JPS61221220A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS61221220A JPS61221220A JP6094485A JP6094485A JPS61221220A JP S61221220 A JPS61221220 A JP S61221220A JP 6094485 A JP6094485 A JP 6094485A JP 6094485 A JP6094485 A JP 6094485A JP S61221220 A JPS61221220 A JP S61221220A
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- epoxy resin
- silicon nitride
- curing agent
- epoxy
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた
樹脂封止型半導体装置に関する。
樹脂封止型半導体装置に関する。
エポキシ樹脂組成物は、集積回路（ＩＣ）、大規模集積
回路（ＬＳＩ）、トランジスタなどの半導体装置、ある
いは他の電子部品の封止材として重用されている。
回路（ＬＳＩ）、トランジスタなどの半導体装置、ある
いは他の電子部品の封止材として重用されている。
近年、とくに半導体装置に対し、高い信頼性が要求され
るようになってきているため、それに伴なってかかる半
導体装置の封止に使用されるエポキシ樹脂組成物に対し
ても高い信頼性が求められている。
るようになってきているため、それに伴なってかかる半
導体装置の封止に使用されるエポキシ樹脂組成物に対し
ても高い信頼性が求められている。
このよう々封止用エポキシ樹脂組成物は、まず１周囲の
温度変化によって内部に封止した部品に損傷を与えるこ
とがあってはならない。このような温度特性は例えば、
耐熱サイクル特性として評価することができる。すなわ
ち、この評価試験はエポキシ樹脂組成物によン封止され
た半導体装置を高温と低温とに順次曝してこれを１サイ
クルとし、各サイクル毎に該半導体装置の特性を測定し
て何サイクル目で特性の低下が見られたかを評価するも
のである。
温度変化によって内部に封止した部品に損傷を与えるこ
とがあってはならない。このような温度特性は例えば、
耐熱サイクル特性として評価することができる。すなわ
ち、この評価試験はエポキシ樹脂組成物によン封止され
た半導体装置を高温と低温とに順次曝してこれを１サイ
クルとし、各サイクル毎に該半導体装置の特性を測定し
て何サイクル目で特性の低下が見られたかを評価するも
のである。
ところで、従来の封止用エポキシ樹脂組成物によシ封止
された半導体装置にあっては、上記耐熱サイクル特性試
験の際、部品が封止樹脂体から機械的応力を受け、甚し
い場合にはこの応力に耐えられずに例えばボンディング
ワイヤーが切断または接触不良を引き起こすなどの不都
合がある。
された半導体装置にあっては、上記耐熱サイクル特性試
験の際、部品が封止樹脂体から機械的応力を受け、甚し
い場合にはこの応力に耐えられずに例えばボンディング
ワイヤーが切断または接触不良を引き起こすなどの不都
合がある。
更に、従来の樹脂封止型半導体装置にあっては、高温高
湿環境下において、水分が封止樹脂体を浸透して内部の
装置に達し、その結果、例えば、アルミニウム配線が腐
食しやすいなどの問題がある。
湿環境下において、水分が封止樹脂体を浸透して内部の
装置に達し、その結果、例えば、アルミニウム配線が腐
食しやすいなどの問題がある。
本発明は従来のかかる問題を解消し、高信頼性の樹脂封
止を半導体装置を与えうる封止用エポキシ樹脂組成物お
よびかかるエポキシ樹脂組成物によって封止された樹脂
封止型半導体装置の提供を目的とする。
止を半導体装置を与えうる封止用エポキシ樹脂組成物お
よびかかるエポキシ樹脂組成物によって封止された樹脂
封止型半導体装置の提供を目的とする。
本発明者は、上記目的を達成すべく封止用エポキシ樹脂
組成物の成分について種々検討を重ねた結果、後述する
ようにその一成分として窒化ケイ素（ｃ’ｍＮ＋）を配
合することによシ上記欠点が改良され、高信頼性の封止
