JP2780588B2 - 積層型磁気ヘッドコア - Google Patents
積層型磁気ヘッドコアInfo
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- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
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- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波帯域で駆動するＶ
ＴＲ等のシステムに用いられる積層型磁気ヘッドコアに
関するものである。
ＴＲ等のシステムに用いられる積層型磁気ヘッドコアに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録分野において高密度記録
の要求が高まり、磁気記録媒体の高保磁力化が進められ
ている。これに対応するため磁気ヘッドコアは高飽和磁
束密度（主に磁気ヘッドの記録特性に影響する）と高透
磁率特性（主に磁気ヘッドの再生特性に影響する）が要
求されている。また、搬送波周波数が高周波側に移行
し、数十MHz以上の高周波帯域での磁気ヘッドの良好な
記録再生特性が要求されている。これらの要求に対して
従来のフェライトヘッドでは飽和磁束密度が小さいため
高保磁力の媒体に対してはヘッドが磁気的に飽和して十
分な記録ができない。そこでフェライトヘッドにかかわ
りセンダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系）またはＣｏ基非晶
質合金系のヘッドが実用化されている。
の要求が高まり、磁気記録媒体の高保磁力化が進められ
ている。これに対応するため磁気ヘッドコアは高飽和磁
束密度（主に磁気ヘッドの記録特性に影響する）と高透
磁率特性（主に磁気ヘッドの再生特性に影響する）が要
求されている。また、搬送波周波数が高周波側に移行
し、数十MHz以上の高周波帯域での磁気ヘッドの良好な
記録再生特性が要求されている。これらの要求に対して
従来のフェライトヘッドでは飽和磁束密度が小さいため
高保磁力の媒体に対してはヘッドが磁気的に飽和して十
分な記録ができない。そこでフェライトヘッドにかかわ
りセンダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系）またはＣｏ基非晶
質合金系のヘッドが実用化されている。
【０００３】しかしながら、センダストあるいはＣｏ基
非晶質合金膜の飽和磁束密度は約１Ｔ前後と低く、さら
に高い保磁力を持つ磁気記録媒体に対して、十分な記録
特性が得られない。そこで近年、Ｆｅ−（Ｔａ、Ｚｒ、
Ｎｂ、Ｈｆ）−（Ｂ、Ｃ、Ｎ）等の微結晶軟磁性膜の開
発が盛んに行われている。
非晶質合金膜の飽和磁束密度は約１Ｔ前後と低く、さら
に高い保磁力を持つ磁気記録媒体に対して、十分な記録
特性が得られない。そこで近年、Ｆｅ−（Ｔａ、Ｚｒ、
Ｎｂ、Ｈｆ）−（Ｂ、Ｃ、Ｎ）等の微結晶軟磁性膜の開
発が盛んに行われている。
【０００４】一方、合金膜を用いた磁気ヘッドとして
は、フェライトヘッドのギャップ近傍にのみ合金膜を有
するＭＩＧ型のヘッドと非磁性基板上に合金膜を非磁性
絶縁膜を介して積層した積層型のヘッドの二種類に大別
できる。
は、フェライトヘッドのギャップ近傍にのみ合金膜を有
するＭＩＧ型のヘッドと非磁性基板上に合金膜を非磁性
絶縁膜を介して積層した積層型のヘッドの二種類に大別
できる。
【０００５】以下に従来のＭＩＧ型及び積層型の合金膜
を用いたヘッドについて説明する。図５は従来のＭＩＧ
型ヘッドの構成を示すものである。図５において２１は
フェライト、２２はギャップ、２３は磁性膜であり、セ
ンダスト合金膜やＣｏ基非晶質合金膜などが用いられ、
ギャップ２２の近傍に成膜されている。２４はガラスで
ある。
を用いたヘッドについて説明する。図５は従来のＭＩＧ
型ヘッドの構成を示すものである。図５において２１は
フェライト、２２はギャップ、２３は磁性膜であり、セ
