JPH06309628A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッドInfo
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- JPH06309628A JPH06309628A JP5097476A JP9747693A JPH06309628A JP H06309628 A JPH06309628 A JP H06309628A JP 5097476 A JP5097476 A JP 5097476A JP 9747693 A JP9747693 A JP 9747693A JP H06309628 A JPH06309628 A JP H06309628A
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- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
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- G11B5/3948—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 再生出力を向上し、装置の省力化,小型化を
図る。 【構成】 MR素子6の媒体対向面10側に先端電極7
を接続長さL1 で積層し、上部磁性磁極5を上記先端電
極7を介し、磁気ギャップGを介してMR素子6と対向
長さL2 で対向させる際、接続長さL1 を対向長さL2
以下とする。この時、磁気ギャップGのギャップ長g1
よりも大である距離g2 を有して対向する部分を有す
る、該部分の対向長さL3 が1μm≦L3 ≦5μmであ
る、距離g2がギャップ長g1 の3倍以下であっても良
い。また、距離g2 を有して対向する部分において、上
部磁性磁極を30°以下の角度を有してMR素子から遠
ざかるように形成し、距離g2 が次第に増加するように
しても良い。さらには、MR素子と上部磁性磁極が先端
電極によって電気的に接続されるものとしても良い。
図る。 【構成】 MR素子6の媒体対向面10側に先端電極7
を接続長さL1 で積層し、上部磁性磁極5を上記先端電
極7を介し、磁気ギャップGを介してMR素子6と対向
長さL2 で対向させる際、接続長さL1 を対向長さL2
以下とする。この時、磁気ギャップGのギャップ長g1
よりも大である距離g2 を有して対向する部分を有す
る、該部分の対向長さL3 が1μm≦L3 ≦5μmであ
る、距離g2がギャップ長g1 の3倍以下であっても良
い。また、距離g2 を有して対向する部分において、上
部磁性磁極を30°以下の角度を有してMR素子から遠
ざかるように形成し、距離g2 が次第に増加するように
しても良い。さらには、MR素子と上部磁性磁極が先端
電極によって電気的に接続されるものとしても良い。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドに係わり、詳細には先端電極の接続構造の改良に関
するものである。
ッドに係わり、詳細には先端電極の接続構造の改良に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】ハードディスクドライブ装置等において
再生用磁気ヘッドとして用いられている磁気抵抗効果型
磁気ヘッド(以下、MRヘッドと称する。)は、例えば
図17に示すように下部磁性磁極51上に第1の絶縁膜
52を介して感磁部53が形成され、さらに第2の絶縁
膜54を介して上部磁性磁極55が形成されてなる。上
記感磁部53は、主に媒体対向面60側に先端電極5
7,反対側に後端電極58が設けられた磁気抵抗効果素
子56(以下、MR素子と称する。)と、このMR素子
56と直交して横切るように設けられMR素子56に所
定の向きのバイアス磁界を与えるバイアス導体59によ
って構成される。なお、MR素子56とバイアス導体5
9間にも第2の絶縁膜54が介在する。
再生用磁気ヘッドとして用いられている磁気抵抗効果型
磁気ヘッド(以下、MRヘッドと称する。)は、例えば
図17に示すように下部磁性磁極51上に第1の絶縁膜
52を介して感磁部53が形成され、さらに第2の絶縁
膜54を介して上部磁性磁極55が形成されてなる。上
記感磁部53は、主に媒体対向面60側に先端電極5
7,反対側に後端電極58が設けられた磁気抵抗効果素
子56(以下、MR素子と称する。)と、このMR素子
56と直交して横切るように設けられMR素子56に所
定の向きのバイアス磁界を与えるバイアス導体59によ
って構成される。なお、MR素子56とバイアス導体5
9間にも第2の絶縁膜54が介在する。
【0003】一般に、この種のMRヘッドにおいては、
上部磁性磁極55は媒体対向面60付近で屈曲した形状
となされており、上部磁性磁極55,下部磁性磁極51
間の距離が媒体対向面60側において狭まるようになさ
れ、上部磁性磁極55の先端部55aや下部磁性磁極5
1の先端部51aは、それぞれ所定のギャップ長を有す
る磁気ギャップGを介してMR素子56と対向するよう
になされている。そして、上部磁性磁極55の先端部5
5aは先端電極57と接続されており、通常はMR素子
56と先端電極57の接続長さL1 がそのままデプスと
されている。すなわち、前記MR素子56と先端電極5
7の接続長さL1 と、上部磁性磁極55の先端部55a
がギャップ長g1 を有する磁気ギャップGを介してMR
素子56と対向する対向長さL2 とは同一となされてい
る。
上部磁性磁極55は媒体対向面60付近で屈曲した形状
となされており、上部磁性磁極55,下部磁性磁極51
間の距離が媒体対向面60側において狭まるようになさ
れ、上部磁性磁極55の先端部55aや下部磁性磁極5
1の先端部51aは、それぞれ所定のギャップ長を有す
る磁気ギャップGを介してMR素子56と対向するよう
になされている。そして、上部磁性磁極55の先端部5
5aは先端電極57と接続されており、通常はMR素子
56と先端電極57の接続長さL1 がそのままデプスと
されている。すなわち、前記MR素子56と先端電極5
7の接続長さL1 と、上部磁性磁極55の先端部55a
がギャップ長g1 を有する磁気ギャップGを介してMR
素子56と対向する対向長さL2 とは同一となされてい
る。
【0004】このようなMRヘッドによって情報の再生
を行う際には、MR素子56に先端電極57及び後端電
極58よりセンス電流を供給し、且つMR素子56にバ
イアス導体59によりバイアス磁界を印加してMR素子
56に所定の向きの磁化を与えておく。上記MR素子5
6が媒体からの漏洩磁束を受けると、その磁束によって
MR素子56の磁化の向きが回転し、MR素子56内部
に流れる電流の向きに対して磁束量に応じた角度をもつ
ようになる。そのため、MR素子56の電気抵抗値が変
化し、この変化量に応じた電圧変化がMR素子の両端の
電極に生じるため、これを検出することによって情報の
再生を行う。
を行う際には、MR素子56に先端電極57及び後端電
極58よりセンス電流を供給し、且つMR素子56にバ
イアス導体59によりバイアス磁界を印加してMR素子
56に所定の向きの磁化を与えておく。上記MR素子5
6が媒体からの漏洩磁束を受けると、その磁束によって
MR素子56の磁化の向きが回転し、MR素子56内部
に流れる電流の向きに対して磁束量に応じた角度をもつ
ようになる。そのため、MR素子56の電気抵抗値が変
化し、この変化量に応じた電圧変化がMR素子の両端の
電極に生じるため、これを検出することによって情報の
再生を行う。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
なMRヘッドにおいては、再生出力の向上が求められて
いるが、該MRヘッドの再生出力は、感磁部中に配され
るMR素子の感度によって決定される。上記MRヘッド
においてはMR素子が媒体対向面に対して垂直に配され
ていることから、MR素子の媒体対向面に近い部分ほど
信号磁束流入量が大きく、感度が高いこととなる。とこ
ろが、MR素子の媒体対向面側には先端電極が配されて
おり、MR素子の先端電極と接続されている部分におい
ては、磁気抵抗効果は期待できない。従って、MR素子
と先端電極の接続長さL1 をなるべく小さいものとし、
感度の良好な領域を使用してMR素子の感度を向上さ
せ、MRヘッドの再生出力を向上させることが望まれて
いる。
なMRヘッドにおいては、再生出力の向上が求められて
いるが、該MRヘッドの再生出力は、感磁部中に配され
るMR素子の感度によって決定される。上記MRヘッド
においてはMR素子が媒体対向面に対して垂直に配され
ていることから、MR素子の媒体対向面に近い部分ほど
信号磁束流入量が大きく、感度が高いこととなる。とこ
ろが、MR素子の媒体対向面側には先端電極が配されて
おり、MR素子の先端電極と接続されている部分におい
ては、磁気抵抗効果は期待できない。従って、MR素子
と先端電極の接続長さL1 をなるべく小さいものとし、
感度の良好な領域を使用してMR素子の感度を向上さ
せ、MRヘッドの再生出力を向上させることが望まれて
いる。
【0006】一方、上記のようなMRヘッドにおいて
は、装置の省力化,小型化が求められている。上記のよ
うに再生出力を向上させるためにMR素子と先端電極の
接続長さL1 をなるべく小さくすると、その先端部が先
端電極に接続するように積層形成される上部磁性磁極と
MR素子が磁気ギャップGを有して対向する対向長さL
2 も同様に短くなることとなる。ところが、対向長さL
