応の反応試薬として有
用であり、例えば農薬及び医薬などの中間体として用い
られるカルボチオ酸S−メチルはカルボン酸エステルと
本化合物とを反応させることによって合成できる。
体(以下本化合物と称す)は有機反応の反応試薬として有
用であり、例えば農薬及び医薬などの中間体として用い
られるカルボチオ酸S−メチルはカルボン酸エステルと
本化合物とを反応させることによって合成できる。
【0003】従来、本化合物の製造法としては、アシロ
キシメチルスルフィドとスルフィン酸塩を酢酸、プロピ
オン酸、酪酸等の共存下に反応させる方法(特開昭58
−183667号公報)が知られている。
キシメチルスルフィドとスルフィン酸塩を酢酸、プロピ
オン酸、酪酸等の共存下に反応させる方法(特開昭58
−183667号公報)が知られている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の脂肪酸
共存下で製造する方法では、主反応よりも副反応の反応
速度が速いためにスルフィン酸塩をアシロキシメチルス
ルフィドに対して過剰に用いる必要があり、収率も70%程
度と充分なものではなかった。
共存下で製造する方法では、主反応よりも副反応の反応
速度が速いためにスルフィン酸塩をアシロキシメチルス
ルフィドに対して過剰に用いる必要があり、収率も70%程
度と充分なものではなかった。
【0005】又、低い温度では反応が非常に遅くなり、
副生物が増え、収率も更に低下する傾向にあった。
副生物が増え、収率も更に低下する傾向にあった。
【0006】又、過剰に用いたスルフィン酸塩から副生
する副生物が多量に混入してくるために、分離、精製も
困難であり、工業的に有利な製造法ではなかった。
する副生物が多量に混入してくるために、分離、精製も
困難であり、工業的に有利な製造法ではなかった。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者は、メチルチオ
メチルアリールスルホン誘導体の製造法について鋭意検
討を重ねた結果、アシロキシメチルスルフィドとスルフ
ィン酸塩をギ酸の共存下で反応させることにより、過剰
のスルフィン酸を用いることなく、ほぼ定量的にメチル
チオメチルアリールスルホン誘導体を製造する方法を見
いだし、本発明を完成するに至った。
メチルアリールスルホン誘導体の製造法について鋭意検
討を重ねた結果、アシロキシメチルスルフィドとスルフ
ィン酸塩をギ酸の共存下で反応させることにより、過剰
のスルフィン酸を用いることなく、ほぼ定量的にメチル
チオメチルアリールスルホン誘導体を製造する方法を見
いだし、本発明を完成するに至った。
【0008】即ち、本発明は、式(1)
【0009】
【化4】 [式中、R1は C1-6アルキル基を意味する。]で表わ
されるアシロキシメチルスルフィドと、式(2)
されるアシロキシメチルスルフィドと、式(2)
【0010】
【化5】 [式中、 R2はフェニル基、ナフチル基(該フェニル基
及びナフチル基はいずれもC1-4アルキル基、ハロゲン
原子又はニトロ基で任意に置換されていても良い。)を
意味し、Mはアルカリ金属、ベリリウム、マグネシウム
又はアルカリ土類金属を意味する。]で表わされるスル
フィン酸塩を、ギ酸の共存下で反応させることを特徴と
する、式(3)
及びナフチル基はいずれもC1-4アルキル基、ハロゲン
原子又はニトロ基で任意に置換されていても良い。)を
意味し、Mはアルカリ金属、ベリリウム、マグネシウム
又はアルカリ土類金属を意味する。]で表わされるスル
フィン酸塩を、ギ酸の共存下で反応させることを特徴と
する、式(3)
【0011】
【化6】 [式中、R2は前記に同じ。]で表わされるメチルチオ
メチルアリールスルホン誘導体の製造法に関するもので
ある。
メチルアリールスルホン誘導体の製造法に関するもので
ある。
【0012】
【発明の実施の形態】まず、R1、R2及びMの各置換基
における語句について説明する。
における語句について説明する。
【0013】尚、明細書中、「n」はノルマルを、
「i」はイソを、「s」はセカンダリーを、「t」はタ
ーシャリーを、「c」はシクロを、「o」はオルトを、
