JPH06309628A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッドInfo
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- JPH06309628A JPH06309628A JP5097476A JP9747693A JPH06309628A JP H06309628 A JPH06309628 A JP H06309628A JP 5097476 A JP5097476 A JP 5097476A JP 9747693 A JP9747693 A JP 9747693A JP H06309628 A JPH06309628 A JP H06309628A
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 再生出力を向上し、装置の省力化，小型化を
図る。 【構成】 ＭＲ素子６の媒体対向面１０側に先端電極７
を接続長さＬ1 で積層し、上部磁性磁極５を上記先端電
極７を介し、磁気ギャップＧを介してＭＲ素子６と対向
長さＬ2 で対向させる際、接続長さＬ1 を対向長さＬ2
以下とする。この時、磁気ギャップＧのギャップ長ｇ1
よりも大である距離ｇ2 を有して対向する部分を有す
る、該部分の対向長さＬ3 が１μｍ≦Ｌ3 ≦５μｍであ
る、距離ｇ2がギャップ長ｇ1 の３倍以下であっても良
い。また、距離ｇ2 を有して対向する部分において、上
部磁性磁極を３０°以下の角度を有してＭＲ素子から遠
ざかるように形成し、距離ｇ2 が次第に増加するように
しても良い。さらには、ＭＲ素子と上部磁性磁極が先端
電極によって電気的に接続されるものとしても良い。
図る。 【構成】 ＭＲ素子６の媒体対向面１０側に先端電極７
を接続長さＬ1 で積層し、上部磁性磁極５を上記先端電
極７を介し、磁気ギャップＧを介してＭＲ素子６と対向
長さＬ2 で対向させる際、接続長さＬ1 を対向長さＬ2
以下とする。この時、磁気ギャップＧのギャップ長ｇ1
よりも大である距離ｇ2 を有して対向する部分を有す
る、該部分の対向長さＬ3 が１μｍ≦Ｌ3 ≦５μｍであ
る、距離ｇ2がギャップ長ｇ1 の３倍以下であっても良
い。また、距離ｇ2 を有して対向する部分において、上
部磁性磁極を３０°以下の角度を有してＭＲ素子から遠
ざかるように形成し、距離ｇ2 が次第に増加するように
しても良い。さらには、ＭＲ素子と上部磁性磁極が先端
電極によって電気的に接続されるものとしても良い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドに係わり、詳細には先端電極の接続構造の改良に関
するものである。
ッドに係わり、詳細には先端電極の接続構造の改良に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】ハードディスクドライブ装置等において
再生用磁気ヘッドとして用いられている磁気抵抗効果型
磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称する。）は、例えば
図１７に示すように下部磁性磁極５１上に第１の絶縁膜
５２を介して感磁部５３が形成され、さらに第２の絶縁
膜５４を介して上部磁性磁極５５が形成されてなる。上
記感磁部５３は、主に媒体対向面６０側に先端電極５
７，反対側に後端電極５８が設けられた磁気抵抗効果素
子５６（以下、ＭＲ素子と称する。）と、このＭＲ素子
５６と直交して横切るように設けられＭＲ素子５６に所
定の向きのバイアス磁界を与えるバイアス導体５９によ
って構成される。なお、ＭＲ素子５６とバイアス導体５
９間にも第２の絶縁膜５４が介在する。
再生用磁気ヘッドとして用いられている磁気抵抗効果型
磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称する。）は、例えば
図１７に示すように下部磁性磁極５１上に第１の絶縁膜
５２を介して感磁部５３が形成され、さらに第２の絶縁
膜５４を介して上部磁性磁極５５が形成されてなる。上
記感磁部５３は、主に媒体対向面６０側に先端電極５
７，反対側に後端電極５８が設けられた磁気抵抗効果素
子５６（以下、ＭＲ素子と称する。）と、このＭＲ素子
５６と直交して横切るように設けられＭＲ素子５６に所
定の向きのバイアス磁界を与えるバイアス導体５９によ
って構成される。なお、ＭＲ素子５６とバイアス導体５
９間にも第２の絶縁膜５４が介在する。
【０００３】一般に、この種のＭＲヘッドにおいては、
上部磁性磁極５５は媒体対向面６０付近で屈曲した形状
となされており、上部磁性磁極５５，下部磁性磁極５１
間の距離が媒体対向面６０側において狭まるようになさ
れ、上部磁性磁極５５の先端部５５ａや下部磁性磁極５
１の先端部５１ａは、それぞれ所定のギャップ長を有す
る磁気ギャップＧを介してＭＲ素子５６と対向するよう
になされている。そして、上部磁性磁極５５の先端部５
５ａは先端電極５７と接続されており、通常はＭＲ素子
５６と先端電極５７の接続長さＬ1 がそのままデプスと
されている。すなわち、前記ＭＲ素子５６と先端電極５
７の接続長さＬ1 と、上部磁性磁極５５の先端部５５ａ
がギャップ長ｇ1 を有する磁気ギャップＧを介してＭＲ
素子５６と対向する対向長さＬ2 とは同一となされてい
る。
上部磁性磁極５５は媒体対向面６０付近で屈曲した形状
となされており、上部磁性磁極５５，下部磁性磁極５１
間の距離が媒体対向面６０側において狭まるようになさ
れ、上部磁性磁極５５の先端部５５ａや下部磁性磁極５
１の先端部５１ａは、それぞれ所定のギャップ長を有す
る磁気ギャップＧを介してＭＲ素子５６と対向するよう
になされている。そして、上部磁性磁極５５の先端部５
５ａは先端電極５７と接続されており、通常はＭＲ素子
５６と先端電極５７の接続長さＬ1 がそのままデプスと
されている。すなわち、前記ＭＲ素子５６と先端電極５
７の接続長さＬ1 と、上部磁性磁極５５の先端部５５ａ
がギャップ長ｇ1 を有する磁気ギャップＧを介してＭＲ
素子５６と対向する対向長さＬ2 とは同一となされてい
る。
【０００４】このようなＭＲヘッドによって情報の再生
を行う際には、ＭＲ素子５６に先端電極５７及び後端電
極５８よりセンス電流を供給し、且つＭＲ素子５６にバ
イアス導体５９によりバイアス磁界を印加してＭＲ素子
５６に所定の向きの磁化を与えておく。上記ＭＲ素子５
６が媒体からの漏洩磁束を受けると、その磁束によって
ＭＲ素子５６の磁化の向きが回転し、ＭＲ素子５６内部
に流れる電流の向きに対して磁束量に応じた角度をもつ
ようになる。そのため、ＭＲ素子５６の電気抵抗値が変
化し、この変化量に応じた電圧変化がＭＲ素子の両端の
電極に生じるため、これを検出することによって情報の
再生を行う。
を行う際には、ＭＲ素子５６に先端電極５７及び後端電
極５８よりセンス電流を供給し、且つＭＲ素子５６にバ
イアス導体５９によりバイアス磁界を印加してＭＲ素子
５６に所定の向きの磁化を与えておく。上記ＭＲ素子５
６が媒体からの漏洩磁束を受けると、その磁束によって
ＭＲ素子５６の磁化の向きが回転し、ＭＲ素子５６内部
に流れる電流の向きに対して磁束量に応じた角度をもつ
ようになる。そのため、ＭＲ素子５６の電気抵抗値が変
化し、この変化量に応じた電圧変化がＭＲ素子の両端の
電極に生じるため、これを検出することによって情報の
再生を行う。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
なＭＲヘッドにおいては、再生出力の向上が求められて
いるが、該ＭＲヘッドの再生出力は、感磁部中に配され
るＭＲ素子の感度によって決定される。上記ＭＲヘッド
においてはＭＲ素子が媒体対向面に対して垂直に配され
ていることから、ＭＲ素子の媒体対向面に近い部分ほど
信号磁束流入量が大きく、感度が高いこととなる。とこ
ろが、ＭＲ素子の媒体対向面側には先端電極が配されて
おり、ＭＲ素子の先端電極と接続されている部分におい
ては、磁気抵抗効果は期待できない。従って、ＭＲ素子
と先端電極の接続長さＬ1 をなるべく小さいものとし、
感度の良好な領域を使用してＭＲ素子の感度を向上さ
せ、ＭＲヘッドの再生出力を向上させることが望まれて
いる。
なＭＲヘッドにおいては、再生出力の向上が求められて
いるが、該ＭＲヘッドの再生出力は、感磁部中に配され
るＭＲ素子の感度によって決定される。上記ＭＲヘッド
においてはＭＲ素子が媒体対向面に対して垂直に配され
ていることから、ＭＲ素子の媒体対向面に近い部分ほど
信号磁束流入量が大きく、感度が高いこととなる。とこ
ろが、ＭＲ素子の媒体対向面側には先端電極が配されて
おり、ＭＲ素子の先端電極と接続されている部分におい
ては、磁気抵抗効果は期待できない。従って、ＭＲ素子
と先端電極の接続長さＬ1 をなるべく小さいものとし、
感度の良好な領域を使用してＭＲ素子の感度を向上さ
せ、ＭＲヘッドの再生出力を向上させることが望まれて
いる。
【０００６】一方、上記のようなＭＲヘッドにおいて
は、装置の省力化，小型化が求められている。上記のよ
うに再生出力を向上させるためにＭＲ素子と先端電極の
接続長さＬ1 をなるべく小さくすると、その先端部が先
端電極に接続するように積層形成される上部磁性磁極と
ＭＲ素子が磁気ギャップＧを有して対向する対向長さＬ
2 も同様に短くなることとなる。ところが、対向長さＬ
2 が短くなると、最適なバイアス磁界を発生させるため
に必要とされるバイアス電流が大きくなってしまい、装
置の省力化を達成することが困難となる。
は、装置の省力化，小型化が求められている。上記のよ