2 が短くなると、最適なバイアス磁界を発生させるため
に必要とされるバイアス電流が大きくなってしまい、装
置の省力化を達成することが困難となる。
は、装置の省力化,小型化が求められている。上記のよ
うに再生出力を向上させるためにMR素子と先端電極の
接続長さL1 をなるべく小さくすると、その先端部が先
端電極に接続するように積層形成される上部磁性磁極と
MR素子が磁気ギャップGを有して対向する対向長さL
2 も同様に短くなることとなる。ところが、対向長さL
2 が短くなると、最適なバイアス磁界を発生させるため
に必要とされるバイアス電流が大きくなってしまい、装
置の省力化を達成することが困難となる。
【0007】さらに、通常、MRヘッドが再生装置とし
て使用されるハードディスクドライブ装置においては、
記録容量を高めるために複数枚のハードディスクが内蔵
されており、これに対応すべく複数個のMRヘッドが組
み込まれている。これらのMRヘッドにおいては、各M
Rヘッドに必要とされるセンス電流間には差が無いた
め、センス電流は同一の端子によって供給されている。
しかしながら、上記のように上部磁性磁極とMR素子が
磁気ギャップGを有して対向する対向長さL2 を短くす
ると、最適バイアス磁界を発生させるために必要とされ
るバイアス電流の対向長さL2 への依存性が高くなり、
対向長さL2 の微小な差によって必要とされるバイアス
電流が異なってしまう。すなわち、各MRヘッドのバイ
アス電流を同一の端子で供給することは不可能である。
従って、ハードディスクドライブ装置内には各MRヘッ
ド毎にバイアス電流用の端子が形成されることとなり、
装置の小型化を達成することは難しい。
て使用されるハードディスクドライブ装置においては、
記録容量を高めるために複数枚のハードディスクが内蔵
されており、これに対応すべく複数個のMRヘッドが組
み込まれている。これらのMRヘッドにおいては、各M
Rヘッドに必要とされるセンス電流間には差が無いた
め、センス電流は同一の端子によって供給されている。
しかしながら、上記のように上部磁性磁極とMR素子が
磁気ギャップGを有して対向する対向長さL2 を短くす
ると、最適バイアス磁界を発生させるために必要とされ
るバイアス電流の対向長さL2 への依存性が高くなり、
対向長さL2 の微小な差によって必要とされるバイアス
電流が異なってしまう。すなわち、各MRヘッドのバイ
アス電流を同一の端子で供給することは不可能である。
従って、ハードディスクドライブ装置内には各MRヘッ
ド毎にバイアス電流用の端子が形成されることとなり、
装置の小型化を達成することは難しい。
【0008】また、バイアス導体より発生するバイアス
磁界の一部は、上部磁性磁極から下部磁性磁極へと流れ
ており、両者間に配されるMR素子にも印加される。こ
の際、MR素子においてバイアス磁界の影響を最も強く
受ける部分は、上部磁性磁極と下部磁性磁極間の距離が
狭まっている部分(先端電極近傍)であり、この部分で
飽和を起こしやすい。従って、従来のMRヘッドにおい
ては、MR素子の最も感度の高い部分が有効に使われて
おらず、再生出力が良好でないという不都合が生じる。
磁界の一部は、上部磁性磁極から下部磁性磁極へと流れ
ており、両者間に配されるMR素子にも印加される。こ
の際、MR素子においてバイアス磁界の影響を最も強く
受ける部分は、上部磁性磁極と下部磁性磁極間の距離が
狭まっている部分(先端電極近傍)であり、この部分で
飽和を起こしやすい。従って、従来のMRヘッドにおい
ては、MR素子の最も感度の高い部分が有効に使われて
おらず、再生出力が良好でないという不都合が生じる。
【0009】そこで本発明は、従来の実情に鑑みて提案
されたものであり、MR素子の感度の良好な領域が使用
され、該領域でのバイアス磁界の飽和が発生せず、再生
出力が向上され、小さなバイアス電流によって最適バイ
アス磁界を得ることが可能であり、必要とされる端子数
が削減され、装置の省力化,小型化に対応することが可
能となされる磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供すること
を目的とする。
されたものであり、MR素子の感度の良好な領域が使用
され、該領域でのバイアス磁界の飽和が発生せず、再生
出力が向上され、小さなバイアス電流によって最適バイ
アス磁界を得ることが可能であり、必要とされる端子数
が削減され、装置の省力化,小型化に対応することが可
能となされる磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供すること
を目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、少なくとも磁気抵抗効果素子の媒体対
向面側に先端電極が積層され、該先端電極を介して上部
磁性磁極が磁気抵抗効果素子と対向するように積層形成
されてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、磁気抵
抗効果素子と先端電極の接続長さL1 が、上部磁性磁極
と磁気抵抗効果素子が磁気ギャップGを有して対向する
対向長さL2 以下であることを特徴とするものである。
めに、本発明は、少なくとも磁気抵抗効果素子の媒体対
向面側に先端電極が積層され、該先端電極を介して上部
磁性磁極が磁気抵抗効果素子と対向するように積層形成
されてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、磁気抵
抗効果素子と先端電極の接続長さL1 が、上部磁性磁極
と磁気抵抗効果素子が磁気ギャップGを有して対向する
対向長さL2 以下であることを特徴とするものである。
【0011】また本発明は上述の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドにおいて、上部磁性磁極と磁気抵抗効果素子が磁気
ギャップGのギャップ長g1 よりも大である距離g2 を
有して対向する部分を有することを特徴とするものであ
る。
ッドにおいて、上部磁性磁極と磁気抵抗効果素子が磁気
ギャップGのギャップ長g1 よりも大である距離g2 を
有して対向する部分を有することを特徴とするものであ
る。
【0012】さらに本発明は、上述のような磁気抵抗効
果型磁気ヘッドにおいて、上部磁性磁極と磁気抵抗効果
素子が磁気ギャップGのギャップ長g1 よりも大である
距離g2 を有して対向する対向長さL3 が、1μm≦L
3 ≦5μmであることを特徴とするものである。この
時、対向長さL3 が1μm未満であると、最適バイアス
磁界を形成するために必要とされるバイアス電流の対向
長さL2 への依存性が高くなり、対向長さL2 の微小な
差によって必要とされるバイアス電流が異なってしま
う。
果型磁気ヘッドにおいて、上部磁性磁極と磁気抵抗効果
素子が磁気ギャップGのギャップ長g1 よりも大である
距離g2 を有して対向する対向長さL3 が、1μm≦L
3 ≦5μmであることを特徴とするものである。この
時、対向長さL3 が1μm未満であると、最適バイアス
磁界を形成するために必要とされるバイアス電流の対向
長さL2 への依存性が高くなり、対向長さL2 の微小な
差によって必要とされるバイアス電流が異なってしま
う。
【0013】また本発明は、上述のような磁気抵抗効果
型磁気ヘッドにおいて、距離g2 が磁気ギャップGのギ
ャップ長g1 の3倍以下であることを特徴とするもので
ある。この時、距離g2 がギャップ長の3倍よりも大き
いと、最適バイアス磁界を形成するために必要とされる
バイアス電流の対向長さL2 への依存性が高くなり、対
向長さL2 の微小な差によって必要とされるバイアス電
流が異なってしまう。
型磁気ヘッドにおいて、距離g2 が磁気ギャップGのギ
ャップ長g1 の3倍以下であることを特徴とするもので
ある。この時、距離g2 がギャップ長の3倍よりも大き
いと、最適バイアス磁界を形成するために必要とされる
バイアス電流の対向長さL2 への依存性が高くなり、対
向長さL2 の微小な差によって必要とされるバイアス電
流が異なってしまう。
【0014】さらに本発明は、上述のような磁気抵抗効
果型磁気ヘッドにおいて、上部磁性磁極と磁気抵抗効果
素子が距離g2 を有して対向する部分において、上部磁
性磁極が30°以下の角度を有して磁気抵抗効果素子か
ら遠ざかるように形成され、距離g2 が次第に増加して
いることを特徴とするものである。この時、上部磁性磁
極が30°よりも大きな角度を有して形成されている
と、最適バイアス磁界を形成するために必要とされるバ
イアス電流の対向長さL2 への依存性が高くなり、対向
長さL2 の微小な差によって必要とされるバイアス電流
が異なってしまう。
果型磁気ヘッドにおいて、上部磁性磁極と磁気抵抗効果
素子が距離g2 を有して対向する部分において、上部磁
性磁極が30°以下の角度を有して磁気抵抗効果素子か
ら遠ざかるように形成され、距離g2 が次第に増加して
いることを特徴とするものである。この時、上部磁性磁
極が30°よりも大きな角度を有して形成されている
と、最適バイアス磁界を形成するために必要とされるバ
イアス電流の対向長さL2 への依存性が高くなり、対向
長さL2 の微小な差によって必要とされるバイアス電流
が異なってしまう。
【0015】さらに本発明は、上述のような磁気抵抗効
果型磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素子と上部磁性
磁極が先端電極によって電気的に接続されていることを
特徴とするものである。
果型磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素子と上部磁性
