JPS58153345A - 試料移送装置 - Google Patents
試料移送装置Info
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- JPS58153345A JPS58153345A JP3461782A JP3461782A JPS58153345A JP S58153345 A JPS58153345 A JP S58153345A JP 3461782 A JP3461782 A JP 3461782A JP 3461782 A JP3461782 A JP 3461782A JP S58153345 A JPS58153345 A JP S58153345A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
- C23C14/566—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はＩＣ用ウつＩ・−などの試料を異雰囲気間で
移送するだめの試料移送装置に関するものである。
移送するだめの試料移送装置に関するものである。
ＩＣ用ウェハーを真空下で各種プロセシングする場合、
大気中から高真空室へ試料を移送し、処理後は高真空室
から大気中へ再び試料を移送する必要がある。このほか
試料を特殊なガス中で処理する場合も同様に異種ガス間
の移送が必要となる。
大気中から高真空室へ試料を移送し、処理後は高真空室
から大気中へ再び試料を移送する必要がある。このほか
試料を特殊なガス中で処理する場合も同様に異種ガス間
の移送が必要となる。
従来、このような真気圧、異種ガス等の異雰囲気間にお
ける試料の移送を連続的に行う有効な装置がなかったた
め、いわゆるバッチ（一括）処理により、エアロツク室
を通じて挿入、移送をしているうそのだめ自動化の鎖が
そこで断たれてしまう欠点があった。
ける試料の移送を連続的に行う有効な装置がなかったた
め、いわゆるバッチ（一括）処理により、エアロツク室
を通じて挿入、移送をしているうそのだめ自動化の鎖が
そこで断たれてしまう欠点があった。
この発明はこのような従来の欠点を解消するためになさ
れたもので、異雰囲気に接続するケーシング内で、回転
ドア式またはターレット式に試料収納部を有する回転体
を回転させることにより、試料を異雰囲気間で連続的に
移送することのできる試料移送装置を提供することを目
的としている。
れたもので、異雰囲気に接続するケーシング内で、回転
ドア式またはターレット式に試料収納部を有する回転体
を回転させることにより、試料を異雰囲気間で連続的に
移送することのできる試料移送装置を提供することを目
的としている。
この発明はそれぞれ異雰囲気に接続する試料導入路およ
び試料送出路が開口するケーシングと、このケーシング
内で十分な排気抵抗を保って回転する回転体と、回転に
伴って前記試料導入路から試料を受入れ、かつ試料送出
路へ試料を送出するように前記回転体に設けられた試料
収納部とを備えたことを特徴とする試料移送装置である
。
び試料送出路が開口するケーシングと、このケーシング
内で十分な排気抵抗を保って回転する回転体と、回転に
伴って前記試料導入路から試料を受入れ、かつ試料送出
路へ試料を送出するように前記回転体に設けられた試料
収納部とを備えたことを特徴とする試料移送装置である
。
以下、この発明を図面により説明する。第１図はこの発
明の一実施例を示す垂直断面図、第２図はそのＡ−Ａ断
面図、第３図（ａ）は回転体の平面図、ｌｂｌは正面図
、（Ｃ）は側面図である。図において、１はケーシング
で、傾斜して設置されており、異雰囲気に接続する試料
導入路２および試料送出路６が開口する回転空間４を有
する。回転空間４には回転体５が設けられ、回転体５は
試料導入路２および試料送出路６に対応して開口する試
料収納部６を有するとともに、軸受７によって支持され
、かつ回転装置８によって回転させられる回転ＩＩ！１
ｌＩ９を有している。回転体５は円板状で、左右対称に
円周方向に開口する試料収納部６が中仝状に形ｂＶされ
ている。ケーシング１の（ロ）転空間４の内壁と回転体
５との間には、異雰囲気を維持するのに１分な排気抵抗
を廟する間隙１０が形成されている。
明の一実施例を示す垂直断面図、第２図はそのＡ−Ａ断
面図、第３図（ａ）は回転体の平面図、ｌｂｌは正面図
、（Ｃ）は側面図である。図において、１はケーシング
で、傾斜して設置されており、異雰囲気に接続する試料
導入路２および試料送出路６が開口する回転空間４を有
する。回転空間４には回転体５が設けられ、回転体５は
試料導入路２および試料送出路６に対応して開口する試
料収納部６を有するとともに、軸受７によって支持され
、かつ回転装置８によって回転させられる回転ＩＩ！１
ｌＩ９を有している。回転体５は円板状で、左右対称に
円周方向に開口する試料収納部６が中仝状に形ｂＶされ