うに再生出力を向上させるためにＭＲ素子と先端電極の
接続長さＬ1 をなるべく小さくすると、その先端部が先
端電極に接続するように積層形成される上部磁性磁極と
ＭＲ素子が磁気ギャップＧを有して対向する対向長さＬ
2 も同様に短くなることとなる。ところが、対向長さＬ
2 が短くなると、最適なバイアス磁界を発生させるため
に必要とされるバイアス電流が大きくなってしまい、装
置の省力化を達成することが困難となる。
【０００７】さらに、通常、ＭＲヘッドが再生装置とし
て使用されるハードディスクドライブ装置においては、
記録容量を高めるために複数枚のハードディスクが内蔵
されており、これに対応すべく複数個のＭＲヘッドが組
み込まれている。これらのＭＲヘッドにおいては、各Ｍ
Ｒヘッドに必要とされるセンス電流間には差が無いた
め、センス電流は同一の端子によって供給されている。
しかしながら、上記のように上部磁性磁極とＭＲ素子が
磁気ギャップＧを有して対向する対向長さＬ2 を短くす
ると、最適バイアス磁界を発生させるために必要とされ
るバイアス電流の対向長さＬ2 への依存性が高くなり、
対向長さＬ2 の微小な差によって必要とされるバイアス
電流が異なってしまう。すなわち、各ＭＲヘッドのバイ
アス電流を同一の端子で供給することは不可能である。
従って、ハードディスクドライブ装置内には各ＭＲヘッ
ド毎にバイアス電流用の端子が形成されることとなり、
装置の小型化を達成することは難しい。
て使用されるハードディスクドライブ装置においては、
記録容量を高めるために複数枚のハードディスクが内蔵
されており、これに対応すべく複数個のＭＲヘッドが組
み込まれている。これらのＭＲヘッドにおいては、各Ｍ
Ｒヘッドに必要とされるセンス電流間には差が無いた
め、センス電流は同一の端子によって供給されている。
しかしながら、上記のように上部磁性磁極とＭＲ素子が
磁気ギャップＧを有して対向する対向長さＬ2 を短くす
ると、最適バイアス磁界を発生させるために必要とされ
るバイアス電流の対向長さＬ2 への依存性が高くなり、
対向長さＬ2 の微小な差によって必要とされるバイアス
電流が異なってしまう。すなわち、各ＭＲヘッドのバイ
アス電流を同一の端子で供給することは不可能である。
従って、ハードディスクドライブ装置内には各ＭＲヘッ
ド毎にバイアス電流用の端子が形成されることとなり、
装置の小型化を達成することは難しい。
【０００８】また、バイアス導体より発生するバイアス
磁界の一部は、上部磁性磁極から下部磁性磁極へと流れ
ており、両者間に配されるＭＲ素子にも印加される。こ
の際、ＭＲ素子においてバイアス磁界の影響を最も強く
受ける部分は、上部磁性磁極と下部磁性磁極間の距離が
狭まっている部分（先端電極近傍）であり、この部分で
飽和を起こしやすい。従って、従来のＭＲヘッドにおい
ては、ＭＲ素子の最も感度の高い部分が有効に使われて
おらず、再生出力が良好でないという不都合が生じる。
磁界の一部は、上部磁性磁極から下部磁性磁極へと流れ
ており、両者間に配されるＭＲ素子にも印加される。こ
の際、ＭＲ素子においてバイアス磁界の影響を最も強く
受ける部分は、上部磁性磁極と下部磁性磁極間の距離が
狭まっている部分（先端電極近傍）であり、この部分で
飽和を起こしやすい。従って、従来のＭＲヘッドにおい
ては、ＭＲ素子の最も感度の高い部分が有効に使われて
おらず、再生出力が良好でないという不都合が生じる。
【０００９】そこで本発明は、従来の実情に鑑みて提案
されたものであり、ＭＲ素子の感度の良好な領域が使用
され、該領域でのバイアス磁界の飽和が発生せず、再生
出力が向上され、小さなバイアス電流によって最適バイ
アス磁界を得ることが可能であり、必要とされる端子数
が削減され、装置の省力化，小型化に対応することが可
能となされる磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供すること
を目的とする。
されたものであり、ＭＲ素子の感度の良好な領域が使用
され、該領域でのバイアス磁界の飽和が発生せず、再生
出力が向上され、小さなバイアス電流によって最適バイ
アス磁界を得ることが可能であり、必要とされる端子数
が削減され、装置の省力化，小型化に対応することが可
能となされる磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供すること
を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、少なくとも磁気抵抗効果素子の媒体対
向面側に先端電極が積層され、該先端電極を介して上部
磁性磁極が磁気抵抗効果素子と対向するように積層形成
されてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、磁気抵
抗効果素子と先端電極の接続長さＬ1 が、上部磁性磁極
と磁気抵抗効果素子が磁気ギャップＧを有して対向する
対向長さＬ2 以下であることを特徴とするものである。
めに、本発明は、少なくとも磁気抵抗効果素子の媒体対
向面側に先端電極が積層され、該先端電極を介して上部
磁性磁極が磁気抵抗効果素子と対向するように積層形成
されてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、磁気抵
抗効果素子と先端電極の接続長さＬ1 が、上部磁性磁極
と磁気抵抗効果素子が磁気ギャップＧを有して対向する
対向長さＬ2 以下であることを特徴とするものである。
【００１１】また本発明は上述の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドにおいて、上部磁性磁極と磁気抵抗効果素子が磁気
ギャップＧのギャップ長ｇ1 よりも大である距離ｇ2 を
有して対向する部分を有することを特徴とするものであ
る。
ッドにおいて、上部磁性磁極と磁気抵抗効果素子が磁気
ギャップＧのギャップ長ｇ1 よりも大である距離ｇ2 を
有して対向する部分を有することを特徴とするものであ
る。
【００１２】さらに本発明は、上述のような磁気抵抗効
果型磁気ヘッドにおいて、上部磁性磁極と磁気抵抗効果
素子が磁気ギャップＧのギャップ長ｇ1 よりも大である
距離ｇ2 を有して対向する対向長さＬ3 が、１μｍ≦Ｌ
3 ≦５μｍであることを特徴とするものである。この
時、対向長さＬ3 が１μｍ未満であると、最適バイアス
磁界を形成するために必要とされるバイアス電流の対向
長さＬ2 への依存性が高くなり、対向長さＬ2 の微小な
差によって必要とされるバイアス電流が異なってしま
う。
果型磁気ヘッドにおいて、上部磁性磁極と磁気抵抗効果
素子が磁気ギャップＧのギャップ長ｇ1 よりも大である
距離ｇ2 を有して対向する対向長さＬ3 が、１μｍ≦Ｌ
3 ≦５μｍであることを特徴とするものである。この
時、対向長さＬ3 が１μｍ未満であると、最適バイアス
磁界を形成するために必要とされるバイアス電流の対向
長さＬ2 への依存性が高くなり、対向長さＬ2 の微小な
差によって必要とされるバイアス電流が異なってしま
う。
【００１３】また本発明は、上述のような磁気抵抗効果
型磁気ヘッドにおいて、距離ｇ2 が磁気ギャップＧのギ
ャップ長ｇ1 の３倍以下であることを特徴とするもので
ある。この時、距離ｇ2 がギャップ長の３倍よりも大き
いと、最適バイアス磁界を形成するために必要とされる
バイアス電流の対向長さＬ2 への依存性が高くなり、対
向長さＬ2 の微小な差によって必要とされるバイアス電
流が異なってしまう。
型磁気ヘッドにおいて、距離ｇ2 が磁気ギャップＧのギ
ャップ長ｇ1 の３倍以下であることを特徴とするもので
ある。この時、距離ｇ2 がギャップ長の３倍よりも大き
いと、最適バイアス磁界を形成するために必要とされる
バイアス電流の対向長さＬ2 への依存性が高くなり、対
向長さＬ2 の微小な差によって必要とされるバイアス電
流が異なってしまう。
【００１４】さらに本発明は、上述のような磁気抵抗効
果型磁気ヘッドにおいて、上部磁性磁極と磁気抵抗効果
素子が距離ｇ2 を有して対向する部分において、上部磁
性磁極が３０°以下の角度を有して磁気抵抗効果素子か
ら遠ざかるように形成され、距離ｇ2 が次第に増加して
いることを特徴とするものである。この時、上部磁性磁
極が３０°よりも大きな角度を有して形成されている
と、最適バイアス磁界を形成するために必要とされるバ
イアス電流の対向長さＬ2 への依存性が高くなり、対向
長さＬ2 の微小な差によって必要とされるバイアス電流
が異なってしまう。
果型磁気ヘッドにおいて、上部磁性磁極と磁気抵抗効果
素子が距離ｇ2 を有して対向する部分において、上部磁
性磁極が３０°以下の角度を有して磁気抵抗効果素子か
ら遠ざかるように形成され、距離ｇ2 が次第に増加して
いることを特徴とするものである。この時、上部磁性磁
極が３０°よりも大きな角度を有して形成されている
と、最適バイアス磁界を形成するために必要とされるバ
イアス電流の対向長さＬ2 への依存性が高くなり、対向
長さＬ2 の微小な差によって必要とされるバイアス電流
が異なってしまう。
【００１５】さらに本発明は、上述のような磁気抵抗効
果型磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素子と上部磁性
磁極が先端電極によって電気的に接続されていることを
特徴とするものである。
果型磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素子と上部磁性
磁極が先端電極によって電気的に接続されていることを
特徴とするものである。
【００１６】
