JPS58139478A - アモルフアス太陽電池 - Google Patents
アモルフアス太陽電池Info
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- JPS58139478A JPS58139478A JP57021047A JP2104782A JPS58139478A JP S58139478 A JPS58139478 A JP S58139478A JP 57021047 A JP57021047 A JP 57021047A JP 2104782 A JP2104782 A JP 2104782A JP S58139478 A JPS58139478 A JP S58139478A
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Classifications
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
- H01L31/076—Multiple junction or tandem solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/0376—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors
- H01L31/03762—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic Table
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアモルファス太陽電池に関するものであり、特
に多層構造のアモルファス太陽電池に関するものである
。
に多層構造のアモルファス太陽電池に関するものである
。
ＳｉＨ４ガスのグロー放電法あるいは水素雰囲気中での
蒸着、スパッタ等の方法で作成したアモルファスシリコ
ン（以下ａ−５ｔ：Ｈと記す。）はバンドギャップ内局
在単位密度の大巾な低減によりその価電子制御が可能な
事から新しいデバイスへの応用が積極的に進められてい
るが、特に太１ｉｉ１６１ｉｌｔ池素材として上記アモ
ルファスシリコン膜を用いた時、製造方法の簡易性から
くる大巾なコストの低減が可能であり、今後の低価格太
ｍ＊池の本命とさえ目されている。上記アモルファス太
ｔｔｍ嵐池は現在高効率が最も重要な課題となるが、従
来知られているアモルファス太陽電池素子構造では本質
的な性能限界があり、新しい発想からの取組みが急務と
成っている。
蒸着、スパッタ等の方法で作成したアモルファスシリコ
ン（以下ａ−５ｔ：Ｈと記す。）はバンドギャップ内局
在単位密度の大巾な低減によりその価電子制御が可能な
事から新しいデバイスへの応用が積極的に進められてい
るが、特に太１ｉｉ１６１ｉｌｔ池素材として上記アモ
ルファスシリコン膜を用いた時、製造方法の簡易性から
くる大巾なコストの低減が可能であり、今後の低価格太
ｍ＊池の本命とさえ目されている。上記アモルファス太
ｔｔｍ嵐池は現在高効率が最も重要な課題となるが、従
来知られているアモルファス太陽電池素子構造では本質
的な性能限界があり、新しい発想からの取組みが急務と
成っている。
に伴うｉ層（ノンドープロａ−５ｉ二Ｈ膜をｉ層と称す
）中の電界強度の向上に伴ない今後更にその性能向上の
可能性は残されているが、通常のａ−５ｉ：Ｈｉｌｌに
おいては、単結晶材料等の物性をもとにして指摘確認さ
れている太陽電池素材としての最適バンドキャップエネ
ルギーはぼ１．５〜１．６ｅＶと比較して、そのバンド
ギャップエネルギーは約１．８〜１．９５ｅＶ程度であ
る為、上記最適バンドギャップヱネルギー価を持つ材料
と比較して光の利用効率は低下する。又現状のａ−５ｉ
：Ｈ膜においては、その少数キャリヤ拡散長Ｌｐが短く
、約０．２〜０．５μｍ程度である事に起因する最適ｒ
ＮＩＩ厚０，４〜０．６μｍが制限する長波長光の利用
効率は、そのバンドギャップヱネルギ値から期待できる
利用効率よりも大巾に低下する。
）中の電界強度の向上に伴ない今後更にその性能向上の
可能性は残されているが、通常のａ−５ｉ：Ｈｉｌｌに
おいては、単結晶材料等の物性をもとにして指摘確認さ
れている太陽電池素材としての最適バンドキャップエネ
ルギーはぼ１．５〜１．６ｅＶと比較して、そのバンド
ギャップエネルギーは約１．８〜１．９５ｅＶ程度であ
る為、上記最適バンドギャップヱネルギー価を持つ材料
と比較して光の利用効率は低下する。又現状のａ−５ｉ
：Ｈ膜においては、その少数キャリヤ拡散長Ｌｐが短く
、約０．２〜０．５μｍ程度である事に起因する最適ｒ
ＮＩＩ厚０，４〜０．６μｍが制限する長波長光の利用
効率は、そのバンドギャップヱネルギ値から期待できる
利用効率よりも大巾に低下する。
高効率化の為に光の利用効率の向上は不可欠の課題とな
るが、上記したａ−５ｉ：Ｈ膜のみを用いた太陽電池で
は、光の利用効率が大きな性能限界になる。
るが、上記したａ−５ｉ：Ｈ膜のみを用いた太陽電池で