用樹脂組成物およびそれを用いた樹脂封止型半導体装置
が得られることを見出した。
組成物の成分について種々検討を重ねた結果、後述する
ようにその一成分として窒化ケイ素（ｃ’ｍＮ＋）を配
合することによシ上記欠点が改良され、高信頼性の封止
用樹脂組成物およびそれを用いた樹脂封止型半導体装置
が得られることを見出した。
すなわち、本発明の封止用エポキシ樹脂組成物は、
（−） エポキシ樹脂
（ｂ）１分子内に２個以上のフェノール性水酸基を有す
る化合物よりなる硬化剤、および、（Ｃ） 窒化ケイ
素 を含有することを特徴とし、また、本発明の半導体装置
は、かかるエポキシ樹脂によシ封止されてなることを特
徴とする。
る化合物よりなる硬化剤、および、（Ｃ） 窒化ケイ
素 を含有することを特徴とし、また、本発明の半導体装置
は、かかるエポキシ樹脂によシ封止されてなることを特
徴とする。
本発明の封止用エポキシ樹脂組成物において、まず、第
１の必須成分であるエポキシ樹脂としては、通常知られ
ているものを使用すればよく、特に限定されるものでは
ない。具体例としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂などのグリシ
ジルエーテル型エポキシ樹脂；グリシジルエステル型エ
ポキシ樹脂；グリシジルアミン型エポキシ樹脂；線状脂
肪族エポキシ樹脂；脂環式エポキシ樹脂；複素環式エポ
キシ樹脂；ノ・ロゲン化エポキシ樹脂など１分子中にエ
ポキシ基を２個以上有するエポキシ樹脂があげられる。
１の必須成分であるエポキシ樹脂としては、通常知られ
ているものを使用すればよく、特に限定されるものでは
ない。具体例としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂などのグリシ
ジルエーテル型エポキシ樹脂；グリシジルエステル型エ
ポキシ樹脂；グリシジルアミン型エポキシ樹脂；線状脂
肪族エポキシ樹脂；脂環式エポキシ樹脂；複素環式エポ
キシ樹脂；ノ・ロゲン化エポキシ樹脂など１分子中にエ
ポキシ基を２個以上有するエポキシ樹脂があげられる。
これらのエポキシ樹脂は単独で用いても、あるいは２ｍ
以上の混合系で用いてもよい。なかでも、好ましいエポ
キシ樹脂は、エポキシ当量１７０〜３０００ノボラツク
型エポキシ樹脂であって、例えば、フェノールノボラッ
ク型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹
脂、ハロゲン化フェノールノボラック型エポキシ樹脂表
どである。更に、これらのエポキシ樹脂は、塩素イオン
の含有量が１０ ｐｐｍ以下、加水分解性塩素の含有量
が０．１重量％以下のものが望ましい。
以上の混合系で用いてもよい。なかでも、好ましいエポ
キシ樹脂は、エポキシ当量１７０〜３０００ノボラツク
型エポキシ樹脂であって、例えば、フェノールノボラッ
ク型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹
脂、ハロゲン化フェノールノボラック型エポキシ樹脂表
どである。更に、これらのエポキシ樹脂は、塩素イオン
の含有量が１０ ｐｐｍ以下、加水分解性塩素の含有量
が０．１重量％以下のものが望ましい。
この理由は、１０ ｐｐｍを超える塩素イオンあるいは
０．１重量％を超える加水分解性塩素が含まれていると
、封止され死生導体装置の例えばＡｔ電極などが腐食さ
れやすくなるためである。
０．１重量％を超える加水分解性塩素が含まれていると
、封止され死生導体装置の例えばＡｔ電極などが腐食さ
れやすくなるためである。
ついで、第２の必須成分である硬化剤は、１分子中に２
個以上のフェノール性水酸基を有する化合物であればと
くに制限されるものではなく、フェノール樹脂、フェノ
ールアラルキル樹脂、ポリオキシスチレンまたは多価フ
ェノール化合物などを使用することができる。具体的に
は、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノ
ボラツ／ 樹脂、ｔｏｒｔ−ブチルフェノ−ｗノボラッ
ク樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂などのノボラ
ック製フェノール樹脂；レゾール型フェノール樹脂；ポ