【作用】本発明においては、少なくとも磁気抵抗効果素
子の媒体対向面側に先端電極が積層され、該先端電極を
介して上部磁性磁極が磁気抵抗効果素子と対向するよう
に積層形成されてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおい
て、磁気抵抗効果素子と先端電極の接続長さＬ1 が、上
部磁性磁極と磁気抵抗効果素子が磁気ギャップＧを有し
て対向する対向長さＬ2 以下であるため、磁気抵抗効果
素子の感度の良好な領域での磁気抵抗効果を得ることが
でき、小さいバイアス電流で最適なバイアス磁界を得る
ことができる。
子の媒体対向面側に先端電極が積層され、該先端電極を
介して上部磁性磁極が磁気抵抗効果素子と対向するよう
に積層形成されてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおい
て、磁気抵抗効果素子と先端電極の接続長さＬ1 が、上
部磁性磁極と磁気抵抗効果素子が磁気ギャップＧを有し
て対向する対向長さＬ2 以下であるため、磁気抵抗効果
素子の感度の良好な領域での磁気抵抗効果を得ることが
でき、小さいバイアス電流で最適なバイアス磁界を得る
ことができる。
【００１７】また本発明は、上述のような磁気抵抗効果
型磁気ヘッドにおいて、上部磁性磁極と磁気抵抗効果素
子が磁気ギャップＧのギャップ長ｇ1 よりも大である距
離ｇ 2 を有して対向する対向長さＬ3 が、１μｍ≦Ｌ3
≦５μｍであるため、磁気抵抗効果素子中のバイアス磁
界分布が変化し、バイアス磁界の飽和位置が磁気抵抗効
果素子の感度の良好な領域から外れる。また、最適バイ
アス磁界を形成するために必要とされるバイアス電流の
対向長さＬ2 への依存性を低くすることができ、対向長
さＬ2 の微小な差によって必要とされるバイアス電流が
変化することがない。
型磁気ヘッドにおいて、上部磁性磁極と磁気抵抗効果素
子が磁気ギャップＧのギャップ長ｇ1 よりも大である距
離ｇ 2 を有して対向する対向長さＬ3 が、１μｍ≦Ｌ3
≦５μｍであるため、磁気抵抗効果素子中のバイアス磁
界分布が変化し、バイアス磁界の飽和位置が磁気抵抗効
果素子の感度の良好な領域から外れる。また、最適バイ
アス磁界を形成するために必要とされるバイアス電流の
対向長さＬ2 への依存性を低くすることができ、対向長
さＬ2 の微小な差によって必要とされるバイアス電流が
変化することがない。
【００１８】さらに本発明は、上述のような磁気抵抗効
果型磁気ヘッドにおいて、距離ｇ2が磁気ギャップＧの
ギャップ長ｇ1 の３倍以下であるため、磁気抵抗効果素
子中のバイアス磁界分布が変化し、バイアス磁界の飽和
位置が磁気抵抗効果素子の感度の良好な領域から外れ
る。また、最適バイアス磁界を形成するために必要とさ
れるバイアス電流の対向長さＬ2 への依存性を低くする
ことができ、対向長さＬ 2 の微小な差によって必要とさ
れるバイアス電流が変化することがない。
果型磁気ヘッドにおいて、距離ｇ2が磁気ギャップＧの
ギャップ長ｇ1 の３倍以下であるため、磁気抵抗効果素
子中のバイアス磁界分布が変化し、バイアス磁界の飽和
位置が磁気抵抗効果素子の感度の良好な領域から外れ
る。また、最適バイアス磁界を形成するために必要とさ
れるバイアス電流の対向長さＬ2 への依存性を低くする
ことができ、対向長さＬ 2 の微小な差によって必要とさ
れるバイアス電流が変化することがない。
【００１９】また本発明は、上述のような磁気抵抗効果
型磁気ヘッドにおいて、上部磁性磁極と磁気抵抗効果素
子が距離ｇ2 を有して対向する部分において、上部磁性
磁極が３０°以下の角度を有して磁気抵抗効果素子から
遠ざかるように形成され、距離ｇ2 が次第に増加してい
るため、磁気抵抗効果素子中のバイアス磁界分布が変化
し、バイアス磁界の飽和位置が磁気抵抗効果素子の感度
の良好な領域から外れる。また、最適バイアス磁界を形
成するために必要とされるバイアス電流の対向長さＬ2
への依存性を低くすることができ、対向長さＬ2 の微小
な差によって必要とされるバイアス電流が変化すること
がない。
型磁気ヘッドにおいて、上部磁性磁極と磁気抵抗効果素
子が距離ｇ2 を有して対向する部分において、上部磁性
磁極が３０°以下の角度を有して磁気抵抗効果素子から
遠ざかるように形成され、距離ｇ2 が次第に増加してい
るため、磁気抵抗効果素子中のバイアス磁界分布が変化
し、バイアス磁界の飽和位置が磁気抵抗効果素子の感度
の良好な領域から外れる。また、最適バイアス磁界を形
成するために必要とされるバイアス電流の対向長さＬ2
への依存性を低くすることができ、対向長さＬ2 の微小
な差によって必要とされるバイアス電流が変化すること
がない。
【００２０】また本発明は、上述のような磁気抵抗効果
型磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素子と上部磁性磁
極が先端電極によって電気的に接続されているため、磁
気抵抗効果型磁気ヘッドに配される端子数を削減するこ
とができる。
型磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素子と上部磁性磁
極が先端電極によって電気的に接続されているため、磁
気抵抗効果型磁気ヘッドに配される端子数を削減するこ
とができる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら説明する。先ず、従来の構造を
有するＭＲヘッドにおけるＭＲ素子と先端電極の接続長
さＬ1 と再生出力の関係、上部磁性磁極とＭＲ素子が磁
気ギャップＧを有して対向する対向長さＬ2 と最適バイ
アス磁界を得るために必要とされるバイアス電流の関
係、さらにＭＲ素子中のバイアス磁界の分布について調
査を行った。
いて図面を参照しながら説明する。先ず、従来の構造を
有するＭＲヘッドにおけるＭＲ素子と先端電極の接続長
さＬ1 と再生出力の関係、上部磁性磁極とＭＲ素子が磁
気ギャップＧを有して対向する対向長さＬ2 と最適バイ
アス磁界を得るために必要とされるバイアス電流の関
係、さらにＭＲ素子中のバイアス磁界の分布について調
査を行った。
【００２２】第１に従来の構造を有するＭＲヘッドにお
けるＭＲ素子と先端電極の接続長さＬ1 と再生出力の関
係について調査を行った。すなわち、同一のＭＲヘッド
において接続長さＬ1 を変化させた場合の再生出力を測
定した。結果を図１に示す。図１の結果より、接続長さ
Ｌ1 が小さいほど再生出力が向上されていることがわか
る。これは、上記ＭＲヘッドにおいてはＭＲ素子が媒体
対向面に対して垂直に配されていることから、図２に示
すようにＭＲ素子の媒体対向面に近い部分ほど信号磁束
流入量が大きく、感度が高いためと思われる。すなわ
ち、再生出力を向上させるためには、接続長さＬ1 をで
きるだけ短くすると良い。ただし、信号磁束流入量を考
慮すると、接続長さＬ1 は１±０．５μｍであることが
好ましい。
けるＭＲ素子と先端電極の接続長さＬ1 と再生出力の関
係について調査を行った。すなわち、同一のＭＲヘッド
において接続長さＬ1 を変化させた場合の再生出力を測
定した。結果を図１に示す。図１の結果より、接続長さ
Ｌ1 が小さいほど再生出力が向上されていることがわか
る。これは、上記ＭＲヘッドにおいてはＭＲ素子が媒体
対向面に対して垂直に配されていることから、図２に示
すようにＭＲ素子の媒体対向面に近い部分ほど信号磁束
流入量が大きく、感度が高いためと思われる。すなわ
ち、再生出力を向上させるためには、接続長さＬ1 をで
きるだけ短くすると良い。ただし、信号磁束流入量を考
慮すると、接続長さＬ1 は１±０．５μｍであることが
好ましい。
【００２３】第２に従来の構造を有するＭＲヘッドにお
ける上部磁性磁極とＭＲ素子が磁気ギャップＧを有して
対向する対向長さＬ2 と最適バイアス磁界を得るために
必要とされるバイアス電流の関係について調査を行っ
た。この時、最適バイアス磁界とは、図３のような磁気
抵抗効果特性を有するＭＲ素子を線形領域で使用するこ
とを可能とするようなバイアス磁界Ｈｂを示す。すなわ
ち、同一のＭＲヘッドにおいて、対向長さＬ2 を変化さ
せ、この時、最適バイアス磁界Ｈｂを得るために必要と
されるバイアス電流Ｉｂの測定を行った。結果を図４に
示す。図４の結果からも明らかなように、対向長さＬ2
が短い程、最適バイアス磁界Ｈｂを得るために必要とさ
れるバイアス電流Ｉｂが大きくなる。また、対向長さＬ
2 が１μｍ以上の範囲においては、バイアス電流Ｉｂが
あまり変化しないことが確認された。すなわち、バイア
ス電流Ｉｂを小さく抑えて装置の省力化を図り、該バイ
アス電流Ｉｂの対向長さＬ2 依存性を低くしてＭＲヘッ
ド毎のバイアス電流用端子を共通化して装置の小型化を
達成するためには、対向長さＬ2 をある程度の長さとす
る必要がある。ただし、バイアス電流Ｉｂを小さくする
ためには、対向長さＬ 2 を２μｍ以上とすることが好ま
しい。
ける上部磁性磁極とＭＲ素子が磁気ギャップＧを有して
対向する対向長さＬ2 と最適バイアス磁界を得るために
必要とされるバイアス電流の関係について調査を行っ
た。この時、最適バイアス磁界とは、図３のような磁気
抵抗効果特性を有するＭＲ素子を線形領域で使用するこ
とを可能とするようなバイアス磁界Ｈｂを示す。すなわ
ち、同一のＭＲヘッドにおいて、対向長さＬ2 を変化さ
せ、この時、最適バイアス磁界Ｈｂを得るために必要と
されるバイアス電流Ｉｂの測定を行った。結果を図４に
示す。図４の結果からも明らかなように、対向長さＬ2
が短い程、最適バイアス磁界Ｈｂを得るために必要とさ
れるバイアス電流Ｉｂが大きくなる。また、対向長さＬ