磁極が先端電極によって電気的に接続されていることを
特徴とするものである。
【0016】
【作用】本発明においては、少なくとも磁気抵抗効果素
子の媒体対向面側に先端電極が積層され、該先端電極を
介して上部磁性磁極が磁気抵抗効果素子と対向するよう
に積層形成されてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおい
て、磁気抵抗効果素子と先端電極の接続長さL1 が、上
部磁性磁極と磁気抵抗効果素子が磁気ギャップGを有し
て対向する対向長さL2 以下であるため、磁気抵抗効果
素子の感度の良好な領域での磁気抵抗効果を得ることが
でき、小さいバイアス電流で最適なバイアス磁界を得る
ことができる。
子の媒体対向面側に先端電極が積層され、該先端電極を
介して上部磁性磁極が磁気抵抗効果素子と対向するよう
に積層形成されてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおい
て、磁気抵抗効果素子と先端電極の接続長さL1 が、上
部磁性磁極と磁気抵抗効果素子が磁気ギャップGを有し
て対向する対向長さL2 以下であるため、磁気抵抗効果
素子の感度の良好な領域での磁気抵抗効果を得ることが
でき、小さいバイアス電流で最適なバイアス磁界を得る
ことができる。
【0017】また本発明は、上述のような磁気抵抗効果
型磁気ヘッドにおいて、上部磁性磁極と磁気抵抗効果素
子が磁気ギャップGのギャップ長g1 よりも大である距
離g 2 を有して対向する対向長さL3 が、1μm≦L3
≦5μmであるため、磁気抵抗効果素子中のバイアス磁
界分布が変化し、バイアス磁界の飽和位置が磁気抵抗効
果素子の感度の良好な領域から外れる。また、最適バイ
アス磁界を形成するために必要とされるバイアス電流の
対向長さL2 への依存性を低くすることができ、対向長
さL2 の微小な差によって必要とされるバイアス電流が
変化することがない。
型磁気ヘッドにおいて、上部磁性磁極と磁気抵抗効果素
子が磁気ギャップGのギャップ長g1 よりも大である距
離g 2 を有して対向する対向長さL3 が、1μm≦L3
≦5μmであるため、磁気抵抗効果素子中のバイアス磁
界分布が変化し、バイアス磁界の飽和位置が磁気抵抗効
果素子の感度の良好な領域から外れる。また、最適バイ
アス磁界を形成するために必要とされるバイアス電流の
対向長さL2 への依存性を低くすることができ、対向長
さL2 の微小な差によって必要とされるバイアス電流が
変化することがない。
【0018】さらに本発明は、上述のような磁気抵抗効
果型磁気ヘッドにおいて、距離g2が磁気ギャップGの
ギャップ長g1 の3倍以下であるため、磁気抵抗効果素
子中のバイアス磁界分布が変化し、バイアス磁界の飽和
位置が磁気抵抗効果素子の感度の良好な領域から外れ
る。また、最適バイアス磁界を形成するために必要とさ
れるバイアス電流の対向長さL2 への依存性を低くする
ことができ、対向長さL 2 の微小な差によって必要とさ
れるバイアス電流が変化することがない。
果型磁気ヘッドにおいて、距離g2が磁気ギャップGの
ギャップ長g1 の3倍以下であるため、磁気抵抗効果素
子中のバイアス磁界分布が変化し、バイアス磁界の飽和
位置が磁気抵抗効果素子の感度の良好な領域から外れ
る。また、最適バイアス磁界を形成するために必要とさ
れるバイアス電流の対向長さL2 への依存性を低くする
ことができ、対向長さL 2 の微小な差によって必要とさ
れるバイアス電流が変化することがない。
【0019】また本発明は、上述のような磁気抵抗効果
型磁気ヘッドにおいて、上部磁性磁極と磁気抵抗効果素
子が距離g2 を有して対向する部分において、上部磁性
磁極が30°以下の角度を有して磁気抵抗効果素子から
遠ざかるように形成され、距離g2 が次第に増加してい
るため、磁気抵抗効果素子中のバイアス磁界分布が変化
し、バイアス磁界の飽和位置が磁気抵抗効果素子の感度
の良好な領域から外れる。また、最適バイアス磁界を形
成するために必要とされるバイアス電流の対向長さL2
への依存性を低くすることができ、対向長さL2 の微小
な差によって必要とされるバイアス電流が変化すること
がない。
型磁気ヘッドにおいて、上部磁性磁極と磁気抵抗効果素
子が距離g2 を有して対向する部分において、上部磁性
磁極が30°以下の角度を有して磁気抵抗効果素子から
遠ざかるように形成され、距離g2 が次第に増加してい
るため、磁気抵抗効果素子中のバイアス磁界分布が変化
し、バイアス磁界の飽和位置が磁気抵抗効果素子の感度
の良好な領域から外れる。また、最適バイアス磁界を形
成するために必要とされるバイアス電流の対向長さL2
への依存性を低くすることができ、対向長さL2 の微小
な差によって必要とされるバイアス電流が変化すること
がない。
【0020】また本発明は、上述のような磁気抵抗効果
型磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素子と上部磁性磁
極が先端電極によって電気的に接続されているため、磁
気抵抗効果型磁気ヘッドに配される端子数を削減するこ
とができる。
型磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素子と上部磁性磁
極が先端電極によって電気的に接続されているため、磁
気抵抗効果型磁気ヘッドに配される端子数を削減するこ
とができる。
【0021】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら説明する。先ず、従来の構造を
有するMRヘッドにおけるMR素子と先端電極の接続長
さL1 と再生出力の関係、上部磁性磁極とMR素子が磁
気ギャップGを有して対向する対向長さL2 と最適バイ
アス磁界を得るために必要とされるバイアス電流の関
係、さらにMR素子中のバイアス磁界の分布について調
査を行った。
いて図面を参照しながら説明する。先ず、従来の構造を
有するMRヘッドにおけるMR素子と先端電極の接続長
さL1 と再生出力の関係、上部磁性磁極とMR素子が磁
気ギャップGを有して対向する対向長さL2 と最適バイ
アス磁界を得るために必要とされるバイアス電流の関
係、さらにMR素子中のバイアス磁界の分布について調
査を行った。
【0022】第1に従来の構造を有するMRヘッドにお
けるMR素子と先端電極の接続長さL1 と再生出力の関
係について調査を行った。すなわち、同一のMRヘッド
において接続長さL1 を変化させた場合の再生出力を測
定した。結果を図1に示す。図1の結果より、接続長さ
L1 が小さいほど再生出力が向上されていることがわか
る。これは、上記MRヘッドにおいてはMR素子が媒体
対向面に対して垂直に配されていることから、図2に示
すようにMR素子の媒体対向面に近い部分ほど信号磁束
流入量が大きく、感度が高いためと思われる。すなわ
ち、再生出力を向上させるためには、接続長さL1 をで
きるだけ短くすると良い。ただし、信号磁束流入量を考
慮すると、接続長さL1 は1±0.5μmであることが
好ましい。
けるMR素子と先端電極の接続長さL1 と再生出力の関
係について調査を行った。すなわち、同一のMRヘッド
において接続長さL1 を変化させた場合の再生出力を測
定した。結果を図1に示す。図1の結果より、接続長さ
L1 が小さいほど再生出力が向上されていることがわか
る。これは、上記MRヘッドにおいてはMR素子が媒体
対向面に対して垂直に配されていることから、図2に示
すようにMR素子の媒体対向面に近い部分ほど信号磁束
流入量が大きく、感度が高いためと思われる。すなわ
ち、再生出力を向上させるためには、接続長さL1 をで
きるだけ短くすると良い。ただし、信号磁束流入量を考
慮すると、接続長さL1 は1±0.5μmであることが
好ましい。
【0023】第2に従来の構造を有するMRヘッドにお
ける上部磁性磁極とMR素子が磁気ギャップGを有して
対向する対向長さL2 と最適バイアス磁界を得るために
必要とされるバイアス電流の関係について調査を行っ
た。この時、最適バイアス磁界とは、図3のような磁気
抵抗効果特性を有するMR素子を線形領域で使用するこ
とを可能とするようなバイアス磁界Hbを示す。すなわ
ち、同一のMRヘッドにおいて、対向長さL2 を変化さ
せ、この時、最適バイアス磁界Hbを得るために必要と
されるバイアス電流Ibの測定を行った。結果を図4に
示す。図4の結果からも明らかなように、対向長さL2
が短い程、最適バイアス磁界Hbを得るために必要とさ
れるバイアス電流Ibが大きくなる。また、対向長さL
2 が1μm以上の範囲においては、バイアス電流Ibが
あまり変化しないことが確認された。すなわち、バイア
ス電流Ibを小さく抑えて装置の省力化を図り、該バイ
アス電流Ibの対向長さL2 依存性を低くしてMRヘッ
ド毎のバイアス電流用端子を共通化して装置の小型化を
達成するためには、対向長さL2 をある程度の長さとす
る必要がある。ただし、バイアス電流Ibを小さくする
ためには、対向長さL 2 を2μm以上とすることが好ま
しい。
ける上部磁性磁極とMR素子が磁気ギャップGを有して
対向する対向長さL2 と最適バイアス磁界を得るために
必要とされるバイアス電流の関係について調査を行っ
た。この時、最適バイアス磁界とは、図3のような磁気
抵抗効果特性を有するMR素子を線形領域で使用するこ
とを可能とするようなバイアス磁界Hbを示す。すなわ
ち、同一のMRヘッドにおいて、対向長さL2 を変化さ
せ、この時、最適バイアス磁界Hbを得るために必要と
されるバイアス電流Ibの測定を行った。結果を図4に