は、光の利用効率が大きな性能限界になる。
この光の利用効率の向上の為には、アモルファス材料中
の光吸収量の増加すなわちＥｇｏｐｔのより小さい材料
開発によってのみ可能になるが、この低件、鉤えば成長
時温度、ガス圧、供給ガスｌｉ 、 ＲＦパワー等にあ
まり依存しないので同一成長装置で広範囲のＥｇｏｐｔ
値を持つａ−５ｉ：Ｈ膜を作成するのは難結晶Ｓｉ（Ｅ
ｇｌ、１ｃＶ）との中間的な値をもたす拳ができるとと
もに、ａ−５ｉ：Ｈとａ−Ｇｅ：Ｈの混相系ａ−８ｉ：
Ｈ膜にふいては、膜中Ｇｅ組成によってａ−８ｉ ：Ｈ
１４ｏｐＬ１．０〜１．１ ｅＶからａ−５ｉ：Ｈ１，
８６〜１．９ ｅＶ＆１度迄連続的に変化する事が知ら
れているが、これらのμ・Ｃａ−８ｉＧｅＨ膜等におい
ては、その物性に関しては不明点が多く、その可能性も
太陽電池素材への応用という観点からの追求はあまりな
されていない。
の光吸収量の増加すなわちＥｇｏｐｔのより小さい材料
開発によってのみ可能になるが、この低件、鉤えば成長
時温度、ガス圧、供給ガスｌｉ 、 ＲＦパワー等にあ
まり依存しないので同一成長装置で広範囲のＥｇｏｐｔ
値を持つａ−５ｉ：Ｈ膜を作成するのは難結晶Ｓｉ（Ｅ
ｇｌ、１ｃＶ）との中間的な値をもたす拳ができるとと
もに、ａ−５ｉ：Ｈとａ−Ｇｅ：Ｈの混相系ａ−８ｉ：
Ｈ膜にふいては、膜中Ｇｅ組成によってａ−８ｉ ：Ｈ
１４ｏｐＬ１．０〜１．１ ｅＶからａ−５ｉ：Ｈ１，
８６〜１．９ ｅＶ＆１度迄連続的に変化する事が知ら
れているが、これらのμ・Ｃａ−８ｉＧｅＨ膜等におい
ては、その物性に関しては不明点が多く、その可能性も
太陽電池素材への応用という観点からの追求はあまりな
されていない。
この発明は低バンドギャップエネルギーを持つアモルフ
ァス太陽電池素材として有効利用を図る方法に関するも
のである。
ァス太陽電池素材として有効利用を図る方法に関するも
のである。
太陽電池の起電力能、変換効率（Ｖ）は、その素子の光
照射強度（Ｐｉｎ）における關放端電圧（Ｖｏｃ入曲線
曲線因子Ｆ）、短絡電流密度（Ｊｓｃ）の積η＝ Ｖｏ
ｃ Ｘ Ｊｓｏ Ｘ ＦＦ／Ｐｉｎで表わす事はよく知
られているが、これらのＶｏｃ。
照射強度（Ｐｉｎ）における關放端電圧（Ｖｏｃ入曲線
曲線因子Ｆ）、短絡電流密度（Ｊｓｃ）の積η＝ Ｖｏ
ｃ Ｘ Ｊｓｏ Ｘ ＦＦ／Ｐｉｎで表わす事はよく知
られているが、これらのＶｏｃ。
Ｊｓｃ、 ＦＦ等については、 Ｅｇｏｐｔが大きくほ
ぼ最適条件で作成された低い局在単位密度を有する。
ぼ最適条件で作成された低い局在単位密度を有する。
ａ−５ｉＦＨ膜を用いた場合と前記した低いＥｇｏｐｔ
を持つμ、ｃａ−５ｉ：Ｈあるいはａ−５ｉ：Ｈ膜を用
いた時の各船もっとも大きく影梼することが確認されて
おり、バンドギャップ内局在単位密度が充分低く、その
フエルミレベｑＥＦ）がほぼバンド中央に位置している
場合あるいは低微量の厘族不純物例えばボロン等が１層
中に含まれている為そのフェル・ミレベル（ＥＦ）が価
電子帯にシフトして結果的にＥＦがバンド中央に位置す
る様なアモルファス膜におけるｍｓ的なＶｏｃは、その
バンドギャップエネルギー五厘に比例した様な値になる
。但し、このｉ層に接して接合を形成する価電子制御さ
れたＰＪＩｌおよびｎＪＩＩｌは同一とする。
を持つμ、ｃａ−５ｉ：Ｈあるいはａ−５ｉ：Ｈ膜を用
いた時の各船もっとも大きく影梼することが確認されて
おり、バンドギャップ内局在単位密度が充分低く、その
フエルミレベｑＥＦ）がほぼバンド中央に位置している
場合あるいは低微量の厘族不純物例えばボロン等が１層
中に含まれている為そのフェル・ミレベル（ＥＦ）が価
電子帯にシフトして結果的にＥＦがバンド中央に位置す
る様なアモルファス膜におけるｍｓ的なＶｏｃは、その
バンドギャップエネルギー五厘に比例した様な値になる
。但し、このｉ層に接して接合を形成する価電子制御さ
れたＰＪＩｌおよびｎＪＩＩｌは同一とする。
一方上記した開放端電圧（Ｖｏｃ）とともに起電力能と
して短絡電流密度（ＪＩＣ）、曲線因子（ＦＦ）も重装
な性能指数であり、上記した低いパンドギャンゾヱネル
ギー材料の有効利用という事に対しては次の様に考える
事ができる。
して短絡電流密度（ＪＩＣ）、曲線因子（ＦＦ）も重装
な性能指数であり、上記した低いパンドギャンゾヱネル
ギー材料の有効利用という事に対しては次の様に考える
事ができる。
上記した素子に怠ける代表的起動電力特性において、光
入射面が、１層ドーピング層側または２層側のいずれか
に位置する構造のものにおいて得られる短絡電流の光吸
収績効率の波長依存性の概率をＲ（入）透過率をＴ（入
）とした時Ｃ−（１−（”ｒｃ７０−）−Ｒ囚）に成る
）を示したものである。
入射面が、１層ドーピング層側または２層側のいずれか
に位置する構造のものにおいて得られる短絡電流の光吸
収績効率の波長依存性の概率をＲ（入）透過率をＴ（入
）とした時Ｃ−（１−（”ｒｃ７０−）−Ｒ囚）に成る
）を示したものである。
現在ａ−５ｉ：Ｈあるいはａ−５ｉＧｅ ：Ｈ、ｐ 、
ｃ−ａ −５ｉ ： Ｈ等のアモルファス材料の発生