リパラオキシスチレンなどのポリオキシスチレン、ビス
フェノールＡ；およびこれらの化合物のハロゲン化物等
である。このうち、ノボラック型フェノール樹脂、フェ
ノールアラルキル樹脂およびポリオキシスチレンはとく
に好ましいものである。また、これらの硬化剤は単独で
用いても、あるいは２種以上の混合系で用いてもよい。
個以上のフェノール性水酸基を有する化合物であればと
くに制限されるものではなく、フェノール樹脂、フェノ
ールアラルキル樹脂、ポリオキシスチレンまたは多価フ
ェノール化合物などを使用することができる。具体的に
は、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノ
ボラツ／ 樹脂、ｔｏｒｔ−ブチルフェノ−ｗノボラッ
ク樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂などのノボラ
ック製フェノール樹脂；レゾール型フェノール樹脂；ポ
リパラオキシスチレンなどのポリオキシスチレン、ビス
フェノールＡ；およびこれらの化合物のハロゲン化物等
である。このうち、ノボラック型フェノール樹脂、フェ
ノールアラルキル樹脂およびポリオキシスチレンはとく
に好ましいものである。また、これらの硬化剤は単独で
用いても、あるいは２種以上の混合系で用いてもよい。
エポキシ樹脂と硬化剤との配合比はとくに限定されるも
のではないが、反応の進行促進、および得られる硬化物
の特性の２点を勘案すると、硬化剤のフェノール性水酸
基数とエポキシ樹脂のエポキシ基数の比（フェノール性
水酸基数／エポキシ基数）が０．５〜１．５の範囲とな
るように配合することが好ましｂｏ 更に、本発明のエポキシ樹脂組成物は第３の必須成分と
して窒化ケイ素（ｃｉ、Ｎ、）を含有する。
のではないが、反応の進行促進、および得られる硬化物
の特性の２点を勘案すると、硬化剤のフェノール性水酸
基数とエポキシ樹脂のエポキシ基数の比（フェノール性
水酸基数／エポキシ基数）が０．５〜１．５の範囲とな
るように配合することが好ましｂｏ 更に、本発明のエポキシ樹脂組成物は第３の必須成分と
して窒化ケイ素（ｃｉ、Ｎ、）を含有する。
かかるｓ ＋、Ｎ４はどのような形態で配合されていて
もよく、例えば、粉末状、繊維状あるいはウィスカーな
どであることが好ましい。粉末状のＳｉ、Ｎ、は平均粒
径０．１〜１００μｍのものを用いることが、エポキシ
樹脂組成物全体の流動性を向上させるうえで好ましい。
もよく、例えば、粉末状、繊維状あるいはウィスカーな
どであることが好ましい。粉末状のＳｉ、Ｎ、は平均粒
径０．１〜１００μｍのものを用いることが、エポキシ
樹脂組成物全体の流動性を向上させるうえで好ましい。
一方、繊維状のＳｉ、Ｎ４ としてはＳｔ、Ｎ、の長
繊維を裁断したもので、例えば、直径が１〜２０μｍ１
長さが５０〜４００■のものを１■以内の長さに裁断し
て用いる。更に、ウィスカーとしては、直径０．１％１
／ＪＦＦｍ、長さ５０〜３００μｍのものを使用すれば
よい。
繊維を裁断したもので、例えば、直径が１〜２０μｍ１
長さが５０〜４００■のものを１■以内の長さに裁断し
て用いる。更に、ウィスカーとしては、直径０．１％１
／ＪＦＦｍ、長さ５０〜３００μｍのものを使用すれば
よい。
かかるｓｉ、Ｎ、の配合量は、とくに限定されるもので
はないが、前記エポキシ樹脂と硬化剤の総和１００重量
部に対し、０．１〜１０００重量部の範囲とすることが
好ましい。この配合量が０．１重量部未満では添加の効
果が認められず、１０００重量部を超えると樹脂組成物
全体の流動性が低下するという不都合が生じる。また、
このＳｉ、Ｎ４ はシランカップリング剤等の表面処理
剤で処理して使用することが、エポキシ樹脂組成物の特
性を更に改善する上で好ましい。
はないが、前記エポキシ樹脂と硬化剤の総和１００重量
部に対し、０．１〜１０００重量部の範囲とすることが
好ましい。この配合量が０．１重量部未満では添加の効
果が認められず、１０００重量部を超えると樹脂組成物
全体の流動性が低下するという不都合が生じる。また、
このＳｉ、Ｎ４ はシランカップリング剤等の表面処理
剤で処理して使用することが、エポキシ樹脂組成物の特
性を更に改善する上で好ましい。