示す。図4の結果からも明らかなように、対向長さL2
が短い程、最適バイアス磁界Hbを得るために必要とさ
れるバイアス電流Ibが大きくなる。また、対向長さL
2 が1μm以上の範囲においては、バイアス電流Ibが
あまり変化しないことが確認された。すなわち、バイア
ス電流Ibを小さく抑えて装置の省力化を図り、該バイ
アス電流Ibの対向長さL2 依存性を低くしてMRヘッ
ド毎のバイアス電流用端子を共通化して装置の小型化を
達成するためには、対向長さL2 をある程度の長さとす
る必要がある。ただし、バイアス電流Ibを小さくする
ためには、対向長さL 2 を2μm以上とすることが好ま
しい。
【0024】ところが、従来の構造を有するMRヘッド
においては、MR素子と先端電極の接続長さL1 と上部
磁性磁極とMR素子が磁気ギャップGを有して対向する
対向長さL2 は同一となされており、上記のような方法
で再生特性の向上と装置の省力化,小型化を達成するこ
とは難しい。
においては、MR素子と先端電極の接続長さL1 と上部
磁性磁極とMR素子が磁気ギャップGを有して対向する
対向長さL2 は同一となされており、上記のような方法
で再生特性の向上と装置の省力化,小型化を達成するこ
とは難しい。
【0025】第3に従来の構造を有するMRヘッドにお
けるMR素子中のバイアス磁界の分布について調査を行
った。バイアス磁界の分布は、次のようにして調査を行
った。すなわち、MR素子の飽和磁化Msに対する信号
磁場方向の磁化成分Myの比を調査した。この際、MR
素子の磁化の方向が所定の角度45°を有すると、My
/Ms=0.71となる。結果を図5に示す。図5の結
果を見てわかるように、MR素子の媒体対向面側におい
て飽和が発生している。図2の結果と併せて考えると、
MR素子の信号磁束流入量の大きい領域でバイアス磁界
の飽和は発生しており、これによってもMR素子の感度
が低下し、再生出力が低下することは容易に推察され
る。
けるMR素子中のバイアス磁界の分布について調査を行
った。バイアス磁界の分布は、次のようにして調査を行
った。すなわち、MR素子の飽和磁化Msに対する信号
磁場方向の磁化成分Myの比を調査した。この際、MR
素子の磁化の方向が所定の角度45°を有すると、My
/Ms=0.71となる。結果を図5に示す。図5の結
果を見てわかるように、MR素子の媒体対向面側におい
て飽和が発生している。図2の結果と併せて考えると、
MR素子の信号磁束流入量の大きい領域でバイアス磁界
の飽和は発生しており、これによってもMR素子の感度
が低下し、再生出力が低下することは容易に推察され
る。
【0026】本実施例のMRヘッドは、上記のような不
都合を解決するものであり、再生出力が向上され、小さ
なバイアス電流によって最適バイアス磁界を得ることが
でき、バイアス電流Ibの対向長さL2 依存性を低く
し、装置の省力化,小型化に対応することも可能とする
ものである。
都合を解決するものであり、再生出力が向上され、小さ
なバイアス電流によって最適バイアス磁界を得ることが
でき、バイアス電流Ibの対向長さL2 依存性を低く
し、装置の省力化,小型化に対応することも可能とする
ものである。
【0027】先ず、第1の実施例は、図6に示すような
形状を有するものであり、下部磁性磁極1上に第1の絶
縁膜2を介して感磁部3が形成され、さらに第2の絶縁
膜4を介して上部磁性磁極5が形成されてなる。上記感
磁部3は、媒体対向面10側に先端電極7,反対側に後
端電極8の設けられたMR素子6、MR素子6と直交し
て横切るように設けられ、MR素子6に所定の磁化の向
きを与えるバイアス導体9によって構成される。なお、
MR素子6とバイアス導体9間にも第2の絶縁膜4が介
在する。
形状を有するものであり、下部磁性磁極1上に第1の絶
縁膜2を介して感磁部3が形成され、さらに第2の絶縁
膜4を介して上部磁性磁極5が形成されてなる。上記感
磁部3は、媒体対向面10側に先端電極7,反対側に後
端電極8の設けられたMR素子6、MR素子6と直交し
て横切るように設けられ、MR素子6に所定の磁化の向
きを与えるバイアス導体9によって構成される。なお、
MR素子6とバイアス導体9間にも第2の絶縁膜4が介
在する。
【0028】また、上部磁性磁極5は媒体対向面10付
近で屈曲した形状となされており、上部磁性磁極5,下
部磁性磁極1間の距離が媒体対向面10側において狭ま
るようになされ、上部磁性磁極5の先端部5aや下部磁
性磁極1の先端部1aは所定のギャップ長を有する磁気
ギャップGを介してMR素子6と対向するようになされ
ている。なお、上部磁性磁極5の先端部5aの一部は先
端電極7と接続されており、MR素子6と先端電極7の
接続長さL1 よりも上部磁性磁極5の先端部5aがギャ
ップ長g1 を有する磁気ギャップGを介してMR素子6
と対向する対向長さL2 の方が長くなるように上部磁性
磁極5が形成されている。
近で屈曲した形状となされており、上部磁性磁極5,下
部磁性磁極1間の距離が媒体対向面10側において狭ま
るようになされ、上部磁性磁極5の先端部5aや下部磁
性磁極1の先端部1aは所定のギャップ長を有する磁気
ギャップGを介してMR素子6と対向するようになされ
ている。なお、上部磁性磁極5の先端部5aの一部は先
端電極7と接続されており、MR素子6と先端電極7の
接続長さL1 よりも上部磁性磁極5の先端部5aがギャ
ップ長g1 を有する磁気ギャップGを介してMR素子6
と対向する対向長さL2 の方が長くなるように上部磁性
磁極5が形成されている。
【0029】本実施例のMRヘッドにおいては、MR素
子6と先端電極7の接続長さL1 を従来のものよりも短
くしているため、MR素子の感度が良好な領域を使用す
ることができる。また、上部磁性磁極5の先端部5aが
ギャップ長g1 を有する磁気ギャップGを介してMR素
子6と対向する対向長さL2 を従来のものよりも長くし
ているため、最適バイアス磁界を得るために必要とされ
るバイアス電流を小さくすることが可能である。
子6と先端電極7の接続長さL1 を従来のものよりも短
くしているため、MR素子の感度が良好な領域を使用す
ることができる。また、上部磁性磁極5の先端部5aが
ギャップ長g1 を有する磁気ギャップGを介してMR素
子6と対向する対向長さL2 を従来のものよりも長くし
ているため、最適バイアス磁界を得るために必要とされ
るバイアス電流を小さくすることが可能である。
【0030】従って、本実施例のMRヘッドにおいて
は、再生出力を向上させ、小さいバイアス電流で最適バ
イアス磁界を得ることが可能となされる。
は、再生出力を向上させ、小さいバイアス電流で最適バ
イアス磁界を得ることが可能となされる。
【0031】次いで、第2の実施例としては、図7に示
すようなものが挙げられる。本実施例のMRヘッドにお
いても第1の実施例と同様に、下部磁性磁極11上に第
1の絶縁膜12を介して感磁部13が形成され、さらに
第2の絶縁膜14を介して上部磁性磁極15が形成され
てなる。上記感磁部13は、媒体対向面20側に先端電
極17,反対側に後端電極18の設けられたMR素子1
6、MR素子16と直交して横切るように設けられ、M
R素子16に所定の磁化の向きを与えるバイアス導体1
9によって構成される。なお、MR素子16とバイアス
導体19間にも第2の絶縁膜14が介在する。
すようなものが挙げられる。本実施例のMRヘッドにお
いても第1の実施例と同様に、下部磁性磁極11上に第
1の絶縁膜12を介して感磁部13が形成され、さらに
第2の絶縁膜14を介して上部磁性磁極15が形成され
てなる。上記感磁部13は、媒体対向面20側に先端電
極17,反対側に後端電極18の設けられたMR素子1
6、MR素子16と直交して横切るように設けられ、M
R素子16に所定の磁化の向きを与えるバイアス導体1
9によって構成される。なお、MR素子16とバイアス
導体19間にも第2の絶縁膜14が介在する。
【0032】また、上部磁性磁極15は媒体対向面20
付近で屈曲した形状となされており、上部磁性磁極1
5,下部磁性磁極11間の距離が媒体対向面20側にお
いて狭まるようになされている。上記上部磁性磁極15
の先端には段差部21が形成され上段部21aはギャッ
プ長g1 を有する磁気ギャップGを介してMR素子16
と対向するようになされ、下段部21bはギャップ長g
1 よりも大である距離g 2 を有し、MR素子16と対向
長さL3 を有して対向するようになされている。さら
に、上部磁性磁極15の段差部21の上段部21aは先
端電極17と接続されており、MR素子16と先端電極
17の接続長さL1 と上部磁性磁極15の上段部21a
がギャップ長g1 を有する磁気ギャップGを介してMR
素子16と対向する対向長さL2 が同一となされてい
る。なお、この時、距離g2 はギャップ長g1 の3倍以
下であり、また上部磁性磁極15の下段部21bとMR
素子16が距離g2 を有して対向する対向長さL3 は、
1μm≦L3 ≦5μmである。
付近で屈曲した形状となされており、上部磁性磁極1
5,下部磁性磁極11間の距離が媒体対向面20側にお
いて狭まるようになされている。上記上部磁性磁極15
の先端には段差部21が形成され上段部21aはギャッ
プ長g1 を有する磁気ギャップGを介してMR素子16
と対向するようになされ、下段部21bはギャップ長g
1 よりも大である距離g 2 を有し、MR素子16と対向
長さL3 を有して対向するようになされている。さら
に、上部磁性磁極15の段差部21の上段部21aは先
端電極17と接続されており、MR素子16と先端電極
17の接続長さL1 と上部磁性磁極15の上段部21a