キャリヤのうち電子の拡散長Ｌｎに比較して、正孔拡散
長Ｌｐは格段に小さい為、光起電流は、主に正孔の挙動
によって制限されるとともに、ＰａｌとｓＭ界向での強
界領域への正装置する事によって短波長光の収電効率は
増加するが、長波長光によるｎ刊界面近傍で発生した励
起今ャリャ正孔のｐ−１界面へのドリフト確率は低下す
る。一方ｎ層個からの光入射の場合、短波長吸収係数が
大きいことによって短波長光収集効率は低下するが、長
波長光吸収皐効率は、ｐＨ傭人射の場合と比較して相対
的に大きくする事ができる。低バンドギャップエネルギ
ー材料を用いて長波長光一度を向上させる為には光入射
方向がｎ層側からの方が有利である事は上記の概念的説
明においても明らかであるが、ｎ層側入射構造素子、便
宜上１ｍ１ｐ素子と以下記すが、これらの素子における
バンドギャップエネルギー（吸収係数）あるいは低いバ
ンドギャップ材料におけるｔＪｌｌｌｌｋ質低下の及ぼ
すＪｓｃ、 ＦＦへの影−は次の様に考える事ができる
。
ｃ−ａ −５ｉ ： Ｈ等のアモルファス材料の発生
キャリヤのうち電子の拡散長Ｌｎに比較して、正孔拡散
長Ｌｐは格段に小さい為、光起電流は、主に正孔の挙動
によって制限されるとともに、ＰａｌとｓＭ界向での強
界領域への正装置する事によって短波長光の収電効率は
増加するが、長波長光によるｎ刊界面近傍で発生した励
起今ャリャ正孔のｐ−１界面へのドリフト確率は低下す
る。一方ｎ層個からの光入射の場合、短波長吸収係数が
大きいことによって短波長光収集効率は低下するが、長
波長光吸収皐効率は、ｐＨ傭人射の場合と比較して相対
的に大きくする事ができる。低バンドギャップエネルギ
ー材料を用いて長波長光一度を向上させる為には光入射
方向がｎ層側からの方が有利である事は上記の概念的説
明においても明らかであるが、ｎ層側入射構造素子、便
宜上１ｍ１ｐ素子と以下記すが、これらの素子における
バンドギャップエネルギー（吸収係数）あるいは低いバ
ンドギャップ材料におけるｔＪｌｌｌｌｋ質低下の及ぼ
すＪｓｃ、 ＦＦへの影−は次の様に考える事ができる
。
ｐｉｎ素子とｎｉｐ素子を比較した時、短波長光による
光励起キャリヤのｐ−ｉ界面での捕獲確率はｎｉｐ素子
においては１１層中の局在準位密度す、ｎｉ界面での拡
散電位ｃ、ｉｐ界面での拡散電位等できまるｉ層中ドリ
フト電界強度によって大きく変化し、ｉ大きな膜種光入
射面＃に、自ける光吸収量が相対的に増加する為短波長
光収集効率は低下する傾向を示す事は明らかに解るが、
この短波長光の捕獲確率の低下に伴ない、各１ｇ値を持
つｉ層で得られる最大収集効率の値およびその曲線因子
ＦＦ（１！略的にはｉ層中での総光吸収員に対する実効
収集効率の比にほぼ比例することが知られている。）も
低いＥｇ膜のもの極低下する傾向を示す。
光励起キャリヤのｐ−ｉ界面での捕獲確率はｎｉｐ素子
においては１１層中の局在準位密度す、ｎｉ界面での拡
散電位ｃ、ｉｐ界面での拡散電位等できまるｉ層中ドリ
フト電界強度によって大きく変化し、ｉ大きな膜種光入
射面＃に、自ける光吸収量が相対的に増加する為短波長
光収集効率は低下する傾向を示す事は明らかに解るが、
この短波長光の捕獲確率の低下に伴ない、各１ｇ値を持
つｉ層で得られる最大収集効率の値およびその曲線因子
ＦＦ（１！略的にはｉ層中での総光吸収員に対する実効
収集効率の比にほぼ比例することが知られている。）も
低いＥｇ膜のもの極低下する傾向を示す。
第２図にｎｉｐ構造素子においてその収電効率の波長依
存性について、１層バンドギャップエネルギーの違いＫ
よる概略的結果について示す。Ｅｇが小さくなるに従っ
てスペクトル感度波長領域に移行する為、速断はできな
いが一般に同じ１層厚の時ても前記したＶｏｃのエネル
ギーギャップ値依存性と合わせて、太陽電池の性能指数
Ｖｏｃ Ｘ ＪｓｃＸＦＦはＥｌｓ大きな程変換効率は
大きくなる可能性を持ち、これはｐｉｎ構造よりもｎｉ
ｐ構造の方が顕著である。
存性について、１層バンドギャップエネルギーの違いＫ
よる概略的結果について示す。Ｅｇが小さくなるに従っ
てスペクトル感度波長領域に移行する為、速断はできな
いが一般に同じ１層厚の時ても前記したＶｏｃのエネル
ギーギャップ値依存性と合わせて、太陽電池の性能指数
Ｖｏｃ Ｘ ＪｓｃＸＦＦはＥｌｓ大きな程変換効率は
大きくなる可能性を持ち、これはｐｉｎ構造よりもｎｉ
ｐ構造の方が顕著である。
現在のａ−５ｉ：Ｈの膜質ではその最適なバンドギャッ
プエネルギー値は％ １．８６〜２．ＯｅＶ １ｉ度で
はないかと考えられる。あるいはμ、ｃ、 ａ−５ｉｌ
１等では、前述の様に最適化された、ａ−５１：Ｈ膜と
比較して、膜質てａ−８ｉ：Ｈ単層ｎｌｐセルにおいて
バンドギャップエネルギーの変化（Ｇｅ組成）によるＦ
Ｆ 、 Ｊｓｃの実測の一例について示す。低バンドギ
ャップエネルギー材料の単層セル（ｎｉｐ ｏｒ ｐｉ
ｎ）においてはその変換を向上させる事は困難であるが
、上述した低いバンドギャップエネルギー膜を用いたｎ
ｉｐ構造素子にあける長波長領域の収集効率の改善効果
は、後述する我々の発明による多層構造素子化する事に