2 が１μｍ以上の範囲においては、バイアス電流Ｉｂが
あまり変化しないことが確認された。すなわち、バイア
ス電流Ｉｂを小さく抑えて装置の省力化を図り、該バイ
アス電流Ｉｂの対向長さＬ2 依存性を低くしてＭＲヘッ
ド毎のバイアス電流用端子を共通化して装置の小型化を
達成するためには、対向長さＬ2 をある程度の長さとす
る必要がある。ただし、バイアス電流Ｉｂを小さくする
ためには、対向長さＬ 2 を２μｍ以上とすることが好ま
しい。
【００２４】ところが、従来の構造を有するＭＲヘッド
においては、ＭＲ素子と先端電極の接続長さＬ1 と上部
磁性磁極とＭＲ素子が磁気ギャップＧを有して対向する
対向長さＬ2 は同一となされており、上記のような方法
で再生特性の向上と装置の省力化，小型化を達成するこ
とは難しい。
においては、ＭＲ素子と先端電極の接続長さＬ1 と上部
磁性磁極とＭＲ素子が磁気ギャップＧを有して対向する
対向長さＬ2 は同一となされており、上記のような方法
で再生特性の向上と装置の省力化，小型化を達成するこ
とは難しい。
【００２５】第３に従来の構造を有するＭＲヘッドにお
けるＭＲ素子中のバイアス磁界の分布について調査を行
った。バイアス磁界の分布は、次のようにして調査を行
った。すなわち、ＭＲ素子の飽和磁化Ｍｓに対する信号
磁場方向の磁化成分Ｍｙの比を調査した。この際、ＭＲ
素子の磁化の方向が所定の角度４５°を有すると、Ｍｙ
／Ｍｓ＝０．７１となる。結果を図５に示す。図５の結
果を見てわかるように、ＭＲ素子の媒体対向面側におい
て飽和が発生している。図２の結果と併せて考えると、
ＭＲ素子の信号磁束流入量の大きい領域でバイアス磁界
の飽和は発生しており、これによってもＭＲ素子の感度
が低下し、再生出力が低下することは容易に推察され
る。
けるＭＲ素子中のバイアス磁界の分布について調査を行
った。バイアス磁界の分布は、次のようにして調査を行
った。すなわち、ＭＲ素子の飽和磁化Ｍｓに対する信号
磁場方向の磁化成分Ｍｙの比を調査した。この際、ＭＲ
素子の磁化の方向が所定の角度４５°を有すると、Ｍｙ
／Ｍｓ＝０．７１となる。結果を図５に示す。図５の結
果を見てわかるように、ＭＲ素子の媒体対向面側におい
て飽和が発生している。図２の結果と併せて考えると、
ＭＲ素子の信号磁束流入量の大きい領域でバイアス磁界
の飽和は発生しており、これによってもＭＲ素子の感度
が低下し、再生出力が低下することは容易に推察され
る。
【００２６】本実施例のＭＲヘッドは、上記のような不
都合を解決するものであり、再生出力が向上され、小さ
なバイアス電流によって最適バイアス磁界を得ることが
でき、バイアス電流Ｉｂの対向長さＬ2 依存性を低く
し、装置の省力化，小型化に対応することも可能とする
ものである。
都合を解決するものであり、再生出力が向上され、小さ
なバイアス電流によって最適バイアス磁界を得ることが
でき、バイアス電流Ｉｂの対向長さＬ2 依存性を低く
し、装置の省力化，小型化に対応することも可能とする
ものである。
【００２７】先ず、第１の実施例は、図６に示すような
形状を有するものであり、下部磁性磁極１上に第１の絶
縁膜２を介して感磁部３が形成され、さらに第２の絶縁
膜４を介して上部磁性磁極５が形成されてなる。上記感
磁部３は、媒体対向面１０側に先端電極７，反対側に後
端電極８の設けられたＭＲ素子６、ＭＲ素子６と直交し
て横切るように設けられ、ＭＲ素子６に所定の磁化の向
きを与えるバイアス導体９によって構成される。なお、
ＭＲ素子６とバイアス導体９間にも第２の絶縁膜４が介
在する。
形状を有するものであり、下部磁性磁極１上に第１の絶
縁膜２を介して感磁部３が形成され、さらに第２の絶縁
膜４を介して上部磁性磁極５が形成されてなる。上記感
磁部３は、媒体対向面１０側に先端電極７，反対側に後
端電極８の設けられたＭＲ素子６、ＭＲ素子６と直交し
て横切るように設けられ、ＭＲ素子６に所定の磁化の向
きを与えるバイアス導体９によって構成される。なお、
ＭＲ素子６とバイアス導体９間にも第２の絶縁膜４が介
在する。
【００２８】また、上部磁性磁極５は媒体対向面１０付
近で屈曲した形状となされており、上部磁性磁極５，下
部磁性磁極１間の距離が媒体対向面１０側において狭ま
るようになされ、上部磁性磁極５の先端部５ａや下部磁
性磁極１の先端部１ａは所定のギャップ長を有する磁気
ギャップＧを介してＭＲ素子６と対向するようになされ
ている。なお、上部磁性磁極５の先端部５ａの一部は先
端電極７と接続されており、ＭＲ素子６と先端電極７の
接続長さＬ1 よりも上部磁性磁極５の先端部５ａがギャ
ップ長ｇ1 を有する磁気ギャップＧを介してＭＲ素子６
と対向する対向長さＬ2 の方が長くなるように上部磁性
磁極５が形成されている。
近で屈曲した形状となされており、上部磁性磁極５，下
部磁性磁極１間の距離が媒体対向面１０側において狭ま
るようになされ、上部磁性磁極５の先端部５ａや下部磁
性磁極１の先端部１ａは所定のギャップ長を有する磁気
ギャップＧを介してＭＲ素子６と対向するようになされ
ている。なお、上部磁性磁極５の先端部５ａの一部は先
端電極７と接続されており、ＭＲ素子６と先端電極７の
接続長さＬ1 よりも上部磁性磁極５の先端部５ａがギャ
ップ長ｇ1 を有する磁気ギャップＧを介してＭＲ素子６
と対向する対向長さＬ2 の方が長くなるように上部磁性
磁極５が形成されている。
【００２９】本実施例のＭＲヘッドにおいては、ＭＲ素
子６と先端電極７の接続長さＬ1 を従来のものよりも短
くしているため、ＭＲ素子の感度が良好な領域を使用す
ることができる。また、上部磁性磁極５の先端部５ａが
ギャップ長ｇ1 を有する磁気ギャップＧを介してＭＲ素
子６と対向する対向長さＬ2 を従来のものよりも長くし
ているため、最適バイアス磁界を得るために必要とされ
るバイアス電流を小さくすることが可能である。
子６と先端電極７の接続長さＬ1 を従来のものよりも短
くしているため、ＭＲ素子の感度が良好な領域を使用す
ることができる。また、上部磁性磁極５の先端部５ａが
ギャップ長ｇ1 を有する磁気ギャップＧを介してＭＲ素
子６と対向する対向長さＬ2 を従来のものよりも長くし
ているため、最適バイアス磁界を得るために必要とされ
るバイアス電流を小さくすることが可能である。
【００３０】従って、本実施例のＭＲヘッドにおいて
は、再生出力を向上させ、小さいバイアス電流で最適バ
イアス磁界を得ることが可能となされる。
は、再生出力を向上させ、小さいバイアス電流で最適バ
イアス磁界を得ることが可能となされる。
【００３１】次いで、第２の実施例としては、図７に示
すようなものが挙げられる。本実施例のＭＲヘッドにお
いても第１の実施例と同様に、下部磁性磁極１１上に第
１の絶縁膜１２を介して感磁部１３が形成され、さらに
第２の絶縁膜１４を介して上部磁性磁極１５が形成され
てなる。上記感磁部１３は、媒体対向面２０側に先端電
極１７，反対側に後端電極１８の設けられたＭＲ素子１
６、ＭＲ素子１６と直交して横切るように設けられ、Ｍ
Ｒ素子１６に所定の磁化の向きを与えるバイアス導体１
９によって構成される。なお、ＭＲ素子１６とバイアス
導体１９間にも第２の絶縁膜１４が介在する。
すようなものが挙げられる。本実施例のＭＲヘッドにお
いても第１の実施例と同様に、下部磁性磁極１１上に第
１の絶縁膜１２を介して感磁部１３が形成され、さらに
第２の絶縁膜１４を介して上部磁性磁極１５が形成され
てなる。上記感磁部１３は、媒体対向面２０側に先端電
極１７，反対側に後端電極１８の設けられたＭＲ素子１
６、ＭＲ素子１６と直交して横切るように設けられ、Ｍ
Ｒ素子１６に所定の磁化の向きを与えるバイアス導体１
９によって構成される。なお、ＭＲ素子１６とバイアス
導体１９間にも第２の絶縁膜１４が介在する。
【００３２】また、上部磁性磁極１５は媒体対向面２０
付近で屈曲した形状となされており、上部磁性磁極１
５，下部磁性磁極１１間の距離が媒体対向面２０側にお
いて狭まるようになされている。上記上部磁性磁極１５
の先端には段差部２１が形成され上段部２１ａはギャッ
プ長ｇ1 を有する磁気ギャップＧを介してＭＲ素子１６
と対向するようになされ、下段部２１ｂはギャップ長ｇ
1 よりも大である距離ｇ 2 を有し、ＭＲ素子１６と対向
長さＬ3 を有して対向するようになされている。さら
に、上部磁性磁極１５の段差部２１の上段部２１ａは先
端電極１７と接続されており、ＭＲ素子１６と先端電極
１７の接続長さＬ1 と上部磁性磁極１５の上段部２１ａ
がギャップ長ｇ1 を有する磁気ギャップＧを介してＭＲ
素子１６と対向する対向長さＬ2 が同一となされてい
る。なお、この時、距離ｇ2 はギャップ長ｇ1 の３倍以
下であり、また上部磁性磁極１５の下段部２１ｂとＭＲ
素子１６が距離ｇ2 を有して対向する対向長さＬ3 は、
１μｍ≦Ｌ3 ≦５μｍである。
付近で屈曲した形状となされており、上部磁性磁極１
５，下部磁性磁極１１間の距離が媒体対向面２０側にお
いて狭まるようになされている。上記上部磁性磁極１５
の先端には段差部２１が形成され上段部２１ａはギャッ
プ長ｇ1 を有する磁気ギャップＧを介してＭＲ素子１６
と対向するようになされ、下段部２１ｂはギャップ長ｇ
1 よりも大である距離ｇ 2 を有し、ＭＲ素子１６と対向
長さＬ3 を有して対向するようになされている。さら
に、上部磁性磁極１５の段差部２１の上段部２１ａは先
端電極１７と接続されており、ＭＲ素子１６と先端電極
１７の接続長さＬ1 と上部磁性磁極１５の上段部２１ａ
がギャップ長ｇ1 を有する磁気ギャップＧを介してＭＲ
素子１６と対向する対向長さＬ2 が同一となされてい
る。なお、この時、距離ｇ2 はギャップ長ｇ1 の３倍以