ンダスト合金膜やＣｏ基非晶質合金膜などが用いられ、
ギャップ２２の近傍に成膜されている。２４はガラスで
ある。
【０００６】上記構成によって、数MHz帯で比較的良好
な透磁率特性を示すフェライトとフェライトに比べ飽和
磁束密度の高い合金膜を組み合わせることによって、磁
気ヘッドとして要求される性能の向上を図っている。
な透磁率特性を示すフェライトとフェライトに比べ飽和
磁束密度の高い合金膜を組み合わせることによって、磁
気ヘッドとして要求される性能の向上を図っている。
【０００７】図６は従来の積層型ヘッドの構成を示すも
のである。図６において３１は非磁性基板である。３２
はギャップである。３３は磁性膜で、数μｍ程度のセン
ダスト合金膜やＣｏ基非晶質合金膜と非磁性絶縁膜とを
交互に積層している。３４はガラスである。
のである。図６において３１は非磁性基板である。３２
はギャップである。３３は磁性膜で、数μｍ程度のセン
ダスト合金膜やＣｏ基非晶質合金膜と非磁性絶縁膜とを
交互に積層している。３４はガラスである。
【０００８】上記構成によって、フェライトを使用しな
いことでフェライト特有のノイズである擢動ノイズが発
生しないようにし、ヘッドの特性向上を図っている。
いことでフェライト特有のノイズである擢動ノイズが発
生しないようにし、ヘッドの特性向上を図っている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらＭＩＧ型
ヘッドの場合、上記従来の構成ではフェライト特有のノ
イズである擢動ノイズが生じ、特に高周波帯域で摺動ノ
イズは大きくなるので高周波帯域での再生特性が劣化す
る。これに対しセンダスト合金膜あるいはＣｏ基非晶質
合金膜と非磁性絶縁膜とを交互に積層した積層型ヘッド
の場合、摺動ノイズは発生しないが特公昭５４−３２３
８号公報に記載のように磁性層一層の厚さを約３μｍ以
下に薄くすると軟磁性特性が劣化するという問題を有し
ていた。磁性層一層の厚さを約３μｍ以下にできないた
めに渦電流損失を十分に低減できず、高周波帯域で駆動
するＶＴＲ等のシステムに用いられる積層型ヘッドに要
求される等方的な高透磁率特性が得られないという問題
を有していた。
ヘッドの場合、上記従来の構成ではフェライト特有のノ
イズである擢動ノイズが生じ、特に高周波帯域で摺動ノ
イズは大きくなるので高周波帯域での再生特性が劣化す
る。これに対しセンダスト合金膜あるいはＣｏ基非晶質
合金膜と非磁性絶縁膜とを交互に積層した積層型ヘッド
の場合、摺動ノイズは発生しないが特公昭５４−３２３
８号公報に記載のように磁性層一層の厚さを約３μｍ以
下に薄くすると軟磁性特性が劣化するという問題を有し
ていた。磁性層一層の厚さを約３μｍ以下にできないた
めに渦電流損失を十分に低減できず、高周波帯域で駆動
するＶＴＲ等のシステムに用いられる積層型ヘッドに要
求される等方的な高透磁率特性が得られないという問題
を有していた。
【００１０】また、高飽和磁束密度を有するＦｅ−（Ｔ
ａ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｈｆ）−Ｎ系軟磁性薄膜は高周波特性
を向上させる目的で膜厚を薄くすると、１μｍ以下の膜
厚では、静磁界中で熱処理を行うなどして一軸異方性を
誘導させることにより磁化困難方向で高透磁率特性は得
られるが、積層型ヘッドに要求される等方的な高透磁率
特性は得られなかった。
ａ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｈｆ）−Ｎ系軟磁性薄膜は高周波特性
を向上させる目的で膜厚を薄くすると、１μｍ以下の膜
厚では、静磁界中で熱処理を行うなどして一軸異方性を
誘導させることにより磁化困難方向で高透磁率特性は得
られるが、積層型ヘッドに要求される等方的な高透磁率
特性は得られなかった。
【００１１】本発明は、上記の問題点を解決するもの
で、高い飽和磁束密度及び高周波帯域において等方的な
高透磁率特性を示す積層型磁気ヘッドコアを提供するこ
とを目的とする。
で、高い飽和磁束密度及び高周波帯域において等方的な
高透磁率特性を示す積層型磁気ヘッドコアを提供するこ