ている。ケーシング１の（ロ）転空間４の内壁と回転体
５との間には、異雰囲気を維持するのに１分な排気抵抗
を廟する間隙１０が形成されている。
以上のように構成された試料移送装置において、例えば
試料導入路２を大気圧に保ち、試料送出路６を高真空に
保ち、試料１１を試料導入路２から傾斜を利用して回転
体５の試料収納部６に導入し、同転装置８により回転体
５を半回転させると、試料１１は試料収納部６から傾斜
を利用して試料送出路６に送出する。一方試料導入路２
からは、前回と同様に新しい試料１１が試料収納部６に
導入される。
試料導入路２を大気圧に保ち、試料送出路６を高真空に
保ち、試料１１を試料導入路２から傾斜を利用して回転
体５の試料収納部６に導入し、同転装置８により回転体
５を半回転させると、試料１１は試料収納部６から傾斜
を利用して試料送出路６に送出する。一方試料導入路２
からは、前回と同様に新しい試料１１が試料収納部６に
導入される。
以上の操作をくり返えすことにより、試料１１は試料導
入路２から異雰囲気の試料送出路６へ移送される。回転
装置８による回転体５の回転は連続回転でもよいが、半
回転ごとの間欠回転でもよい。試料導入路２と試料送出
路６とを異雰囲気に保つためには、両者が短絡してはな
らず、このため回転体５の周縁部における試料収納部６
の開口距離Ｒよりも、試料収納部６間の非開口距離Ｓの
方が大きい必要がある。また間隙１０は試料導入路２側
から試料送出路６側への実質的な流体の流れを制限し、
試料送出路６側における吸引による高真空維持が可能な
程度とする。
入路２から異雰囲気の試料送出路６へ移送される。回転
装置８による回転体５の回転は連続回転でもよいが、半
回転ごとの間欠回転でもよい。試料導入路２と試料送出
路６とを異雰囲気に保つためには、両者が短絡してはな
らず、このため回転体５の周縁部における試料収納部６
の開口距離Ｒよりも、試料収納部６間の非開口距離Ｓの
方が大きい必要がある。また間隙１０は試料導入路２側
から試料送出路６側への実質的な流体の流れを制限し、
試料送出路６側における吸引による高真空維持が可能な
程度とする。
第４図および第５図はそれぞれ回転体の変形例を示し、
（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図、（Ｃ）は側面図であ
る。第４図は第５図における試料収納部６の上部が開放
したものであり、試料の導入は容易であるが、排気抵抗
は小さくなる。第５図は独立した円形のもので、液体等
の移送に適している。
（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図、（Ｃ）は側面図であ
る。第４図は第５図における試料収納部６の上部が開放
したものであり、試料の導入は容易であるが、排気抵抗
は小さくなる。第５図は独立した円形のもので、液体等
の移送に適している。
第６図（、）は他の実施例を示すケーシング部を切欠い
た平面図、（ｂ）はそのケーシング部を切欠いた側面図
であり、試料１１が垂直状態で移送できるように、ケー
シング１および回転体５がドラム状に形成され、試料収
納部６の高さが高くなっておゆ、試料１１をころがして
導入または送出することか可能である。竺７図および第
８図はこの実施例における回転体を示し、それぞれ（ａ
）は平面図、（ｂ）は正面図、（Ｃ）は佃１面図である
。いずれも上部が開放していないので、排気抵抗は太き
い。
た平面図、（ｂ）はそのケーシング部を切欠いた側面図
であり、試料１１が垂直状態で移送できるように、ケー
シング１および回転体５がドラム状に形成され、試料収
納部６の高さが高くなっておゆ、試料１１をころがして
導入または送出することか可能である。竺７図および第
８図はこの実施例における回転体を示し、それぞれ（ａ
）は平面図、（ｂ）は正面図、（Ｃ）は佃１面図である
。いずれも上部が開放していないので、排気抵抗は太き
い。
第９図ないし第１１図はそれぞれ他の実施例のケーシン
グ部を切欠いた平面図である。第９図では回転体５に試
料収納部６が１個設けられており、構造が簡単となって
いる。第１０図では試料収納部６が４個設けられており
、試料導入路２および試料送出路６の中間気圧に吸引で
きるように、これらと垂直に位置する試料収納部６は中
間吸引路１２に接続している。この場合、中間吸引路１
２は反対側にある試料収納部６とケーシング１の上部で
連絡している。この例では中間吸引が可能なだめ、試料
導入路２および試料送出路６の圧力差を大きくすること
ができる。第１１図では試料導入路２および試料送出路
６間に２個の中間吸引路１２．１３を開口させているの
で、２段階に中間吸引することができ、このため圧力差
をさらに大きくすることができる。
グ部を切欠いた平面図である。第９図では回転体５に試
料収納部６が１個設けられており、構造が簡単となって
いる。第１０図では試料収納部６が４個設けられており
、試料導入路２および試料送出路６の中間気圧に吸引で
きるように、これらと垂直に位置する試料収納部６は中
間吸引路１２に接続している。この場合、中間吸引路１
２は反対側にある試料収納部６とケーシング１の上部で
連絡している。この例では中間吸引が可能なだめ、試料
導入路２および試料送出路６の圧力差を大きくすること
ができる。第１１図では試料導入路２および試料送出路
６間に２個の中間吸引路１２．１３を開口させているの
で、２段階に中間吸引することができ、このため圧力差
をさらに大きくすることができる。
第１２図ないし第１５図はそれぞれ傾斜を利用した別の
実施例を示す垂直断面図、第１６図（ａ）。
実施例を示す垂直断面図、第１６図（ａ）。
（ｂ）はさらに別の実施例の垂直断面図であり、いずれ
も２基連結したもので、段階的に圧力を低下させるのに
適している。第１２図では試料１１は試料導入路２、連
絡路１４および試料送出路６を滑り降り、回転体５によ
シ移送される。第１５図では同様の通路をころが９降り
る。第１４図では回転体５が直結されている点を除けば
第１３図と同じである。第１５図では回転体５が直結し
たところを試料１１が滑シ降りる。第１６図は２基の回
転体５，５ａがラップした例を示し、（ａ）は回転体５
．５ａにローディングした状態、（ｂ）は回転体５ａが
試料１１を移送中の状態をそれぞれ示す。
も２基連結したもので、段階的に圧力を低下させるのに
適している。第１２図では試料１１は試料導入路２、連
絡路１４および試料送出路６を滑り降り、回転体５によ
シ移送される。第１５図では同様の通路をころが９降り
る。第１４図では回転体５が直結されている点を除けば
第１３図と同じである。第１５図では回転体５が直結し
たところを試料１１が滑シ降りる。第１６図は２基の回
転体５，５ａがラップした例を示し、（ａ）は回転体５
．５ａにローディングした状態、（ｂ）は回転体５ａが
試料１１を移送中の状態をそれぞれ示す。
第１７図（ａ）は他の実施例を示す垂直断面図、（ｂ）
はＢ−Ｂ断面図であり、１５はフォークで、試料導入路
２および試料収納部６間ならびに試料収納部６および試
料送出部６間の試料１１のローディングを行う。第１８
図は他の実施例の水平断面図であり、１６は回転アーム
で、回転により第１７図と同様の位置における試料１１
のローディングを行う。
はＢ−Ｂ断面図であり、１５はフォークで、試料導入路
２および試料収納部６間ならびに試料収納部６および試
料送出部６間の試料１１のローディングを行う。第１８
図は他の実施例の水平断面図であり、１６は回転アーム
で、回転により第１７図と同様の位置における試料１１
のローディングを行う。
回転装［８としては電動機が使用できるが、第１９図は
磁石により回転体５を回転させる実施例を示し、（ａｌ
は垂直断面図、（ｂ）は水平断面図、第２０図は軸受部
分の変形例を示す垂直断面図である。
磁石により回転体５を回転させる実施例を示し、（ａｌ
は垂直断面図、（ｂ）は水平断面図、第２０図は軸受部
分の変形例を示す垂直断面図である。
第１９図において、回転体５はケーシング１内に完全に
収容されている。ケーシング１外に回転装置８が設けら
れて、磁石１７が回転するようになってニる。そしてこ
の磁石に対向して回転体５に磁性体１８が設けられてお
り、回転体５はころがり軸受７ａによってケーシング１
の周壁に回転可能に支持されている。第２０図では回転
体５は軸受７によってケーシング１の上下壁に支持され
ている。これらの装置においては、回転装置８を回転す
ることによって、回転体５が回転し試料１１を移送する
が、回転軸が外部に突出しないので、圧力差の維持が容
易となる。
収容されている。ケーシング１外に回転装置８が設けら
れて、磁石１７が回転するようになってニる。そしてこ
の磁石に対向して回転体５に磁性体１８が設けられてお
り、回転体５はころがり軸受７ａによってケーシング１
の周壁に回転可能に支持されている。第２０図では回転
体５は軸受７によってケーシング１の上下壁に支持され
ている。これらの装置においては、回転装置８を回転す
ることによって、回転体５が回転し試料１１を移送する
が、回転軸が外部に突出しないので、圧力差の維持が容
易となる。
第２１図（ａ）は回転装置の変形例を示す平面図、（ｂ
）は垂直断面図でろし、ゼネバ機構により間欠回転を行
うようになっている。すなわち、回転体５に接続するゼ
ネバ歯車１８およびこのゼネバ歯車１８にかみ合う保合
部１９を有する回転アーム２０からなり、回転アーム２
０を回転させることによ妙、ゼネバ歯車１８が１／４回
転し、回転体５が間欠回転する。このため試料１１のロ
ーディングのための時間をとることができる。
）は垂直断面図でろし、ゼネバ機構により間欠回転を行
うようになっている。すなわち、回転体５に接続するゼ
ネバ歯車１８およびこのゼネバ歯車１８にかみ合う保合
