JPS58100216A - 磁気抵抗効果ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘツドInfo
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- JPS58100216A JPS58100216A JP19850681A JP19850681A JPS58100216A JP S58100216 A JPS58100216 A JP S58100216A JP 19850681 A JP19850681 A JP 19850681A JP 19850681 A JP19850681 A JP 19850681A JP S58100216 A JPS58100216 A JP S58100216A
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- JP
- Japan
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- permanent magnet
- shield layer
- shield
- height
- gap length
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気抵抗効果ヘッドに係り、特にシールドギャ
ップ長を０４μｍ以下とするのに好適な構造の磁気抵抗
効果ヘッドに関するものである。
ップ長を０４μｍ以下とするのに好適な構造の磁気抵抗
効果ヘッドに関するものである。
磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッド（以下ＭＲヘッド
と略す。）としては、一般に第１図に示す構造のものが
知られている。すなわち、第１図に示すように、例えば
、ニッケルー鉄合金薄膜からなる磁気抵抗効果素子（以
下ＭＲ素子と略す。）１の一方の端面を磁気記録媒体乙
の近傍まだはこれと接触させて配置することにより、磁
気記録媒体乙の磁界によりＭＲ素子１の磁化を変化させ
て、磁気抵抗効果によるＭＲ素子１の電気抵抗値の変化
をＭ’Ｒ素子１の両端に設けた電極２．３を介して接続
された電流源４の電圧変化として取り出すようにしであ
る。
と略す。）としては、一般に第１図に示す構造のものが
知られている。すなわち、第１図に示すように、例えば
、ニッケルー鉄合金薄膜からなる磁気抵抗効果素子（以
下ＭＲ素子と略す。）１の一方の端面を磁気記録媒体乙
の近傍まだはこれと接触させて配置することにより、磁
気記録媒体乙の磁界によりＭＲ素子１の磁化を変化させ
て、磁気抵抗効果によるＭＲ素子１の電気抵抗値の変化
をＭ’Ｒ素子１の両端に設けた電極２．３を介して接続
された電流源４の電圧変化として取り出すようにしであ
る。
なお、５はＭ Ｒ素子１に近接対向させて設けた永久磁
石で、永久磁石５によりＭＲ素子１にバイアス磁界をか
けるようにしである。この永久磁石５は、磁気記録媒体
６からの信号に対するＡ４Ｒ素子１の感度を高めるとと
もに、線形応答に近づける作用をする。すなわち、磁界
下におけるＭ１’Ｌ素子１の抵抗値の変化は２次曲線的
であるので、永久磁石５を用いてＭＲ素子１の高さ方向
にバイアス磁界をかけて、磁化の方向がＭＲ素子１内を
流れる電流の方向と４５度の角度をなすようにし、ｌＶ
ＴＲ素子１の動作が最適となるようにしている。
石で、永久磁石５によりＭＲ素子１にバイアス磁界をか
けるようにしである。この永久磁石５は、磁気記録媒体
６からの信号に対するＡ４Ｒ素子１の感度を高めるとと
もに、線形応答に近づける作用をする。すなわち、磁界
下におけるＭ１’Ｌ素子１の抵抗値の変化は２次曲線的
であるので、永久磁石５を用いてＭＲ素子１の高さ方向
にバイアス磁界をかけて、磁化の方向がＭＲ素子１内を
流れる電流の方向と４５度の角度をなすようにし、ｌＶ
ＴＲ素子１の動作が最適となるようにしている。
ところで、近年磁気記録技術の進歩により記録密度が向
上し、短波長記録再生に適応するＭＲヘッドが要求され
