JP2000159745A - メチルチオメチルアリールスルホン誘導体の製造法 - Google Patents
メチルチオメチルアリールスルホン誘導体の製造法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 農薬及び医薬などの中間体として有用な、メ
チルチオメチルアリールスルホン誘導体の効率的な製造
法の提供 【解決手段】 式（１） 【化１】 ［式中、Ｒ1は Ｃ1-6アルキル基を意味する。］で表わ
されるアシロキシメチルスルフィドと、式（２） 【化２】 ［式中、 Ｒ2はフェニル基、ナフチル基（該フェニル基
及びナフチル基はいずれもＣ1-4アルキル基、ハロゲン
原子又はニトロ基で任意に置換されていても良い。）を
意味し、Ｍはアルカリ金属、ベリリウム、マグネシウム
又はアルカリ土類金属を意味する。］で表わされるスル
フィン酸塩を、ギ酸の共存下で反応させることを特徴と
する、式（３） 【化３】 ［式中、Ｒ2は前記に同じ。］で表わされるメチルチオ
メチルアリールスルホン誘導体の製造法。
チルチオメチルアリールスルホン誘導体の効率的な製造
法の提供 【解決手段】 式（１） 【化１】 ［式中、Ｒ1は Ｃ1-6アルキル基を意味する。］で表わ
されるアシロキシメチルスルフィドと、式（２） 【化２】 ［式中、 Ｒ2はフェニル基、ナフチル基（該フェニル基
及びナフチル基はいずれもＣ1-4アルキル基、ハロゲン
原子又はニトロ基で任意に置換されていても良い。）を
意味し、Ｍはアルカリ金属、ベリリウム、マグネシウム
又はアルカリ土類金属を意味する。］で表わされるスル
フィン酸塩を、ギ酸の共存下で反応させることを特徴と
する、式（３） 【化３】 ［式中、Ｒ2は前記に同じ。］で表わされるメチルチオ
メチルアリールスルホン誘導体の製造法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アシロキシメチル
スルフィドからのメチルチオメチルアリールスルホン誘
導体の製造法に関する。
スルフィドからのメチルチオメチルアリールスルホン誘
導体の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】メチルチオメチルアリールスルホン誘導
体(以下本化合物と称す)は有機反応の反応試薬として有
用であり、例えば農薬及び医薬などの中間体として用い
られるカルボチオ酸Ｓ−メチルはカルボン酸エステルと
本化合物とを反応させることによって合成できる。
体(以下本化合物と称す)は有機反応の反応試薬として有
用であり、例えば農薬及び医薬などの中間体として用い
られるカルボチオ酸Ｓ−メチルはカルボン酸エステルと
本化合物とを反応させることによって合成できる。
【０００３】従来、本化合物の製造法としては、アシロ
キシメチルスルフィドとスルフィン酸塩を酢酸、プロピ
オン酸、酪酸等の共存下に反応させる方法（特開昭５８
−１８３６６７号公報）が知られている。
キシメチルスルフィドとスルフィン酸塩を酢酸、プロピ
オン酸、酪酸等の共存下に反応させる方法（特開昭５８
−１８３６６７号公報）が知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の脂肪酸
共存下で製造する方法では、主反応よりも副反応の反応
速度が速いためにスルフィン酸塩をアシロキシメチルス
ルフィドに対して過剰に用いる必要があり、収率も70%程
度と充分なものではなかった。
共存下で製造する方法では、主反応よりも副反応の反応
速度が速いためにスルフィン酸塩をアシロキシメチルス
ルフィドに対して過剰に用いる必要があり、収率も70%程
度と充分なものではなかった。
【０００５】又、低い温度では反応が非常に遅くなり、
副生物が増え、収率も更に低下する傾向にあった。
副生物が増え、収率も更に低下する傾向にあった。
【０００６】又、過剰に用いたスルフィン酸塩から副生
する副生物が多量に混入してくるために、分離、精製も
困難であり、工業的に有利な製造法ではなかった。
する副生物が多量に混入してくるために、分離、精製も
困難であり、工業的に有利な製造法ではなかった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、メチルチオ
メチルアリールスルホン誘導体の製造法について鋭意検