下であり、また上部磁性磁極１５の下段部２１ｂとＭＲ
素子１６が距離ｇ2 を有して対向する対向長さＬ3 は、
１μｍ≦Ｌ3 ≦５μｍである。
【００３３】本実施例のＭＲヘッドにおいても、第１の
実施例のＭＲヘッドと同様の効果が得られ、再生出力を
向上させ、小さいバイアス電流で最適バイアス磁界を得
ることが可能となされる。また、本実施例のＭＲヘッド
は、上部磁性磁極とＭＲ素子がギャップ長ｇ1 よりも大
である距離ｇ2 を有して対向する部分を有し、その対向
長さＬ3 が１μｍ≦Ｌ3 ≦５μｍであることから、上部
磁性磁極とＭＲ素子の対向長さはＬ2 とＬ3 の和と見な
される。従って、ＭＲ素子中のバイアス磁界の分布が変
化し、ＭＲ素子中のバイアス磁界が飽和する位置がＭＲ
素子の磁束流入量の大きい領域から媒体対向面と反対側
にずれ、再生出力を更に向上させることができる。ま
た、最適バイアス磁界を得るために必要とされるバイア
ス電流の対向長さＬ2 依存性を低くすることが可能とな
り、ＭＲヘッド毎のバイアス電流用端子を共通化して小
型化を達成することが出来る。
実施例のＭＲヘッドと同様の効果が得られ、再生出力を
向上させ、小さいバイアス電流で最適バイアス磁界を得
ることが可能となされる。また、本実施例のＭＲヘッド
は、上部磁性磁極とＭＲ素子がギャップ長ｇ1 よりも大
である距離ｇ2 を有して対向する部分を有し、その対向
長さＬ3 が１μｍ≦Ｌ3 ≦５μｍであることから、上部
磁性磁極とＭＲ素子の対向長さはＬ2 とＬ3 の和と見な
される。従って、ＭＲ素子中のバイアス磁界の分布が変
化し、ＭＲ素子中のバイアス磁界が飽和する位置がＭＲ
素子の磁束流入量の大きい領域から媒体対向面と反対側
にずれ、再生出力を更に向上させることができる。ま
た、最適バイアス磁界を得るために必要とされるバイア
ス電流の対向長さＬ2 依存性を低くすることが可能とな
り、ＭＲヘッド毎のバイアス電流用端子を共通化して小
型化を達成することが出来る。
【００３４】さらに、第３の実施例として図８に示すよ
うなものが挙げられる。本実施例のＭＲヘッドにおいて
も第１の実施例と同様に、下部磁性磁極３１上に第１の
絶縁膜３２を介して感磁部３３が形成され、さらに第２
の絶縁膜３４を介して上部磁性磁極３５が形成されてな
る。上記感磁部３３は、媒体対向面４０側に先端電極３
７，反対側に後端電極３８の設けられたＭＲ素子３６、
ＭＲ素子３６と直交して横切るように設けられ、ＭＲ素
子３６に所定の磁化の向きを与えるバイアス導体３９に
よって構成される。なお、ＭＲ素子３６とバイアス導体
３９間にも第２の絶縁膜３４が介在する。
うなものが挙げられる。本実施例のＭＲヘッドにおいて
も第１の実施例と同様に、下部磁性磁極３１上に第１の
絶縁膜３２を介して感磁部３３が形成され、さらに第２
の絶縁膜３４を介して上部磁性磁極３５が形成されてな
る。上記感磁部３３は、媒体対向面４０側に先端電極３
７，反対側に後端電極３８の設けられたＭＲ素子３６、
ＭＲ素子３６と直交して横切るように設けられ、ＭＲ素
子３６に所定の磁化の向きを与えるバイアス導体３９に
よって構成される。なお、ＭＲ素子３６とバイアス導体
３９間にも第２の絶縁膜３４が介在する。
【００３５】また、上部磁性磁極３５は媒体対向面４０
付近で屈曲した形状となされており、上部磁性磁極３
５，下部磁性磁極３１間の距離が媒体対向面４０側にお
いて狭まるようになされている。上記上部磁性磁極３５
の先端部４１には平坦部４１ａと傾斜部４１ｂが形成さ
れ、平坦部４１ａはギャップ長ｇ1 を有する磁気ギャッ
プＧを介してＭＲ素子３６と対向するようになされ、傾
斜部４１ｂは平坦部４１ａに対して３０°以下の角度θ
を有してＭＲ素子３６から遠ざかる方向に形成されてお
り、ギャップ長ｇ1 よりも大である距離ｇ2 が次第に増
加するようになされている。さらに、上部磁性磁極３５
の先端部４１の平坦部４１ａは先端電極３７と接続され
ており、ＭＲ素子３６と先端電極３７の接続長さＬ1 と
上部磁性磁極３５の平坦部４１ａがギャップ長ｇ1 を有
する磁気ギャップＧを介してＭＲ素子３６と対向する対
向長さＬ2 が同一となされている。
付近で屈曲した形状となされており、上部磁性磁極３
５，下部磁性磁極３１間の距離が媒体対向面４０側にお
いて狭まるようになされている。上記上部磁性磁極３５
の先端部４１には平坦部４１ａと傾斜部４１ｂが形成さ
れ、平坦部４１ａはギャップ長ｇ1 を有する磁気ギャッ
プＧを介してＭＲ素子３６と対向するようになされ、傾
斜部４１ｂは平坦部４１ａに対して３０°以下の角度θ
を有してＭＲ素子３６から遠ざかる方向に形成されてお
り、ギャップ長ｇ1 よりも大である距離ｇ2 が次第に増
加するようになされている。さらに、上部磁性磁極３５
の先端部４１の平坦部４１ａは先端電極３７と接続され
ており、ＭＲ素子３６と先端電極３７の接続長さＬ1 と
上部磁性磁極３５の平坦部４１ａがギャップ長ｇ1 を有
する磁気ギャップＧを介してＭＲ素子３６と対向する対
向長さＬ2 が同一となされている。
【００３６】本実施例のＭＲヘッドにおいても、第１の
実施例のＭＲヘッドと同様の効果が得られ、再生出力を
向上させ、小さいバイアス電流で最適バイアス磁界を得
ることが可能となされる。また、本実施例のＭＲヘッド
においては、上部磁性磁極と磁気抵抗効果素子が距離ｇ
2 を有して対向する部分において、上部磁性磁極が３０
°以下の角度を有して磁気抵抗効果素子から遠ざかるよ
うに形成され、距離ｇ 2 が次第に増加していることか
ら、上部磁性磁極とＭＲ素子の対向部分はギャップｇ1
を有して対向する部分と距離ｇ2 を有して対向する部分
を含むものとなる。従って、ＭＲ素子中のバイアス磁界
の分布が変化し、ＭＲ素子中のバイアス磁界が飽和する
位置がＭＲ素子の磁束流入量の大きい領域から媒体対向
面と反対側にずれ、再生出力を更に向上させることがで
きる。また、最適バイアス磁界を得るために必要とされ
るバイアス電流の対向長さＬ2 依存性を低くすることが
可能となり、ＭＲヘッド毎のバイアス電流用端子を共通
化して小型化を達成することが出来る。
実施例のＭＲヘッドと同様の効果が得られ、再生出力を
向上させ、小さいバイアス電流で最適バイアス磁界を得
ることが可能となされる。また、本実施例のＭＲヘッド
においては、上部磁性磁極と磁気抵抗効果素子が距離ｇ
2 を有して対向する部分において、上部磁性磁極が３０
°以下の角度を有して磁気抵抗効果素子から遠ざかるよ
うに形成され、距離ｇ 2 が次第に増加していることか
ら、上部磁性磁極とＭＲ素子の対向部分はギャップｇ1
を有して対向する部分と距離ｇ2 を有して対向する部分
を含むものとなる。従って、ＭＲ素子中のバイアス磁界
の分布が変化し、ＭＲ素子中のバイアス磁界が飽和する
位置がＭＲ素子の磁束流入量の大きい領域から媒体対向
面と反対側にずれ、再生出力を更に向上させることがで
きる。また、最適バイアス磁界を得るために必要とされ
るバイアス電流の対向長さＬ2 依存性を低くすることが
可能となり、ＭＲヘッド毎のバイアス電流用端子を共通
化して小型化を達成することが出来る。
【００３７】次いで、実施例２のＭＲヘッドにおける距
離ｇ2 とギャップ長ｇ1 の関係が該ＭＲヘッドの特性に
及ぼす影響を調査した。先ず、ｇ2 ＝２ｇ1 であるＭＲ
ヘッド実施サンプル１とｇ2 ＝３ｇ1 であるＭＲヘッド
実施サンプル２、及びｇ2 ＝４ｇ1 であるＭＲヘッド比
較サンプル１を用意し、ＭＲヘッド実施サンプル１とＭ
Ｒヘッド比較サンプル１について、バイアス電流を変化
させた場合の再生出力の変化及び再生波形の対称性につ
いて調査した。なお、この時、上部磁性磁極がギャップ
長ｇ1 を有する磁気ギャップＧを介してＭＲ素子と対向
する対向長さＬ 2 （実施例２のＭＲヘッドにおいては、
ＭＲ素子と先端電極の接続長さＬ1 と同一。）も変化さ
せて調査を行い、再生波形の対称性は正の電圧と負の電
圧の比（Ｖ+ ／Ｖ- ）で示した。上記ＭＲヘッド実施サ
ンプル１の再生出力の変化を図９、再生波形の対称性の
変化を図１０、ＭＲヘッド比較サンプル１の再生出力の
変化を図１１、再生波形の対称性の変化を図１２に示
す。また、各図中□はＬ2 ＝０．５μｍ、△はＬ2 ＝
１．０μｍ、×はＬ2 ＝２．０μｍ、＋はＬ2 ＝４．０
μｍの結果を示す。
離ｇ2 とギャップ長ｇ1 の関係が該ＭＲヘッドの特性に
及ぼす影響を調査した。先ず、ｇ2 ＝２ｇ1 であるＭＲ
ヘッド実施サンプル１とｇ2 ＝３ｇ1 であるＭＲヘッド
実施サンプル２、及びｇ2 ＝４ｇ1 であるＭＲヘッド比
較サンプル１を用意し、ＭＲヘッド実施サンプル１とＭ
Ｒヘッド比較サンプル１について、バイアス電流を変化
させた場合の再生出力の変化及び再生波形の対称性につ
いて調査した。なお、この時、上部磁性磁極がギャップ
長ｇ1 を有する磁気ギャップＧを介してＭＲ素子と対向
する対向長さＬ 2 （実施例２のＭＲヘッドにおいては、
ＭＲ素子と先端電極の接続長さＬ1 と同一。）も変化さ
せて調査を行い、再生波形の対称性は正の電圧と負の電
圧の比（Ｖ+ ／Ｖ- ）で示した。上記ＭＲヘッド実施サ
ンプル１の再生出力の変化を図９、再生波形の対称性の
変化を図１０、ＭＲヘッド比較サンプル１の再生出力の
変化を図１１、再生波形の対称性の変化を図１２に示
す。また、各図中□はＬ2 ＝０．５μｍ、△はＬ2 ＝
１．０μｍ、×はＬ2 ＝２．０μｍ、＋はＬ2 ＝４．０
μｍの結果を示す。
【００３８】図９〜１２の結果より、ＭＲヘッド実施サ
ンプル１の方が、最適バイアス磁界を得るために必要な
バイアス電流の大きさが対向長さＬ2 に依存しないこと
がわかった。また、ＭＲヘッド実施サンプル１とＭＲヘ