よってその欠点をカバーして長所を生かす事ができる。
プエネルギー値は％ １．８６〜２．ＯｅＶ １ｉ度で
はないかと考えられる。あるいはμ、ｃ、 ａ−５ｉｌ
１等では、前述の様に最適化された、ａ−５１：Ｈ膜と
比較して、膜質てａ−８ｉ：Ｈ単層ｎｌｐセルにおいて
バンドギャップエネルギーの変化（Ｇｅ組成）によるＦ
Ｆ 、 Ｊｓｃの実測の一例について示す。低バンドギ
ャップエネルギー材料の単層セル（ｎｉｐ ｏｒ ｐｉ
ｎ）においてはその変換を向上させる事は困難であるが
、上述した低いバンドギャップエネルギー膜を用いたｎ
ｉｐ構造素子にあける長波長領域の収集効率の改善効果
は、後述する我々の発明による多層構造素子化する事に
よってその欠点をカバーして長所を生かす事ができる。
本発明はｎｉｐ構造素子を少なくとも２層に積層し、光
が入射する側の１層のエネルギーギャップを光が入射す
る伺とは逆の１層のエネルギーギャップよりも大きくす
る仁とにより光電変換効率を高めた太陽電池を提供する
ものである。
が入射する側の１層のエネルギーギャップを光が入射す
る伺とは逆の１層のエネルギーギャップよりも大きくす
る仁とにより光電変換効率を高めた太陽電池を提供する
ものである。
第４図に代表的な多層構造素子として低バンドギャップ
ヱネルギを持つ例えばａ−５ｉ：Ｈｎｉｐ素子と高いバ
ンドキャップヱネルギ値を持っａ−５ｉ ：Ｈｌｉを用
いて作成したｎｉｐ構造構造電子定の不純物をドープす
ることによりＰｎ接合が形成されるａ−５ｉ：）１層で
接続した二層縦形直列接続素子（以下二側タルフγＸ
シリ；） ン（ａ−５ｉ：Ｈ） Ｉｔ（６）はＰ形アモ
ルファスシリコン（ａ−５ｉ：Ｈ）層（６）は直性のア
モルファスシリコン（ａ−５ｔ：Ｈ） 、 （７）はｎ
形アモルファスシリコン（ａ−５ｉ；Ｈ）層（８）は透
明電極である。
ヱネルギを持つ例えばａ−５ｉ：Ｈｎｉｐ素子と高いバ
ンドキャップヱネルギ値を持っａ−５ｉ ：Ｈｌｉを用
いて作成したｎｉｐ構造構造電子定の不純物をドープす
ることによりＰｎ接合が形成されるａ−５ｉ：）１層で
接続した二層縦形直列接続素子（以下二側タルフγＸ
シリ；） ン（ａ−５ｉ：Ｈ） Ｉｔ（６）はＰ形アモ
ルファスシリコン（ａ−５ｉ：Ｈ）層（６）は直性のア
モルファスシリコン（ａ−５ｔ：Ｈ） 、 （７）はｎ
形アモルファスシリコン（ａ−５ｉ；Ｈ）層（８）は透
明電極である。
これらの素子構造においては、１述した低バンドギャッ
プエネルギー膜をｎｉｐ素子構造で使用した事による短
波長光領域収集効率の実効的な低下分光収集効率の低下
はほとんど考慮しなくてもよくなると共に、光入射面側
に位置する高いバンドギャップエネルギーを持つ例えば
ａ−８ｔ：ＨｎｉｐミルセルいてはＫｇ大に伴うＶｏｃ
の向上効果を有効に庄かすことが可能である。この二層
タンデム素子において、その作成には下記の様な点に留
意する必要がある。
プエネルギー膜をｎｉｐ素子構造で使用した事による短
波長光領域収集効率の実効的な低下分光収集効率の低下
はほとんど考慮しなくてもよくなると共に、光入射面側
に位置する高いバンドギャップエネルギーを持つ例えば
ａ−８ｔ：ＨｎｉｐミルセルいてはＫｇ大に伴うＶｏｃ
の向上効果を有効に庄かすことが可能である。この二層
タンデム素子において、その作成には下記の様な点に留
意する必要がある。
１、 ２つのセルの接続に用いたｐ−ｎ接合部は低バン
ドギャップエネルギー膜を用いた下側セルの励起電子と
表面側高いＫｇを持つセル中で発生した励起正孔をうま
く再結合させる必要があり、がっ、このｐ−ｎ接合領域
での光起電力はこの二層構造セルの出力電圧に対して逆
方向電圧を発生する為、光照射に対して光起電力を発圧
しない事が必要である。又、両サイドセルの１層に対し
て充分な拡散電位を発生でき、かつこのｐ−ｎ接合部で
の光吸収員をできるだけ少くする必要がある等、その材
質およびドーピング層の厚みの設定は難しい。
ドギャップエネルギー膜を用いた下側セルの励起電子と
表面側高いＫｇを持つセル中で発生した励起正孔をうま
く再結合させる必要があり、がっ、このｐ−ｎ接合領域
での光起電力はこの二層構造セルの出力電圧に対して逆
方向電圧を発生する為、光照射に対して光起電力を発圧
しない事が必要である。又、両サイドセルの１層に対し
て充分な拡散電位を発生でき、かつこのｐ−ｎ接合部で
の光吸収員をできるだけ少くする必要がある等、その材
質およびドーピング層の厚みの設定は難しい。
これらの接続部としてＰタイプａ−５ｉ；Ｈ及びｎタイ
プａ−８ｉ：Ｈ作成時のボロンおよびリンのドーピング
量として、グロー放電法による作成時ガスモル比吸収員
の小さい微結晶化粒を含むドーピング層（Ｐ型ｐ、ｃ
ａ−５ｉ：Ｈ，或はｎ ＩＪ ｐ、ｃ ｔｉ−５１：Ｈ
）あるいは膜中カーボン濃度によってそのバンドギャッ
プエネルギーを大きくできるドープされたａ−８ｉｃ：
Ｈ膜を用いる事によって更にｐ−ｎ接合部での光吸収鳳
を低減する事ができる。又その厚みは各ドーピング層と
共に５０〜２００Ａ程度が各セル１層との接続において
充分な拡散電位を発生でき、かつその光吸収鳳をできる