部１９を有する回転アーム２０からなり、回転アーム２
０を回転させることによ妙、ゼネバ歯車１８が１／４回
転し、回転体５が間欠回転する。このため試料１１のロ
ーディングのための時間をとることができる。
第２２図は他の変形例を示す平面図、第２３図はその動
作図であり、この例では２個のゼネバ歯車１８ａ、１８
ｂが１個の回転アーム２０によって回転されるように二
連に接続しており、中間引きして圧力差をもたせるのに
適している。第２５図では回転アーム２００回転に伴い
、ゼネバ歯車１８ａ。
作図であり、この例では２個のゼネバ歯車１８ａ、１８
ｂが１個の回転アーム２０によって回転されるように二
連に接続しており、中間引きして圧力差をもたせるのに
適している。第２５図では回転アーム２００回転に伴い
、ゼネバ歯車１８ａ。
１８ｂに直結する回転体５，５ａにより試料１１が移動
する状態を模式的に図示しており、回転体５゜５ａの回
転に９０°の位相差が生じるので、１段目から２段目へ
の試料の移送に便利である。第２３図の左端の数字は回
転アーム２０の回転サイクルを示す。
する状態を模式的に図示しており、回転体５゜５ａの回
転に９０°の位相差が生じるので、１段目から２段目へ
の試料の移送に便利である。第２３図の左端の数字は回
転アーム２０の回転サイクルを示す。
第２４図および第２５図は多数のケーシングを接続する
実施例の垂直断面図を示し、それぞれケーシング１．Ｉ
ａ、１ｂ、１ｃは連絡路１４゜１４ａ、１４ｂで連絡さ
れており、連絡路１４から中間吸引路１２がロータリー
ポンプ（図示省略）に接続して中間引きされ、ケーシン
グ１Ｃから吸引路２１がデフニージョンポンプ（図示省
略）に接続して高真空に吸引される。そして第２４図で
は、連絡路１４ａから排気抵抗を有する中間吸引路１６
が吸引路２１に接糾し、そのコンダクタンスにより真空
度が調整される。また第２５図では間隙１０ａより間隙
１０ｂの排気抵抗が小さく、そのコンダクタンスにより
真空度が調整される。こうして各ケーシング１，１ａ、
Ｉｂ、１ｃの真空度は順次高くなる。
実施例の垂直断面図を示し、それぞれケーシング１．Ｉ
ａ、１ｂ、１ｃは連絡路１４゜１４ａ、１４ｂで連絡さ
れており、連絡路１４から中間吸引路１２がロータリー
ポンプ（図示省略）に接続して中間引きされ、ケーシン
グ１Ｃから吸引路２１がデフニージョンポンプ（図示省
略）に接続して高真空に吸引される。そして第２４図で
は、連絡路１４ａから排気抵抗を有する中間吸引路１６
が吸引路２１に接糾し、そのコンダクタンスにより真空
度が調整される。また第２５図では間隙１０ａより間隙
１０ｂの排気抵抗が小さく、そのコンダクタンスにより
真空度が調整される。こうして各ケーシング１，１ａ、
Ｉｂ、１ｃの真空度は順次高くなる。
第２６図および第２７図は１つのケーシングにおいて段
階的に吸引する実施例を示す水平断面図であり、第２６
図では、中間吸引路１２をロータリーポンプに接続し、
中間吸引路１６に排気抵抗をもたせ、試料送出路６を介
してデフニージョンポンプに接続し、段階的に真空度を
調整している。
階的に吸引する実施例を示す水平断面図であり、第２６
図では、中間吸引路１２をロータリーポンプに接続し、
中間吸引路１６に排気抵抗をもたせ、試料送出路６を介
してデフニージョンポンプに接続し、段階的に真空度を
調整している。
また第２７図では中間吸引路１２．１６は同一のロータ
リーポンプに接続し、間隙１０ａよりも間隙１０ｂを大
きくして、そのコンダクタンスにより段階的に真空度を
大きくしている。
リーポンプに接続し、間隙１０ａよりも間隙１０ｂを大
きくして、そのコンダクタンスにより段階的に真空度を
大きくしている。
なお、上記説明において、各構成部分の構造、試料のロ
ーディング方式、異雰囲気の維持方式等は図示のものに
限定されず、任意に変更可能である。ｔた上記説明はＩ
Ｃウェハーを例にとり、異雰囲気として圧力差のあるも
のについて説明したが、試料の種類、形状等は制限され
ず、また雰囲気についても、圧力のほかガスの種類等信
の雰囲気についても同様に適用できる。
ーディング方式、異雰囲気の維持方式等は図示のものに
限定されず、任意に変更可能である。ｔた上記説明はＩ
Ｃウェハーを例にとり、異雰囲気として圧力差のあるも
のについて説明したが、試料の種類、形状等は制限され
ず、また雰囲気についても、圧力のほかガスの種類等信
の雰囲気についても同様に適用できる。
以上のとおシ、この発明によれば、異雰囲気に接続する
ケーシング内で、試料収納部を有する回転体を回転させ
ることにより、試料を異雰囲気間で連続的に移送するこ
とができ、自動化も可能である。このため、例え、は半
導体製造過程に適用すれば、ノζツチ処理等による自動
化の鎖の切断を避けることができ、製造工程の合理化、
品質の向上が可能となる。
ケーシング内で、試料収納部を有する回転体を回転させ
ることにより、試料を異雰囲気間で連続的に移送するこ