とを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の積層型磁気ヘッドコアは、０．２〜１０μｍ
の厚さの高い飽和磁束密度を有するＦｅ−（Ｔａ、Ｎ
ｂ、Ｚｒ、Ｈｆ）−Ｎ系軟磁性薄膜と数十〜数百nmの非
磁性絶縁膜が交互に積層された構造を有し、かつ非磁性
絶縁膜を介して隣合うＦｅ−（Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ）−Ｎ系軟磁性薄膜の膜面内の高透磁率特性を示す方
向が異なる層を有し、前記積層型ヘッドコア全体として
膜面内で等方的な高透磁率特性を示している。
に本発明の積層型磁気ヘッドコアは、０．２〜１０μｍ
の厚さの高い飽和磁束密度を有するＦｅ−（Ｔａ、Ｎ
ｂ、Ｚｒ、Ｈｆ）−Ｎ系軟磁性薄膜と数十〜数百nmの非
磁性絶縁膜が交互に積層された構造を有し、かつ非磁性
絶縁膜を介して隣合うＦｅ−（Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ）−Ｎ系軟磁性薄膜の膜面内の高透磁率特性を示す方
向が異なる層を有し、前記積層型ヘッドコア全体として
膜面内で等方的な高透磁率特性を示している。
【００１３】
【作用】この構成によって、磁性薄膜各層の膜厚を薄く
することで渦電流損失を低減し、高周波帯域で等方的な
高透磁率特性を得ることができる。
することで渦電流損失を低減し、高周波帯域で等方的な
高透磁率特性を得ることができる。
【００１４】
（実施例１）以下本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
【００１５】図１は本発明の積層型磁気ヘッドコアの概
略図である。図１において、１１は非磁性基板である。
１２は軟磁性薄膜で本実施例ではＦｅ−Ｔａ−Ｎ系軟磁
性薄膜である。１３は非磁性絶縁膜で本実施例ではＳｉ
Ｏ2薄膜である。Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ系軟磁性薄膜は非磁性
絶縁膜１３を介して交互に積層され、非磁性絶縁膜１３
を介して隣合うＦｅ−Ｔａ−Ｎ系軟磁性薄膜各層の膜面
内の高透磁率を示す方向が異なる層を有し、前記積層型
ヘッドコア全体として膜面内で等方的な高透磁率特性を
示している。
略図である。図１において、１１は非磁性基板である。
１２は軟磁性薄膜で本実施例ではＦｅ−Ｔａ−Ｎ系軟磁
性薄膜である。１３は非磁性絶縁膜で本実施例ではＳｉ
Ｏ2薄膜である。Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ系軟磁性薄膜は非磁性
絶縁膜１３を介して交互に積層され、非磁性絶縁膜１３
を介して隣合うＦｅ−Ｔａ−Ｎ系軟磁性薄膜各層の膜面
内の高透磁率を示す方向が異なる層を有し、前記積層型
ヘッドコア全体として膜面内で等方的な高透磁率特性を
示している。
【００１６】Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ系軟磁性薄膜１２はＦｅ−
Ｔａ合金のターゲットを用い、Ａｒガス中にＮ2ガスを
導入する反応性スパッタリング法によって作製した。ま
た、前記積層型磁気ヘッドコアのＦｅ−Ｔａ−Ｎ系軟磁
性薄膜１２各層の膜面内の透磁率の異方性は、基板に印
加する高周波バイアスの大きさを各層ごとに変化させる
ことによって制御し、前記積層型磁気ヘッドコア全体と
して、膜面内で等方的な高透磁率特性を示している。Ｆ
ｅ−Ｔａ−Ｎ膜の成膜条件を（表１）に示す。作製した
膜の組成は、ＲＢＳ（ラザフォード後方散乱）分析の結
果、Ｔａ１０原子％・Ｎ１０原子％、残余Ｆｅであっ
た。また、作製した積層型磁気ヘッドコアの飽和磁束密
度は約１．６Ｔであった。作製した積層型ヘッドコアの
熱処理は真空中において無磁界中で５５０度、１時間行
った。
Ｔａ合金のターゲットを用い、Ａｒガス中にＮ2ガスを
導入する反応性スパッタリング法によって作製した。ま
た、前記積層型磁気ヘッドコアのＦｅ−Ｔａ−Ｎ系軟磁
性薄膜１２各層の膜面内の透磁率の異方性は、基板に印