だけ小さくする最適厚である。
プａ−８ｉ：Ｈ作成時のボロンおよびリンのドーピング
量として、グロー放電法による作成時ガスモル比吸収員
の小さい微結晶化粒を含むドーピング層（Ｐ型ｐ、ｃ
ａ−５ｉ：Ｈ，或はｎ ＩＪ ｐ、ｃ ｔｉ−５１：Ｈ
）あるいは膜中カーボン濃度によってそのバンドギャッ
プエネルギーを大きくできるドープされたａ−８ｉｃ：
Ｈ膜を用いる事によって更にｐ−ｎ接合部での光吸収鳳
を低減する事ができる。又その厚みは各ドーピング層と
共に５０〜２００Ａ程度が各セル１層との接続において
充分な拡散電位を発生でき、かつその光吸収鳳をできる
だけ小さくする最適厚である。
ことができる事から、上下各セルの最適厚みの設計は１
装な問題になる。 第６図に上鉤低バンドギャップ材料
ｎｉｐセルのｉ層バンドギャップエネルギーＥｌが異る
各セルにおいて上鉤ａ−５ｔ：Ｈｎｉｐミルセル層厚を
変化させた時の出力電流の概略的変化を示す。第５図に
おいて１傭セルのバンドギャップエネルギー値（ｉ層）
Ｅｇｓ〜Ｅｇｓは各々Ｅｇ１＞Ｅｇｇ＞ Ｋｇ、であ
る。このＥｇが小さくなるに従って長波長光利用効率が
向上する為に、二層タンデム素子における全体の光利用
率は向上するので最適２分割する為のｔｏｐセルの厚み
ｔ１〜【、は厚くなり取り出せる出力電流（Ｊ）も増加
する。Ｅｌの低下に伴う膜質低下があまり問題にならな
い時には、低いＥｇ値を持つ膜を１傭セルの１層として
用いた方が、多層構造素子全体としての変換効雫は増加
するが、前記した様に例えばａ−５ｉＧｅ：Ｈ単層ｎミ
ルセル特性に籠られる様にＥｇの低下に伴い必然的に開
放端電圧（Ｖｏｃ）及び曲線因子（ＦＦ ）の低下をま
ねく事から例？１間昭５ｓ−ｔ３９４７ｓ（５） えばａ−５ｉＧｅ：Ｈの場合に限れば、二層タンデム素
子に用いる低バンドギャップ膜として適したＥｇ値（Ｇ
ｃ（Ａ）及び種々のｇｇ値を持つａ−５ｉＧｅ：Ｈｎｉ
ｐミルセルして最適化した表面側、例えばａ−５ｉ：Ｈ
単層ｎミルセルの変換効率の変化（Ｂ）及び（Ｃ）とし
てこれら２つの変換効率の和が二層タンデム化番とよっ
て得られたとした時の変換効率の変化を示す。通常上鉤
２つのａ−５ｉ：Ｈｎｉｐｎミルセルとして１．８６〜
２．ＯｅＶＩｉ度のａ−５ｉｉＨ膜を用いてこの二層タ
ンデム素子を作成した時、ａ−５ｉＧ＊；Ｈセルの最適
Ｇｅ組成は０．２〜０．７１ｉ度になり、又、表面個楓
−５ｉ：Ｈセルの轟層厚としては、５００〜８０００λ
程度が適している。
装な問題になる。 第６図に上鉤低バンドギャップ材料
ｎｉｐセルのｉ層バンドギャップエネルギーＥｌが異る
各セルにおいて上鉤ａ−５ｔ：Ｈｎｉｐミルセル層厚を
変化させた時の出力電流の概略的変化を示す。第５図に
おいて１傭セルのバンドギャップエネルギー値（ｉ層）
Ｅｇｓ〜Ｅｇｓは各々Ｅｇ１＞Ｅｇｇ＞ Ｋｇ、であ
る。このＥｇが小さくなるに従って長波長光利用効率が
向上する為に、二層タンデム素子における全体の光利用
率は向上するので最適２分割する為のｔｏｐセルの厚み
ｔ１〜【、は厚くなり取り出せる出力電流（Ｊ）も増加
する。Ｅｌの低下に伴う膜質低下があまり問題にならな
い時には、低いＥｇ値を持つ膜を１傭セルの１層として
用いた方が、多層構造素子全体としての変換効雫は増加
するが、前記した様に例えばａ−５ｉＧｅ：Ｈ単層ｎミ
ルセル特性に籠られる様にＥｇの低下に伴い必然的に開
放端電圧（Ｖｏｃ）及び曲線因子（ＦＦ ）の低下をま
ねく事から例？１間昭５ｓ−ｔ３９４７ｓ（５） えばａ−５ｉＧｅ：Ｈの場合に限れば、二層タンデム素
子に用いる低バンドギャップ膜として適したＥｇ値（Ｇ
ｃ（Ａ）及び種々のｇｇ値を持つａ−５ｉＧｅ：Ｈｎｉ
ｐミルセルして最適化した表面側、例えばａ−５ｉ：Ｈ
単層ｎミルセルの変換効率の変化（Ｂ）及び（Ｃ）とし
てこれら２つの変換効率の和が二層タンデム化番とよっ
て得られたとした時の変換効率の変化を示す。通常上鉤
２つのａ−５ｉ：Ｈｎｉｐｎミルセルとして１．８６〜
２．ＯｅＶＩｉ度のａ−５ｉｉＨ膜を用いてこの二層タ
ンデム素子を作成した時、ａ−５ｉＧ＊；Ｈセルの最適
Ｇｅ組成は０．２〜０．７１ｉ度になり、又、表面個楓
−５ｉ：Ｈセルの轟層厚としては、５００〜８０００λ
程度が適している。
上記最適化によって、ａ−８ｌ：Ｈ膜を用いた単層の大
腸電池素子よりも容易に性能向上を行う事はできるが、
この二層タンデム素子においては最大出力電流を得る為
のａ−５ｉ：ＨセルのＩ層厚が単層ｔ−５ｉ：Ｈ太陽電
池の最適厚０．４〜１．０μｍと比較して薄い所に最適
厚がある為に必然的にその起電力能が、その期待される
起電力能よりも低下している事が１つの性＃ＡＩｌ界に
なる。
腸電池素子よりも容易に性能向上を行う事はできるが、
この二層タンデム素子においては最大出力電流を得る為
のａ−５ｉ：ＨセルのＩ層厚が単層ｔ−５ｉ：Ｈ太陽電
池の最適厚０．４〜１．０μｍと比較して薄い所に最適
厚がある為に必然的にその起電力能が、その期待される
起電力能よりも低下している事が１つの性＃ＡＩｌ界に
なる。
１１７図に代表的なａ−５ｉ：Ｈｌ［の吸収係数αの波
長依存性を示すが、この吸収係数αの波長依存性特性か
