JPS58114444A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS58114444A JPS58114444A JP56213989A JP21398981A JPS58114444A JP S58114444 A JPS58114444 A JP S58114444A JP 56213989 A JP56213989 A JP 56213989A JP 21398981 A JP21398981 A JP 21398981A JP S58114444 A JPS58114444 A JP S58114444A
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- Japan
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- semiconductor device
- pads
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- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(1)発明の技術分野
本発明はセラミックパッケージを有する半導体装置の改
良に関する。
良に関する。
(2) 技術の背景
半導体装置は通常第1図に示すように半導体チップをセ
ラミックパッケージ内に気密封止する構成となっている
。図においてla、lb、lcは半導体チップ、2a、
2b、26はベース部材21とふた部材22とが接着層
を介して気密に固着されたセラミックパッケージ、3は
一端がセラミックパッケージ2内に固着され、但端がセ
ラミックパッケージ外に引き出された複数個のリード片
(第1図(a)のみ図示、他は省略)、4は半導体チッ
プユのポンディングパッドとリード片3とを電気的に接
続するボンディングワイヤである。
ラミックパッケージ内に気密封止する構成となっている
。図においてla、lb、lcは半導体チップ、2a、
2b、26はベース部材21とふた部材22とが接着層
を介して気密に固着されたセラミックパッケージ、3は
一端がセラミックパッケージ2内に固着され、但端がセ
ラミックパッケージ外に引き出された複数個のリード片
(第1図(a)のみ図示、他は省略)、4は半導体チッ
プユのポンディングパッドとリード片3とを電気的に接
続するボンディングワイヤである。
このような半導体装置は、半導体チップla。
lb、lcのサイズが異るとそれに適合する第1図(a
)(b)(c)に示すような各種形状のセラミックパッ
ケージ2a%21)、zcが用いられている。しかし最
近の半導体チップサイズの多様化に対処するためにセラ
ミックパッケージを改良し、半導体のチップサイズが異
っても搭載可能で高信頼性なセラミックパッケージの実
現が要望されている。
)(b)(c)に示すような各種形状のセラミックパッ
ケージ2a%21)、zcが用いられている。しかし最
近の半導体チップサイズの多様化に対処するためにセラ
ミックパッケージを改良し、半導体のチップサイズが異
っても搭載可能で高信頼性なセラミックパッケージの実
現が要望されている。
(3) 従来技術と問題点・
従来のセラミックパッケージ2a%2b、20では、チ
ップサイズの小さな半導体チップ1aを大きなセラミッ
クパッケ、−ジ2cJIC搭載するとボンディングワイ
ヤ4の空間に張られる長さが長くな9.ワイヤ間の接触
やワイヤのたれ下シによるショート事故が発生し易くな
る欠点があった。
ップサイズの小さな半導体チップ1aを大きなセラミッ
クパッケ、−ジ2cJIC搭載するとボンディングワイ
ヤ4の空間に張られる長さが長くな9.ワイヤ間の接触
やワイヤのたれ下シによるショート事故が発生し易くな
る欠点があった。
(4)発明の目的
本発明は上記従来の欠点を解消し、標準化された一種類
のパッケージにより、多種類の半導体チップの搭載を可
能とすることを目的とする。
のパッケージにより、多種類の半導体チップの搭載を可
能とすることを目的とする。
(5)考案の構成
そしてこの目的は本発明によればパッケージ内凹部に配
置した半導体チップ上の複数の電極を前記パッケージ端
部の対応する導電部材のパッドにワイヤボンディングし
て成る半導体装置において。
置した半導体チップ上の複数の電極を前記パッケージ端
部の対応する導電部材のパッドにワイヤボンディングし
て成る半導体装置において。
前記パッケージ内の凹部の大きさを最大搭載半導体チッ
プに適合する様に形成すると共に前記パッケージ端部の
パッドに石って列状に複数個の補助パッド金配設して成
ることt−特徴とする半導体装置を提供することによっ
て達成される。
プに適合する様に形成すると共に前記パッケージ端部の
パッドに石って列状に複数個の補助パッド金配設して成
ることt−特徴とする半導体装置を提供することによっ
て達成される。
(6) 発明の実施例
以下本発明の実施例を図面によって詳述する。
第2図は本発明によるパッケージのペース部材21と搭
載した半導体チップ1とを示す断面図であシ、第3図は
そのベース部材21の上面図である0 第2図は最大テップサイズに適合する凹部211を有す
るパッケージのペース部材21を示している。チップサ
イズが小さい場合を示す第2図(a)では、半導体チッ
プ二のポンディングパッドからリード片へのボンディン
グワイヤ4はベース部材21の凹部罠配設されたワイヤ
ボンディング補助パッド6を最短距離1結びながら配線
されている。補助パッド6を使用−fるため空間に張ら
れる1本当pのワイヤの長さを短くすることができワイ
ヤ間やワイヤのたれ下りによるショート事故を無くする
ことが可能となる。
載した半導体チップ1とを示す断面図であシ、第3図は
そのベース部材21の上面図である0 第2図は最大テップサイズに適合する凹部211を有す
るパッケージのペース部材21を示している。チップサ
イズが小さい場合を示す第2図(a)では、半導体チッ
プ二のポンディングパッドからリード片へのボンディン
グワイヤ4はベース部材21の凹部罠配設されたワイヤ
ボンディング補助パッド6を最短距離1結びながら配線
されている。補助パッド6を使用−fるため空間に張ら
れる1本当pのワイヤの長さを短くすることができワイ
ヤ間やワイヤのたれ下りによるショート事故を無くする
ことが可能となる。
第3図に示した妄施例はワイヤボンディング補助ハツト
6t−各辺に2列配設したものである。
6t−各辺に2列配設したものである。
図において31はパッケージに固着されたIJ−ド片の
ポンディングパッドであシ、5拡牛導体チッフユをパッ
ケージに固着するダイアタッチ部を示している。各辺に
2列配設した補助パッド6はリード片のポンディングパ
ッド31の数と同数であるが、これに制限されるもので
はない。また第2図(1))のような半導体チップ1の
場合には補助パすることが可能である。
ポンディングパッドであシ、5拡牛導体チッフユをパッ
ケージに固着するダイアタッチ部を示している。各辺に
2列配設した補助パッド6はリード片のポンディングパ
ッド31の数と同数であるが、これに制限されるもので
はない。また第2図(1))のような半導体チップ1の
場合には補助パすることが可能である。
なお本発明はパッケージの実装方法、例えばD工P(D
ual in package )、F P (F:L
at package )、P A P (Pin a
rray package )、100(Leadle
ss chip carrier )などの方法のいづ
れにも適用可能である。
ual in package )、F P (F:L
at package )、P A P (Pin a
rray package )、100(Leadle
ss chip carrier )などの方法のいづ
れにも適用可能である。
())発明の効果
本発明により従来1種類のパッケージにより搭載可能な
半導体チップサイズの許容幅は最大約2U程度であった
が、これt3倍以上に拡大することができパッケージ種
類の標準化による統一が可能となシ、またショート事故
が無くなるため高い信頼性が得られる効果を有する。
半導体チップサイズの許容幅は最大約2U程度であった
が、これt3倍以上に拡大することができパッケージ種
類の標準化による統一が可能となシ、またショート事故
が無くなるため高い信頼性が得られる効果を有する。
第3図は本発明によるパッケージペース部の上面図を示
している。 図において、1、la、lb、lcは半導体チップ、2
.2a% 2b、2(!はパッケージ、21はパッケー
ジベース部材、22は)(ツケージふた部材、211は
パッケージ凹部、3はリード片、31はリード片の・ポ
ンディングパッド、4はボンディングワイヤ、5はダイ
アタッチ部、6,61.62は補助パッドを示している
。
している。 図において、1、la、lb、lcは半導体チップ、2
.2a% 2b、2(!はパッケージ、21はパッケー
ジベース部材、22は)(ツケージふた部材、211は
パッケージ凹部、3はリード片、31はリード片の・ポ
ンディングパッド、4はボンディングワイヤ、5はダイ
アタッチ部、6,61.62は補助パッドを示している
。
Claims (1)
- パッケージ内凹部に配置し死生導体チップ上の複数の電
極を前記パッケージ端部の対応する導電部材のパッドに
ワイヤボンディングして成る半導体装置において、前記
パッケージ内の凹部の大きさを最大搭載半導体チップに
適合する様に形成すると共に前記パッケージ端部のパッ
ドに沿って列状に複数個の補助パッドを配設して成るこ
とt−特徴とする半導体装置っ
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56213989A JPS58114444A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56213989A JPS58114444A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58114444A true JPS58114444A (ja) | 1983-07-07 |
JPS649734B2 JPS649734B2 (ja) | 1989-02-20 |
Family
ID=16648405
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56213989A Granted JPS58114444A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58114444A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02196448A (ja) * | 1989-01-25 | 1990-08-03 | Nec Corp | 半導体装置 |
US5504373A (en) * | 1993-05-14 | 1996-04-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory module |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53108369A (en) * | 1977-03-04 | 1978-09-21 | Hitachi Ltd | Electronic components |
-
1981
- 1981-12-26 JP JP56213989A patent/JPS58114444A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53108369A (en) * | 1977-03-04 | 1978-09-21 | Hitachi Ltd | Electronic components |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02196448A (ja) * | 1989-01-25 | 1990-08-03 | Nec Corp | 半導体装置 |
US5504373A (en) * | 1993-05-14 | 1996-04-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory module |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS649734B2 (ja) | 1989-02-20 |
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