がギャップ長g1 を有する磁気ギャップGを介してMR
素子16と対向する対向長さL2 が同一となされてい
る。なお、この時、距離g2 はギャップ長g1 の3倍以
下であり、また上部磁性磁極15の下段部21bとMR
素子16が距離g2 を有して対向する対向長さL3 は、
1μm≦L3 ≦5μmである。
【0033】本実施例のMRヘッドにおいても、第1の
実施例のMRヘッドと同様の効果が得られ、再生出力を
向上させ、小さいバイアス電流で最適バイアス磁界を得
ることが可能となされる。また、本実施例のMRヘッド
は、上部磁性磁極とMR素子がギャップ長g1 よりも大
である距離g2 を有して対向する部分を有し、その対向
長さL3 が1μm≦L3 ≦5μmであることから、上部
磁性磁極とMR素子の対向長さはL2 とL3 の和と見な
される。従って、MR素子中のバイアス磁界の分布が変
化し、MR素子中のバイアス磁界が飽和する位置がMR
素子の磁束流入量の大きい領域から媒体対向面と反対側
にずれ、再生出力を更に向上させることができる。ま
た、最適バイアス磁界を得るために必要とされるバイア
ス電流の対向長さL2 依存性を低くすることが可能とな
り、MRヘッド毎のバイアス電流用端子を共通化して小
型化を達成することが出来る。
実施例のMRヘッドと同様の効果が得られ、再生出力を
向上させ、小さいバイアス電流で最適バイアス磁界を得
ることが可能となされる。また、本実施例のMRヘッド
は、上部磁性磁極とMR素子がギャップ長g1 よりも大
である距離g2 を有して対向する部分を有し、その対向
長さL3 が1μm≦L3 ≦5μmであることから、上部
磁性磁極とMR素子の対向長さはL2 とL3 の和と見な
される。従って、MR素子中のバイアス磁界の分布が変
化し、MR素子中のバイアス磁界が飽和する位置がMR
素子の磁束流入量の大きい領域から媒体対向面と反対側
にずれ、再生出力を更に向上させることができる。ま
た、最適バイアス磁界を得るために必要とされるバイア
ス電流の対向長さL2 依存性を低くすることが可能とな
り、MRヘッド毎のバイアス電流用端子を共通化して小
型化を達成することが出来る。
【0034】さらに、第3の実施例として図8に示すよ
うなものが挙げられる。本実施例のMRヘッドにおいて
も第1の実施例と同様に、下部磁性磁極31上に第1の
絶縁膜32を介して感磁部33が形成され、さらに第2
の絶縁膜34を介して上部磁性磁極35が形成されてな
る。上記感磁部33は、媒体対向面40側に先端電極3
7,反対側に後端電極38の設けられたMR素子36、
MR素子36と直交して横切るように設けられ、MR素
子36に所定の磁化の向きを与えるバイアス導体39に
よって構成される。なお、MR素子36とバイアス導体
39間にも第2の絶縁膜34が介在する。
うなものが挙げられる。本実施例のMRヘッドにおいて
も第1の実施例と同様に、下部磁性磁極31上に第1の
絶縁膜32を介して感磁部33が形成され、さらに第2
の絶縁膜34を介して上部磁性磁極35が形成されてな
る。上記感磁部33は、媒体対向面40側に先端電極3
7,反対側に後端電極38の設けられたMR素子36、
MR素子36と直交して横切るように設けられ、MR素
子36に所定の磁化の向きを与えるバイアス導体39に
よって構成される。なお、MR素子36とバイアス導体
39間にも第2の絶縁膜34が介在する。
【0035】また、上部磁性磁極35は媒体対向面40
付近で屈曲した形状となされており、上部磁性磁極3
5,下部磁性磁極31間の距離が媒体対向面40側にお
いて狭まるようになされている。上記上部磁性磁極35
の先端部41には平坦部41aと傾斜部41bが形成さ
れ、平坦部41aはギャップ長g1 を有する磁気ギャッ
プGを介してMR素子36と対向するようになされ、傾
斜部41bは平坦部41aに対して30°以下の角度θ
を有してMR素子36から遠ざかる方向に形成されてお
り、ギャップ長g1 よりも大である距離g2 が次第に増
加するようになされている。さらに、上部磁性磁極35
の先端部41の平坦部41aは先端電極37と接続され
ており、MR素子36と先端電極37の接続長さL1 と
上部磁性磁極35の平坦部41aがギャップ長g1 を有
する磁気ギャップGを介してMR素子36と対向する対
向長さL2 が同一となされている。
付近で屈曲した形状となされており、上部磁性磁極3
5,下部磁性磁極31間の距離が媒体対向面40側にお
いて狭まるようになされている。上記上部磁性磁極35
の先端部41には平坦部41aと傾斜部41bが形成さ
れ、平坦部41aはギャップ長g1 を有する磁気ギャッ
プGを介してMR素子36と対向するようになされ、傾
斜部41bは平坦部41aに対して30°以下の角度θ
を有してMR素子36から遠ざかる方向に形成されてお
り、ギャップ長g1 よりも大である距離g2 が次第に増
加するようになされている。さらに、上部磁性磁極35
の先端部41の平坦部41aは先端電極37と接続され
ており、MR素子36と先端電極37の接続長さL1 と
上部磁性磁極35の平坦部41aがギャップ長g1 を有
する磁気ギャップGを介してMR素子36と対向する対
向長さL2 が同一となされている。
【0036】本実施例のMRヘッドにおいても、第1の
実施例のMRヘッドと同様の効果が得られ、再生出力を
向上させ、小さいバイアス電流で最適バイアス磁界を得
ることが可能となされる。また、本実施例のMRヘッド
においては、上部磁性磁極と磁気抵抗効果素子が距離g
2 を有して対向する部分において、上部磁性磁極が30
°以下の角度を有して磁気抵抗効果素子から遠ざかるよ
うに形成され、距離g 2 が次第に増加していることか
ら、上部磁性磁極とMR素子の対向部分はギャップg1
を有して対向する部分と距離g2 を有して対向する部分
を含むものとなる。従って、MR素子中のバイアス磁界
の分布が変化し、MR素子中のバイアス磁界が飽和する
位置がMR素子の磁束流入量の大きい領域から媒体対向
面と反対側にずれ、再生出力を更に向上させることがで
きる。また、最適バイアス磁界を得るために必要とされ
るバイアス電流の対向長さL2 依存性を低くすることが
可能となり、MRヘッド毎のバイアス電流用端子を共通
化して小型化を達成することが出来る。
実施例のMRヘッドと同様の効果が得られ、再生出力を
向上させ、小さいバイアス電流で最適バイアス磁界を得
ることが可能となされる。また、本実施例のMRヘッド
においては、上部磁性磁極と磁気抵抗効果素子が距離g
2 を有して対向する部分において、上部磁性磁極が30
°以下の角度を有して磁気抵抗効果素子から遠ざかるよ
うに形成され、距離g 2 が次第に増加していることか
ら、上部磁性磁極とMR素子の対向部分はギャップg1
を有して対向する部分と距離g2 を有して対向する部分
を含むものとなる。従って、MR素子中のバイアス磁界
の分布が変化し、MR素子中のバイアス磁界が飽和する
位置がMR素子の磁束流入量の大きい領域から媒体対向
面と反対側にずれ、再生出力を更に向上させることがで
きる。また、最適バイアス磁界を得るために必要とされ
るバイアス電流の対向長さL2 依存性を低くすることが
可能となり、MRヘッド毎のバイアス電流用端子を共通
化して小型化を達成することが出来る。
【0037】次いで、実施例2のMRヘッドにおける距
離g2 とギャップ長g1 の関係が該MRヘッドの特性に
及ぼす影響を調査した。先ず、g2 =2g1 であるMR
ヘッド実施サンプル1とg2 =3g1 であるMRヘッド
実施サンプル2、及びg2 =4g1 であるMRヘッド比
較サンプル1を用意し、MRヘッド実施サンプル1とM
Rヘッド比較サンプル1について、バイアス電流を変化
させた場合の再生出力の変化及び再生波形の対称性につ
いて調査した。なお、この時、上部磁性磁極がギャップ
長g1 を有する磁気ギャップGを介してMR素子と対向
する対向長さL 2 (実施例2のMRヘッドにおいては、
MR素子と先端電極の接続長さL1 と同一。)も変化さ
せて調査を行い、再生波形の対称性は正の電圧と負の電
圧の比(V+ /V- )で示した。上記MRヘッド実施サ
ンプル1の再生出力の変化を図9、再生波形の対称性の
変化を図10、MRヘッド比較サンプル1の再生出力の
変化を図11、再生波形の対称性の変化を図12に示
す。また、各図中□はL2 =0.5μm、△はL2 =
1.0μm、×はL2 =2.0μm、+はL2 =4.0
μmの結果を示す。
離g2 とギャップ長g1 の関係が該MRヘッドの特性に
及ぼす影響を調査した。先ず、g2 =2g1 であるMR
ヘッド実施サンプル1とg2 =3g1 であるMRヘッド
実施サンプル2、及びg2 =4g1 であるMRヘッド比
較サンプル1を用意し、MRヘッド実施サンプル1とM
Rヘッド比較サンプル1について、バイアス電流を変化
させた場合の再生出力の変化及び再生波形の対称性につ
いて調査した。なお、この時、上部磁性磁極がギャップ
長g1 を有する磁気ギャップGを介してMR素子と対向
する対向長さL 2 (実施例2のMRヘッドにおいては、
MR素子と先端電極の接続長さL1 と同一。)も変化さ
せて調査を行い、再生波形の対称性は正の電圧と負の電
圧の比(V+ /V- )で示した。上記MRヘッド実施サ
ンプル1の再生出力の変化を図9、再生波形の対称性の
変化を図10、MRヘッド比較サンプル1の再生出力の
変化を図11、再生波形の対称性の変化を図12に示
す。また、各図中□はL2 =0.5μm、△はL2 =
1.0μm、×はL2 =2.0μm、+はL2 =4.0
μmの結果を示す。
【0038】図9〜12の結果より、MRヘッド実施サ
ンプル1の方が、最適バイアス磁界を得るために必要な
バイアス電流の大きさが対向長さL2 に依存しないこと
がわかった。また、MRヘッド実施サンプル1とMRヘ
ッド比較サンプル1の再生出力の変化を対向長さL2 を
パラメータとして図13に示す。図中○がMRヘッド実
施サンプル1、×がMRヘッド比較サンプル1の結果を
示す。MRヘッド実施サンプル1においては再生出力が
対向長さL2 にMRヘッド比較サンプル1よりも依存せ
ず、対向長さL2 が大きい領域においても従来のMRヘ
ッドよりも高い再生出力を得ることができた。
ンプル1の方が、最適バイアス磁界を得るために必要な
バイアス電流の大きさが対向長さL2 に依存しないこと
がわかった。また、MRヘッド実施サンプル1とMRヘ
ッド比較サンプル1の再生出力の変化を対向長さL2 を
パラメータとして図13に示す。図中○がMRヘッド実
施サンプル1、×がMRヘッド比較サンプル1の結果を
示す。MRヘッド実施サンプル1においては再生出力が
対向長さL2 にMRヘッド比較サンプル1よりも依存せ
ず、対向長さL2 が大きい領域においても従来のMRヘ
ッドよりも高い再生出力を得ることができた。
【0039】さらにMRヘッド実施サンプル2について
も同様に測定を行った。そして、対向長さL2 をパラメ
ータとした場合のMRヘッド実施サンプル1,2及びM
Rヘッド比較サンプル1の最適バイアス磁界を得ること
のできるバイアス電流Ibの大きさの変化を図14に示
した。図中○がMRヘッド実施サンプル1、△がMRヘ
ッド実施サンプル2、×がMRヘッド比較サンプル1の
結果を示す。図14の結果から、g2 ≦3g1 であるM
Rヘッド実施サンプル1,2においては、必要とされる
バイアス電流Ibが対向長さL2 によってあまり変化し
ないことが確認された。すなわち、実施例2のようなM
Rヘッドにおいてg2 ≦3g1 とすれば、MRヘッド毎
の対向長さL2 が異なっていても、各MRヘッドのバイ
アス電流Ibを略一定とすることが可能となる。従っ
て、該MRヘッドをハードディスクドライブ装置に組み
込んだ場合において、使用する端子を削減することがで
き、装置の小型化に対応することが可能となる。
も同様に測定を行った。そして、対向長さL2 をパラメ
ータとした場合のMRヘッド実施サンプル1,2及びM
Rヘッド比較サンプル1の最適バイアス磁界を得ること
のできるバイアス電流Ibの大きさの変化を図14に示
した。図中○がMRヘッド実施サンプル1、△がMRヘ
ッド実施サンプル2、×がMRヘッド比較サンプル1の
結果を示す。図14の結果から、g2 ≦3g1 であるM
Rヘッド実施サンプル1,2においては、必要とされる
バイアス電流Ibが対向長さL2 によってあまり変化し
ないことが確認された。すなわち、実施例2のようなM
Rヘッドにおいてg2 ≦3g1 とすれば、MRヘッド毎
の対向長さL2 が異なっていても、各MRヘッドのバイ
アス電流Ibを略一定とすることが可能となる。従っ
て、該MRヘッドをハードディスクドライブ装置に組み
込んだ場合において、使用する端子を削減することがで
き、装置の小型化に対応することが可能となる。
【0040】また、g2 =2g1 であるMRヘッド実施
サンプル1について、MR素子中のバイアス磁界の分布
を調査したところ、図15のような結果が得られ、該M
Rヘッドにおいては、上部磁性磁極とMR素子の対向長
さがL2 とL3 の和と見なされることから、MR素子の
バイアス磁界が飽和する位置が図5に示すような従来の
ものよりもMR素子の媒体対向面側と反対側にずれるこ
ととなり、MR素子中のバイアス磁界が飽和する位置が
MR素子の信号磁束流入量の大きい領域からずれている
ことが確認され、このことからも再生出力が向上してい
ることが確認された。
サンプル1について、MR素子中のバイアス磁界の分布
を調査したところ、図15のような結果が得られ、該M
Rヘッドにおいては、上部磁性磁極とMR素子の対向長
さがL2 とL3 の和と見なされることから、MR素子の
バイアス磁界が飽和する位置が図5に示すような従来の
ものよりもMR素子の媒体対向面側と反対側にずれるこ
ととなり、MR素子中のバイアス磁界が飽和する位置が
MR素子の信号磁束流入量の大きい領域からずれている
ことが確認され、このことからも再生出力が向上してい
ることが確認された。
【0041】さらに、実施例3の角度θが該MRヘッド
の特性に及ぼす影響を調査した。先ず、θ=15deg
であるMRヘッド実施サンプル3とθ=30degであ
るMRヘッド実施サンプル4、及びθ=45degであ
るMRヘッド比較サンプル2を用意し、これらの上部磁
性磁極がギャップ長g1 を有する磁気ギャップGを介し
てMR素子と対向する対向長さL2 (実施例2のMRヘ
ッドにおいては、MR素子と先端電極の接続長さL1 と
同一。)を変化させ、それぞれの場合における最適バイ
アス磁界を得るために必要とされるバイアス電流Ibを
測定した。結果を図16に示す。図中□はMRヘッド実
施サンプル3、図中◇はMRヘッド実施サンプル4、図
中+はMRヘッド比較サンプル2の結果を示す。図16
の結果から、θ≦30degであるMRヘッド実施サン
プル3,4においては、バイアス電流Ibが対向長さL
2 によってあまり変化しないことが確認された。従っ
て、実施例3のようなMRヘッドにおいてθ≦30de
gとすれば、MRヘッド毎の対向長さL2 が異なってい
ても、各MRヘッドのバイアス電流Ibを略一定とする
ことが可能となる。従って、該MRヘッドをハードディ
スクドライブ装置に組み込んだ場合において、使用する
端子を削減することができ、装置の小型化に対応するこ
とが可能となる。
の特性に及ぼす影響を調査した。先ず、θ=15deg
であるMRヘッド実施サンプル3とθ=30degであ
るMRヘッド実施サンプル4、及びθ=45degであ
るMRヘッド比較サンプル2を用意し、これらの上部磁
性磁極がギャップ長g1 を有する磁気ギャップGを介し
てMR素子と対向する対向長さL2 (実施例2のMRヘ
ッドにおいては、MR素子と先端電極の接続長さL1 と
同一。)を変化させ、それぞれの場合における最適バイ
アス磁界を得るために必要とされるバイアス電流Ibを
測定した。結果を図16に示す。図中□はMRヘッド実
施サンプル3、図中◇はMRヘッド実施サンプル4、図
中+はMRヘッド比較サンプル2の結果を示す。図16
の結果から、θ≦30degであるMRヘッド実施サン
プル3,4においては、バイアス電流Ibが対向長さL
2 によってあまり変化しないことが確認された。従っ
て、実施例3のようなMRヘッドにおいてθ≦30de
gとすれば、MRヘッド毎の対向長さL2 が異なってい
ても、各MRヘッドのバイアス電流Ibを略一定とする
ことが可能となる。従って、該MRヘッドをハードディ
スクドライブ装置に組み込んだ場合において、使用する
端子を削減することができ、装置の小型化に対応するこ
とが可能となる。
【0042】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明においては、少なくとも磁気抵抗効果素子の媒体対向
面側に先端電極が積層され、該先端電極を介して上部磁
性磁極が磁気抵抗効果素子と対向するように積層形成さ
れてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗
効果素子と先端電極の接続長さL1 が、上部磁性磁極と
磁気抵抗効果素子が磁気ギャップGを有して対向する対
向長さL2 以下であるため、磁気抵抗効果素子の感度の
良好な部分での磁気抵抗効果を得ることができ、再生出
力を向上させ、小さいバイアス電流で最適なバイアス磁
界を得ることができ、装置の省力化が可能となる。
明においては、少なくとも磁気抵抗効果素子の媒体対向
面側に先端電極が積層され、該先端電極を介して上部磁
性磁極が磁気抵抗効果素子と対向するように積層形成さ
れてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗
効果素子と先端電極の接続長さL1 が、上部磁性磁極と
磁気抵抗効果素子が磁気ギャップGを有して対向する対
向長さL2 以下であるため、磁気抵抗効果素子の感度の
良好な部分での磁気抵抗効果を得ることができ、再生出
力を向上させ、小さいバイアス電流で最適なバイアス磁
界を得ることができ、装置の省力化が可能となる。
【0043】また本発明は上述の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドにおいて、上部磁性磁極と磁気抵抗効果素子が磁気
ギャップGよりも大である距離g2 を有して対向する部
分を有するため、さらに高い効果を得ることができる。
ッドにおいて、上部磁性磁極と磁気抵抗効果素子が磁気
ギャップGよりも大である距離g2 を有して対向する部
分を有するため、さらに高い効果を得ることができる。
【0044】さらに本発明は、上述のような磁気抵抗効
果型磁気ヘッドにおいて、上部磁性磁極と磁気抵抗効果
素子が磁気ギャップGのギャップ長g1 よりも大である
距離g2 を有して対向する対向長さL3 が、1μm≦L
3 ≦5μmであるため、磁気抵抗効果素子中のバイアス
磁界分布が変化し、バイアス磁界の飽和位置が磁気抵抗
効果素子の感度の良好な領域から外れ、再生出力を更に
向上させることができる。また、最適バイアス磁界を形
成するために必要とされるバイアス電流の対向長さL2
への依存性を低くすることができる。従って、各磁気抵
抗効果型磁気ヘッド毎の磁気抵抗効果素子と先端電極の
対向長さL2 が異なっていても、必要とされるバイアス
電流を略一定とすることができ、必要とされる端子数を