ら予測される様に、短波長光でのαの大きな波長領域に
おいてはｅｘｐ（−ｇｔ ） ＋ （’はａ−５ｉ：Ｈ
膜厚）で記述できるこのａ−５ｉ：Ｈ膜の透過光のａ−
５ｉ：Ｈ膜厚依存性は非常に大きくなるが、ａ−５ｉＧ
ｅ：Ｈ等の低パンＴｈ＝図に、第５図に示したのと同様
、二層タンプ”ム素子において、下傭低バンドギャップ
材料ｎｌｐセル（１層がｌｃｇｔのセル）において、上
個ａ−５ｉ：Ｈｎｉｐセルの１層厚を変化させた時の出
力電流（Ｊ）の概略約変化を示した因において、ＥＬで
示した出力電流特性は、ａ−５ｉ：Ｈ膜のみを用いた二
層マルチ構造素子とした時、Ｅｇｊで示した出力電流特
性は前述したａ−５ｉＧｅ：Ｈｎｉｐミルセルいた二層
タンデム構造素子に相当する。ａ−８ｉ：Ｈｎｉｐミル
単層セルいては１、第８図の概略図においてｔ、のｉ層
重−ｓｔ：ｔｉｉｉｊｌにおいて、はぼ最大出力が得ら
れるとした時、このセル上部にｔ、というａ−５ｉ：Ｈ
厚を持つｎｉｐミルセル続成長した時、最大出力電流（
１１）が得られる事を示しているが、このａ−５４：Ｈ
二層マルチセルにおいて得られる最大出力電流（Ｊυは
、単層ａ−５ｔ：Ｈ素子の約騒、及び開放端電圧（Ｖｏ
ｃ）は２＠、ＦＷはほぼ同等にすることが容易に可能で
ある事からその変換効率は単層セルのものと比較してほ
ぼ同等の価が得られる。この計Ｓｉ ：Ｈ二層マルチ構
造素子においては、主に短波長光領域（ａ二人）Ｋ１１
１４度を持つトＳｉ：Ｈ素子の分光一度特性を２分割す
る為に、下傭ａ−５ｉ：Ｈセルの最適厚ｔ１は非常にク
リティカルな流の上部ａ−５ｉ：Ｈ厚依存性は相対力に
小さくなる事は、上記説明からも明らかであるが、第８
図に示した概略図では、このｍ−５ｉＧｅ：Ｈセル上部
に前述したａ−５ｉ：Ｈ二層セル（合計した厚み１４＝
１１＋１ｓ）を成長ｌｌ統しても、その下部のａ−５ｉ
Ｇｅ：）ｉ ｎｉｐミルセル力電流能は、ａ−５ｉ：Ｈ
二層セルにおいて得られる最大出力域＃ｌｓｓよりは大
きな出力電流が得られる事を示している。第９図は三層
のｎｉｐ構造の太陽電池を示す断面図であり、第４図と
同一符号は相当部分であり説明は省略する。
長依存性を示すが、この吸収係数αの波長依存性特性か
ら予測される様に、短波長光でのαの大きな波長領域に
おいてはｅｘｐ（−ｇｔ ） ＋ （’はａ−５ｉ：Ｈ
膜厚）で記述できるこのａ−５ｉ：Ｈ膜の透過光のａ−
５ｉ：Ｈ膜厚依存性は非常に大きくなるが、ａ−５ｉＧ
ｅ：Ｈ等の低パンＴｈ＝図に、第５図に示したのと同様
、二層タンプ”ム素子において、下傭低バンドギャップ
材料ｎｌｐセル（１層がｌｃｇｔのセル）において、上
個ａ−５ｉ：Ｈｎｉｐセルの１層厚を変化させた時の出
力電流（Ｊ）の概略約変化を示した因において、ＥＬで
示した出力電流特性は、ａ−５ｉ：Ｈ膜のみを用いた二
層マルチ構造素子とした時、Ｅｇｊで示した出力電流特
性は前述したａ−５ｉＧｅ：Ｈｎｉｐミルセルいた二層
タンデム構造素子に相当する。ａ−８ｉ：Ｈｎｉｐミル
単層セルいては１、第８図の概略図においてｔ、のｉ層
重−ｓｔ：ｔｉｉｉｊｌにおいて、はぼ最大出力が得ら
れるとした時、このセル上部にｔ、というａ−５ｉ：Ｈ
厚を持つｎｉｐミルセル続成長した時、最大出力電流（
１１）が得られる事を示しているが、このａ−５４：Ｈ
二層マルチセルにおいて得られる最大出力電流（Ｊυは
、単層ａ−５ｔ：Ｈ素子の約騒、及び開放端電圧（Ｖｏ
ｃ）は２＠、ＦＷはほぼ同等にすることが容易に可能で
ある事からその変換効率は単層セルのものと比較してほ
ぼ同等の価が得られる。この計Ｓｉ ：Ｈ二層マルチ構
造素子においては、主に短波長光領域（ａ二人）Ｋ１１
１４度を持つトＳｉ：Ｈ素子の分光一度特性を２分割す
る為に、下傭ａ−５ｉ：Ｈセルの最適厚ｔ１は非常にク
リティカルな流の上部ａ−５ｉ：Ｈ厚依存性は相対力に
小さくなる事は、上記説明からも明らかであるが、第８
図に示した概略図では、このｍ−５ｉＧｅ：Ｈセル上部
に前述したａ−５ｉ：Ｈ二層セル（合計した厚み１４＝
１１＋１ｓ）を成長ｌｌ統しても、その下部のａ−５ｉ
Ｇｅ：）ｉ ｎｉｐミルセル力電流能は、ａ−５ｉ：Ｈ
二層セルにおいて得られる最大出力域＃ｌｓｓよりは大
きな出力電流が得られる事を示している。第９図は三層
のｎｉｐ構造の太陽電池を示す断面図であり、第４図と
同一符号は相当部分であり説明は省略する。
利点が上げられる。
１、 ａ−５ｉＧｅ：Ｈセルに接続する短波長光感度
を有するａ−５ｉ：Ｈセルの出力電力能は、最適ａ−５
ｔ：Ｈ単層セルの最大電力能とほぼ同程度にする事がで
きる為、二層タンデム構造素子において問題となったａ
−５ｉ：Ｈセルの起電力能の低下を抑制できる。
を有するａ−５ｉ：Ｈセルの出力電力能は、最適ａ−５
ｔ：Ｈ単層セルの最大電力能とほぼ同程度にする事がで
きる為、二層タンデム構造素子において問題となったａ
−５ｉ：Ｈセルの起電力能の低下を抑制できる。
Ｌ ａ−５ｉＧｅ：Ｈｎｉｐミルセル波長光感度は二
層タンデム素子の場合と比較して、それほど要求されな
い為、比較的Ｇｅ組成の低い（Ｅｇ ：大、Ｖｏｃ：大
）ａ−５ｉＧｅ：Ｈ膜が使用可能である為、大きなＶｏ
