JPS58189263A - SiO↓2膜形成用塗布液 - Google Patents
SiO↓2膜形成用塗布液Info
- Publication number
- JPS58189263A JPS58189263A JP7189782A JP7189782A JPS58189263A JP S58189263 A JPS58189263 A JP S58189263A JP 7189782 A JP7189782 A JP 7189782A JP 7189782 A JP7189782 A JP 7189782A JP S58189263 A JPS58189263 A JP S58189263A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating
- film
- film formation
- water
- coating fluid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガラス、セラミック、プラスチック。
金属等の基体上に、5iOz膜を形成するための塗布液
に関する。
に関する。
S i Ot膜は、液晶表示素子のガラスからのアルカ
リイオン溶出防止膜、配向制御膜、ICのパッシベーシ
ョン[、B、Pをドープして拡散膜、ガラスビン等の表
面強化保護膜などとじて広く使用されている。
リイオン溶出防止膜、配向制御膜、ICのパッシベーシ
ョン[、B、Pをドープして拡散膜、ガラスビン等の表
面強化保護膜などとじて広く使用されている。
この5int膜の形成方法としては、気相成長法、塗布
法が一般に知られているが、前者は特殊な装置を必要と
し、また、大量生産には不向きである等の欠点を有する
。後者の塗布法では。
法が一般に知られているが、前者は特殊な装置を必要と
し、また、大量生産には不向きである等の欠点を有する
。後者の塗布法では。
簡略な装置で大蓋生産が可能であり、(1)ハロゲン化
シラン、カルボン酸およびアルコールの反応生成物を用
いる方法(特公昭52−16488号公報、特公昭52
−20825号公報) 、 (2)アルコキシシラン、
低級カルボン酸およびアルコールとの生成物を用いる方
法(%開昭55−34258号公報)等が開示されてい
る。しかし、(1)の方法は、ハロゲン化水素やカルボ
ン酸ハライドが副生され、塗布液中にこのハロゲンイオ
ンが残留する場合があり、これらが塗布−熱処理して形
成した8 i 0.膜や、装置を腐食させるという欠点
を有する。(2)の方法は、(1)の欠点を補えるが、
アルコキシシランと等当量のカルボン酸を必要とし、こ
のカルボン酸から、カルボン酸エステルが形成されて塗
布液中に残留し。
シラン、カルボン酸およびアルコールの反応生成物を用
いる方法(特公昭52−16488号公報、特公昭52
−20825号公報) 、 (2)アルコキシシラン、
低級カルボン酸およびアルコールとの生成物を用いる方
法(%開昭55−34258号公報)等が開示されてい
る。しかし、(1)の方法は、ハロゲン化水素やカルボ
ン酸ハライドが副生され、塗布液中にこのハロゲンイオ
ンが残留する場合があり、これらが塗布−熱処理して形
成した8 i 0.膜や、装置を腐食させるという欠点
を有する。(2)の方法は、(1)の欠点を補えるが、
アルコキシシランと等当量のカルボン酸を必要とし、こ
のカルボン酸から、カルボン酸エステルが形成されて塗
布液中に残留し。
使用溶媒系が限定され、保存安定性が悪いという欠点を
有する。
有する。
本発明の目的は上記した欠点のない均一なS i Os
膜の得られるS i O,膜形成用塗布液を提供するこ
とにある。
膜の得られるS i O,膜形成用塗布液を提供するこ
とにある。
本発明は、有機溶媒中でテトラアルコキシシランと水と
をリン酸エステルの存在下で反応させて得られるヒドロ
キシシラン及び/又はそのオリゴマーを含有してなるS
i O,膜形成用塗布液に関する。
をリン酸エステルの存在下で反応させて得られるヒドロ
キシシラン及び/又はそのオリゴマーを含有してなるS
i O,膜形成用塗布液に関する。
テトラアルコキシシランを水と混合攪拌又は加熱しても