「m」はメタを、「p」はパラを意味する。
「i」はイソを、「s」はセカンダリーを、「t」はタ
ーシャリーを、「c」はシクロを、「o」はオルトを、
「m」はメタを、「p」はパラを意味する。
【0014】C1-4アルキル基としては、メチル基、エ
チル基、n−プロピル基、i−プロピル基、c−プロピ
ル基、n−ブチル基、i−ブチル基、s−ブチル基、t
−ブチル基及びc−ブチル基等が挙げられ、C1-6アル
キル基としては、更にこれらに加え、1−ペンチル基、
2−ペンチル基、3−ペンチル基、3−メチル−ブチル
基、ネオペンチル基、t−ペンチル基、c−ペンチル
基、1−ヘキシル基、2−ヘキシル基、3−ヘキシル
基、1−メチル−1−エチル−プロピル基、1,1,2
−トリメチル−プロピル基、1,2,2−トリメチル−
プロピル基、3,3−ジメチル−ブチル基及びc−ヘキ
シル基等が挙げられる。
チル基、n−プロピル基、i−プロピル基、c−プロピ
ル基、n−ブチル基、i−ブチル基、s−ブチル基、t
−ブチル基及びc−ブチル基等が挙げられ、C1-6アル
キル基としては、更にこれらに加え、1−ペンチル基、
2−ペンチル基、3−ペンチル基、3−メチル−ブチル
基、ネオペンチル基、t−ペンチル基、c−ペンチル
基、1−ヘキシル基、2−ヘキシル基、3−ヘキシル
基、1−メチル−1−エチル−プロピル基、1,1,2
−トリメチル−プロピル基、1,2,2−トリメチル−
プロピル基、3,3−ジメチル−ブチル基及びc−ヘキ
シル基等が挙げられる。
【0015】ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
【0016】アルカリ金属としては、リチウム、ナトリ
ウム及びカリウム等が挙げられる。
ウム及びカリウム等が挙げられる。
【0017】アルカリ土類金属としては、カルシウム及
びバリウム等が挙げられる。
びバリウム等が挙げられる。
【0018】R1の具体例としては、メチル基、エチル
基、n−プロピル基、i−プロピル基、c−プロピル
基、n−ブチル基、i−ブチル基、s−ブチル基、t−
ブチル基、c−ブチル基、1−ペンチル基、2−ペンチ
ル基、3−ペンチル基、3−メチル−ブチル基、ネオペ
ンチル基、t−ペンチル基、c−ペンチル基、1−ヘキ
シル基、2−ヘキシル基、3−ヘキシル基、1−メチル
−1−エチル−プロピル基、1,1,2−トリメチル−
プロピル基、1,2,2−トリメチル−プロピル基、
3,3−ジメチル−ブチル基及びc−ヘキシル基等が挙
げられ、好ましくは、メチル基、エチル基、n−プロピ
ル基、n−ブチル基、n−ペンチル基及びn−ヘキシル
基等が挙げられる。
基、n−プロピル基、i−プロピル基、c−プロピル
基、n−ブチル基、i−ブチル基、s−ブチル基、t−
ブチル基、c−ブチル基、1−ペンチル基、2−ペンチ
ル基、3−ペンチル基、3−メチル−ブチル基、ネオペ
ンチル基、t−ペンチル基、c−ペンチル基、1−ヘキ
シル基、2−ヘキシル基、3−ヘキシル基、1−メチル
−1−エチル−プロピル基、1,1,2−トリメチル−
プロピル基、1,2,2−トリメチル−プロピル基、
3,3−ジメチル−ブチル基及びc−ヘキシル基等が挙
げられ、好ましくは、メチル基、エチル基、n−プロピ
ル基、n−ブチル基、n−ペンチル基及びn−ヘキシル
基等が挙げられる。
【0019】R2の具体例としては、フェニル基、o−
トリル基、m−トリル基、p−トリル基、o−エチルフ
ェニル基、m−エチルフェニル基、p−エチルフェニル
基、キシリル基(置換基の位置はいずれでも良い)、o
−クロロフェニル基、m−クロロフェニル基、p−クロ
ロフェニル基、p−ニトロフェニル基、i−プロピルフ
ェニル基、t−ブチルフェニル基、α−ナフチル基、β
−ナフチル基等が挙げられる。
トリル基、m−トリル基、p−トリル基、o−エチルフ
ェニル基、m−エチルフェニル基、p−エチルフェニル
基、キシリル基(置換基の位置はいずれでも良い)、o
−クロロフェニル基、m−クロロフェニル基、p−クロ
ロフェニル基、p−ニトロフェニル基、i−プロピルフ
ェニル基、t−ブチルフェニル基、α−ナフチル基、β
−ナフチル基等が挙げられる。