著しく削減することが可能となり、装置の小型化を達成
でき、その工業的価値は非常に高い。
果型磁気ヘッドにおいて、上部磁性磁極と磁気抵抗効果
素子が磁気ギャップGのギャップ長g1 よりも大である
距離g2 を有して対向する対向長さL3 が、1μm≦L
3 ≦5μmであるため、磁気抵抗効果素子中のバイアス
磁界分布が変化し、バイアス磁界の飽和位置が磁気抵抗
効果素子の感度の良好な領域から外れ、再生出力を更に
向上させることができる。また、最適バイアス磁界を形
成するために必要とされるバイアス電流の対向長さL2
への依存性を低くすることができる。従って、各磁気抵
抗効果型磁気ヘッド毎の磁気抵抗効果素子と先端電極の
対向長さL2 が異なっていても、必要とされるバイアス
電流を略一定とすることができ、必要とされる端子数を
著しく削減することが可能となり、装置の小型化を達成
でき、その工業的価値は非常に高い。
【0045】また本発明は、上述のような磁気抵抗効果
型磁気ヘッドにおいて、距離g2 が磁気ギャップGのギ
ャップ長g1 の3倍以下であるため、磁気抵抗効果素子
中のバイアス磁界分布が変化し、バイアス磁界の飽和位
置が磁気抵抗効果素子の感度の良好な領域から外れ、再
生出力を更に向上させることができる。また、最適バイ
アス磁界を形成するために必要とされるバイアス電流の
対向長さL2 への依存性を低くすることができる。従っ
て、各磁気抵抗効果型磁気ヘッド毎の磁気抵抗効果素子
と先端電極の対向長さL2 が異なっていても、必要とさ
れるバイアス電流を略一定とすることができ、必要とさ
れる端子数を著しく削減することが可能となり、装置の
小型化を達成でき、その工業的価値は非常に高い。
型磁気ヘッドにおいて、距離g2 が磁気ギャップGのギ
ャップ長g1 の3倍以下であるため、磁気抵抗効果素子
中のバイアス磁界分布が変化し、バイアス磁界の飽和位
置が磁気抵抗効果素子の感度の良好な領域から外れ、再
生出力を更に向上させることができる。また、最適バイ
アス磁界を形成するために必要とされるバイアス電流の
対向長さL2 への依存性を低くすることができる。従っ
て、各磁気抵抗効果型磁気ヘッド毎の磁気抵抗効果素子
と先端電極の対向長さL2 が異なっていても、必要とさ
れるバイアス電流を略一定とすることができ、必要とさ
れる端子数を著しく削減することが可能となり、装置の
小型化を達成でき、その工業的価値は非常に高い。
【0046】さらに本発明は、上述のような磁気抵抗効
果型磁気ヘッドにおいて、上部磁性磁極と磁気抵抗効果
素子が距離g2 を有して対向する部分において、上部磁
性磁極が30°以下の角度を有して磁気抵抗効果素子か
ら遠ざかるように形成され、距離g2 が次第に増加して
いるため、磁気抵抗効果素子中のバイアス磁界分布が変
化し、バイアス磁界の飽和位置が磁気抵抗効果素子の感
度の良好な領域から外れ、再生出力を更に向上させるこ
とができる。また、最適バイアス磁界を形成するために
必要とされるバイアス電流の対向長さL3 への依存性を
低くすることができる。従って、各磁気抵抗効果型磁気
ヘッド毎の磁気抵抗効果素子と先端電極の対向長さL2
が異なっていても、必要とされるバイアス電流を略一定
とすることができ、必要とされる端子数を著しく削減す
ることが可能となり、装置の小型化を達成でき、その工
業的価値は非常に高い。
果型磁気ヘッドにおいて、上部磁性磁極と磁気抵抗効果
素子が距離g2 を有して対向する部分において、上部磁
性磁極が30°以下の角度を有して磁気抵抗効果素子か
ら遠ざかるように形成され、距離g2 が次第に増加して
いるため、磁気抵抗効果素子中のバイアス磁界分布が変
化し、バイアス磁界の飽和位置が磁気抵抗効果素子の感
度の良好な領域から外れ、再生出力を更に向上させるこ
とができる。また、最適バイアス磁界を形成するために
必要とされるバイアス電流の対向長さL3 への依存性を
低くすることができる。従って、各磁気抵抗効果型磁気
ヘッド毎の磁気抵抗効果素子と先端電極の対向長さL2
が異なっていても、必要とされるバイアス電流を略一定
とすることができ、必要とされる端子数を著しく削減す
ることが可能となり、装置の小型化を達成でき、その工
業的価値は非常に高い。
【0047】また本発明は、上述のような磁気抵抗効果
型磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素子と上部磁性磁
極が先端電極によって電気的に接続されているため、必
要とされる端子数を更に削減することが可能となり、装
置を更に小型化でき、その工業的価値は非常に高い。
型磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素子と上部磁性磁
極が先端電極によって電気的に接続されているため、必
要とされる端子数を更に削減することが可能となり、装
置を更に小型化でき、その工業的価値は非常に高い。
【図1】接続長さL1 と再生出力の関係を示す図であ
る。
る。
【図2】MR素子中の信号磁束流入量の分布を示す図で
ある。
ある。
【図3】MR素子の磁気抵抗効果特性を示す図である。
【図4】対向長さL2 とバイアス電流Ibの関係を示す
図である。
図である。
【図5】MR素子中のバイアス磁界の分布を示す図であ
る。
る。
【図6】本発明を適用したMRヘッドの第1の実施例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図7】本発明を適用したMRヘッドの第2の実施例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図8】本発明を適用したMRヘッドの第3の実施例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図9】MRヘッド実施サンプル1のバイアス電流に対
する再生出力の変化を示す図である。
する再生出力の変化を示す図である。
【図10】MRヘッド実施サンプル1のバイアス電流に
対する再生波形の対称性の変化を示す図である。
対する再生波形の対称性の変化を示す図である。
【図11】MRヘッド比較サンプル1のバイアス電流に
対する再生出力の変化を示す図である。
対する再生出力の変化を示す図である。
【図12】MRヘッド比較サンプル1のバイアス電流に
対する再生波形の対称性の変化を示す図である。
対する再生波形の対称性の変化を示す図である。
【図13】MRヘッド実施サンプル1とMRヘッド比較
サンプル1の対向長さL2 に対する再生出力の変化を示
す図である。
サンプル1の対向長さL2 に対する再生出力の変化を示
す図である。
【図14】MRヘッド実施サンプル1,2とMRヘッド
比較サンプル1の対向長さL2 に対するバイアス電流I
bの変化を示す図である。
比較サンプル1の対向長さL2 に対するバイアス電流I
bの変化を示す図である。
【図15】MRヘッド実施サンプル1のMR素子中のバ
イアス磁界の分布を示す図である。
イアス磁界の分布を示す図である。
【図16】MRヘッド実施サンプル3,4とMRヘッド
比較サンプル2の対向長さL2 に対するバイアス電流I
bの変化を示す図である。
比較サンプル2の対向長さL2 に対するバイアス電流I
bの変化を示す図である。
【図17】従来のMRヘッドを示す断面図である。
6,16,36・・・MR素子 7,17,37・・・先端電極 5,15,35・・・上部磁性磁極 5a,41・・・・・先端部 21・・・・・・・・段差部 21a・・・・・・・上段部 21b・・・・・・・下段部 41a・・・・・・・平坦部 41b・・・・・・・傾斜部 G・・・・・・・・・磁気ギャップ g1 ・・・・・・・・ギャップ長 g2 ・・・・・・・・距離 L1 ・・・・・・・・接続長さ L2 ,L3 ・・・・・対向長さ θ・・・・・・・・・角度
Claims (6)
- 【請求項1】 少なくとも磁気抵抗効果素子の媒体対向
面側に先端電極が積層され、該先端電極を介して上部磁
性磁極が磁気抵抗効果素子と対向するように積層形成さ
れてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、 磁気抵抗効果素子と先端電極の接続長さL1 が、上部磁
性磁極と磁気抵抗効果素子が磁気ギャップGを介して対
向する対向長さL2 以下であることを特徴とする磁気抵
抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項2】 上部磁性磁極と磁気抵抗効果素子が磁気
ギャップGのギャップ長g1 よりも大である距離g2 を
有して対向する部分を有することを特徴とする請求項1
記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項3】 上部磁性磁極と磁気抵抗効果素子が磁気
ギャップGのギャップ長g1 よりも大である距離g2 を
有して対向する対向長さL3 が、1μm≦L3≦5μm
であることを特徴とする請求項2記載の磁気抵抗効果型
磁気ヘッド。 - 【請求項4】 距離g2 が磁気ギャップGのギャップ長
g1 の3倍以下であることを特徴とする請求項2又は3
記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項5】 上部磁性磁極と磁気抵抗効果素子が距離
g2 を有して対向する部分において、上部磁性磁極が3
0°以下の角度を有して磁気抵抗効果素子から遠ざかる
ように形成され、距離g2 が次第に増加していることを
特徴とする請求項2又は3記載の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッド。 - 【請求項6】 磁気抵抗効果素子と上部磁性磁極が先端