ている。しかし、第１図に示すＭ−Ｒヘッドは、ギャッ
プがないタイプのヘッドであるため６、本来短波長再生
には不適当である。これを解決する方法として、第２図
に示すように、ＭＲ素子の両側に高透磁率磁性体を配置
したものが提亭されている。第２図において、７は基板
、８．９はニッケルー鉄合金等からなる高透磁率磁性体
薄膜、１０〜１２は二酸化ケイ素（Ｓ ｉ Ｏ２）等の
非磁性絶縁体薄膜、５はバイアス用永久磁石簿膜、１は
ニッケルー鉄合金薄膜等のＭＲ素子、６は磁気記録媒体
である。
上し、短波長記録再生に適応するＭＲヘッドが要求され
ている。しかし、第１図に示すＭ−Ｒヘッドは、ギャッ
プがないタイプのヘッドであるため６、本来短波長再生
には不適当である。これを解決する方法として、第２図
に示すように、ＭＲ素子の両側に高透磁率磁性体を配置
したものが提亭されている。第２図において、７は基板
、８．９はニッケルー鉄合金等からなる高透磁率磁性体
薄膜、１０〜１２は二酸化ケイ素（Ｓ ｉ Ｏ２）等の
非磁性絶縁体薄膜、５はバイアス用永久磁石簿膜、１は
ニッケルー鉄合金薄膜等のＭＲ素子、６は磁気記録媒体
である。
このように、ＭＲ素子１の両側に高透磁率磁性体層（本
発明ではシールド層という。）８．９を配置することに
より、特に短波長記録領域での分解能を著しく向上でき
ることが知られている。なお、ＭＲ素子１とシールド層
８，９間の距離（以下シールドギャップ長という。）と
、ＭＲヘッドの分解能には密接な関係がある。すなわち
、シールドギャップ長以下の短波長を再生することはむ
ずかしく、分解能はシールドギャップ長でほぼ決定され
る。したがって、分解能を向上させるためには、シール
ドギャップ長を短くすることが必須条件である。ところ
が、第２図に示した例では、ｌＶＴＲ素子１とシールド
層９との間にバイアス用永久磁石薄膜５が設けであるた
め、シールドギャップ長を短かくすることが困難である
。すなわち、バイアス用永久磁石薄膜５の膜厚は少なく
とも０２μｍ必要であり、非磁性絶縁体薄膜１１．１２
はピンホールをなくすためには、０３μｍ以上の膜厚で
あることが必要であり、これらによりシールドギャップ
長は最低０．８μｍとなる。このため、分解能は１μｍ
程度が限界になる。ＶＴＲヘッドにおいては、ギャップ
長０４μｍで、分解能０．６μｍがすでに達成されてお
り、さらにギャップ長を短くする方向で研究が進められ
ている。したがって、Ｍ Ｒヘッドにおいても、シール
ドギャップ長は０４μｍ以下にして、分解能向上をはか
らなければならない。
発明ではシールド層という。）８．９を配置することに
より、特に短波長記録領域での分解能を著しく向上でき
ることが知られている。なお、ＭＲ素子１とシールド層
８，９間の距離（以下シールドギャップ長という。）と
、ＭＲヘッドの分解能には密接な関係がある。すなわち
、シールドギャップ長以下の短波長を再生することはむ
ずかしく、分解能はシールドギャップ長でほぼ決定され
る。したがって、分解能を向上させるためには、シール
ドギャップ長を短くすることが必須条件である。ところ
が、第２図に示した例では、ｌＶＴＲ素子１とシールド
層９との間にバイアス用永久磁石薄膜５が設けであるた
め、シールドギャップ長を短かくすることが困難である
。すなわち、バイアス用永久磁石薄膜５の膜厚は少なく
とも０２μｍ必要であり、非磁性絶縁体薄膜１１．１２
はピンホールをなくすためには、０３μｍ以上の膜厚で
あることが必要であり、これらによりシールドギャップ
長は最低０．８μｍとなる。このため、分解能は１μｍ
程度が限界になる。ＶＴＲヘッドにおいては、ギャップ
長０４μｍで、分解能０．６μｍがすでに達成されてお
り、さらにギャップ長を短くする方向で研究が進められ
ている。したがって、Ｍ Ｒヘッドにおいても、シール
ドギャップ長は０４μｍ以下にして、分解能向上をはか
らなければならない。
本発明は上記に鑑みてなされたもので、その目的とする
ところは、シールドギャップ長を０４μｍ以下とするこ
とができる磁気抵抗効果ヘッドを提供することにある。
ところは、シールドギャップ長を０４μｍ以下とするこ
とができる磁気抵抗効果ヘッドを提供することにある。
本発明の特徴は、磁気抵抗効果素子の磁気記録媒体側と
反対側の端部にトラック幅方向に対して傾いている切り
込み溝を設け、この磁気抵抗効果素子の切り込み溝を設
けた端部側後一部が上記磁気抵抗効果素子に接触するか
あるいは近接するようにバイアス用永久磁石を配置し、
上記磁気抵抗効果素子の両側に配置する高透磁率磁性体
からなるシールド層のうち少なくとも一方のシールド層
の高さを上記磁気抵抗効果素子の高さよりも短かく構成
した点にある。
反対側の端部にトラック幅方向に対して傾いている切り
込み溝を設け、この磁気抵抗効果素子の切り込み溝を設
けた端部側後一部が上記磁気抵抗効果素子に接触するか
あるいは近接するようにバイアス用永久磁石を配置し、
上記磁気抵抗効果素子の両側に配置する高透磁率磁性体
からなるシールド層のうち少なくとも一方のシールド層
の高さを上記磁気抵抗効果素子の高さよりも短かく構成
した点にある。
以下本発明を第３図に示した実施例および第４図を用い
て詳細に説明する１、。
て詳細に説明する１、。
第６図は本発明のＭＲヘッドの一実施例を示す構造図で
、（ａ）は正面図、（ｂ）は（４）の部分断面図である
。第３図において、７は基板、８．３４はニッケルー鉄
合金等からなる膜厚２μｍの高透磁率磁性体層（シール
ド／−）、３１．３２は膜厚ｏ３μｍの５ｉ０２等の非
磁性絶縁体層、６３はマグネタイト等からなる膜厚０．
３μｍのバイアス用永久磁石薄膜、３５はニッケルー鉄
合金等からなる膜厚０．０５μｍのＭＲ素子、 ３／＋
、 ３７はアルミニウムから々る電極で、ＭＲ素子３５
の両端にそれぞれ設けである。第６図（ａ）には、（ｂ
）のシールド層３４と非磁性絶縁体層３２を除いた状態
を示しであるが、ＭＲ素子６５には、同図（ａ）に示す
ように、磁気記録媒体６側と反対側の端部にトラック幅
方向に対してθ度（σ＜９０度）傾けた複数の切り込み
溝６８が設けである・−。
、（ａ）は正面図、（ｂ）は（４）の部分断面図である
。第３図において、７は基板、８．３４はニッケルー鉄
合金等からなる膜厚２μｍの高透磁率磁性体層（シール
ド／−）、３１．３２は膜厚ｏ３μｍの５ｉ０２等の非
磁性絶縁体層、６３はマグネタイト等からなる膜厚０．
３μｍのバイアス用永久磁石薄膜、３５はニッケルー鉄
合金等からなる膜厚０．０５μｍのＭＲ素子、 ３／＋
、 ３７はアルミニウムから々る電極で、ＭＲ素子３５
の両端にそれぞれ設けである。第６図（ａ）には、（ｂ
）のシールド層３４と非磁性絶縁体層３２を除いた状態
を示しであるが、ＭＲ素子６５には、同図（ａ）に示す
ように、磁気記録媒体６側と反対側の端部にトラック幅
方向に対してθ度（σ＜９０度）傾けた複数の切り込み
溝６８が設けである・−。
図に示す実施例では、第３図（ａ）において、トラック
幅Ｗ＝ １５０ μｍ 、 ａ ＝ １５μｍ 、各切
り込み溝３８の溝幅ｂ＝１μｍ、低面から切り込み溝３
８までの距離ｃ＝７５μｒｒ＋＋ θ＝３０度、ＭＲ素
子３５の高さ）Ｉ Ｍ ”” ５０１１ｍ＋また、第３
図（ｂ）ニオイテ、シールドＮ６４の高さｈｓ ＝ ３
０μｍとしである。従来は、バイアス用永久磁石薄膜が
シールド層内部にあったため、シールドギャップ長が大
きくならざるを得なかったが、上記した本発明の実施例
によれば、シールド層３４の高さｈｓをＭＲ素子３５の
高さ）ＩＭよりも小さくしであるので、バイアス用永久
磁石薄膜３３を図示のようにシールド層６４の外部に設
けることが可能になり、シールドギャップ長を０４μｍ
以下にすることができる。
幅Ｗ＝ １５０ μｍ 、 ａ ＝ １５μｍ 、各切
り込み溝３８の溝幅ｂ＝１μｍ、低面から切り込み溝３
８までの距離ｃ＝７５μｒｒ＋＋ θ＝３０度、ＭＲ素
子３５の高さ）Ｉ Ｍ ”” ５０１１ｍ＋また、第３
図（ｂ）ニオイテ、シールドＮ６４の高さｈｓ ＝ ３
０μｍとしである。従来は、バイアス用永久磁石薄膜が
シールド層内部にあったため、シールドギャップ長が大
きくならざるを得なかったが、上記した本発明の実施例
によれば、シールド層３４の高さｈｓをＭＲ素子３５の
高さ）ＩＭよりも小さくしであるので、バイアス用永久
磁石薄膜３３を図示のようにシールド層６４の外部に設
けることが可能になり、シールドギャップ長を０４μｍ
以下にすることができる。
すなわち、シールドギャップ長は、非磁性絶縁体層３１
．３２の厚さのみで決まるようになり、絶縁体層３１．
３２のピンホールの問題を回避できる程度の膜厚の合計
厚さまでシールドギャップ長を短かくできる。ところで
、例えば、高周波スパッタ法で５ｔＯ２の絶縁体層を形
成するようにすると、絶縁体層の厚さを０．２μｍ以下
にすることが可能であり、シールドギャップ長を０４μ
ｍ以下にすることができる。これにより、シールドギャ
ップ長に関する限りにおいては、分解能を記録波長０３
μｍ以下とすることができる。
．３２の厚さのみで決まるようになり、絶縁体層３１．
３２のピンホールの問題を回避できる程度の膜厚の合計
厚さまでシールドギャップ長を短かくできる。ところで
、例えば、高周波スパッタ法で５ｔＯ２の絶縁体層を形
成するようにすると、絶縁体層の厚さを０．２μｍ以下
にすることが可能であり、シールドギャップ長を０４μ
ｍ以下にすることができる。これにより、シールドギャ
ップ長に関する限りにおいては、分解能を記録波長０３
μｍ以下とすることができる。
次に本発明に係るＭＲ、ヘッドの動作について説明する
。ＭＲ素子３５の磁気記録媒体６側と反対側に角度θで
切り込み溝３８が設けてあり、また、これに永久磁石薄
膜３３を接触させて設けであるので、ＭＲ素子３５の磁
化Ｍを電流ｉの方向に対して傾けることができ、最適動
作点を得ることができる。一方、シールド層とバイアス
用永久磁石が共存するときには、バイアス磁界がシール
ド層にもれるため、ＭＲ素子に十分なバイアス磁界を印
加することができなくなるという問題があるが、上記し
た本発明の実施例においては、切り込み溝３８を設け、
また、ＭＲ素子３５とバイアス用永久磁石薄膜６３とを
接触させであるので、上記問題を解決することができる
。
。ＭＲ素子３５の磁気記録媒体６側と反対側に角度θで
切り込み溝３８が設けてあり、また、これに永久磁石薄
膜３３を接触させて設けであるので、ＭＲ素子３５の磁
化Ｍを電流ｉの方向に対して傾けることができ、最適動
作点を得ることができる。一方、シールド層とバイアス
用永久磁石が共存するときには、バイアス磁界がシール
ド層にもれるため、ＭＲ素子に十分なバイアス磁界を印
加することができなくなるという問題があるが、上記し
た本発明の実施例においては、切り込み溝３８を設け、
また、ＭＲ素子３５とバイアス用永久磁石薄膜６３とを
接触させであるので、上記問題を解決することができる
。
すなわち、切り込み溝３８により、ＭＲ素子ろ５が実際
に動作する部分を高さＣのところ捷でに限定し、シール
ド層６４の高さｈｓは高さＣよりも高くして十分なシー
ルド効果が得られるようにしさらに、シールド層６４と
バイアス用永久磁石薄膜３６との距離を十分大きくし、
また、ＭＲ素子３５とバイアス用永久磁石薄膜只とを接
触させて配置し、バイアス磁界がシールド層８にもれる
量を少なくしである。上記構成をとることにより、良好
な感度および線形性をもつＭＲヘッドとすることができ
る。
に動作する部分を高さＣのところ捷でに限定し、シール
ド層６４の高さｈｓは高さＣよりも高くして十分なシー
ルド効果が得られるようにしさらに、シールド層６４と
バイアス用永久磁石薄膜３６との距離を十分大きくし、
また、ＭＲ素子３５とバイアス用永久磁石薄膜只とを接
触させて配置し、バイアス磁界がシールド層８にもれる
量を少なくしである。上記構成をとることにより、良好
な感度および線形性をもつＭＲヘッドとすることができ
る。
第４図は、本発明に係るＭＲヘッドの切り込み溝角度θ
と出力レベルおよび２次歪レベルとの関係を示した線図
で、４１は出力レベルの特性曲線、４２は２次歪レベル
の特性曲線である。出力レベルはθ＝４５度付近で最も
高くなシ、２次歪レベルはθ＝３０度付近で最も低くな
る。これより切り込み溝角度θを２０〜６０度の範囲に
とれば、感度低下は３ｄＢ以内、２次歪レベルは４０〜
３００Ｂの間に収まり、実用上問題を生ずることがない
ことがわかる。
と出力レベルおよび２次歪レベルとの関係を示した線図
で、４１は出力レベルの特性曲線、４２は２次歪レベル
の特性曲線である。出力レベルはθ＝４５度付近で最も
高くなシ、２次歪レベルはθ＝３０度付近で最も低くな
る。これより切り込み溝角度θを２０〜６０度の範囲に
とれば、感度低下は３ｄＢ以内、２次歪レベルは４０〜
３００Ｂの間に収まり、実用上問題を生ずることがない
ことがわかる。
なお、上記した実施例では、バイアス用永久磁石薄膜６
６とＭＲ素子３５とを接触させて配置しであるが、両者
を接触させなくとも、十分近接させて配置するようにし
てもよく、はぼ同一の効果が得られる。
６とＭＲ素子３５とを接触させて配置しであるが、両者
を接触させなくとも、十分近接させて配置するようにし
てもよく、はぼ同一の効果が得られる。
以上説明したように、本発明によれば、シールドギャッ
プ長を０．４μｍ以下とすることができ短波長領域での
分解能を著しく改善できるという効果がある。
プ長を０．４μｍ以下とすることができ短波長領域での
分解能を著しく改善できるという効果がある。
第１図は従来のＭＲヘッドの斜視図、第２図は従来の他
のＭＲヘッドの要部部分断面図、第６図は本発明のＭＲ
ヘッドの一実施例を示す構造図、第４図は本発明に係る
ＭＲヘッドの切り込み溝角度θと出力レベルおよび２次
歪レベルとの関係を示す線図である。 ６・・・磁気記録媒体 ７・・・基板 ８，３４・・・
高透磁率磁性体層（シールド層）３１．３２・・・非磁
性絶縁体層 ６６・・・バイアス用永久磁石薄膜３５・
・・磁気抵抗効果素子（ｆＶＩＲ素子）３６’、 ３７
・・・電極 ３日・・・切シ込み溝 １ 第１図 第２図 ｌｌ 第３図 （仄）（ｂ〕 画〆°′ 第４７ ０２０″′３０° 勃°６０゜ 切り込み両度Ｏ 第１頁の続き 横浜市戸塚区吉田町２９２番地株 式会社日立製作所家電研究所内
のＭＲヘッドの要部部分断面図、第６図は本発明のＭＲ
ヘッドの一実施例を示す構造図、第４図は本発明に係る
ＭＲヘッドの切り込み溝角度θと出力レベルおよび２次
歪レベルとの関係を示す線図である。 ６・・・磁気記録媒体 ７・・・基板 ８，３４・・・
高透磁率磁性体層（シールド層）３１．３２・・・非磁
性絶縁体層 ６６・・・バイアス用永久磁石薄膜３５・
・・磁気抵抗効果素子（ｆＶＩＲ素子）３６’、 ３７
・・・電極 ３日・・・切シ込み溝 １ 第１図 第２図 ｌｌ 第３図 （仄）（ｂ〕 画〆°′ 第４７ ０２０″′３０° 勃°６０゜ 切り込み両度Ｏ 第１頁の続き 横浜市戸塚区吉田町２９２番地株 式会社日立製作所家電研究所内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁界の変化を抵抗値の変化として感知する磁気抵抗
効果素子を備え、該素子の両側に高透磁率磁性体からな
るシールド層を配置してなる磁気抵抗効果ヘッドにおい
て、前記磁気抵抗効果素子の磁気記録媒体側と反対側の
端部にトラック幅方向に対して傾いている切り込み溝を
設け、前記磁気抵抗効果素子の切り込み溝を設けた端部
側後方に一部が該素子に接触するかあるいは近接するよ
うにバイアス用永久磁石を配置し、前記両側のシールド
層のうち少々くとも一方のシールド層の高さを前記磁気
抵抗効果素子の高さよりも短かく構成したことを特徴と
する磁気抵抗効果ヘッド。 ２、前記切り込み溝のトラック幅方向に対する角度が２
０〜６０度としである特許請求の範囲第１項記載の磁気
抵抗効果ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19850681A JPS58100216A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19850681A JPS58100216A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58100216A true JPS58100216A (ja) | 1983-06-14 |
Family
ID=16392261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19850681A Pending JPS58100216A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | 磁気抵抗効果ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58100216A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0534791A2 (en) * | 1991-09-27 | 1993-03-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetoresistance effect type thin film magnetic head |
| EP0585008A2 (en) * | 1992-08-25 | 1994-03-02 | Seagate Technology International | A magnetoresistive sensor and method of making the same |
| US5995309A (en) * | 1995-03-06 | 1999-11-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium |
| US6282067B1 (en) * | 1998-09-18 | 2001-08-28 | Nippon Hoso Kyokai | Magnetic reproducing head having a magnetoresistive effect |
-
1981
- 1981-12-11 JP JP19850681A patent/JPS58100216A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0534791A2 (en) * | 1991-09-27 | 1993-03-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetoresistance effect type thin film magnetic head |
| US5402292A (en) * | 1991-09-27 | 1995-03-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetoresistance effect type thin film magnetic head using high coercion films |
| EP0585008A2 (en) * | 1992-08-25 | 1994-03-02 | Seagate Technology International | A magnetoresistive sensor and method of making the same |
| EP0585008A3 (en) * | 1992-08-25 | 1995-11-08 | Seagate Technology | A magnetoresistive sensor and method of making the same |
| US5995309A (en) * | 1995-03-06 | 1999-11-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium |
| US6282067B1 (en) * | 1998-09-18 | 2001-08-28 | Nippon Hoso Kyokai | Magnetic reproducing head having a magnetoresistive effect |
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