【0020】Mの具体例としては、リチウム、ナトリウ
ム、カリウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム
及びバリウム等が挙げられ、好ましくは、ナトリウム及
びカリウム等が挙げられる。
ム、カリウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム
及びバリウム等が挙げられ、好ましくは、ナトリウム及
びカリウム等が挙げられる。
【0021】本発明における好ましい製造法として以下
の製造法が挙げられる。
の製造法が挙げられる。
【0022】(1)アセトキシメチルメチルスルフィド
と、式(2)で表されるスルフィン酸塩を、ギ酸の共存
下で反応させることを特徴とする、式(3)で表される
メチルチオメチルアリールスルホン誘導体の製造法。
と、式(2)で表されるスルフィン酸塩を、ギ酸の共存
下で反応させることを特徴とする、式(3)で表される
メチルチオメチルアリールスルホン誘導体の製造法。
【0023】(2)式(1)で表されるアシロキシメチ
ルスルフィドと、p−トルエンスルホン酸塩を、ギ酸の
共存下で反応させることを特徴とする、メチルチオメチ
ルp−トリルスルホンの製造法。
ルスルフィドと、p−トルエンスルホン酸塩を、ギ酸の
共存下で反応させることを特徴とする、メチルチオメチ
ルp−トリルスルホンの製造法。
【0024】次に、反応の具体的な方法について説明す
る。
る。
【0025】本発明は、アシロキシメチルスルフィドと
スルフィン酸塩をギ酸中又はギ酸と反応溶媒からなる混
合溶媒中で反応させ、メチルチオメチルアリールスルホ
ン誘導体を製造する方法である。
スルフィン酸塩をギ酸中又はギ酸と反応溶媒からなる混
合溶媒中で反応させ、メチルチオメチルアリールスルホ
ン誘導体を製造する方法である。
【0026】スルフィン酸塩の使用量は、アシロキシメ
チルスルフィドに対して1モル当量〜2モル当量の範
囲、好ましくは1モル当量〜1.5モル当量の範囲であ
る。
チルスルフィドに対して1モル当量〜2モル当量の範
囲、好ましくは1モル当量〜1.5モル当量の範囲であ
る。
【0027】ギ酸の使用量としては、アシロキシメチル
スルフィドに対して0.1重量倍〜100重量倍の範
囲、好ましくは3重量倍〜20重量倍の範囲である。
スルフィドに対して0.1重量倍〜100重量倍の範
囲、好ましくは3重量倍〜20重量倍の範囲である。
【0028】反応溶媒は、存在、否存在のどちらでも可
能であるが、その種類は反応に関与しないものであれば
特に制限はなく、例えば、アセトニトリル、プロピオニ
トリル、ブチロニトリル等のニトリル類、アセトン、メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン
類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロ
ルベンゼン、o−ジクロルベンゼン等の芳香族炭化水素
類、n−ヘキサン、c−ヘキサン、n−オクタン、n−
デカン等の脂肪族炭化水素類、酢酸メチル、酢酸エチ
ル、酢酸ブチル等のエステル類、ジクロロメタン、ジク
ロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化
炭化水素類、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、
t−ブチルメチルエーテル、ジメトキシエタン等のエー
テル類、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメ
チルアセトアミド、N−メチルピロリドン等のアミド
類、1,3−ジメチルイミダゾリジノン、テトラメチル
尿素等の尿素類等が挙げられる。
能であるが、その種類は反応に関与しないものであれば
特に制限はなく、例えば、アセトニトリル、プロピオニ
トリル、ブチロニトリル等のニトリル類、アセトン、メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン
類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロ
ルベンゼン、o−ジクロルベンゼン等の芳香族炭化水素
類、n−ヘキサン、c−ヘキサン、n−オクタン、n−
デカン等の脂肪族炭化水素類、酢酸メチル、酢酸エチ
ル、酢酸ブチル等のエステル類、ジクロロメタン、ジク
ロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化
炭化水素類、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、
t−ブチルメチルエーテル、ジメトキシエタン等のエー
テル類、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメ
チルアセトアミド、N−メチルピロリドン等のアミド
類、1,3−ジメチルイミダゾリジノン、テトラメチル
尿素等の尿素類等が挙げられる。
【0029】更に、これらの溶媒は、単独又は組み合わ
せて使用することも出来る。
せて使用することも出来る。
【0030】反応温度は、通常室温〜用いる溶媒の沸
点、好ましくは40℃〜80℃の範囲がよい。
点、好ましくは40℃〜80℃の範囲がよい。
【0031】反応時間は、基質の反応性にもよるが、通
常0.1〜100時間である。
常0.1〜100時間である。
【0032】反応終了後は、ギ酸又はギ酸と反応溶媒よ
りなる混合溶媒を留去した後、抽出溶媒、例えばトルエ
ン、ジクロロメタン、クロロホルム又は酢酸エチル等に
より抽出し、塩基、例えば炭酸水素ナトリウム又は炭酸
水素カリウム等により中和した後、有機層を分離し、減
圧濃縮することにより、目的とするスメチルチオメチル
アリールスルホン誘導体を単離する事が出来る。
りなる混合溶媒を留去した後、抽出溶媒、例えばトルエ
ン、ジクロロメタン、クロロホルム又は酢酸エチル等に
より抽出し、塩基、例えば炭酸水素ナトリウム又は炭酸
水素カリウム等により中和した後、有機層を分離し、減
圧濃縮することにより、目的とするスメチルチオメチル
アリールスルホン誘導体を単離する事が出来る。
【0033】必要により、再結晶溶媒、例えばトルエン
−ヘプタン混合溶媒等から再結晶する事により、高純度
のメチルチオメチルアリールスルホン誘導体を単離する
事が出来る。
−ヘプタン混合溶媒等から再結晶する事により、高純度
のメチルチオメチルアリールスルホン誘導体を単離する
事が出来る。
【0034】
【実施例】以下、実施例及び比較例を挙げて詳しく説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0035】尚、実施例において用いられている分析条
件は以下の通りである。ガスクロマトグラフィー(カラ
ム:TC-1701(30m×0.53mm I.D.1.0μm)、インジェクシ
ョン温度:250℃、検出器:FID 250℃(ATT.4)、オーブ
ン温度:初期60℃(3分保持)昇温10℃/分(19分)最終2
50℃(5分保持)、流量(ヘリウム):2.6ml/分)
件は以下の通りである。ガスクロマトグラフィー(カラ
ム:TC-1701(30m×0.53mm I.D.1.0μm)、インジェクシ
ョン温度:250℃、検出器:FID 250℃(ATT.4)、オーブ
ン温度:初期60℃(3分保持)昇温10℃/分(19分)最終2
50℃(5分保持)、流量(ヘリウム):2.6ml/分)
【0036】実施例1 メチルチオメチルp−トリルスルホンの製造 ギ酸27gにアセトキシメチルメチルスルフィド3g
(0.025mol)及び無水のp−トルエンスルフィ
ン酸ナトリウム6.8g(0.0375mol)を室温
にて加え、系内を完全にアルゴン置換した後、50℃に
て1時間加熱撹拌したところで、原料のアセトキシメチ
ルスルフィドが完全に消失したのをガスクロマトグラフ
ィーで確認した。(保持時間:3.3分) この反応液についてガスクロマトグラフィーで定量を行
なったところ97.8%でメチルチオメチルp−トリル
スルホンを得た。(保持時間:18.9分)
(0.025mol)及び無水のp−トルエンスルフィ
ン酸ナトリウム6.8g(0.0375mol)を室温
にて加え、系内を完全にアルゴン置換した後、50℃に
て1時間加熱撹拌したところで、原料のアセトキシメチ
ルスルフィドが完全に消失したのをガスクロマトグラフ
ィーで確認した。(保持時間:3.3分) この反応液についてガスクロマトグラフィーで定量を行
なったところ97.8%でメチルチオメチルp−トリル
スルホンを得た。(保持時間:18.9分)
【0037】実施例2 メチルチオメチルp−トリルスルホンの製造 ギ酸90gに無水のp−トルエンスルフィン酸ナトリウ
ム18.1g(0.10mol)を室温にて加え撹拌し
ながら、系内を完全にアルゴン置換した後、50℃まで
昇温した中にアセトキシメチルメチルスルフィド10g
(0.0832mol)を1時間で滴下した。滴下後3
0分撹拌した後、原料のアセトキシメチルメチルスルフ
ィドが完全に消失したのをガスクロマトグラフィーで確
認した。(保持時間:3.3分) この反応液についてガスクロマトグラフィーで定量を行
なったところ反応収率97.1%でメチルチオメチルp
−トリルスルホンを得た。(保持時間:18.9分)
ム18.1g(0.10mol)を室温にて加え撹拌し
ながら、系内を完全にアルゴン置換した後、50℃まで
昇温した中にアセトキシメチルメチルスルフィド10g
(0.0832mol)を1時間で滴下した。滴下後3
0分撹拌した後、原料のアセトキシメチルメチルスルフ
ィドが完全に消失したのをガスクロマトグラフィーで確
認した。(保持時間:3.3分) この反応液についてガスクロマトグラフィーで定量を行
なったところ反応収率97.1%でメチルチオメチルp
−トリルスルホンを得た。(保持時間:18.9分)
【0038】実施例3 メチルチオメチルp−トリルスルホンの製造 ギ酸27gにアセトキシメチルメチルスルフィド3g
(0.025mol)及び無水のp−トルエンスルフィ
ン酸ナトリウム6.8g(0.0375mol)を室温
にて加え、系内を完全にアルゴン置換した後、80℃に
て1時間加熱撹拌したところで、原料のアセトキシメチ
ルメチルスルフィドが完全に消失したのをガスクロマト
グラフィーで確認した。(保持時間:3.3分) この反応液についてガスクロマトグラフィーで定量を行
なったところ反応収率94.9%でメチルチオメチルp
−トリルスルホンを得た。(保持時間:18.9分) 更にこの反応液をトルエンで抽出し、飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液で洗浄し、更に水で洗浄した後、有機層を
分離し、減圧下溶媒を留去した。残査をトルエン−ヘプ
タン混合溶媒(トルエン:ヘプタン=2:3)20gに
溶解し、晶析した後、濾取・乾燥を行うことにより、メ
チルチオメチルp−トリルスルホン4.87g(0.0
225mol)を得た。
(0.025mol)及び無水のp−トルエンスルフィ
ン酸ナトリウム6.8g(0.0375mol)を室温
にて加え、系内を完全にアルゴン置換した後、80℃に
て1時間加熱撹拌したところで、原料のアセトキシメチ
ルメチルスルフィドが完全に消失したのをガスクロマト
グラフィーで確認した。(保持時間:3.3分) この反応液についてガスクロマトグラフィーで定量を行
なったところ反応収率94.9%でメチルチオメチルp
−トリルスルホンを得た。(保持時間:18.9分) 更にこの反応液をトルエンで抽出し、飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液で洗浄し、更に水で洗浄した後、有機層を
分離し、減圧下溶媒を留去した。残査をトルエン−ヘプ
タン混合溶媒(トルエン:ヘプタン=2:3)20gに
溶解し、晶析した後、濾取・乾燥を行うことにより、メ
チルチオメチルp−トリルスルホン4.87g(0.0
225mol)を得た。
【0039】ここで得られたメチルチオメチルp−トリ
ルスルホンは、原料アセトキシメチルメチルスルフィド
に対して収率90.2%であった。
ルスルホンは、原料アセトキシメチルメチルスルフィド
に対して収率90.2%であった。
【0040】比較例1(特開平3−28423記載) メチルチオメチルp−トリルスルホンの製造 酢酸20mlにアセトキシメチルメチルスルフィド2.