ッド比較サンプル１の再生出力の変化を対向長さＬ2 を
パラメータとして図１３に示す。図中○がＭＲヘッド実
施サンプル１、×がＭＲヘッド比較サンプル１の結果を
示す。ＭＲヘッド実施サンプル１においては再生出力が
対向長さＬ2 にＭＲヘッド比較サンプル１よりも依存せ
ず、対向長さＬ2 が大きい領域においても従来のＭＲヘ
ッドよりも高い再生出力を得ることができた。
ンプル１の方が、最適バイアス磁界を得るために必要な
バイアス電流の大きさが対向長さＬ2 に依存しないこと
がわかった。また、ＭＲヘッド実施サンプル１とＭＲヘ
ッド比較サンプル１の再生出力の変化を対向長さＬ2 を
パラメータとして図１３に示す。図中○がＭＲヘッド実
施サンプル１、×がＭＲヘッド比較サンプル１の結果を
示す。ＭＲヘッド実施サンプル１においては再生出力が
対向長さＬ2 にＭＲヘッド比較サンプル１よりも依存せ
ず、対向長さＬ2 が大きい領域においても従来のＭＲヘ
ッドよりも高い再生出力を得ることができた。
【００３９】さらにＭＲヘッド実施サンプル２について
も同様に測定を行った。そして、対向長さＬ2 をパラメ
ータとした場合のＭＲヘッド実施サンプル１，２及びＭ
Ｒヘッド比較サンプル１の最適バイアス磁界を得ること
のできるバイアス電流Ｉｂの大きさの変化を図１４に示
した。図中○がＭＲヘッド実施サンプル１、△がＭＲヘ
ッド実施サンプル２、×がＭＲヘッド比較サンプル１の
結果を示す。図１４の結果から、ｇ2 ≦３ｇ1 であるＭ
Ｒヘッド実施サンプル１，２においては、必要とされる
バイアス電流Ｉｂが対向長さＬ2 によってあまり変化し
ないことが確認された。すなわち、実施例２のようなＭ
Ｒヘッドにおいてｇ2 ≦３ｇ1 とすれば、ＭＲヘッド毎
の対向長さＬ2 が異なっていても、各ＭＲヘッドのバイ
アス電流Ｉｂを略一定とすることが可能となる。従っ
て、該ＭＲヘッドをハードディスクドライブ装置に組み
込んだ場合において、使用する端子を削減することがで
き、装置の小型化に対応することが可能となる。
も同様に測定を行った。そして、対向長さＬ2 をパラメ
ータとした場合のＭＲヘッド実施サンプル１，２及びＭ
Ｒヘッド比較サンプル１の最適バイアス磁界を得ること
のできるバイアス電流Ｉｂの大きさの変化を図１４に示
した。図中○がＭＲヘッド実施サンプル１、△がＭＲヘ
ッド実施サンプル２、×がＭＲヘッド比較サンプル１の
結果を示す。図１４の結果から、ｇ2 ≦３ｇ1 であるＭ
Ｒヘッド実施サンプル１，２においては、必要とされる
バイアス電流Ｉｂが対向長さＬ2 によってあまり変化し
ないことが確認された。すなわち、実施例２のようなＭ
Ｒヘッドにおいてｇ2 ≦３ｇ1 とすれば、ＭＲヘッド毎
の対向長さＬ2 が異なっていても、各ＭＲヘッドのバイ
アス電流Ｉｂを略一定とすることが可能となる。従っ
て、該ＭＲヘッドをハードディスクドライブ装置に組み
込んだ場合において、使用する端子を削減することがで
き、装置の小型化に対応することが可能となる。
【００４０】また、ｇ2 ＝２ｇ1 であるＭＲヘッド実施
サンプル１について、ＭＲ素子中のバイアス磁界の分布
を調査したところ、図１５のような結果が得られ、該Ｍ
Ｒヘッドにおいては、上部磁性磁極とＭＲ素子の対向長
さがＬ2 とＬ3 の和と見なされることから、ＭＲ素子の
バイアス磁界が飽和する位置が図５に示すような従来の
ものよりもＭＲ素子の媒体対向面側と反対側にずれるこ
ととなり、ＭＲ素子中のバイアス磁界が飽和する位置が
ＭＲ素子の信号磁束流入量の大きい領域からずれている
ことが確認され、このことからも再生出力が向上してい
ることが確認された。
サンプル１について、ＭＲ素子中のバイアス磁界の分布
を調査したところ、図１５のような結果が得られ、該Ｍ
Ｒヘッドにおいては、上部磁性磁極とＭＲ素子の対向長
さがＬ2 とＬ3 の和と見なされることから、ＭＲ素子の
バイアス磁界が飽和する位置が図５に示すような従来の
ものよりもＭＲ素子の媒体対向面側と反対側にずれるこ
ととなり、ＭＲ素子中のバイアス磁界が飽和する位置が
ＭＲ素子の信号磁束流入量の大きい領域からずれている
ことが確認され、このことからも再生出力が向上してい
ることが確認された。
【００４１】さらに、実施例３の角度θが該ＭＲヘッド
の特性に及ぼす影響を調査した。先ず、θ＝１５ｄｅｇ
であるＭＲヘッド実施サンプル３とθ＝３０ｄｅｇであ
るＭＲヘッド実施サンプル４、及びθ＝４５ｄｅｇであ
るＭＲヘッド比較サンプル２を用意し、これらの上部磁
性磁極がギャップ長ｇ1 を有する磁気ギャップＧを介し
てＭＲ素子と対向する対向長さＬ2 （実施例２のＭＲヘ
ッドにおいては、ＭＲ素子と先端電極の接続長さＬ1 と
同一。）を変化させ、それぞれの場合における最適バイ
アス磁界を得るために必要とされるバイアス電流Ｉｂを
測定した。結果を図１６に示す。図中□はＭＲヘッド実
施サンプル３、図中◇はＭＲヘッド実施サンプル４、図
中＋はＭＲヘッド比較サンプル２の結果を示す。図１６
の結果から、θ≦３０ｄｅｇであるＭＲヘッド実施サン
プル３，４においては、バイアス電流Ｉｂが対向長さＬ
2 によってあまり変化しないことが確認された。従っ
て、実施例３のようなＭＲヘッドにおいてθ≦３０ｄｅ
ｇとすれば、ＭＲヘッド毎の対向長さＬ2 が異なってい
ても、各ＭＲヘッドのバイアス電流Ｉｂを略一定とする
ことが可能となる。従って、該ＭＲヘッドをハードディ
スクドライブ装置に組み込んだ場合において、使用する
端子を削減することができ、装置の小型化に対応するこ
とが可能となる。
の特性に及ぼす影響を調査した。先ず、θ＝１５ｄｅｇ
であるＭＲヘッド実施サンプル３とθ＝３０ｄｅｇであ
るＭＲヘッド実施サンプル４、及びθ＝４５ｄｅｇであ
るＭＲヘッド比較サンプル２を用意し、これらの上部磁
性磁極がギャップ長ｇ1 を有する磁気ギャップＧを介し
てＭＲ素子と対向する対向長さＬ2 （実施例２のＭＲヘ
ッドにおいては、ＭＲ素子と先端電極の接続長さＬ1 と
同一。）を変化させ、それぞれの場合における最適バイ
アス磁界を得るために必要とされるバイアス電流Ｉｂを
測定した。結果を図１６に示す。図中□はＭＲヘッド実
施サンプル３、図中◇はＭＲヘッド実施サンプル４、図
中＋はＭＲヘッド比較サンプル２の結果を示す。図１６
の結果から、θ≦３０ｄｅｇであるＭＲヘッド実施サン
プル３，４においては、バイアス電流Ｉｂが対向長さＬ
2 によってあまり変化しないことが確認された。従っ
て、実施例３のようなＭＲヘッドにおいてθ≦３０ｄｅ
ｇとすれば、ＭＲヘッド毎の対向長さＬ2 が異なってい
ても、各ＭＲヘッドのバイアス電流Ｉｂを略一定とする
ことが可能となる。従って、該ＭＲヘッドをハードディ
スクドライブ装置に組み込んだ場合において、使用する
端子を削減することができ、装置の小型化に対応するこ
とが可能となる。
【００４２】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明においては、少なくとも磁気抵抗効果素子の媒体対向
面側に先端電極が積層され、該先端電極を介して上部磁
性磁極が磁気抵抗効果素子と対向するように積層形成さ
れてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗
効果素子と先端電極の接続長さＬ1 が、上部磁性磁極と
磁気抵抗効果素子が磁気ギャップＧを有して対向する対
向長さＬ2 以下であるため、磁気抵抗効果素子の感度の
良好な部分での磁気抵抗効果を得ることができ、再生出
力を向上させ、小さいバイアス電流で最適なバイアス磁
界を得ることができ、装置の省力化が可能となる。
明においては、少なくとも磁気抵抗効果素子の媒体対向
面側に先端電極が積層され、該先端電極を介して上部磁
性磁極が磁気抵抗効果素子と対向するように積層形成さ
れてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗
効果素子と先端電極の接続長さＬ1 が、上部磁性磁極と
磁気抵抗効果素子が磁気ギャップＧを有して対向する対
向長さＬ2 以下であるため、磁気抵抗効果素子の感度の
良好な部分での磁気抵抗効果を得ることができ、再生出
力を向上させ、小さいバイアス電流で最適なバイアス磁
界を得ることができ、装置の省力化が可能となる。
【００４３】また本発明は上述の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドにおいて、上部磁性磁極と磁気抵抗効果素子が磁気
ギャップＧよりも大である距離ｇ2 を有して対向する部
分を有するため、さらに高い効果を得ることができる。
ッドにおいて、上部磁性磁極と磁気抵抗効果素子が磁気
ギャップＧよりも大である距離ｇ2 を有して対向する部
分を有するため、さらに高い効果を得ることができる。
【００４４】さらに本発明は、上述のような磁気抵抗効
果型磁気ヘッドにおいて、上部磁性磁極と磁気抵抗効果
素子が磁気ギャップＧのギャップ長ｇ1 よりも大である
距離ｇ2 を有して対向する対向長さＬ3 が、１μｍ≦Ｌ
3 ≦５μｍであるため、磁気抵抗効果素子中のバイアス
磁界分布が変化し、バイアス磁界の飽和位置が磁気抵抗
効果素子の感度の良好な領域から外れ、再生出力を更に
向上させることができる。また、最適バイアス磁界を形
成するために必要とされるバイアス電流の対向長さＬ2
への依存性を低くすることができる。従って、各磁気抵
抗効果型磁気ヘッド毎の磁気抵抗効果素子と先端電極の
対向長さＬ2 が異なっていても、必要とされるバイアス
電流を略一定とすることができ、必要とされる端子数を
著しく削減することが可能となり、装置の小型化を達成
でき、その工業的価値は非常に高い。