加する高周波バイアスの大きさを各層ごとに変化させる
ことによって制御し、前記積層型磁気ヘッドコア全体と
して、膜面内で等方的な高透磁率特性を示している。Ｆ
ｅ−Ｔａ−Ｎ膜の成膜条件を（表１）に示す。作製した
膜の組成は、ＲＢＳ（ラザフォード後方散乱）分析の結
果、Ｔａ１０原子％・Ｎ１０原子％、残余Ｆｅであっ
た。また、作製した積層型磁気ヘッドコアの飽和磁束密
度は約１．６Ｔであった。作製した積層型ヘッドコアの
熱処理は真空中において無磁界中で５５０度、１時間行
った。
【００１７】
【表１】
【００１８】非磁性絶縁膜１３はＳｉＯ2ターゲットを
用い、Ａｒガス中でのスパッタリング法によって作製し
た。ＳｉＯ2膜のスパッタリング条件を（表２）に示
す。
用い、Ａｒガス中でのスパッタリング法によって作製し
た。ＳｉＯ2膜のスパッタリング条件を（表２）に示
す。
【００１９】
【表２】
【００２０】一例として、各層のＳｉＯ2絶縁膜の厚み
を０．１５μｍとし、各層のＦｅ−Ｔａ−Ｎ系軟磁性薄
膜の厚みを０．５、１、２．５μｍと変化させ、Ｆｅ−
Ｔａ−Ｎ系軟磁性薄膜の総厚みを５μｍとしたときの、
積層型磁気ヘッドコアのＦｅ−Ｔａ−Ｎ系軟磁性薄膜各
層の厚みに対する３０MHz、及び８０MHzにおける複素透
磁率の実数部μ'の変化を図２に示す。
を０．１５μｍとし、各層のＦｅ−Ｔａ−Ｎ系軟磁性薄
膜の厚みを０．５、１、２．５μｍと変化させ、Ｆｅ−
Ｔａ−Ｎ系軟磁性薄膜の総厚みを５μｍとしたときの、
積層型磁気ヘッドコアのＦｅ−Ｔａ−Ｎ系軟磁性薄膜各
層の厚みに対する３０MHz、及び８０MHzにおける複素透
磁率の実数部μ'の変化を図２に示す。
【００２１】図２に示すように、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ系軟磁
性薄膜各層の厚みが薄くなるほど、高周波帯域（３０MH
z及び８０MHz）における透磁率μ'は大きな値を示して
いることがわかる。特に、従来Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ系軟磁性
薄膜各層の厚みが１μｍ以下の場合、積層型ヘッドに要
求される等方的な高透磁率特性が得られなかったが、本
発明に示すように、ＳｉＯ2絶縁膜を介してＦｅ−Ｔａ
−Ｎ系軟磁性薄膜の膜面内の高透磁率特性を示す方向を
変化させることにより、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ系軟磁性薄膜各
層が１μｍ以下の厚みにおいても、前記積層型磁気ヘッ
ドコア全体として膜面内で等方的な高透磁率特性を示す
ことがわかった。また、前記積層型磁気ヘッドコアのＦ
ｅ−Ｔａ−Ｎ系軟磁性薄膜各層の厚みを０．２μｍ以下
の場合は、等方的な高透磁率特性は得られなかった。
性薄膜各層の厚みが薄くなるほど、高周波帯域（３０MH
z及び８０MHz）における透磁率μ'は大きな値を示して
いることがわかる。特に、従来Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ系軟磁性
薄膜各層の厚みが１μｍ以下の場合、積層型ヘッドに要
求される等方的な高透磁率特性が得られなかったが、本
発明に示すように、ＳｉＯ2絶縁膜を介してＦｅ−Ｔａ
−Ｎ系軟磁性薄膜の膜面内の高透磁率特性を示す方向を
変化させることにより、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ系軟磁性薄膜各
層が１μｍ以下の厚みにおいても、前記積層型磁気ヘッ
ドコア全体として膜面内で等方的な高透磁率特性を示す
ことがわかった。また、前記積層型磁気ヘッドコアのＦ
ｅ−Ｔａ−Ｎ系軟磁性薄膜各層の厚みを０．２μｍ以下
の場合は、等方的な高透磁率特性は得られなかった。
【００２２】次に、同様の方法でＦｅ−Ｔａ−Ｎ系軟磁
性薄膜各層の厚みを０．５μｍとし、ＳｉＯ2絶縁膜各
層の厚みを０、０．０５、０．１及び０．１５μｍとし
た場合のＳｉＯ2絶縁膜各層の厚みに対する３０MHz、及
び８０MHzにおける複素透磁率の実数部μ'の変化を図３
に示す。