討を重ねた結果、アシロキシメチルスルフィドとスルフ
ィン酸塩をギ酸の共存下で反応させることにより、過剰
のスルフィン酸を用いることなく、ほぼ定量的にメチル
チオメチルアリールスルホン誘導体を製造する方法を見
いだし、本発明を完成するに至った。
メチルアリールスルホン誘導体の製造法について鋭意検
討を重ねた結果、アシロキシメチルスルフィドとスルフ
ィン酸塩をギ酸の共存下で反応させることにより、過剰
のスルフィン酸を用いることなく、ほぼ定量的にメチル
チオメチルアリールスルホン誘導体を製造する方法を見
いだし、本発明を完成するに至った。
【０００８】即ち、本発明は、式（１）
【０００９】
【化４】 ［式中、Ｒ1は Ｃ1-6アルキル基を意味する。］で表わ
されるアシロキシメチルスルフィドと、式（２）
されるアシロキシメチルスルフィドと、式（２）
【００１０】
【化５】 ［式中、 Ｒ2はフェニル基、ナフチル基（該フェニル基
及びナフチル基はいずれもＣ1-4アルキル基、ハロゲン
原子又はニトロ基で任意に置換されていても良い。）を
意味し、Ｍはアルカリ金属、ベリリウム、マグネシウム
又はアルカリ土類金属を意味する。］で表わされるスル
フィン酸塩を、ギ酸の共存下で反応させることを特徴と
する、式（３）
及びナフチル基はいずれもＣ1-4アルキル基、ハロゲン
原子又はニトロ基で任意に置換されていても良い。）を
意味し、Ｍはアルカリ金属、ベリリウム、マグネシウム
又はアルカリ土類金属を意味する。］で表わされるスル
フィン酸塩を、ギ酸の共存下で反応させることを特徴と
する、式（３）
【００１１】
【化６】 ［式中、Ｒ2は前記に同じ。］で表わされるメチルチオ
メチルアリールスルホン誘導体の製造法に関するもので
ある。
メチルアリールスルホン誘導体の製造法に関するもので
ある。
【００１２】
【発明の実施の形態】まず、Ｒ1、Ｒ2及びＭの各置換基
における語句について説明する。
における語句について説明する。
【００１３】尚、明細書中、「ｎ」はノルマルを、
「ｉ」はイソを、「ｓ」はセカンダリーを、「ｔ」はタ
ーシャリーを、「ｃ」はシクロを、「ｏ」はオルトを、
「ｍ」はメタを、「ｐ」はパラを意味する。
「ｉ」はイソを、「ｓ」はセカンダリーを、「ｔ」はタ
ーシャリーを、「ｃ」はシクロを、「ｏ」はオルトを、
「ｍ」はメタを、「ｐ」はパラを意味する。
【００１４】Ｃ1-4アルキル基としては、メチル基、エ
チル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｃ−プロピ
ル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ
−ブチル基及びｃ−ブチル基等が挙げられ、Ｃ1-6アル
キル基としては、更にこれらに加え、１−ペンチル基、
２−ペンチル基、３−ペンチル基、３−メチル−ブチル
基、ネオペンチル基、ｔ−ペンチル基、ｃ−ペンチル
基、１−ヘキシル基、２−ヘキシル基、３−ヘキシル
基、１−メチル−１−エチル−プロピル基、１，１，２
−トリメチル−プロピル基、１，２，２−トリメチル−
プロピル基、３，３−ジメチル−ブチル基及びｃ−ヘキ
シル基等が挙げられる。
チル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｃ−プロピ
ル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ
−ブチル基及びｃ−ブチル基等が挙げられ、Ｃ1-6アル
キル基としては、更にこれらに加え、１−ペンチル基、
２−ペンチル基、３−ペンチル基、３−メチル−ブチル
基、ネオペンチル基、ｔ−ペンチル基、ｃ−ペンチル
基、１−ヘキシル基、２−ヘキシル基、３−ヘキシル
基、１−メチル−１−エチル−プロピル基、１，１，２
−トリメチル−プロピル基、１，２，２−トリメチル−
プロピル基、３，３−ジメチル−ブチル基及びｃ−ヘキ
シル基等が挙げられる。
【００１５】ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
【００１６】アルカリ金属としては、リチウム、ナトリ
ウム及びカリウム等が挙げられる。
ウム及びカリウム等が挙げられる。
【００１７】アルカリ土類金属としては、カルシウム及
びバリウム等が挙げられる。