とができ、自動化も可能である。このため、例え、は半
導体製造過程に適用すれば、ノζツチ処理等による自動
化の鎖の切断を避けることができ、製造工程の合理化、
品質の向上が可能となる。
第１図はこの発明の一実施例による試料移送装置を示す
垂直断面図、第２図はそのＡ−Ａ断面図、第３図ないし
第５図、第７図および第８図は回転体の変形例を示し、
それぞれ（、）は平面図、（ｂ）は正面図、（Ｃ）は側
面図、第６図（ａ）および第９図ないし第１１図はそれ
ぞれ他の実施例のケーシング部を切欠いた平面図、第６
図ｆｂ）は（ａ）のケーシング部を切欠いた側面図、第
１２図ないし第１５図、第１６図（ａｌ、 （ｂ）、第
１７図（ａ）、第１９図（ａ）、第２０図、第２４図お
よび第２５図はそれぞれ他の実施例の垂直断面図、第１
７図（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図、第１９図（ｂ）は
（ａ）の水平断面図、第２１図（ａｔおよび第２２図は
変形例を示す平面図、第２１図（ｂ）は（ａ）の垂直断
面図、第２３図は動作図、第２６図および第２７図はそ
れぞれ別の実施例を示す水平断面図である。 各図中、同一符号は同一または相当部分を示し、１はケ
ーシング、２は試料導入路、６は試料送出路、５は回転
体、６は試料収納部、８は回転装輩、１１は試料である
。 第１７図 手続補正書（方式） １．事件の表示 昭和５７年特許願第 ３４６１７ 号３、 補正をす
る者 事件との関係 特許出願人 ４・ 代 理 人 〒１０５ 電話４３６−４
７００住 所 東京都港区西新橋３丁目１５番８号「
第１８図、」を挿入する。
垂直断面図、第２図はそのＡ−Ａ断面図、第３図ないし
第５図、第７図および第８図は回転体の変形例を示し、
それぞれ（、）は平面図、（ｂ）は正面図、（Ｃ）は側
面図、第６図（ａ）および第９図ないし第１１図はそれ
ぞれ他の実施例のケーシング部を切欠いた平面図、第６
図ｆｂ）は（ａ）のケーシング部を切欠いた側面図、第
１２図ないし第１５図、第１６図（ａｌ、 （ｂ）、第
１７図（ａ）、第１９図（ａ）、第２０図、第２４図お
よび第２５図はそれぞれ他の実施例の垂直断面図、第１
７図（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図、第１９図（ｂ）は
（ａ）の水平断面図、第２１図（ａｔおよび第２２図は
変形例を示す平面図、第２１図（ｂ）は（ａ）の垂直断
面図、第２３図は動作図、第２６図および第２７図はそ
れぞれ別の実施例を示す水平断面図である。 各図中、同一符号は同一または相当部分を示し、１はケ
ーシング、２は試料導入路、６は試料送出路、５は回転
体、６は試料収納部、８は回転装輩、１１は試料である
。 第１７図 手続補正書（方式） １．事件の表示 昭和５７年特許願第 ３４６１７ 号３、 補正をす
る者 事件との関係 特許出願人 ４・ 代 理 人 〒１０５ 電話４３６−４
７００住 所 東京都港区西新橋３丁目１５番８号「
第１８図、」を挿入する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） それぞれ異雰囲気に接続する試料導入路およ
び試料送出路が開口するケーシングと、このケーシング
内で十分な排気抵抗を保って回転する回転体と、回転に
伴って前記試料導入路から試料を受入れ、かつ試料送出
路へ試料を送出するように前配回転体に設けられた試料
収納部とを備えたことを特徴とする試料移送装置 （２）試料収納部は回転体の円周方向に開口している特
許請求の範囲第１項記載の試料移送装置（３）試料導入
路と試料送出路の中間に１両者の雰囲気の中間の雰囲気
を形成する手段を備えた特許請求の範囲第１項または第
２項記載の試料移送装置 （４） それぞれ回転体を有する複数のケーシングが
接続され、その中間部に試料導入路と試料送出路との中
間の雰囲気を形成する手段を備えた特許請求の範囲第１
項ないし第６項のいずれかに記載の試料移送装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3461782A JPS58153345A (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | 試料移送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3461782A JPS58153345A (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | 試料移送装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58153345A true JPS58153345A (ja) | 1983-09-12 |
Family
ID=12419330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3461782A Pending JPS58153345A (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | 試料移送装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58153345A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60106199U (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-19 | 日本たばこ産業株式会社 | 放射線照射室 |
| DE4408947A1 (de) * | 1994-03-16 | 1995-09-21 | Balzers Hochvakuum | Vakuumbehandlungsanlage und Ventilanordnung |
| EP0943699A1 (de) * | 1998-02-19 | 1999-09-22 | Leybold Systems GmbH | Schleuseneinrichtung zum Ein- und/oder Ausbringen von Substraten in und/oder aus einer Behandlungskammer |
| WO2004042111A2 (de) * | 2002-11-08 | 2004-05-21 | Applied Films Gmbh & Co. Kg | Schleusenanordnung für eine substratbeschichtungsanlage |
| EP1577419A1 (de) * | 2004-03-16 | 2005-09-21 | Applied Films GmbH & Co. KG | Anlage zum Beschichten von Hohlkörpern, insbesondere von Kunststoffflaschen, mit einem Hochvakuumbereich und einer Schleuse |
-
1982
- 1982-03-05 JP JP3461782A patent/JPS58153345A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60106199U (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-19 | 日本たばこ産業株式会社 | 放射線照射室 |
| DE4408947A1 (de) * | 1994-03-16 | 1995-09-21 | Balzers Hochvakuum | Vakuumbehandlungsanlage und Ventilanordnung |
| CH688043A5 (de) * | 1994-03-16 | 1997-04-30 | Balzers Hochvakuum | Vakuumbehandlungsanlage und Ventilanordnung. |
| EP0943699A1 (de) * | 1998-02-19 | 1999-09-22 | Leybold Systems GmbH | Schleuseneinrichtung zum Ein- und/oder Ausbringen von Substraten in und/oder aus einer Behandlungskammer |
| WO2004042111A2 (de) * | 2002-11-08 | 2004-05-21 | Applied Films Gmbh & Co. Kg | Schleusenanordnung für eine substratbeschichtungsanlage |
| WO2004042111A3 (de) * | 2002-11-08 | 2005-01-27 | Applied Films Gmbh & Co Kg | Schleusenanordnung für eine substratbeschichtungsanlage |
| EP1577419A1 (de) * | 2004-03-16 | 2005-09-21 | Applied Films GmbH & Co. KG | Anlage zum Beschichten von Hohlkörpern, insbesondere von Kunststoffflaschen, mit einem Hochvakuumbereich und einer Schleuse |
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