性薄膜各層の厚みを０．５μｍとし、ＳｉＯ2絶縁膜各
層の厚みを０、０．０５、０．１及び０．１５μｍとし
た場合のＳｉＯ2絶縁膜各層の厚みに対する３０MHz、及
び８０MHzにおける複素透磁率の実数部μ'の変化を図３
に示す。
【００２３】図３からＳｉＯ2絶縁膜各層の厚みを厚く
するほど、積層型磁気ヘッドコアの高周波帯域における
μ'の値が大きくなっていることがわかる。また、Ｓｉ
Ｏ2絶縁膜各層の厚みを０．１５μｍ以上にした場合、
μ'の周波数依存性はあまり変化しなかった。
するほど、積層型磁気ヘッドコアの高周波帯域における
μ'の値が大きくなっていることがわかる。また、Ｓｉ
Ｏ2絶縁膜各層の厚みを０．１５μｍ以上にした場合、
μ'の周波数依存性はあまり変化しなかった。
【００２４】（実施例２）以下本発明の第２の実施例に
ついて図面を参照しながら説明する。
ついて図面を参照しながら説明する。
【００２５】本実施例において、積層型磁気ヘッドコア
の構成は第１の実施例と同様である。ただし、前記積層
型磁気ヘッドコアの厚みを積層型ヘッドをしておおよそ
必要な厚さである２０μｍとした。積層型磁気ヘッドコ
アの作製方法は、第１の実施例と同様の方法でＳｉＯ2
絶縁膜各層の厚みを０．１５μｍとし、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ
系軟磁性薄膜各層の厚みを０．５、１および２．５μｍ
と変化させ、ヘッドコア全体として２０μｍとなるよう
に作製した。前記作製方法によって、第１の実施例と同
様積層型磁気ヘッド全体として膜面内で等方的な高透磁
率特性を示している。このときの複素透磁率の実数部μ
'の周波数依存性を図４に比較して示す。
の構成は第１の実施例と同様である。ただし、前記積層
型磁気ヘッドコアの厚みを積層型ヘッドをしておおよそ
必要な厚さである２０μｍとした。積層型磁気ヘッドコ
アの作製方法は、第１の実施例と同様の方法でＳｉＯ2
絶縁膜各層の厚みを０．１５μｍとし、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ
系軟磁性薄膜各層の厚みを０．５、１および２．５μｍ
と変化させ、ヘッドコア全体として２０μｍとなるよう
に作製した。前記作製方法によって、第１の実施例と同
様積層型磁気ヘッド全体として膜面内で等方的な高透磁
率特性を示している。このときの複素透磁率の実数部μ
'の周波数依存性を図４に比較して示す。
【００２６】図４から、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ系軟磁性薄膜各
層の厚みが薄いほど数十ＭＨｚ以上の高周波帯域におい
てμ'の値が大きいことがわかる。図４に示すように、
積層型磁気ヘッドコアの厚みを積層型ヘッドをしておお
よそ必要な厚さである２０μｍとした場合においても等
方的な高透磁率特性が得られた。
層の厚みが薄いほど数十ＭＨｚ以上の高周波帯域におい
てμ'の値が大きいことがわかる。図４に示すように、
積層型磁気ヘッドコアの厚みを積層型ヘッドをしておお
よそ必要な厚さである２０μｍとした場合においても等
方的な高透磁率特性が得られた。
【００２７】またＦｅ−Ｔａ−Ｎ系性薄膜各層の厚みを
１０μｍ以上にすると、５ＭＨｚでμ'は１０００以下
の値を示し、高周波帯域で駆動するシステムに用いられ
ている積層型磁気ヘッドとしては不適である。
１０μｍ以上にすると、５ＭＨｚでμ'は１０００以下
の値を示し、高周波帯域で駆動するシステムに用いられ
ている積層型磁気ヘッドとしては不適である。
【００２８】なお第１、第２の実施例において積層型磁
気ヘッドコアのＦｅ−Ｔａ−Ｎ系軟磁性薄膜各層の膜面
内の高透磁率特性を示す方法の制御は、スパッタリング
法において、基板に印加する高周波バイアスの大きさに
よって行ったが、成膜粒子の基板への入射方向を制御す
るなどして行ってもよい。
気ヘッドコアのＦｅ−Ｔａ−Ｎ系軟磁性薄膜各層の膜面
内の高透磁率特性を示す方法の制御は、スパッタリング
法において、基板に印加する高周波バイアスの大きさに
よって行ったが、成膜粒子の基板への入射方向を制御す
るなどして行ってもよい。
【００２９】また、軟磁性薄膜はＦｅ−Ｔａ−Ｎ系膜と
しているが、他の高飽和磁束密度を有する軟磁性薄膜で
あってもよい。非磁性絶縁膜はＳｉＯ2としているが、
Ａｌ2Ｏ3などの非磁性絶縁膜を用いてもよい。
しているが、他の高飽和磁束密度を有する軟磁性薄膜で
あってもよい。非磁性絶縁膜はＳｉＯ2としているが、
Ａｌ2Ｏ3などの非磁性絶縁膜を用いてもよい。
【００３０】
【発明の効果】本発明は０．２〜１０μｍの膜厚の軟磁
性薄膜と数十〜数百ｎｍの非磁性絶縁膜を交互に積層
し、かつ非磁性絶縁膜を介して隣合う前記軟磁性薄膜の
膜面内の高透磁率特性を示す方向が異なる層を有するこ
とで、高周波帯域で優れた等方的高透磁率特性を示す積
層型磁気ヘッドコアを提供するものである。特に、軟磁
性薄膜各層の厚みが１μｍ以下においても、等方的な高
透磁率特性を示す積層型磁気ヘッドコアであるから、高
周波帯域で駆動するシステムに用いられる積層型磁気ヘ
ッドコアを提供するものである。
性薄膜と数十〜数百ｎｍの非磁性絶縁膜を交互に積層
し、かつ非磁性絶縁膜を介して隣合う前記軟磁性薄膜の
膜面内の高透磁率特性を示す方向が異なる層を有するこ
とで、高周波帯域で優れた等方的高透磁率特性を示す積
層型磁気ヘッドコアを提供するものである。特に、軟磁
性薄膜各層の厚みが１μｍ以下においても、等方的な高
透磁率特性を示す積層型磁気ヘッドコアであるから、高
周波帯域で駆動するシステムに用いられる積層型磁気ヘ
ッドコアを提供するものである。
【図１】本発明の積層型磁気ヘッドの概略図
【図２】第１の実施例におけるＦｅ−Ｔａ−Ｎ系軟磁性
薄膜の厚みに対する複素透磁率の実数部の変化を示す図
薄膜の厚みに対する複素透磁率の実数部の変化を示す図
【図３】第１の実施例におけるＳｉＯ2絶縁膜の厚みに
対する複素透磁率の実数部の変化を示す図
対する複素透磁率の実数部の変化を示す図
【図４】第２の実施例におけるＦｅ−Ｔａ−Ｎ系軟磁性
薄膜各層の厚みを変化させたときの複素透磁率の実数部
の周波数依存性を示す図
薄膜各層の厚みを変化させたときの複素透磁率の実数部
の周波数依存性を示す図
【図５】従来のＭＩＧ型ヘッドの概略図
【図６】従来の積層型ヘッドの概略図
１１ 非磁性基板 １２ Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ系軟磁性薄膜 １３ ＳｉＯ2絶縁膜 ２１ フェライト ２２ ギャップ ２３ 磁性膜 ３１ 非磁性基板 ３２ ギャップ ３３ 磁性膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 榊間 博 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 大西 陽一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−199614（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/31 G11B 5/127
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｆｅ−Ｍ−Ｎ系（ただしＭはＴａ、Ｎ
ｂ、Ｚｒ、Ｈｆのうち少なくとも１種類以上の元素）軟
磁性薄膜と非磁性絶縁膜を交互に積層した積層型磁気ヘ
ッドコアにおいて、軟磁性薄膜各層の厚みが０．２〜１
０μｍで非磁性絶縁膜の厚みが数十〜数百nmであり、か
つ前記非磁性絶縁膜を介して隣合う軟磁性薄膜の膜面内
における高透磁特性を示す方向が異なる層を有すること
を特徴とする積層型磁気ヘッドコア。
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| JP5004641A JP2780588B2 (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 積層型磁気ヘッドコア |
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