果型磁気ヘッドにおいて、上部磁性磁極と磁気抵抗効果
素子が磁気ギャップＧのギャップ長ｇ1 よりも大である
距離ｇ2 を有して対向する対向長さＬ3 が、１μｍ≦Ｌ
3 ≦５μｍであるため、磁気抵抗効果素子中のバイアス
磁界分布が変化し、バイアス磁界の飽和位置が磁気抵抗
効果素子の感度の良好な領域から外れ、再生出力を更に
向上させることができる。また、最適バイアス磁界を形
成するために必要とされるバイアス電流の対向長さＬ2
への依存性を低くすることができる。従って、各磁気抵
抗効果型磁気ヘッド毎の磁気抵抗効果素子と先端電極の
対向長さＬ2 が異なっていても、必要とされるバイアス
電流を略一定とすることができ、必要とされる端子数を
著しく削減することが可能となり、装置の小型化を達成
でき、その工業的価値は非常に高い。
【００４５】また本発明は、上述のような磁気抵抗効果
型磁気ヘッドにおいて、距離ｇ2 が磁気ギャップＧのギ
ャップ長ｇ1 の３倍以下であるため、磁気抵抗効果素子
中のバイアス磁界分布が変化し、バイアス磁界の飽和位
置が磁気抵抗効果素子の感度の良好な領域から外れ、再
生出力を更に向上させることができる。また、最適バイ
アス磁界を形成するために必要とされるバイアス電流の
対向長さＬ2 への依存性を低くすることができる。従っ
て、各磁気抵抗効果型磁気ヘッド毎の磁気抵抗効果素子
と先端電極の対向長さＬ2 が異なっていても、必要とさ
れるバイアス電流を略一定とすることができ、必要とさ
れる端子数を著しく削減することが可能となり、装置の
小型化を達成でき、その工業的価値は非常に高い。
型磁気ヘッドにおいて、距離ｇ2 が磁気ギャップＧのギ
ャップ長ｇ1 の３倍以下であるため、磁気抵抗効果素子
中のバイアス磁界分布が変化し、バイアス磁界の飽和位
置が磁気抵抗効果素子の感度の良好な領域から外れ、再
生出力を更に向上させることができる。また、最適バイ
アス磁界を形成するために必要とされるバイアス電流の
対向長さＬ2 への依存性を低くすることができる。従っ
て、各磁気抵抗効果型磁気ヘッド毎の磁気抵抗効果素子
と先端電極の対向長さＬ2 が異なっていても、必要とさ
れるバイアス電流を略一定とすることができ、必要とさ
れる端子数を著しく削減することが可能となり、装置の
小型化を達成でき、その工業的価値は非常に高い。
【００４６】さらに本発明は、上述のような磁気抵抗効
果型磁気ヘッドにおいて、上部磁性磁極と磁気抵抗効果
素子が距離ｇ2 を有して対向する部分において、上部磁
性磁極が３０°以下の角度を有して磁気抵抗効果素子か
ら遠ざかるように形成され、距離ｇ2 が次第に増加して
いるため、磁気抵抗効果素子中のバイアス磁界分布が変
化し、バイアス磁界の飽和位置が磁気抵抗効果素子の感
度の良好な領域から外れ、再生出力を更に向上させるこ
とができる。また、最適バイアス磁界を形成するために
必要とされるバイアス電流の対向長さＬ3 への依存性を
低くすることができる。従って、各磁気抵抗効果型磁気
ヘッド毎の磁気抵抗効果素子と先端電極の対向長さＬ2
が異なっていても、必要とされるバイアス電流を略一定
とすることができ、必要とされる端子数を著しく削減す
ることが可能となり、装置の小型化を達成でき、その工
業的価値は非常に高い。
果型磁気ヘッドにおいて、上部磁性磁極と磁気抵抗効果
素子が距離ｇ2 を有して対向する部分において、上部磁
性磁極が３０°以下の角度を有して磁気抵抗効果素子か
ら遠ざかるように形成され、距離ｇ2 が次第に増加して
いるため、磁気抵抗効果素子中のバイアス磁界分布が変
化し、バイアス磁界の飽和位置が磁気抵抗効果素子の感
度の良好な領域から外れ、再生出力を更に向上させるこ
とができる。また、最適バイアス磁界を形成するために
必要とされるバイアス電流の対向長さＬ3 への依存性を
低くすることができる。従って、各磁気抵抗効果型磁気
ヘッド毎の磁気抵抗効果素子と先端電極の対向長さＬ2
が異なっていても、必要とされるバイアス電流を略一定
とすることができ、必要とされる端子数を著しく削減す
ることが可能となり、装置の小型化を達成でき、その工
業的価値は非常に高い。
【００４７】また本発明は、上述のような磁気抵抗効果
型磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素子と上部磁性磁
極が先端電極によって電気的に接続されているため、必
要とされる端子数を更に削減することが可能となり、装
置を更に小型化でき、その工業的価値は非常に高い。
型磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素子と上部磁性磁
極が先端電極によって電気的に接続されているため、必
要とされる端子数を更に削減することが可能となり、装
置を更に小型化でき、その工業的価値は非常に高い。
【図１】接続長さＬ1 と再生出力の関係を示す図であ
る。
る。
【図２】ＭＲ素子中の信号磁束流入量の分布を示す図で
ある。
ある。
【図３】ＭＲ素子の磁気抵抗効果特性を示す図である。
【図４】対向長さＬ2 とバイアス電流Ｉｂの関係を示す
図である。
図である。
【図５】ＭＲ素子中のバイアス磁界の分布を示す図であ
る。
る。
【図６】本発明を適用したＭＲヘッドの第１の実施例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図７】本発明を適用したＭＲヘッドの第２の実施例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図８】本発明を適用したＭＲヘッドの第３の実施例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図９】ＭＲヘッド実施サンプル１のバイアス電流に対
する再生出力の変化を示す図である。
する再生出力の変化を示す図である。
【図１０】ＭＲヘッド実施サンプル１のバイアス電流に
対する再生波形の対称性の変化を示す図である。
対する再生波形の対称性の変化を示す図である。
【図１１】ＭＲヘッド比較サンプル１のバイアス電流に
対する再生出力の変化を示す図である。
対する再生出力の変化を示す図である。
【図１２】ＭＲヘッド比較サンプル１のバイアス電流に
対する再生波形の対称性の変化を示す図である。
対する再生波形の対称性の変化を示す図である。
【図１３】ＭＲヘッド実施サンプル１とＭＲヘッド比較
サンプル１の対向長さＬ2 に対する再生出力の変化を示
す図である。
サンプル１の対向長さＬ2 に対する再生出力の変化を示
す図である。
【図１４】ＭＲヘッド実施サンプル１，２とＭＲヘッド
比較サンプル１の対向長さＬ2 に対するバイアス電流Ｉ
ｂの変化を示す図である。
比較サンプル１の対向長さＬ2 に対するバイアス電流Ｉ
ｂの変化を示す図である。
【図１５】ＭＲヘッド実施サンプル１のＭＲ素子中のバ
イアス磁界の分布を示す図である。
イアス磁界の分布を示す図である。
【図１６】ＭＲヘッド実施サンプル３，４とＭＲヘッド
比較サンプル２の対向長さＬ2 に対するバイアス電流Ｉ
ｂの変化を示す図である。
比較サンプル２の対向長さＬ2 に対するバイアス電流Ｉ
ｂの変化を示す図である。
【図１７】従来のＭＲヘッドを示す断面図である。
６，１６，３６・・・ＭＲ素子 ７，１７，３７・・・先端電極 ５，１５，３５・・・上部磁性磁極 ５ａ，４１・・・・・先端部 ２１・・・・・・・・段差部 ２１ａ・・・・・・・上段部 ２１ｂ・・・・・・・下段部 ４１ａ・・・・・・・平坦部 ４１ｂ・・・・・・・傾斜部 Ｇ・・・・・・・・・磁気ギャップ ｇ1 ・・・・・・・・ギャップ長 ｇ2 ・・・・・・・・距離 Ｌ1 ・・・・・・・・接続長さ Ｌ2 ，Ｌ3 ・・・・・対向長さ θ・・・・・・・・・角度
Claims (6)
- 【請求項１】 少なくとも磁気抵抗効果素子の媒体対向
面側に先端電極が積層され、該先端電極を介して上部磁
性磁極が磁気抵抗効果素子と対向するように積層形成さ
れてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、 磁気抵抗効果素子と先端電極の接続長さＬ1 が、上部磁
性磁極と磁気抵抗効果素子が磁気ギャップＧを介して対
向する対向長さＬ2 以下であることを特徴とする磁気抵
抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項２】 上部磁性磁極と磁気抵抗効果素子が磁気
ギャップＧのギャップ長ｇ1 よりも大である距離ｇ2 を
有して対向する部分を有することを特徴とする請求項１
記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項３】 上部磁性磁極と磁気抵抗効果素子が磁気
ギャップＧのギャップ長ｇ1 よりも大である距離ｇ2 を
有して対向する対向長さＬ3 が、１μｍ≦Ｌ3≦５μｍ
であることを特徴とする請求項２記載の磁気抵抗効果型
磁気ヘッド。 - 【請求項４】 距離ｇ2 が磁気ギャップＧのギャップ長
ｇ1 の３倍以下であることを特徴とする請求項２又は３
記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項５】 上部磁性磁極と磁気抵抗効果素子が距離
ｇ2 を有して対向する部分において、上部磁性磁極が３
０°以下の角度を有して磁気抵抗効果素子から遠ざかる
ように形成され、距離ｇ2 が次第に増加していることを
特徴とする請求項２又は３記載の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッド。 - 【請求項６】 磁気抵抗効果素子と上部磁性磁極が先端