５ｌｓＮ、は耐熱性、化学的安定性および電気絶縁性に
優れているため、これを配合することによってエポキシ
樹脂組成物全体の特性を向上させることができる。また
、Ｓｉ３Ｎ４は高い熱伝導性を有するため、組成物の熱
伝導性も向上する。これを、他の熱伝導性充填材、例え
ば、マグネシア、アルミナ、炭化ケイ素を含有したエポ
キシ樹脂組成物と比較すると、本発明のエポキシ樹脂組
成物は上記のものと比べて耐湿特性あるいは電気絶縁性
が格段に優れている。更に、Ｓｉ、Ｎ４は熱膨張係数が
小さく（炭化ケイ素の約イ、アルミナ、マグネシアの約
ｂ−″／４）、樹脂組成物の熱膨張係数の低下に大きく
寄与する。
優れているため、これを配合することによってエポキシ
樹脂組成物全体の特性を向上させることができる。また
、Ｓｉ３Ｎ４は高い熱伝導性を有するため、組成物の熱
伝導性も向上する。これを、他の熱伝導性充填材、例え
ば、マグネシア、アルミナ、炭化ケイ素を含有したエポ
キシ樹脂組成物と比較すると、本発明のエポキシ樹脂組
成物は上記のものと比べて耐湿特性あるいは電気絶縁性
が格段に優れている。更に、Ｓｉ、Ｎ４は熱膨張係数が
小さく（炭化ケイ素の約イ、アルミナ、マグネシアの約
ｂ−″／４）、樹脂組成物の熱膨張係数の低下に大きく
寄与する。
本発明の封止用エポキシ樹脂組成物にあっては、上記し
た必須成分に加えて、例えば公知の無機質充填剤、硬化
促進剤を添加配合することが好ましい。
た必須成分に加えて、例えば公知の無機質充填剤、硬化
促進剤を添加配合することが好ましい。
無機質充填剤としては、例えば、溶融シリカ、結晶性シ
リカ、ガラス繊維、タルク、アルミナ、ケイ酸カルシウ
ム、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、マグネシア等をあ
げることができ、中でも、溶融シリカ、結晶性シリカは
高純度でしかも熱膨張性が低いため好ましいものである
。とくに、これらシリカの配合量が、樹脂成分（エポキ
シ樹脂と硬化剤）１００重量部に対し０．１〜１０００
重量部の範囲にあるときは、Ｓｔ、Ｎ４とシリカの長所
が有効に組み合されて優れた特性の封止用エポキシ樹脂
組成物を得ることができる。
リカ、ガラス繊維、タルク、アルミナ、ケイ酸カルシウ
ム、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、マグネシア等をあ
げることができ、中でも、溶融シリカ、結晶性シリカは
高純度でしかも熱膨張性が低いため好ましいものである
。とくに、これらシリカの配合量が、樹脂成分（エポキ
シ樹脂と硬化剤）１００重量部に対し０．１〜１０００
重量部の範囲にあるときは、Ｓｔ、Ｎ４とシリカの長所
が有効に組み合されて優れた特性の封止用エポキシ樹脂
組成物を得ることができる。
一方、硬化促進剤は、樹脂の硬化時間の短縮ならびに硬
化物の特性向上のために資する成分であシ、本発明にお
いては、とくに有機ホスフィン化合物を用いることが望
まれる。
化物の特性向上のために資する成分であシ、本発明にお
いては、とくに有機ホスフィン化合物を用いることが望
まれる。
かかる有機ホスフィン化合物の具体例としては、フェニ
ルホスフィン、オクチルホスフィン、ジフェニルホスフ
ィン、ブチルフェニルホスフィン１メチルジフエニルホ
スフイン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリブチル
ホスフィン、トリフェニルホスフィン、さらには、１，
２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、ビス（ジフ
ェニルホスフィノ）メタンなどがあげられる。これらの
りもアリールホスフィン化合物、例えば、トリ７二二〃
ホスフイン、１．２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エ
タン、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタンなどはとく
に好ましいものである。これらの有機ホスフィン化合物
は１種もしくは２種以上の混合系で用いてもよい。なお
、この有機ホスフィン化合物の組成比は樹脂成分（エポ
キシ樹脂と硬化剤）の０．０１〜２０重１１−チでもよ