びバリウム等が挙げられる。
【００１８】Ｒ1の具体例としては、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｃ−プロピル
基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−
ブチル基、ｃ−ブチル基、１−ペンチル基、２−ペンチ
ル基、３−ペンチル基、３−メチル−ブチル基、ネオペ
ンチル基、ｔ−ペンチル基、ｃ−ペンチル基、１−ヘキ
シル基、２−ヘキシル基、３−ヘキシル基、１−メチル
−１−エチル−プロピル基、１，１，２−トリメチル−
プロピル基、１，２，２−トリメチル−プロピル基、
３，３−ジメチル−ブチル基及びｃ−ヘキシル基等が挙
げられ、好ましくは、メチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基及びｎ−ヘキシル
基等が挙げられる。
基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｃ−プロピル
基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−
ブチル基、ｃ−ブチル基、１−ペンチル基、２−ペンチ
ル基、３−ペンチル基、３−メチル−ブチル基、ネオペ
ンチル基、ｔ−ペンチル基、ｃ−ペンチル基、１−ヘキ
シル基、２−ヘキシル基、３−ヘキシル基、１−メチル
−１−エチル−プロピル基、１，１，２−トリメチル−
プロピル基、１，２，２−トリメチル−プロピル基、
３，３−ジメチル−ブチル基及びｃ−ヘキシル基等が挙
げられ、好ましくは、メチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基及びｎ−ヘキシル
基等が挙げられる。
【００１９】Ｒ2の具体例としては、フェニル基、ｏ−
トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｏ−エチルフ
ェニル基、ｍ−エチルフェニル基、ｐ−エチルフェニル
基、キシリル基（置換基の位置はいずれでも良い）、ｏ
−クロロフェニル基、ｍ−クロロフェニル基、ｐ−クロ
ロフェニル基、ｐ−ニトロフェニル基、ｉ−プロピルフ
ェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、α−ナフチル基、β
−ナフチル基等が挙げられる。
トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｏ−エチルフ
ェニル基、ｍ−エチルフェニル基、ｐ−エチルフェニル
基、キシリル基（置換基の位置はいずれでも良い）、ｏ
−クロロフェニル基、ｍ−クロロフェニル基、ｐ−クロ
ロフェニル基、ｐ−ニトロフェニル基、ｉ−プロピルフ
ェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、α−ナフチル基、β
−ナフチル基等が挙げられる。
【００２０】Ｍの具体例としては、リチウム、ナトリウ
ム、カリウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム
及びバリウム等が挙げられ、好ましくは、ナトリウム及
びカリウム等が挙げられる。
ム、カリウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム
及びバリウム等が挙げられ、好ましくは、ナトリウム及
びカリウム等が挙げられる。
【００２１】本発明における好ましい製造法として以下
の製造法が挙げられる。
の製造法が挙げられる。
【００２２】（１）アセトキシメチルメチルスルフィド
と、式（２）で表されるスルフィン酸塩を、ギ酸の共存
下で反応させることを特徴とする、式（３）で表される
メチルチオメチルアリールスルホン誘導体の製造法。
と、式（２）で表されるスルフィン酸塩を、ギ酸の共存
下で反応させることを特徴とする、式（３）で表される
メチルチオメチルアリールスルホン誘導体の製造法。
【００２３】（２）式（１）で表されるアシロキシメチ
ルスルフィドと、ｐ−トルエンスルホン酸塩を、ギ酸の
共存下で反応させることを特徴とする、メチルチオメチ
ルｐ−トリルスルホンの製造法。
ルスルフィドと、ｐ−トルエンスルホン酸塩を、ギ酸の
共存下で反応させることを特徴とする、メチルチオメチ
ルｐ−トリルスルホンの製造法。
【００２４】次に、反応の具体的な方法について説明す
る。
る。
【００２５】本発明は、アシロキシメチルスルフィドと
スルフィン酸塩をギ酸中又はギ酸と反応溶媒からなる混
合溶媒中で反応させ、メチルチオメチルアリールスルホ
ン誘導体を製造する方法である。
スルフィン酸塩をギ酸中又はギ酸と反応溶媒からなる混
合溶媒中で反応させ、メチルチオメチルアリールスルホ
ン誘導体を製造する方法である。
【００２６】スルフィン酸塩の使用量は、アシロキシメ
チルスルフィドに対して１モル当量〜２モル当量の範
囲、好ましくは１モル当量〜１．５モル当量の範囲であ
る。
チルスルフィドに対して１モル当量〜２モル当量の範
囲、好ましくは１モル当量〜１．５モル当量の範囲であ
る。
【００２７】ギ酸の使用量としては、アシロキシメチル
スルフィドに対して０．１重量倍〜１００重量倍の範
囲、好ましくは３重量倍〜２０重量倍の範囲である。
スルフィドに対して０．１重量倍〜１００重量倍の範
囲、好ましくは３重量倍〜２０重量倍の範囲である。
【００２８】反応溶媒は、存在、否存在のどちらでも可
能であるが、その種類は反応に関与しないものであれば
特に制限はなく、例えば、アセトニトリル、プロピオニ
トリル、ブチロニトリル等のニトリル類、アセトン、メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン
類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロ
ルベンゼン、ｏ−ジクロルベンゼン等の芳香族炭化水素
類、ｎ−ヘキサン、ｃ−ヘキサン、ｎ−オクタン、ｎ−
デカン等の脂肪族炭化水素類、酢酸メチル、酢酸エチ
ル、酢酸ブチル等のエステル類、ジクロロメタン、ジク
ロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化
炭化水素類、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、
ｔ−ブチルメチルエーテル、ジメトキシエタン等のエー
テル類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド
類、１，３−ジメチルイミダゾリジノン、テトラメチル
尿素等の尿素類等が挙げられる。
能であるが、その種類は反応に関与しないものであれば
特に制限はなく、例えば、アセトニトリル、プロピオニ
トリル、ブチロニトリル等のニトリル類、アセトン、メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン
類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロ
ルベンゼン、ｏ−ジクロルベンゼン等の芳香族炭化水素
類、ｎ−ヘキサン、ｃ−ヘキサン、ｎ−オクタン、ｎ−
デカン等の脂肪族炭化水素類、酢酸メチル、酢酸エチ
ル、酢酸ブチル等のエステル類、ジクロロメタン、ジク
ロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化
炭化水素類、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、
ｔ−ブチルメチルエーテル、ジメトキシエタン等のエー
テル類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド
類、１，３−ジメチルイミダゾリジノン、テトラメチル
尿素等の尿素類等が挙げられる。
【００２９】更に、これらの溶媒は、単独又は組み合わ
せて使用することも出来る。
せて使用することも出来る。
【００３０】反応温度は、通常室温〜用いる溶媒の沸
点、好ましくは４０℃〜８０℃の範囲がよい。
点、好ましくは４０℃〜８０℃の範囲がよい。
【００３１】反応時間は、基質の反応性にもよるが、通
常０．１〜１００時間である。
常０．１〜１００時間である。
【００３２】反応終了後は、ギ酸又はギ酸と反応溶媒よ
りなる混合溶媒を留去した後、抽出溶媒、例えばトルエ
ン、ジクロロメタン、クロロホルム又は酢酸エチル等に
より抽出し、塩基、例えば炭酸水素ナトリウム又は炭酸
水素カリウム等により中和した後、有機層を分離し、減
圧濃縮することにより、目的とするスメチルチオメチル
アリールスルホン誘導体を単離する事が出来る。
りなる混合溶媒を留去した後、抽出溶媒、例えばトルエ
ン、ジクロロメタン、クロロホルム又は酢酸エチル等に
より抽出し、塩基、例えば炭酸水素ナトリウム又は炭酸
水素カリウム等により中和した後、有機層を分離し、減
圧濃縮することにより、目的とするスメチルチオメチル
アリールスルホン誘導体を単離する事が出来る。
【００３３】必要により、再結晶溶媒、例えばトルエン
−ヘプタン混合溶媒等から再結晶する事により、高純度
のメチルチオメチルアリールスルホン誘導体を単離する
事が出来る。
−ヘプタン混合溶媒等から再結晶する事により、高純度
のメチルチオメチルアリールスルホン誘導体を単離する
事が出来る。
【００３４】
【実施例】以下、実施例及び比較例を挙げて詳しく説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３５】尚、実施例において用いられている分析条
件は以下の通りである。ガスクロマトグラフィー（カラ
ム：TC-1701(30m×0.53mm I.D.1.0μm)、インジェクシ
ョン温度：250℃、検出器：FID 250℃(ATT.4)、オーブ
ン温度：初期60℃（３分保持）昇温10℃/分(19分)最終2
50℃(５分保持)、流量(ヘリウム)：2.6ml/分）
件は以下の通りである。ガスクロマトグラフィー（カラ
ム：TC-1701(30m×0.53mm I.D.1.0μm)、インジェクシ
ョン温度：250℃、検出器：FID 250℃(ATT.4)、オーブ
ン温度：初期60℃（３分保持）昇温10℃/分(19分)最終2
50℃(５分保持)、流量(ヘリウム)：2.6ml/分）
【００３６】実施例１ メチルチオメチルｐ−トリルスルホンの製造 ギ酸２７ｇにアセトキシメチルメチルスルフィド３ｇ
（０．０２５ｍｏｌ）及び無水のｐ−トルエンスルフィ
ン酸ナトリウム６．８ｇ（０．０３７５ｍｏｌ）を室温
にて加え、系内を完全にアルゴン置換した後、５０℃に
て１時間加熱撹拌したところで、原料のアセトキシメチ
ルスルフィドが完全に消失したのをガスクロマトグラフ
ィーで確認した。（保持時間：3.3分） この反応液についてガスクロマトグラフィーで定量を行
なったところ９７．８％でメチルチオメチルｐ−トリル
スルホンを得た。（保持時間：18.9分）
（０．０２５ｍｏｌ）及び無水のｐ−トルエンスルフィ
ン酸ナトリウム６．８ｇ（０．０３７５ｍｏｌ）を室温
にて加え、系内を完全にアルゴン置換した後、５０℃に
て１時間加熱撹拌したところで、原料のアセトキシメチ
ルスルフィドが完全に消失したのをガスクロマトグラフ
ィーで確認した。（保持時間：3.3分） この反応液についてガスクロマトグラフィーで定量を行
なったところ９７．８％でメチルチオメチルｐ−トリル
スルホンを得た。（保持時間：18.9分）
【００３７】実施例２ メチルチオメチルｐ−トリルスルホンの製造 ギ酸９０ｇに無水のｐ−トルエンスルフィン酸ナトリウ
ム１８．１ｇ（０．１０ｍｏｌ）を室温にて加え撹拌し
ながら、系内を完全にアルゴン置換した後、５０℃まで
昇温した中にアセトキシメチルメチルスルフィド１０ｇ
（０．０８３２ｍｏｌ）を１時間で滴下した。滴下後３
０分撹拌した後、原料のアセトキシメチルメチルスルフ
ィドが完全に消失したのをガスクロマトグラフィーで確
認した。（保持時間：3.3分） この反応液についてガスクロマトグラフィーで定量を行
なったところ反応収率９７．１％でメチルチオメチルｐ
−トリルスルホンを得た。（保持時間：18.9分）
ム１８．１ｇ（０．１０ｍｏｌ）を室温にて加え撹拌し
ながら、系内を完全にアルゴン置換した後、５０℃まで
昇温した中にアセトキシメチルメチルスルフィド１０ｇ
（０．０８３２ｍｏｌ）を１時間で滴下した。滴下後３
０分撹拌した後、原料のアセトキシメチルメチルスルフ
ィドが完全に消失したのをガスクロマトグラフィーで確
認した。（保持時間：3.3分） この反応液についてガスクロマトグラフィーで定量を行
なったところ反応収率９７．１％でメチルチオメチルｐ
−トリルスルホンを得た。（保持時間：18.9分）
【００３８】実施例３ メチルチオメチルｐ−トリルスルホンの製造 ギ酸２７ｇにアセトキシメチルメチルスルフィド３ｇ