電極によって電気的に接続されていることを特徴とする
請求項1記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5097476A JPH06309628A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
KR1019940008153A KR940024677A (ko) | 1993-04-23 | 1994-04-19 | 자기저항효과형 자기헤드 |
DE69419063T DE69419063T2 (de) | 1993-04-23 | 1994-04-21 | Magnetkopf mit magnetischem Reluktanzeffekt |
EP94106252A EP0621584B1 (en) | 1993-04-23 | 1994-04-21 | Magnetic reluctance effect magnetic head |
US08/231,513 US6130810A (en) | 1993-04-23 | 1994-04-22 | Magnetic reluctance effect magnetic head with the connection length of the forward electrode less than the facing length of the magnetic gap |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5097476A JPH06309628A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06309628A true JPH06309628A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14193352
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5097476A Withdrawn JPH06309628A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6130810A (ja) |
EP (1) | EP0621584B1 (ja) |
JP (1) | JPH06309628A (ja) |
KR (1) | KR940024677A (ja) |
DE (1) | DE69419063T2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6510030B1 (en) * | 1999-08-17 | 2003-01-21 | Seagate Technology, Llc | Transducing head and method for forming a recessed shield for a transducing head |
US6456465B1 (en) * | 1999-11-09 | 2002-09-24 | Read-Rite Corporation | Vertical giant magnetoresistance sensor using a recessed shield |
US6385016B1 (en) * | 2000-03-31 | 2002-05-07 | Seagate Technology Llc | Magnetic read head with an insulator layer between an MR sensor and rear portions of current contacts to provide enhanced sensitivity |
US6512660B1 (en) * | 2000-08-07 | 2003-01-28 | Tdk Corporation | Current perpendicular-to-the-plane magnetoresistance read head with longitudinal or transverse bias provided by current |
US20040004812A1 (en) * | 2002-07-03 | 2004-01-08 | Dell Products L.P. | Pivotable processor shroud and method of use |
US11495731B2 (en) * | 2018-09-13 | 2022-11-08 | Magnecomp Corporation | Multilayer PZT electrode configuration for suspension stroke increase |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4967298A (en) * | 1987-02-17 | 1990-10-30 | Mowry Greg S | Magnetic head with magnetoresistive sensor, inductive write head, and shield |
US5218497A (en) * | 1988-12-02 | 1993-06-08 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording-reproducing apparatus and magnetoresistive head having two or more magnetoresistive films for use therewith |
US4987509A (en) * | 1989-10-05 | 1991-01-22 | Hewlett-Packard Company | Magnetoresistive head structures for longitudinal and perpendicular transition detection |
US5247413A (en) * | 1990-05-16 | 1993-09-21 | Sony Corporation | Magnetoresistance effect type thin film magnetic head with noise reducing electrode |
JPH0421916A (ja) * | 1990-05-16 | 1992-01-24 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド |
EP0477941B1 (en) * | 1990-09-28 | 1996-03-06 | Sony Corporation | Magneto-resistance effect type magnetic head |
JPH0540920A (ja) * | 1991-08-02 | 1993-02-19 | Sony Corp | 複合型磁気ヘツド及びその製造方法 |
US5301079A (en) * | 1992-11-17 | 1994-04-05 | International Business Machines Corporation | Current biased magnetoresistive spin valve sensor |
US5375022A (en) * | 1993-08-06 | 1994-12-20 | International Business Machines Corporation | Magnetic disk drive with electrical shorting protection |
-
1993
- 1993-04-23 JP JP5097476A patent/JPH06309628A/ja not_active Withdrawn
-
1994
- 1994-04-19 KR KR1019940008153A patent/KR940024677A/ko not_active Application Discontinuation
- 1994-04-21 DE DE69419063T patent/DE69419063T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-04-21 EP EP94106252A patent/EP0621584B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-22 US US08/231,513 patent/US6130810A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0621584A3 (en) | 1996-07-31 |
EP0621584A2 (en) | 1994-10-26 |
DE69419063D1 (de) | 1999-07-22 |
KR940024677A (ko) | 1994-11-18 |
US6130810A (en) | 2000-10-10 |
DE69419063T2 (de) | 1999-12-23 |
EP0621584B1 (en) | 1999-06-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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