いが、と＜ＩＣ。
ルホスフィン、オクチルホスフィン、ジフェニルホスフ
ィン、ブチルフェニルホスフィン１メチルジフエニルホ
スフイン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリブチル
ホスフィン、トリフェニルホスフィン、さらには、１，
２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、ビス（ジフ
ェニルホスフィノ）メタンなどがあげられる。これらの
りもアリールホスフィン化合物、例えば、トリ７二二〃
ホスフイン、１．２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エ
タン、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタンなどはとく
に好ましいものである。これらの有機ホスフィン化合物
は１種もしくは２種以上の混合系で用いてもよい。なお
、この有機ホスフィン化合物の組成比は樹脂成分（エポ
キシ樹脂と硬化剤）の０．０１〜２０重１１−チでもよ
いが、と＜ＩＣ。
０．０１〜５重量％の範囲であることが好ましい。
本発明の封止用エポキシ樹脂組成物には、更に必要に応
じて、他の添加剤、例えば天然ワックス類、合成ワック
ス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エステル類も
しくはパラフィン類などの離Ｗ剤、塩素化パラフィン、
ブロムトルエン、ヘキサブロムベンゼン、三酸化アンチ
モンなどの難燃剤、カーボンブラックなどの着色剤、シ
ランカップリング剤などを適宜添加配合しても差支えな
い。
じて、他の添加剤、例えば天然ワックス類、合成ワック
ス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エステル類も
しくはパラフィン類などの離Ｗ剤、塩素化パラフィン、
ブロムトルエン、ヘキサブロムベンゼン、三酸化アンチ
モンなどの難燃剤、カーボンブラックなどの着色剤、シ
ランカップリング剤などを適宜添加配合しても差支えな
い。
上述した封止用エポキシ樹脂組成物を成形材料として調
製するための方法はどのようなものであってもよく、上
記の所定の組成比に選んだ原料成分を、例えばミキサー
によって充分混合後、さらに熱ロールによる溶融混合処
理、またはニーダ−などによる混合処理を加えるなどの
方法を適用することかできる。
製するための方法はどのようなものであってもよく、上
記の所定の組成比に選んだ原料成分を、例えばミキサー
によって充分混合後、さらに熱ロールによる溶融混合処
理、またはニーダ−などによる混合処理を加えるなどの
方法を適用することかできる。
一方、本発明の樹脂封止型半導体装置は、上記封止用エ
ポキシ樹脂組成物を用いて半導体装置を封止することに
より容易に製造することができる。
ポキシ樹脂組成物を用いて半導体装置を封止することに
より容易に製造することができる。
封止の最も一般的な方法としては低圧トランスファ成形
法があるが、インジヱクシｌン成形、圧縮成形、注型な
どによる封止も可能である。エポキシ樹脂組成物は封止
の際に加熱して硬化させ、最終的にはこの組成物の硬化
物によって封止された樹脂封止型半導体装置を得ること
ができる。硬化に際しては１５０℃以上に加熱すること
が特に望ましい。
法があるが、インジヱクシｌン成形、圧縮成形、注型な
どによる封止も可能である。エポキシ樹脂組成物は封止
の際に加熱して硬化させ、最終的にはこの組成物の硬化
物によって封止された樹脂封止型半導体装置を得ること
ができる。硬化に際しては１５０℃以上に加熱すること
が特に望ましい。
表お、本発明でいう半導体装置とは集積回路、大規模集
積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオードなどで
あって、と、〈に限定されるものではない。
積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオードなどで
あって、と、〈に限定されるものではない。
実施例１．２および比較例１〜４
（１） エポキシ商量２２０のクレゾールノボラック