ｃを有するａ−８ｉＧｅ：Ｈｎｉｐミルセル列接続化す
る事ができる。
層タンデム素子の場合と比較して、それほど要求されな
い為、比較的Ｇｅ組成の低い（Ｅｇ ：大、Ｖｏｃ：大
）ａ−５ｉＧｅ：Ｈ膜が使用可能である為、大きなＶｏ
ｃを有するａ−８ｉＧｅ：Ｈｎｉｐミルセル列接続化す
る事ができる。
以上、三層タンデム素子化によって、最も出力電流能が
低い素子に適合する様に、その上部素子の出力電流を合
致させた時、最大出力電力が得られ、この三層構造の寸
法及び材料組成等を以下に示す。すなわち、鳳−８ｉＧ
ｅ：ＩＩＩのＧｅ組成として０．２〜０．７層度、その
ｎｉｐ素子ｉ層厚は２０００〜１００００人、又第８図
においてｔ、厚みを有する計５ｉｌｌセルのｉ層厚は２
０００〜６０００人Ｅｇとしテ１．８５〜２．ＯｅＶ、
又ｔ１を有するａ−８ｉ：Ｈ単層セルにおいては、ｉ層
厚４００〜１０００λ、Ｅｇとして、１．８５〜２．Ｏ
ｅＶが最適である。
低い素子に適合する様に、その上部素子の出力電流を合
致させた時、最大出力電力が得られ、この三層構造の寸
法及び材料組成等を以下に示す。すなわち、鳳−８ｉＧ
ｅ：ＩＩＩのＧｅ組成として０．２〜０．７層度、その
ｎｉｐ素子ｉ層厚は２０００〜１００００人、又第８図
においてｔ、厚みを有する計５ｉｌｌセルのｉ層厚は２
０００〜６０００人Ｅｇとしテ１．８５〜２．ＯｅＶ、
又ｔ１を有するａ−８ｉ：Ｈ単層セルにおいては、ｉ層
厚４００〜１０００λ、Ｅｇとして、１．８５〜２．Ｏ
ｅＶが最適である。
層のエネルギーギャップよりも大きくしたので高い光電
変換効率のアモルファス太陽電池を得ることができると
いう優れた効果を有する。
変換効率のアモルファス太陽電池を得ることができると
いう優れた効果を有する。
第１図はアモルファス太陽電池の光吸収鳳と収電効率の
波長依存性を示す説明図、第２図はｎｉｐ檎造木造素子
いて１Ｍバンドギヤ７プヱネルギの及ばず収集効率の概
略的変化を示す説明図、第８図は１層がａ−５ｉＧｅ：
Ｈのｎｉｐ素子のＪｓｃ、ＦＦのＧｅ組成依存性を示す
説明図、１１４図は二層タンデム素子の断面図、第５図
は二層タンデム素子において１１Ｓｎｉｐ素子のｉ層バ
ンドギャップヱネルギを変えた時の出力電流の表面素子
ｉ層厚依存性を示す説明図、第６図は二層タンデム構造
の変換効率のａ−５ｉＧｅ旧１のＧｅ組成依存性を示す
説明図、第７区はａ −５ｉ ：Ｈｌ［の代表的吸収係
数の波長依存性を示す説明図、第８図はタンデム素子の
表向側ａ−５ｉ：Ｈ厚を変えた時の出力電流特性を示す
説明図、第９図は三層タンデム素子の断面図である。 （１）は導電性基板、（２）はＰ形アモルファス７リコ
コン朧、（ａ）は透明電極である。 図面の浄書（内容に変更なＬ） 第１図 一一人 第２図 −人 第；３図 の”３７１−χσｅＨｌａＢＯＡ 第・１図 第５図 −÷ｔ 第５）図 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 特願昭６７−２１０４７号 １、発明の名称 アモルファス太陽電池 易、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 ５、補正の対象 （１） 願書の出願人の欄。 （２） 明細書の全文 （３）図面 ６、補正の内容 （１） 願書の特許出願人の記名のあとに鮮明に捺“
印したものを別紙のとお口訂正する。 （２） 明−願書の浄書（内容に変更なし）（３）図
面の浄書（内容に変更なし） 以上
波長依存性を示す説明図、第２図はｎｉｐ檎造木造素子
いて１Ｍバンドギヤ７プヱネルギの及ばず収集効率の概
略的変化を示す説明図、第８図は１層がａ−５ｉＧｅ：
Ｈのｎｉｐ素子のＪｓｃ、ＦＦのＧｅ組成依存性を示す
説明図、１１４図は二層タンデム素子の断面図、第５図
は二層タンデム素子において１１Ｓｎｉｐ素子のｉ層バ
ンドギャップヱネルギを変えた時の出力電流の表面素子
ｉ層厚依存性を示す説明図、第６図は二層タンデム構造
の変換効率のａ−５ｉＧｅ旧１のＧｅ組成依存性を示す
説明図、第７区はａ −５ｉ ：Ｈｌ［の代表的吸収係
数の波長依存性を示す説明図、第８図はタンデム素子の
表向側ａ−５ｉ：Ｈ厚を変えた時の出力電流特性を示す
説明図、第９図は三層タンデム素子の断面図である。 （１）は導電性基板、（２）はＰ形アモルファス７リコ
コン朧、（ａ）は透明電極である。 図面の浄書（内容に変更なＬ） 第１図 一一人 第２図 −人 第；３図 の”３７１−χσｅＨｌａＢＯＡ 第・１図 第５図 −÷ｔ 第５）図 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 特願昭６７−２１０４７号 １、発明の名称 アモルファス太陽電池 易、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 ５、補正の対象 （１） 願書の出願人の欄。 （２） 明細書の全文 （３）図面 ６、補正の内容 （１） 願書の特許出願人の記名のあとに鮮明に捺“
印したものを別紙のとお口訂正する。 （２） 明−願書の浄書（内容に変更なし）（３）図