（０．０２５ｍｏｌ）及び無水のｐ−トルエンスルフィ
ン酸ナトリウム６．８ｇ（０．０３７５ｍｏｌ）を室温
にて加え、系内を完全にアルゴン置換した後、８０℃に
て１時間加熱撹拌したところで、原料のアセトキシメチ
ルメチルスルフィドが完全に消失したのをガスクロマト
グラフィーで確認した。（保持時間：3.3分） この反応液についてガスクロマトグラフィーで定量を行
なったところ反応収率９４．９％でメチルチオメチルｐ
−トリルスルホンを得た。（保持時間：18.9分） 更にこの反応液をトルエンで抽出し、飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液で洗浄し、更に水で洗浄した後、有機層を
分離し、減圧下溶媒を留去した。残査をトルエン−ヘプ
タン混合溶媒（トルエン：ヘプタン＝２：３）２０ｇに
溶解し、晶析した後、濾取・乾燥を行うことにより、メ
チルチオメチルｐ−トリルスルホン４．８７ｇ（０．０
２２５ｍｏｌ）を得た。
（０．０２５ｍｏｌ）及び無水のｐ−トルエンスルフィ
ン酸ナトリウム６．８ｇ（０．０３７５ｍｏｌ）を室温
にて加え、系内を完全にアルゴン置換した後、８０℃に
て１時間加熱撹拌したところで、原料のアセトキシメチ
ルメチルスルフィドが完全に消失したのをガスクロマト
グラフィーで確認した。（保持時間：3.3分） この反応液についてガスクロマトグラフィーで定量を行
なったところ反応収率９４．９％でメチルチオメチルｐ
−トリルスルホンを得た。（保持時間：18.9分） 更にこの反応液をトルエンで抽出し、飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液で洗浄し、更に水で洗浄した後、有機層を
分離し、減圧下溶媒を留去した。残査をトルエン−ヘプ
タン混合溶媒（トルエン：ヘプタン＝２：３）２０ｇに
溶解し、晶析した後、濾取・乾燥を行うことにより、メ
チルチオメチルｐ−トリルスルホン４．８７ｇ（０．０
２２５ｍｏｌ）を得た。
【００３９】ここで得られたメチルチオメチルｐ−トリ
ルスルホンは、原料アセトキシメチルメチルスルフィド
に対して収率９０．２％であった。
ルスルホンは、原料アセトキシメチルメチルスルフィド
に対して収率９０．２％であった。
【００４０】比較例１（特開平３−２８４２３記載） メチルチオメチルｐ−トリルスルホンの製造 酢酸２０ｍｌにアセトキシメチルメチルスルフィド２．
２７４ｇ（１８．９２ｍｍｏｌ）及びｐ−トルエンスル
フィン酸ナトリウム５．０６１ｇ（２８．４３ｍｍｏ
ｌ）を室温にて加え、１００℃にて２日間加熱撹拌し
た。反応終了後、ジクロロメタン４０ｍｌと水４０ｍｌ
を加えた。ジクロロメタン（４０ｍｌ×４）で抽出し、
有機層を水で洗浄（１５０ｍｌ×３）し、無水硫酸ナト
リウムにて乾燥した。濾過後、減圧濃縮し、カラムクロ
マトグラフィー（シリカゲル、１：ヘキサン、２：ベン
ゼン、３：酢酸エチル）にて分離してメチルチオメチル
ｐートリルスルホンを２．６６３ｇ（１２．３１ｍｍｏ
ｌ）得た。収率は６５％であった。
２７４ｇ（１８．９２ｍｍｏｌ）及びｐ−トルエンスル
フィン酸ナトリウム５．０６１ｇ（２８．４３ｍｍｏ
ｌ）を室温にて加え、１００℃にて２日間加熱撹拌し
た。反応終了後、ジクロロメタン４０ｍｌと水４０ｍｌ
を加えた。ジクロロメタン（４０ｍｌ×４）で抽出し、
有機層を水で洗浄（１５０ｍｌ×３）し、無水硫酸ナト
リウムにて乾燥した。濾過後、減圧濃縮し、カラムクロ
マトグラフィー（シリカゲル、１：ヘキサン、２：ベン
ゼン、３：酢酸エチル）にて分離してメチルチオメチル
ｐートリルスルホンを２．６６３ｇ（１２．３１ｍｍｏ
ｌ）得た。収率は６５％であった。
【００４１】比較例２ メチルチオメチルｐ−トリルスルホンの製造 酢酸１８ｇにアセトキシメチルメチルスルフィド２ｇ
（０．０１７ｍｏｌ）及びｐ−トルエンスルフィン酸ナ
トリウム４．４ｇ（０．０２５５ｍｍｏｌ）を室温にて
加え、系内を完全にアルゴン置換した後、１００℃にて
撹拌し、経時的に高速液体クロマトグラフィーで原料の
消失を確認したところ、１１時間後に原料のアセトキシ
メチルメチルスルフィドの転化率が停止したことをガス
クロマトグラフィーで確認した。（保持時間：3.3分） この反応液についてガスクロマトグラフィーで定量を行
なったところ、アセトキシメチルメチルスルフィド転化