型エポキシ樹脂（エポキシ樹脂Ａ）、 （２）ｚホキシ当量２９０の臭素化エポキシノボラック
樹脂（エポキシ樹脂Ｂ）、 （３） 分子量７００の７エノールノボラツク樹゛脂
硬化剤、（４）平均粒子径１０μｍの窒化ケイ素粉末、
（５）平均直径０．５μｍ、平均長さ１００μｍの窒化
ケイ素ウィスカー、 （６）マグネシア粉末、（７）アルミナ粉末、（８）炭
化ケイ素粉末、（９）結晶性シリカ粉末、（１０）トリ
フェニルホスフィン硬化促進剤、（ｎ）三酸化アンチモ
ン、（１２）カルナバワックス、（１３）カーボンブラ
ック、 （１４）シランカップリング剤（ｒ−グリシドキシプｏ
ｋ”ルトリメトキシシラン） を第１表に示す組成（重量部）に選んだ。ただし成分（
４）〜（９）の配合量に関しては、各例中の（４）〜（
９）成分の体積チの和が、いずれも、組成物全体の約５
２％になるようにして相互の比較を行った。
型エポキシ樹脂（エポキシ樹脂Ａ）、 （２）ｚホキシ当量２９０の臭素化エポキシノボラック
樹脂（エポキシ樹脂Ｂ）、 （３） 分子量７００の７エノールノボラツク樹゛脂
硬化剤、（４）平均粒子径１０μｍの窒化ケイ素粉末、
（５）平均直径０．５μｍ、平均長さ１００μｍの窒化
ケイ素ウィスカー、 （６）マグネシア粉末、（７）アルミナ粉末、（８）炭
化ケイ素粉末、（９）結晶性シリカ粉末、（１０）トリ
フェニルホスフィン硬化促進剤、（ｎ）三酸化アンチモ
ン、（１２）カルナバワックス、（１３）カーボンブラ
ック、 （１４）シランカップリング剤（ｒ−グリシドキシプｏ
ｋ”ルトリメトキシシラン） を第１表に示す組成（重量部）に選んだ。ただし成分（
４）〜（９）の配合量に関しては、各例中の（４）〜（
９）成分の体積チの和が、いずれも、組成物全体の約５
２％になるようにして相互の比較を行った。
これらの組成物をミキサーによる混合および加熱ロール
による混線を行うことによって比較例を含め６植のトラ
ンス７″ア成形材料を調製した。
による混線を行うことによって比較例を含め６植のトラ
ンス７″ア成形材料を調製した。
第１表
このようにして得た成形材料を用いてトランスファ成形
してＭＯＳ ！集積回路を樹脂封止した。封止は予熱機
で９０℃に加熱した成形材料を１７０℃で２分間モール
ドし、更に１８０℃で４時間アフタキエアすることによ
シ行った。
してＭＯＳ ！集積回路を樹脂封止した。封止は予熱機
で９０℃に加熱した成形材料を１７０℃で２分間モール
ドし、更に１８０℃で４時間アフタキエアすることによ
シ行った。
上記の樹脂封止した半導体装置各５０個を、１２０℃、
２気圧の水蒸気中でＩＯＶ印加して、アルミニウム配線
の腐食による断線不良を調べる耐湿試験（バイアスＰＣ
Ｔ）を行い、その結果を第２表に示した。ただし比較例
４は封止樹脂の絶縁性が悪く、集積回路が短絡不要を発
生し、良品が得られ々かったので試験から除外した。
２気圧の水蒸気中でＩＯＶ印加して、アルミニウム配線
の腐食による断線不良を調べる耐湿試験（バイアスＰＣ
Ｔ）を行い、その結果を第２表に示した。ただし比較例
４は封止樹脂の絶縁性が悪く、集積回路が短絡不要を発
生し、良品が得られ々かったので試験から除外した。
実施例３〜６および比較例５〜８
実施例１．２で用いた各成分及び、（１５）ガラス繊維
（平均直径９μｍ１平均長さ５００ ｆｉｌｎ ） （
１６）溶融シリカ粉末を用いて第３表に示す組成（重量
部）から成る組成物をつくった。各組成物をミキサーに
よる混合、加熱ロールによる混線を行うことによって比
較例を含め８種のトランスファ成形材料をｌ！ｌｌＩ製
した。
（平均直径９μｍ１平均長さ５００ ｆｉｌｎ ） （
１６）溶融シリカ粉末を用いて第３表に示す組成（重量
部）から成る組成物をつくった。各組成物をミキサーに
よる混合、加熱ロールによる混線を行うことによって比
較例を含め８種のトランスファ成形材料をｌ！ｌｌＩ製
した。
このようにして得た成形材料を用いてトランスファ成形
してＭＯａ型集型口積回路脂封止した。封止は予熱機で
９０℃に加熱した成形材料を１７０℃で２分間モールド
し、更に１８０℃で４時間ア７タキエアすることによル
行った。
してＭＯａ型集型口積回路脂封止した。封止は予熱機で
９０℃に加熱した成形材料を１７０℃で２分間モールド