反応しないが、リン酸エステルを添加することによシ発
熱して反応が進み、ヒドロキシシラン及び/又はそのオ
リゴマーを製造することができる。またリン酸エステル
は、ヒドロキシシラン及び/又はそのオリゴマーの安定
化剤としても作用し、リン酸エステルを加えたものは4
0℃に2ケ月間放置してもゲル化しない。
反応しないが、リン酸エステルを添加することによシ発
熱して反応が進み、ヒドロキシシラン及び/又はそのオ
リゴマーを製造することができる。またリン酸エステル
は、ヒドロキシシラン及び/又はそのオリゴマーの安定
化剤としても作用し、リン酸エステルを加えたものは4
0℃に2ケ月間放置してもゲル化しない。
本発明で用いるテトラアルコキシシランとしては9例え
ば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テ
トラインプロポキシシラン。
ば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テ
トラインプロポキシシラン。
テトラブトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テト
ラキス(2−エチルブトキシ)シラン。
ラキス(2−エチルブトキシ)シラン。
テトラキス(2−メトキシエトキシ)シラン。
テトラフェノキシシラン、これらの混合物、テトラアル
コキシシランのオリゴマー(たとえば。
コキシシランのオリゴマー(たとえば。
日本コルコート社製コルコート40)などが挙げられる
。テトラアルコキシシランは、塗膜の実用性と生成物の
安定性からテトラアルコキシ量%の範囲が好ましく10
〜40重tqbの範囲ハ が特に好ましい。
。テトラアルコキシシランは、塗膜の実用性と生成物の
安定性からテトラアルコキシ量%の範囲が好ましく10
〜40重tqbの範囲ハ が特に好ましい。
本発明で用いるリン酸エステルとしては。
(RO)sPO,(RO)sP(OH)t (RO)*
PO(OH)。
PO(OH)。
(RO)PO(OH)□(Ro)sp、(I(o)sp
(OH)。
(OH)。
(RO)PO(ここで、Rは炭素数1〜6のアル、F)
p基又はアリーー基を示す)等力、挙げられ。
p基又はアリーー基を示す)等力、挙げられ。
特に9分子中にヒドロキシル基を含むものが好ましい。
このリン酸エステルの添加量はリン酸エステルの添加効
果と、形成されるS t O,膜の特性からテトラアル
コキシシランに対して0.01〜10重−1%の範囲が
好ましい。
果と、形成されるS t O,膜の特性からテトラアル
コキシシランに対して0.01〜10重−1%の範囲が
好ましい。
本発明で用いる有機溶媒としてはメタノール。
エタノール、プ目ピルアルコール、イソプロピルアルコ
ール、ブチルアルコールナトのアルコール類、メチルセ
ロソルブ、エチルセロソルブ。
ール、ブチルアルコールナトのアルコール類、メチルセ
ロソルブ、エチルセロソルブ。
プチルセロノルプなどのセロソルブ類、メチルカルピト
ール、エチルカルピトール、ブチルカルピトールなどの
カルピト−ル類、エチレングリコール、プロピレングリ
コール。ジエチレングリコール、グリセリンなどのポリ
アルコール類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルな
どのエステル類、アセトン、メチルエチルケトン。
ール、エチルカルピトール、ブチルカルピトールなどの
カルピト−ル類、エチレングリコール、プロピレングリ
コール。ジエチレングリコール、グリセリンなどのポリ
アルコール類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルな
どのエステル類、アセトン、メチルエチルケトン。
アセチルアセトンなどのケトン類、N−メチル−2−ピ
ロリドン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルスルホキシド声νこれらの混合物などが使
用でき、特に、アルコール類、セロソルブ類、カルピト
ール類を主成分とし次溶媒系が好ましい。また、有機溶
媒5− として沸点の高いセロンルプ類、カルピトール類、N−
メチル−2−ピロリドン、ジメチルアセトアミドなどを