率９７％、反応収率７２．７％でメチルチオメチルｐ−
トリルスルホンを得た。（保持時間：18.9分）
（０．０１７ｍｏｌ）及びｐ−トルエンスルフィン酸ナ
トリウム４．４ｇ（０．０２５５ｍｍｏｌ）を室温にて
加え、系内を完全にアルゴン置換した後、１００℃にて
撹拌し、経時的に高速液体クロマトグラフィーで原料の
消失を確認したところ、１１時間後に原料のアセトキシ
メチルメチルスルフィドの転化率が停止したことをガス
クロマトグラフィーで確認した。（保持時間：3.3分） この反応液についてガスクロマトグラフィーで定量を行
なったところ、アセトキシメチルメチルスルフィド転化
率９７％、反応収率７２．７％でメチルチオメチルｐ−
トリルスルホンを得た。（保持時間：18.9分）
【００４２】
【発明の効果】本発明の方法によれば、ギ酸存在下に反
応を行なうことにより、アシロキシメチルスルフィドに
対して大過剰のスルフィン酸塩を用いることなく、反応
温度によらず、副反応を抑え、ほぼ定量的に、収率良
く、メチルチオメチルアリールスルホン誘導体を合成す
ることができ、更には簡便な精製操作により効率良く、
高い純度のメチルチオメチルアリールスルホン誘導体を
製造することが出来る。
応を行なうことにより、アシロキシメチルスルフィドに
対して大過剰のスルフィン酸塩を用いることなく、反応
温度によらず、副反応を抑え、ほぼ定量的に、収率良
く、メチルチオメチルアリールスルホン誘導体を合成す
ることができ、更には簡便な精製操作により効率良く、
高い純度のメチルチオメチルアリールスルホン誘導体を
製造することが出来る。
Claims (3)
- 【請求項１】 式（１） 【化１】 ［式中、Ｒ1は Ｃ1-6アルキル基を意味する。］で表わ
されるアシロキシメチルスルフィドと、 式（２） 【化２】 ［式中、 Ｒ2はフェニル基、ナフチル基（該フェニル基
及びナフチル基はいずれもＣ1-4アルキル基、ハロゲン
原子又はニトロ基で任意に置換されていても良い。）を
意味し、Ｍはアルカリ金属、ベリリウム、マグネシウム
又はアルカリ土類金属を意味する。］で表わされるスル
フィン酸塩を、ギ酸の共存下で反応させることを特徴と
する、 式（３） 【化３】 ［式中、Ｒ2は前記に同じ。］で表わされるメチルチオ
メチルアリールスルホン誘導体の製造法。 - 【請求項２】Ｒ1がメチル基である、請求項１記載のメ
チルチオメチルアリールスルホン誘導体の製造法 - 【請求項３】 Ｒ2がｐ−トリル基である、請求項１記載
のメチルチオメチルアリールスルホン誘導体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10335181A JP2000159745A (ja) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | メチルチオメチルアリールスルホン誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10335181A JP2000159745A (ja) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | メチルチオメチルアリールスルホン誘導体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000159745A true JP2000159745A (ja) | 2000-06-13 |
Family
ID=18285672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10335181A Pending JP2000159745A (ja) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | メチルチオメチルアリールスルホン誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000159745A (ja) |
-
1998
- 1998-11-26 JP JP10335181A patent/JP2000159745A/ja active Pending
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