し、更に１８０℃で４時間ア７タキエアすることによル
行った。
第３表
次に、得られた樹脂封止型半導体装置去ｉｏ。
個について、以下に記す熱サイクル試験を実施して特性
評価を行った。
評価を行った。
＋２００℃と一６５℃の２つの恒温槽を用意し、上記樹
脂封止型半導体装置を＋２００℃の恒温槽に入れて３０
分間放置した。その後取シ出して常温中に５分間放置し
、次に一６５℃の恒温槽に３０分間放置した。その後取
シ出して再び常温中に５分間放置した。以上の操作を１
サイクルとし、連続的に熱サイクル試験を実施した。熱
サイクル試験の経過に従って随時サイクルを中断し、樹
脂封止型半導体装置の特性をテスターを用いて測定し、
不良の発生を調べた。その結果を第４表に示した。
脂封止型半導体装置を＋２００℃の恒温槽に入れて３０
分間放置した。その後取シ出して常温中に５分間放置し
、次に一６５℃の恒温槽に３０分間放置した。その後取
シ出して再び常温中に５分間放置した。以上の操作を１
サイクルとし、連続的に熱サイクル試験を実施した。熱
サイクル試験の経過に従って随時サイクルを中断し、樹
脂封止型半導体装置の特性をテスターを用いて測定し、
不良の発生を調べた。その結果を第４表に示した。
第４表
〔発明の効果〕
以上の説明から明らかなように、本発明の封止用エポキ
シ樹脂組成物は、高い信頼性を有するものであシ、マた
、この樹脂組成物によシ封止された本発明の樹脂封止型
半導体装置は、耐熱サイクル特性ならびに耐湿性に優れ
た信頼性の高いものであるため、その工業的価値は大で
ある。
シ樹脂組成物は、高い信頼性を有するものであシ、マた
、この樹脂組成物によシ封止された本発明の樹脂封止型
半導体装置は、耐熱サイクル特性ならびに耐湿性に優れ
た信頼性の高いものであるため、その工業的価値は大で
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（ａ）エポキシ樹脂、 （ｂ）１分子内に２個以上のフェノール性水酸基を有す
る化合物よりなる硬化剤、および、（ｃ）窒化ケイ素 を必須成分として含有することを特徴とする封止用エポ
キシ樹脂組成物。 ２、該エポキシ樹脂が、エポキシ当量１７０〜３００の
ノボラック型エポキシ樹脂である特許請求の範囲第１項
に記載の組成物。 ３、該硬化剤が、ノボラック型フェノール樹脂である特
許請求の範囲第１項に記載の組成物。 ４、該エポキシ樹脂と該硬化剤の配合比が、硬化剤のフ
ェノール性水酸基とエポキシ樹脂のエポキシ基の当量比
で０．５〜１．５の範囲である特許請求の範囲第１項記
載の組成物。 ５、該窒化ケイ素が、平均粒径０．１〜１００μｍの粉
末である特許請求の範囲第１項記載の組成物。 ６、該窒化ケイ素が、窒化ケイ素繊維である特許請求の
範囲第１項記載の組成物。 ７、該窒化ケイ素が、窒化ケイ素ウィスカーである特許
請求の範囲第１項記載の組成物。 ８、該窒化ケイ素の配合量が、エポキシ樹脂と硬化剤と
の総和１００重量部に対し、０．１〜１０００重量部の
範囲である特許請求の範囲第１項記載の組成物。 ９、該エポキシ樹脂組成物が、さらに、溶融シリカおよ
び／または結晶性シリカを含むものである特許請求の範
囲第１項記載の組成物。 １０、該エポキシ樹脂組成物が、さらに、有機ホスフィ
ン化合物を含むものである特許請求の範囲第１項記載の
組成物。 １１、（ａ）エポキシ樹脂、 （ｂ）１分子内に２個以上のフェノール性水酸基を有す
る化合物よりなる硬化剤、および、（ｃ）窒化ケイ素 を含有するエポキシ樹脂組成物により封止されてなるこ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 １２、該エポキシ樹脂が、エポキシ当量１７０〜３００
のノボラック型エポキシ樹脂である特許請求の範囲第１
１項に記載の装置。 １３、該硬化剤が、ノボラック型フェノール樹脂である
特許請求の範囲第１１項に記載の装置。 １４、該エポキシ樹脂と該硬化剤の配合比が、硬化剤の
フェノール性水酸基とエポキシ樹脂のエポキシ基の当量
比で０．５〜１．５の範囲である特許請求の範囲第１１
項記載の装置。 １５、該窒化ケイ素が、平均粒径０．１〜１００μｍの
粉末である特許請求の範囲第１１項記載の装置。 １６、該窒化ケイ素が、窒化ケイ素繊維である特許請求