溶媒として用いることKよシ。
ロリドン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルスルホキシド声νこれらの混合物などが使
用でき、特に、アルコール類、セロソルブ類、カルピト
ール類を主成分とし次溶媒系が好ましい。また、有機溶
媒5− として沸点の高いセロンルプ類、カルピトール類、N−
メチル−2−ピロリドン、ジメチルアセトアミドなどを
溶媒として用いることKよシ。
塗布液を塗布した場合の塗膜の乾燥速度を遅くすること
ができるため、塗膜のレベリングが良好となシカロール
コータ−9フレキソ印刷、オフセット印刷等の塗布法が
利用できる。
ができるため、塗膜のレベリングが良好となシカロール
コータ−9フレキソ印刷、オフセット印刷等の塗布法が
利用できる。
本発明で添加される水は蒸留水又はイオン交換水が好ま
しく、その使用量は、テトラアルコキシシラン1 mo
lに対して4molが好ましい。
しく、その使用量は、テトラアルコキシシラン1 mo
lに対して4molが好ましい。
これよりも少ないとヒドロキシシランの縮合化反応が進
み、不溶物を生成する傾向があシ、これよシも多いと未
反応の水が反応生成物中に残留し、塗布液の基体に対す
るぬれ性に影響し。
み、不溶物を生成する傾向があシ、これよシも多いと未
反応の水が反応生成物中に残留し、塗布液の基体に対す
るぬれ性に影響し。
ぬれ性が悪くなる傾向にある。
本発明におけるシラン及び/又はそのオリゴマーの製造
法は、テトラアルコキシン2ンヲ有ることが好ましい。
法は、テトラアルコキシン2ンヲ有ることが好ましい。
反応温度は室温〜100℃6−
とすることが好“ましく、これよりも高くするとゲル化
しやすい傾向にある。アルコキシシランと水との反応時
間は0.5〜5時間が好ましい。
しやすい傾向にある。アルコキシシランと水との反応時
間は0.5〜5時間が好ましい。
本発明になるSin、膜形成用塗布液は、有機溶媒中で
上記の拐料を反応させて得られる組成物をそのまま用い
ても良く、また、同−又は他の有機溶媒を加えて塗布液
としてもよい。場合によっては上記の材料を反応させて
得られる組成物中の有機溶媒の一部を除いてもよい。
上記の拐料を反応させて得られる組成物をそのまま用い
ても良く、また、同−又は他の有機溶媒を加えて塗布液
としてもよい。場合によっては上記の材料を反応させて
得られる組成物中の有機溶媒の一部を除いてもよい。
本発明になるS10.膜形成用塗布液の基体に対するぬ
れ性を改良するため、界面活性剤を添加することも可能
である。界面活性剤としては。
れ性を改良するため、界面活性剤を添加することも可能
である。界面活性剤としては。
非イオン系界面活性剤が好ましい。!、た。siへ膜の
性質を変化さゼるためI P 1 B @ As+ G
Flgsb、 ’ri、 In、 A/等の化合物を添
加することも可能である。
性質を変化さゼるためI P 1 B @ As+ G
Flgsb、 ’ri、 In、 A/等の化合物を添
加することも可能である。
本発明になるS i (%膜形成用塗布液を用いたS
t O,膜の形成はこの塗布液を好ましくは室温で従来
開示されている方法、たとえばスピナー法、浸漬引上げ
法、刷毛塗り法、フレキソ印刷。
t O,膜の形成はこの塗布液を好ましくは室温で従来
開示されている方法、たとえばスピナー法、浸漬引上げ
法、刷毛塗り法、フレキソ印刷。
ロールコータ−、オフセット印刷などによシ基体上に塗
布し、好ましくは200〜800℃で熱処理することに
よって行なわれる。熱処理温度が低い場合は、Sin、
膜の硬度が劣シ、熱処理温度を高くする程硬度の高いS
in、膜を得ることができる。基体としてはガラス、セ
ラミック、プラスチック、金属等の板、成形品等がある
。
布し、好ましくは200〜800℃で熱処理することに
よって行なわれる。熱処理温度が低い場合は、Sin、
膜の硬度が劣シ、熱処理温度を高くする程硬度の高いS
in、膜を得ることができる。基体としてはガラス、セ
ラミック、プラスチック、金属等の板、成形品等がある
。
以下本発明を実施例により説明する。
実施例1
テトラエトキシシラン23fとエチルアルコール68.
88fの混合物にリン酸ジエチル0.177を加える。
88fの混合物にリン酸ジエチル0.177を加える。
さらに、攪拌しながらイオン交換水7.95pを加える
と約10℃発熱して反応し、約3時間反応後の加熱残量
は150℃で9.0重量%。
と約10℃発熱して反応し、約3時間反応後の加熱残量
は150℃で9.0重量%。
500℃で7.0重量%を示した。これをガラス基板に
、引上げ速度20cm/mjnで浸漬塗布し500℃で
焼成したところ9M厚約200 o′Aの高硬度の被膜
を得ることができた。また、この塗布液を40℃の恒温
槽に、2ケ月間放置してもゲル化は見られなかった。
、引上げ速度20cm/mjnで浸漬塗布し500℃で
焼成したところ9M厚約200 o′Aの高硬度の被膜
を得ることができた。また、この塗布液を40℃の恒温
槽に、2ケ月間放置してもゲル化は見られなかった。
実施例2
テトライソプロポキシシラン29.25L、プロピルア
ルコール62.62 Fの混合物にリン酸ジプチル0.
23Pを加える。さらに攪拌しながらイオン交換水7.
959−を加えると約8℃発熱して反応し。
ルコール62.62 Fの混合物にリン酸ジプチル0.
23Pを加える。さらに攪拌しながらイオン交換水7.
959−を加えると約8℃発熱して反応し。
約5時間反応後の加熱残量は150℃/30分で9.5
重量%、500℃/30分で7.2重量%を示した。こ
れをガラス基板に4000rpmでスピナー塗布し、5
00℃で焼成したところ膜厚的200OAの高硬度の被
膜を得ることができた。また、この塗布液を40℃の恒
温槽に入れ、2ケ月放置してもゲル化は見られなかった
。
重量%、500℃/30分で7.2重量%を示した。こ
れをガラス基板に4000rpmでスピナー塗布し、5
00℃で焼成したところ膜厚的200OAの高硬度の被
膜を得ることができた。また、この塗布液を40℃の恒
温槽に入れ、2ケ月放置してもゲル化は見られなかった
。
実施例3
テトラエトキシシラン23f、N−メチル−2−ピロリ
ドン6 fl、88 Pの混合物にリン酸ジエチル0.
17 Pを加え、さらに攪拌しながら水7.951を加
えると約15℃発熱して反応し、3時間反応後の加熱残
量は150℃/30分で9.7重量%。
ドン6 fl、88 Pの混合物にリン酸ジエチル0.
17 Pを加え、さらに攪拌しながら水7.951を加
えると約15℃発熱して反応し、3時間反応後の加熱残
量は150℃/30分で9.7重量%。
500℃/30分で7.2重1lii−を示した。これ
を−9= ガラス基板にロールコータ−で塗布し、500’Cで焼
成したところ、膜厚的220 oAの高硬度な被膜を得
ることができた。また、この塗布液を40℃の恒温槽に
入れ、2ケ月放置してもゲル化は見られなかった。
を−9= ガラス基板にロールコータ−で塗布し、500’Cで焼
成したところ、膜厚的220 oAの高硬度な被膜を得
ることができた。また、この塗布液を40℃の恒温槽に
入れ、2ケ月放置してもゲル化は見られなかった。
比較例1
テトラエトキシシラン23p、エチルアルコ−ル63.
09 Pの混合物に無水酢酸5.97p加え。
09 Pの混合物に無水酢酸5.97p加え。
さらに攪拌しながら水を7.95 )加えたところ。
発熱は見られず、室温反応1時間後の150”(,73
0分の加熱残量は0.95重ftsであった。そこった
。しかし、この塗布液を40℃の恒温槽に放置したとこ
ろ、1ケ月以内でゲル化が見られた。
0分の加熱残量は0.95重ftsであった。そこった
。しかし、この塗布液を40℃の恒温槽に放置したとこ
ろ、1ケ月以内でゲル化が見られた。
本発明になるS i Ox膜形成用塗布液は、保存安定
性にすぐれ、また高沸点溶媒を使用した場合にはロール
コータ−やフレキソ印刷を利用することができ、パター
ン形成を容易にすることができる。
性にすぐれ、また高沸点溶媒を使用した場合にはロール
コータ−やフレキソ印刷を利用することができ、パター
ン形成を容易にすることができる。
手続補正書(自発)
昭和 57年 6月116
1.1f許庁艮官殿
1、事件の表示
昭和57 、(l’−1,ν許願第り/277 号2発
明の名称 5102膜形成用塗布液 3、補正をする背 事f’lとの関係 特許出願人名 称 f44
fil II )r、比成1−裟株式会社4、代 理
人 5補正のり・1g! 明細書の発明の詳細な説明の欄 6補正の内容 1)本願明細書第4頁下から5行目にr (RO)2P
(OH) J゛とあるのをF (RO)2P (OT
−I)、−Lと訂正します。
明の名称 5102膜形成用塗布液 3、補正をする背 事f’lとの関係 特許出願人名 称 f44
fil II )r、比成1−裟株式会社4、代 理
人 5補正のり・1g! 明細書の発明の詳細な説明の欄 6補正の内容 1)本願明細書第4頁下から5行目にr (RO)2P
(OH) J゛とあるのをF (RO)2P (OT
−I)、−Lと訂正します。
以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、有機溶媒中で、テトラアルコキシシランと水とをリ
ン酸エステルの存在下で反応させて得られるヒドロキシ
シラン及び/又はそのオリゴマーを含有してなるS i
Ox膜形成用塗布液。 2、 リン酸エステルが分子中にヒドロキシル基を有す
るリン酸エステルである特許請求の範囲第1項記載のS
i Ox膜形成用塗布液。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7189782A JPS58189263A (ja) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | SiO↓2膜形成用塗布液 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7189782A JPS58189263A (ja) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | SiO↓2膜形成用塗布液 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58189263A true JPS58189263A (ja) | 1983-11-04 |
JPS6358867B2 JPS6358867B2 (ja) | 1988-11-17 |
Family
ID=13473778
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7189782A Granted JPS58189263A (ja) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | SiO↓2膜形成用塗布液 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58189263A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60186570A (ja) * | 1984-03-07 | 1985-09-24 | Nippon Soda Co Ltd | コ−テイング用組成物 |
WO1993013393A1 (en) * | 1991-12-26 | 1993-07-08 | Elf Atochem North America, Inc. | Coating composition for glass |
EP0736488A4 (en) * | 1993-12-21 | 1996-12-18 | Mitsubishi Chem Ind | ULTRA-FINE REACTIVE SILICA PARTICLES, SUSPENSION CONTAINING THE SAME, AND HARD COATING COMPOSITION |
US6030445A (en) * | 1997-05-15 | 2000-02-29 | Advanced Delivery & Chemical Systems, Ltd. | Multi-component mixtures for manufacturing of in situ doped borophosphosilicate |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5251868A (en) * | 1975-10-22 | 1977-04-26 | Seiko Epson Corp | Semiconductor integrated circuit |
JPS5534276A (en) * | 1978-09-04 | 1980-03-10 | Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki | Preparation of coating liquid for silica-based film formation |
JPS5536216A (en) * | 1978-09-05 | 1980-03-13 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | Curing of organoalkoxysilane compound |
JPS5634234A (en) * | 1979-08-30 | 1981-04-06 | Toshiba Corp | Buffer circuit |
JPS5638472A (en) * | 1979-09-06 | 1981-04-13 | Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki | Formation of silica coating |
JPS5638362A (en) * | 1979-09-06 | 1981-04-13 | Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki | Preparation of coating solution for formation of high- purity silica film |
-
1982
- 1982-04-28 JP JP7189782A patent/JPS58189263A/ja active Granted