面の浄書（内容に変更なし） 以上
Claims (4)
- （１）ｎｉｌのアモルファス材料よりなるＰ型の＃！１
半導体層と、この第１半導体層に形成され、前記ａｔの
アモルファス材料よりもエネルギーギャップが小さい第
２のアモルファス材料からなる真性の第２半導体層と、
この第２半導体層に形成され、前記＠１のアモルファス
材料よりなるｍ１ｌｌの第８半導体層と、この第８半導
体層に形成され、前記導体層と、この第６半導体層に形
成され、前記第１のアモルファス材料よりなるとともに
その表面から入射光が照射されるａｌｌの第６半導体層
とを備えたアモルファス大腸電池。 - （２）第１のアモルファス材料よりなるＰＩＪの第１半
導体層と、この第１半導体層に形成され前記第１のアモ
ルファス材料よりもエネルギーギャップ１のアモルファ
ス材料よりなるＰ型の第４半導体層と、この第４半導体
１１に形成され、前記第１のアモルファス半導体材料よ
りなる真性の第６半導体層と、この第す半導体層に形成
され、前記第ｌのアモルファス材料よりなるｎ型の第６
半導体層と、この第６半導体層に形成され、前記第１の
アモルファス材料よるなるＰＩＩＩの第７半導体層と、
この第７半導体層に形成され、前記第１のアモルファス
材料よりなる真性の第８半導体層と、この第８半導体層
に形成され、前記第１のアモルファス材料よりなるとと
もにその表面から入射光が照射されるｎ型の第９半導体
層とを備えた１モル７アス太陽電池。 - （３）第２のアモルファス材料は第１の半導体とこの第
１の半導体よりもエネルギーギャップの小さい第２の半
導体の化合物であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項又は第２項記載のアモルファス太陽電池。 - （４）第１の半導体はシリコンであることを特徴とする
特許請求の範囲第８項記載のアモルファス太陽電池。 コンであることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は
第２項記載のアモルファス太陽電池。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57021047A JPS58139478A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | アモルフアス太陽電池 |
| US06/427,341 US4479028A (en) | 1982-02-15 | 1982-09-29 | Amorphous solar cell |
| DE19833305030 DE3305030A1 (de) | 1982-02-15 | 1983-02-14 | Amorphe solarzelle |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57021047A JPS58139478A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | アモルフアス太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58139478A true JPS58139478A (ja) | 1983-08-18 |
| JPS6334634B2 JPS6334634B2 (ja) | 1988-07-11 |
Family
ID=12044005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57021047A Granted JPS58139478A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | アモルフアス太陽電池 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4479028A (ja) |
| JP (1) | JPS58139478A (ja) |
| DE (1) | DE3305030A1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6094091A (ja) * | 1983-10-27 | 1985-05-27 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 光学活性カルボン酸エステルの製造法 |
| JPS60240169A (ja) * | 1984-05-15 | 1985-11-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置の作製方法 |
| JPS60240167A (ja) * | 1984-05-15 | 1985-11-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
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