の範囲第１１項記載の装置。 １７、該窒化ケイ素が、窒化ケイ素ウィスカーである特
許請求の範囲第１１項記載の装置。 １８、該窒化ケイ素の配合量が、エポキシ樹脂と硬化剤
との総和１００重量部に対し、０．１〜１０００重量部
の範囲である特許請求の範囲第１１項記載の装置。 １９、該エポキシ樹脂組成物が、さらに、溶融シリカお
よび／または結晶性シリカを含むものである特許請求の
範囲第１１項記載の装置。 ２０、該エポキシ樹脂組成物が、さらに、有機ホスフィ
ン化合物を含むものである特許請求の範囲第１１項記載
の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60060944A JPH0657744B2 (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60060944A JPH0657744B2 (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19135093A Division JPH085946B2 (ja) | 1993-08-02 | 1993-08-02 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61221220A true JPS61221220A (ja) | 1986-10-01 |
| JPH0657744B2 JPH0657744B2 (ja) | 1994-08-03 |
Family
ID=13156997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60060944A Expired - Lifetime JPH0657744B2 (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0657744B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63104455A (ja) * | 1986-10-22 | 1988-05-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 封止樹脂充填用フイラ−及びその製造方法 |
| JPS6438422A (en) * | 1987-08-03 | 1989-02-08 | Matsushita Electric Works Ltd | Epoxy resin molding material |
| JPH01182357A (ja) * | 1988-01-14 | 1989-07-20 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂成形材料 |
| JPH0234657A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS61101522A (ja) * | 1984-10-25 | 1986-05-20 | Toshiba Chem Corp | 封止用樹脂組成物 |
-
1985
- 1985-03-27 JP JP60060944A patent/JPH0657744B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JPH0286617A (ja) * | 1988-09-24 | 1990-03-27 | Matsushita Electric Works Ltd | 高熱放散性エポキシ樹脂組成物 |
| JPH0623234B2 (ja) * | 1988-09-24 | 1994-03-30 | 松下電工株式会社 | 高熱放散性エポキシ樹脂組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0657744B2 (ja) | 1994-08-03 |
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Legal Events
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |