JPS58133175A - インバ−タ装置 - Google Patents
インバ−タ装置Info
- Publication number
- JPS58133175A JPS58133175A JP57015378A JP1537882A JPS58133175A JP S58133175 A JPS58133175 A JP S58133175A JP 57015378 A JP57015378 A JP 57015378A JP 1537882 A JP1537882 A JP 1537882A JP S58133175 A JPS58133175 A JP S58133175A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inverter
- voltage
- section
- inverter device
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体を用いたインバータ装置の改良に関
するものである。
するものである。
一般に、半導体はＩｆ！Ｆ容される１酎電圧値をこえる
電圧が印加されると、例えそれが短時間であっても破壊
現斃に孕ることか多い。したがってインバータ装置の回
路に半導体を用いる場合には、これらの破壊現象を防止
するためのサージ電圧抑制回路（以下スナバ回路という
）を設けている。ところで、このスナバ回路はコンデン
サと抵抗器とで構成される場合が多く１例えばトランジ
スタを用いた三相インバータ装置では各トランジスタに
それぞれコンデンサと抵抗器とを取付けなければならず
、その取付スペースが大きくなって装置の小形化に対す
る要請に反するとともに部品点数が多くなって組立て能
率が低下するという不具合があった。
電圧が印加されると、例えそれが短時間であっても破壊
現斃に孕ることか多い。したがってインバータ装置の回
路に半導体を用いる場合には、これらの破壊現象を防止
するためのサージ電圧抑制回路（以下スナバ回路という
）を設けている。ところで、このスナバ回路はコンデン
サと抵抗器とで構成される場合が多く１例えばトランジ
スタを用いた三相インバータ装置では各トランジスタに
それぞれコンデンサと抵抗器とを取付けなければならず
、その取付スペースが大きくなって装置の小形化に対す
る要請に反するとともに部品点数が多くなって組立て能
率が低下するという不具合があった。
第１図はスナバ回路が設けられた従来のトランジスタ式
インバータ装置を示したもので１図において％（１）は
三相電源、（２）はこの電源（１）から三相電力を受け
てこれを整流するコンバータ部で、このコンバータ部（
２）は整流作用に寄与するダイオード（ｐ＋ Ｎ’Ｄ＊
）およびサイリスタ（ＳＣＲ＋ −５ＣＲ３）と、ス
ナバ回路を構成する抵抗器（Ｒ＋ −Ｒｓ ）およびコ
ンデンサ（Ｃ＋−（ｓ）とからなっている、（３）は平
滑コンデンサで、上記コンバータ部（２）で整流された
直流電圧を平滑する役割りをもりている。
インバータ装置を示したもので１図において％（１）は
三相電源、（２）はこの電源（１）から三相電力を受け
てこれを整流するコンバータ部で、このコンバータ部（
２）は整流作用に寄与するダイオード（ｐ＋ Ｎ’Ｄ＊
）およびサイリスタ（ＳＣＲ＋ −５ＣＲ３）と、ス
ナバ回路を構成する抵抗器（Ｒ＋ −Ｒｓ ）およびコ
ンデンサ（Ｃ＋−（ｓ）とからなっている、（３）は平
滑コンデンサで、上記コンバータ部（２）で整流された
直流電圧を平滑する役割りをもりている。
（４）は上記コンバータ部（２）で得られた直流電圧を
可変周波数？交流電圧に変換するインバータ部で、この
インバータ部（４）は交流変換作用に寄与するトランジ
スタ（Ｑ、Ｉ ＮＱ、＠ ）お：びダイオード（Ｄｓ〜
出・）と、スナバ回路を構成する抵抗器（Ｒｆ〜Ｒ目）
およびコンデンサ（Ｃｙ〜Ｃｌ２）とからなっており、
出力部（５）から交流電圧が出力される。
可変周波数？交流電圧に変換するインバータ部で、この
インバータ部（４）は交流変換作用に寄与するトランジ
スタ（Ｑ、Ｉ ＮＱ、＠ ）お：びダイオード（Ｄｓ〜
出・）と、スナバ回路を構成する抵抗器（Ｒｆ〜Ｒ目）
およびコンデンサ（Ｃｙ〜Ｃｌ２）とからなっており、
出力部（５）から交流電圧が出力される。
次に、スナバ回路の作用を第２図を用い、トランジスタ
によるスイッチング回路を例にして詳述する。図におい
て、αＱは直流電源、Ｑ刀はトランジスタ、（２）は負
荷、Ｑ３ｎ４１Ｑ５はこの回路を接続する導体で、この
導体０３ （１４＋（至）にはそれぞれインダクタンス
Ｌ＋ 、 ＩＪ 、 Ｌ３ が生成される。００は抵
抗器とコンデンサからなるスナバ回路である。
によるスイッチング回路を例にして詳述する。図におい
て、αＱは直流電源、Ｑ刀はトランジスタ、（２）は負
荷、Ｑ３ｎ４１Ｑ５はこの回路を接続する導体で、この
導体０３ （１４＋（至）にはそれぞれインダクタンス
Ｌ＋ 、 ＩＪ 、 Ｌ３ が生成される。００は抵
抗器とコンデンサからなるスナバ回路である。
いま、導通状態にあるトランジスタα（ト）は回路電流
■がしゃ断されると、浮遊インダクタンスＬにかＥ記ト
リンジスタαυに加わる。そしてこの電圧ｅｐがトラン
ジスタ１υの耐電圧値をこえた場合にハコノトランジス
タαｐけ破壊に至るので、ζｔｔヲ防止するためスナバ
回路Ｑ・によるバイパス回路によって上記電圧ｅｐを吸
収するようにしている。
■がしゃ断されると、浮遊インダクタンスＬにかＥ記ト
リンジスタαυに加わる。そしてこの電圧ｅｐがトラン
ジスタ１υの耐電圧値をこえた場合にハコノトランジス
タαｐけ破壊に至るので、ζｔｔヲ防止するためスナバ
回路Ｑ・によるバイパス回路によって上記電圧ｅｐを吸
収するようにしている。
つまり、スナバ回路α・はトランジスタなどの半導体に
耐電圧値以上の高電圧が印加されないようにする目的で
設けられたものである。
耐電圧値以上の高電圧が印加されないようにする目的で
設けられたものである。
ところで上述の高電圧は回路にインダクタンスＬが存在
し、これが回路をスイッチング時間を秒の電圧値で発生
する。したがって回路にインダクタンスＬが無いか、あ
るいは非常に小さい値であれば半導体を破壊するような
高電圧は発生せず。
し、これが回路をスイッチング時間を秒の電圧値で発生
する。したがって回路にインダクタンスＬが無いか、あ
るいは非常に小さい値であれば半導体を破壊するような
高電圧は発生せず。
このときはスナバ回路が不要となる。
この発明は、トランジスタ、ダイオード、サイリスタな
どの半導体に接続される導体のインダクタンスが高電圧
発生の主たる原因となることに着目してなされたもので
、上記各半導体を適宜近接集合させて配設し、これらを
接続する導体距離を短くすることによって上記インダク
タンスをダカ小さくなるようにし、かつこれをモジュー
ル化してコンバータ部とインバータ部とをそれぞれ固定
化することによりスナバ回路を不要とし、装置が小形化
されるとともに製作能率が向上されるインバータ装置を
提供することを旧約としている。
どの半導体に接続される導体のインダクタンスが高電圧
発生の主たる原因となることに着目してなされたもので
、上記各半導体を適宜近接集合させて配設し、これらを
接続する導体距離を短くすることによって上記インダク
タンスをダカ小さくなるようにし、かつこれをモジュー
ル化してコンバータ部とインバータ部とをそれぞれ固定
化することによりスナバ回路を不要とし、装置が小形化
されるとともに製作能率が向上されるインバータ装置を
提供することを旧約としている。
以下、この発明の一実施例を第８図、第４図について説
明する。なお、第８図はインバータ装置の正面図、第４
図はこのインバータ装置の回路図で、第１図と同一符号
はそれぞれ同一または相当部分を示している。
明する。なお、第８図はインバータ装置の正面図、第４
図はこのインバータ装置の回路図で、第１図と同一符号
はそれぞれ同一または相当部分を示している。
図において、四はコンバータ部で、第４図に示すサイリ
スタ（Ｓ（、Ｔ（＋ 〜ＳＳｎ２）およびダイオード＋
Ｄ＋−ＪＤ４）がモジュール化され、これが一体となっ
て固定化ｃ以下ワンバラクモジューＶという）すしてい
る。鴫はインバータ部で、トランジスタ（Ｑ１１〜Ｑ５
６）およびダイオード（Ｄｓ〜Ｄ＋・）がワンバックモ
ジュール化されている。そして上記コンバータ部（ホ）
とインバータ部（イ）とが良導体０η咽で接続されると
ともにこの良導体αη（ト）間に平滑コンテ゛ンサ（３
）が自Ｃ設されている。
スタ（Ｓ（、Ｔ（＋ 〜ＳＳｎ２）およびダイオード＋
Ｄ＋−ＪＤ４）がモジュール化され、これが一体となっ
て固定化ｃ以下ワンバラクモジューＶという）すしてい
る。鴫はインバータ部で、トランジスタ（Ｑ１１〜Ｑ５
６）およびダイオード（Ｄｓ〜Ｄ＋・）がワンバックモ
ジュール化されている。そして上記コンバータ部（ホ）
とインバータ部（イ）とが良導体０η咽で接続されると
ともにこの良導体αη（ト）間に平滑コンテ゛ンサ（３
）が自Ｃ設されている。
以上のようにこの発明は、インバータ装置のコンバータ
部とインバータ部とに配設される半導体をそれぞれ近接
集合するようモジュール化し、これを一体的に固定化す
ることによってインダクタｄ■ ンスが極めて小さくなり、して によって発生するサー
ジ電圧を上記半導体の耐電圧以下に押えることができる
ので、従来装置に使用されていたスナバ回路が不要とな
り、それだけ装置が小形化されるとともに部品点数が少
なくなって組立て能率を向上させることができる効果が
ある。
部とインバータ部とに配設される半導体をそれぞれ近接
集合するようモジュール化し、これを一体的に固定化す
ることによってインダクタｄ■ ンスが極めて小さくなり、して によって発生するサー
ジ電圧を上記半導体の耐電圧以下に押えることができる
ので、従来装置に使用されていたスナバ回路が不要とな
り、それだけ装置が小形化されるとともに部品点数が少
なくなって組立て能率を向上させることができる効果が
ある。
第１図は従来のインバータ装置を示す回路図。
第２図はスナバ回路を説明する回路図、第８図、第４図
はこの発明の一実施例によるインバータ装置を示し、第
８図はその正面図、第４図は回路図である。 図において、同一符号は同一または相当部分を示し、（
１）は三相電源、 （３）ｔｉ平滑コンデンサ、（５）
は出力部、Ｑ？）（至）は良導体、翰はコンバータ部、
船はインバータ部である。 代理人 葛 野 信−一 第１図 、−ｌ 第６図 − 丁続補正書（自発） ４’ｒ ＋１’ｌ Ｉ ｉ： ｌ。′自 殿１、
４； （’ｌ ）表ノＪζ 特願昭ｆグー
０／ｆ３７ｊｆ４２、発明の名称 インバータ装
置３、補正をする者 （１） ６、補正の対象 （１） 明細書の特許請求の範囲の欄６、補正の１春 （１）明細書の特許請求の範囲の欄を別紙のとおり訂正
する。 以上 特許請求の範囲 半導体を用い、交流電圧を直流電圧に変換するコンバー
タ部と、このコンバータ部において変換された直流電圧
を可変周波数の交流電圧に変換するインバータ部を有す
るインバータ装置において、ｋＥコンバータ部およびイ
ンバータ部に配設される半導体はそれぞれ半導体の接続
導体によって発生するインダクタンスによるサージ電圧
が、上記半導体の耐電圧値以下となるようモジュールを
近接して配設し、かつこれを一体的に固定したことを特
徴とするインバータ装置、
はこの発明の一実施例によるインバータ装置を示し、第
８図はその正面図、第４図は回路図である。 図において、同一符号は同一または相当部分を示し、（
１）は三相電源、 （３）ｔｉ平滑コンデンサ、（５）
は出力部、Ｑ？）（至）は良導体、翰はコンバータ部、
船はインバータ部である。 代理人 葛 野 信−一 第１図 、−ｌ 第６図 − 丁続補正書（自発） ４’ｒ ＋１’ｌ Ｉ ｉ： ｌ。′自 殿１、
４； （’ｌ ）表ノＪζ 特願昭ｆグー
０／ｆ３７ｊｆ４２、発明の名称 インバータ装
置３、補正をする者 （１） ６、補正の対象 （１） 明細書の特許請求の範囲の欄６、補正の１春 （１）明細書の特許請求の範囲の欄を別紙のとおり訂正
する。 以上 特許請求の範囲 半導体を用い、交流電圧を直流電圧に変換するコンバー
タ部と、このコンバータ部において変換された直流電圧
を可変周波数の交流電圧に変換するインバータ部を有す
るインバータ装置において、ｋＥコンバータ部およびイ
ンバータ部に配設される半導体はそれぞれ半導体の接続
導体によって発生するインダクタンスによるサージ電圧
が、上記半導体の耐電圧値以下となるようモジュールを
近接して配設し、かつこれを一体的に固定したことを特
徴とするインバータ装置、
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体を用い、交流電圧を直流電圧に変換する：ｌン／
＜ −１１部ト、このコンバータ部において変換された
１σ流電圧を可変周波数の交流電圧に変換するインバー
タ部を有するインバータ装置において。 Ｅ記コンバータ部およびインバータ部に配設される半導
体は−それぞれ半導体の接続導体によって全学するコン
ダクタンスによるサージ電圧が、上記半導体のｌＩＩ！
を電圧値以下となるよう近接してモジューＶ比し、かつ
これを一体的に１８定したことを特徴とするインバータ
装ａ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57015378A JPS58133175A (ja) | 1982-02-02 | 1982-02-02 | インバ−タ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57015378A JPS58133175A (ja) | 1982-02-02 | 1982-02-02 | インバ−タ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58133175A true JPS58133175A (ja) | 1983-08-08 |
Family
ID=11887104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57015378A Pending JPS58133175A (ja) | 1982-02-02 | 1982-02-02 | インバ−タ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58133175A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100659001B1 (ko) | 2004-02-12 | 2006-12-21 | 가부시끼가이샤 도시바 | 철도 차량용 전력 변환 장치 |
| WO2016170586A1 (ja) * | 2015-04-20 | 2016-10-27 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
| WO2022161732A1 (de) * | 2021-01-28 | 2022-08-04 | Robert Bosch Gmbh | Elektronikeinheit für ein elektrogerät |
-
1982
- 1982-02-02 JP JP57015378A patent/JPS58133175A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100659001B1 (ko) | 2004-02-12 | 2006-12-21 | 가부시끼가이샤 도시바 | 철도 차량용 전력 변환 장치 |
| WO2016170586A1 (ja) * | 2015-04-20 | 2016-10-27 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
| JPWO2016170586A1 (ja) * | 2015-04-20 | 2017-04-27 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
| US10148190B2 (en) | 2015-04-20 | 2018-12-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Power conversion device |
| WO2022161732A1 (de) * | 2021-01-28 | 2022-08-04 | Robert Bosch Gmbh | Elektronikeinheit für ein elektrogerät |
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