電極によって電気的に接続されていることを特徴とする
請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5097476A JPH06309628A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
| KR1019940008153A KR940024677A (ko) | 1993-04-23 | 1994-04-19 | 자기저항효과형 자기헤드 |
| DE69419063T DE69419063T2 (de) | 1993-04-23 | 1994-04-21 | Magnetkopf mit magnetischem Reluktanzeffekt |
| EP94106252A EP0621584B1 (en) | 1993-04-23 | 1994-04-21 | Magnetic reluctance effect magnetic head |
| US08/231,513 US6130810A (en) | 1993-04-23 | 1994-04-22 | Magnetic reluctance effect magnetic head with the connection length of the forward electrode less than the facing length of the magnetic gap |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5097476A JPH06309628A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06309628A true JPH06309628A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14193352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5097476A Withdrawn JPH06309628A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6130810A (ja) |
| EP (1) | EP0621584B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06309628A (ja) |
| KR (1) | KR940024677A (ja) |
| DE (1) | DE69419063T2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6510030B1 (en) * | 1999-08-17 | 2003-01-21 | Seagate Technology, Llc | Transducing head and method for forming a recessed shield for a transducing head |
| US6456465B1 (en) * | 1999-11-09 | 2002-09-24 | Read-Rite Corporation | Vertical giant magnetoresistance sensor using a recessed shield |
| US6385016B1 (en) * | 2000-03-31 | 2002-05-07 | Seagate Technology Llc | Magnetic read head with an insulator layer between an MR sensor and rear portions of current contacts to provide enhanced sensitivity |
| US6512660B1 (en) * | 2000-08-07 | 2003-01-28 | Tdk Corporation | Current perpendicular-to-the-plane magnetoresistance read head with longitudinal or transverse bias provided by current |
| US20040004812A1 (en) * | 2002-07-03 | 2004-01-08 | Dell Products L.P. | Pivotable processor shroud and method of use |
| US11495731B2 (en) * | 2018-09-13 | 2022-11-08 | Magnecomp Corporation | Multilayer PZT electrode configuration for suspension stroke increase |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4967298A (en) * | 1987-02-17 | 1990-10-30 | Mowry Greg S | Magnetic head with magnetoresistive sensor, inductive write head, and shield |
| US5218497A (en) * | 1988-12-02 | 1993-06-08 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording-reproducing apparatus and magnetoresistive head having two or more magnetoresistive films for use therewith |
| US4987509A (en) * | 1989-10-05 | 1991-01-22 | Hewlett-Packard Company | Magnetoresistive head structures for longitudinal and perpendicular transition detection |
| US5247413A (en) * | 1990-05-16 | 1993-09-21 | Sony Corporation | Magnetoresistance effect type thin film magnetic head with noise reducing electrode |
| JPH0421916A (ja) * | 1990-05-16 | 1992-01-24 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド |
| EP0477941B1 (en) * | 1990-09-28 | 1996-03-06 | Sony Corporation | Magneto-resistance effect type magnetic head |
| JPH0540920A (ja) * | 1991-08-02 | 1993-02-19 | Sony Corp | 複合型磁気ヘツド及びその製造方法 |
| US5301079A (en) * | 1992-11-17 | 1994-04-05 | International Business Machines Corporation | Current biased magnetoresistive spin valve sensor |
| US5375022A (en) * | 1993-08-06 | 1994-12-20 | International Business Machines Corporation | Magnetic disk drive with electrical shorting protection |
-
1993
- 1993-04-23 JP JP5097476A patent/JPH06309628A/ja not_active Withdrawn
-
1994
- 1994-04-19 KR KR1019940008153A patent/KR940024677A/ko not_active Application Discontinuation
- 1994-04-21 DE DE69419063T patent/DE69419063T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-04-21 EP EP94106252A patent/EP0621584B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-22 US US08/231,513 patent/US6130810A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0621584A3 (en) | 1996-07-31 |
| EP0621584A2 (en) | 1994-10-26 |
| DE69419063D1 (de) | 1999-07-22 |
| KR940024677A (ko) | 1994-11-18 |
| US6130810A (en) | 2000-10-10 |
| DE69419063T2 (de) | 1999-12-23 |
| EP0621584B1 (en) | 1999-06-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000704 |