274g(18.92mmol)及びp−トルエンスル
フィン酸ナトリウム5.061g(28.43mmo
l)を室温にて加え、100℃にて2日間加熱撹拌し
た。反応終了後、ジクロロメタン40mlと水40ml
を加えた。ジクロロメタン(40ml×4)で抽出し、
有機層を水で洗浄(150ml×3)し、無水硫酸ナト
リウムにて乾燥した。濾過後、減圧濃縮し、カラムクロ
マトグラフィー(シリカゲル、1:ヘキサン、2:ベン
ゼン、3:酢酸エチル)にて分離してメチルチオメチル
pートリルスルホンを2.663g(12.31mmo
l)得た。収率は65%であった。
274g(18.92mmol)及びp−トルエンスル
フィン酸ナトリウム5.061g(28.43mmo
l)を室温にて加え、100℃にて2日間加熱撹拌し
た。反応終了後、ジクロロメタン40mlと水40ml
を加えた。ジクロロメタン(40ml×4)で抽出し、
有機層を水で洗浄(150ml×3)し、無水硫酸ナト
リウムにて乾燥した。濾過後、減圧濃縮し、カラムクロ
マトグラフィー(シリカゲル、1:ヘキサン、2:ベン
ゼン、3:酢酸エチル)にて分離してメチルチオメチル
pートリルスルホンを2.663g(12.31mmo
l)得た。収率は65%であった。
【0041】比較例2 メチルチオメチルp−トリルスルホンの製造 酢酸18gにアセトキシメチルメチルスルフィド2g
(0.017mol)及びp−トルエンスルフィン酸ナ
トリウム4.4g(0.0255mmol)を室温にて
加え、系内を完全にアルゴン置換した後、100℃にて
撹拌し、経時的に高速液体クロマトグラフィーで原料の
消失を確認したところ、11時間後に原料のアセトキシ
メチルメチルスルフィドの転化率が停止したことをガス
クロマトグラフィーで確認した。(保持時間:3.3分) この反応液についてガスクロマトグラフィーで定量を行
なったところ、アセトキシメチルメチルスルフィド転化
率97%、反応収率72.7%でメチルチオメチルp−
トリルスルホンを得た。(保持時間:18.9分)
(0.017mol)及びp−トルエンスルフィン酸ナ
トリウム4.4g(0.0255mmol)を室温にて
加え、系内を完全にアルゴン置換した後、100℃にて
撹拌し、経時的に高速液体クロマトグラフィーで原料の
消失を確認したところ、11時間後に原料のアセトキシ
メチルメチルスルフィドの転化率が停止したことをガス
クロマトグラフィーで確認した。(保持時間:3.3分) この反応液についてガスクロマトグラフィーで定量を行
なったところ、アセトキシメチルメチルスルフィド転化
率97%、反応収率72.7%でメチルチオメチルp−
トリルスルホンを得た。(保持時間:18.9分)
【0042】
【発明の効果】本発明の方法によれば、ギ酸存在下に反
応を行なうことにより、アシロキシメチルスルフィドに
対して大過剰のスルフィン酸塩を用いることなく、反応
温度によらず、副反応を抑え、ほぼ定量的に、収率良
く、メチルチオメチルアリールスルホン誘導体を合成す
ることができ、更には簡便な精製操作により効率良く、
高い純度のメチルチオメチルアリールスルホン誘導体を
製造することが出来る。
応を行なうことにより、アシロキシメチルスルフィドに
対して大過剰のスルフィン酸塩を用いることなく、反応
温度によらず、副反応を抑え、ほぼ定量的に、収率良
く、メチルチオメチルアリールスルホン誘導体を合成す
ることができ、更には簡便な精製操作により効率良く、
高い純度のメチルチオメチルアリールスルホン誘導体を
製造することが出来る。
Claims (3)
- 【請求項1】 式(1) 【化1】 [式中、R1は C1-6アルキル基を意味する。]で表わ
されるアシロキシメチルスルフィドと、 式(2) 【化2】 [式中、 R2はフェニル基、ナフチル基(該フェニル基
及びナフチル基はいずれもC1-4アルキル基、ハロゲン
原子又はニトロ基で任意に置換されていても良い。)を
意味し、Mはアルカリ金属、ベリリウム、マグネシウム
又はアルカリ土類金属を意味する。]で表わされるスル
フィン酸塩を、ギ酸の共存下で反応させることを特徴と
する、 式(3) 【化3】 [式中、R2は前記に同じ。]で表わされるメチルチオ
メチルアリールスルホン誘導体の製造法。 - 【請求項2】R1がメチル基である、請求項1記載のメ
チルチオメチルアリールスルホン誘導体の製造法 - 【請求項3】 R2がp−トリル基である、請求項1記載
のメチルチオメチルアリールスルホン誘導体の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10335181A JP2000159745A (ja) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | メチルチオメチルアリールスルホン誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10335181A JP2000159745A (ja) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | メチルチオメチルアリールスルホン誘導体の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000159745A true JP2000159745A (ja) | 2000-06-13 |
Family
ID=18285672
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10335181A Pending JP2000159745A (ja) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | メチルチオメチルアリールスルホン誘導体の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000159745A (ja) |
-
1998
- 1998-11-26 JP JP10335181A patent/JP2000159745A/ja active Pending
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