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5251868A (en) * | 1975-10-22 | 1977-04-26 | Seiko Epson Corp | Semiconductor integrated circuit |
JPS5534276A (en) * | 1978-09-04 | 1980-03-10 | Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki | Preparation of coating liquid for silica-based film formation |
JPS5536216A (en) * | 1978-09-05 | 1980-03-13 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | Curing of organoalkoxysilane compound |
JPS5634234A (en) * | 1979-08-30 | 1981-04-06 | Toshiba Corp | Buffer circuit |
JPS5638472A (en) * | 1979-09-06 | 1981-04-13 | Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki | Formation of silica coating |
JPS5638362A (en) * | 1979-09-06 | 1981-04-13 | Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki | Preparation of coating solution for formation of high- purity silica film |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60186570A (ja) * | 1984-03-07 | 1985-09-24 | Nippon Soda Co Ltd | コ−テイング用組成物 |
WO1993013393A1 (en) * | 1991-12-26 | 1993-07-08 | Elf Atochem North America, Inc. | Coating composition for glass |
US5401305A (en) * | 1991-12-26 | 1995-03-28 | Elf Atochem North America, Inc. | Coating composition for glass |
CN1041814C (zh) * | 1991-12-26 | 1999-01-27 | 北美埃尔夫爱托化学股份有限公司 | 涂层制品 |
CN1041815C (zh) * | 1991-12-26 | 1999-01-27 | 北美埃尔夫爱托化学股份有限公司 | 玻璃涂层组合物 |
CN1043988C (zh) * | 1991-12-26 | 1999-07-07 | 北美埃尔夫爱托化学股份有限公司 | 涂覆玻璃基物的方法 |
USRE41799E1 (en) * | 1991-12-26 | 2010-10-05 | Arkema Inc. | Coating composition for glass |
EP0736488A4 (en) * | 1993-12-21 | 1996-12-18 | Mitsubishi Chem Ind | ULTRA-FINE REACTIVE SILICA PARTICLES, SUSPENSION CONTAINING THE SAME, AND HARD COATING COMPOSITION |
EP1016625A1 (en) * | 1993-12-21 | 2000-07-05 | Mitsubishi Chemical Corporation | Suspension containing ultrafine reactive silica particles |
US6030445A (en) * | 1997-05-15 | 2000-02-29 | Advanced Delivery & Chemical Systems, Ltd. | Multi-component mixtures for manufacturing of in situ doped borophosphosilicate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6358867B2 (ja) | 1988-11-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5091009A (en) | Coating composition and a process for manufacturing the same | |
US5700391A (en) | Liquid coating composition forming a liquid crystal display element insulating film | |
JPS63108082A (ja) | 酸化ケイ素被膜形成用塗布液 | |
EP0552131B1 (en) | Liquid coating composition forming a liquid crystal display element insulating film | |
JP3825813B2 (ja) | 液晶表示素子用高屈折率絶縁被膜形成用塗布液 | |
JPS58189263A (ja) | SiO↓2膜形成用塗布液 | |
JPH01111709A (ja) | ヒドロキシシランおよび/またはそのオリゴマーの製造法 | |
JPH07331172A (ja) | カラーフィルタ保護膜形成用塗液組成物 | |
TWI225085B (en) | Coating composition | |
JPH05124818A (ja) | 金属酸化物被膜形成用塗布液 | |
JPH03126612A (ja) | ケイ素含有溶液および被膜形成用塗布液 | |
JP2637793B2 (ja) | コーティング用組成物 | |
JPH1054979A (ja) | 液晶表示素子用基板 | |
JP3740714B2 (ja) | シロキサン化合物及びその製造方法、並びに硬化性組成物 | |
JPH07157715A (ja) | コーティング用組成物の製造方法 | |
JPS58204815A (ja) | ヒドロキシシラン及び/又はそのオリゴマ−の製造法 | |
JP3360408B2 (ja) | 金属酸化物被膜形成用塗布液 | |
JPH08253318A (ja) | 透明導電材の形成方法 | |
JPS642669B2 (ja) | ||
JPH04353579A (ja) | シリカ系被膜形成用塗布液 | |
JPH09110887A (ja) | シロキサン化合物及びその硬化物 | |
JPH03162470A (ja) | シリカ系被膜形成用組成物およびシリカ系被膜の製造法 | |
JPH0431475A (ja) | 皮膜形成材組成物 | |
JP3846813B2 (ja) | ポリアルコキシシロキサン含有組成物及びその製造方法 | |
JPH0827422A (ja) | シリカ系被膜形成用組成物 |