JPH06223333A - 磁気抵抗効果再生ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果再生ヘッドInfo
- Publication number
- JPH06223333A JPH06223333A JP5013193A JP1319393A JPH06223333A JP H06223333 A JPH06223333 A JP H06223333A JP 5013193 A JP5013193 A JP 5013193A JP 1319393 A JP1319393 A JP 1319393A JP H06223333 A JPH06223333 A JP H06223333A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- conductor layer
- cross
- sectional area
- reduced
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】クロストークが少ない、オフトラック特性の良
好な磁気抵抗効果再生ヘッドを得る。 【構成】導体層の断面積が記録媒体対向面に近づくにつ
れて減少し、記録媒体に対向する断面積がほぼ０となる
ことを特徴とする磁気抵抗効果再生ヘッド。特に、導体
層の磁気抵抗効果素子と接する領域において、断面積が
最大となる導体層の幅Ｗと媒体に対向する面の幅Ｌの比
Ｌ／Ｗが０.５以下望ましくは０.１以下とする。 【効果】従来の磁気抵抗効果再生ヘッドのクロストーク
量を、３〜５ｄＢ減少でき、オフトラック特性の良好な
磁気抵抗効果再生ヘッドを得ることができる。
好な磁気抵抗効果再生ヘッドを得る。 【構成】導体層の断面積が記録媒体対向面に近づくにつ
れて減少し、記録媒体に対向する断面積がほぼ０となる
ことを特徴とする磁気抵抗効果再生ヘッド。特に、導体
層の磁気抵抗効果素子と接する領域において、断面積が
最大となる導体層の幅Ｗと媒体に対向する面の幅Ｌの比
Ｌ／Ｗが０.５以下望ましくは０.１以下とする。 【効果】従来の磁気抵抗効果再生ヘッドのクロストーク
量を、３〜５ｄＢ減少でき、オフトラック特性の良好な
磁気抵抗効果再生ヘッドを得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体から情報
信号を読み取るための再生ヘッドに係り、特に、改良さ
れた磁気抵抗効果再生ヘッドに関する。
信号を読み取るための再生ヘッドに係り、特に、改良さ
れた磁気抵抗効果再生ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に磁気抵抗効果（ＭＲ）再生ヘッド
は、例えば論文アイイーイーイートランザクションズ
オン マグネティクス エムエイジー１８「IEEE Tran
s.Magn.MAG-18, 1155(1982)」に記載されているように
図２に示す構造となっている。同図において、１は矩形
パターンのＭＲ素子、２は非磁性絶縁層、３，３′は引
き出し導体細片、４，４′は磁気シールド体である。記
録媒体５はこのヘッドの下をＸ方向に移動する。二つの
引き出し導体細片３，３′は、それぞれＭＲ素子１の両
端に接合されており、引き出し導体細片３，３′を通し
てセンス電流ｊがＭＲ素子１の信号検知領域に流され
る。信号検知領域は記録媒体５からの磁界で抵抗変化を
生じ両端の電圧を変化させる。ＭＲヘッドはこの電圧変
化により媒体５からの信号磁界を検知する。
は、例えば論文アイイーイーイートランザクションズ
オン マグネティクス エムエイジー１８「IEEE Tran
s.Magn.MAG-18, 1155(1982)」に記載されているように
図２に示す構造となっている。同図において、１は矩形
パターンのＭＲ素子、２は非磁性絶縁層、３，３′は引
き出し導体細片、４，４′は磁気シールド体である。記
録媒体５はこのヘッドの下をＸ方向に移動する。二つの
引き出し導体細片３，３′は、それぞれＭＲ素子１の両
端に接合されており、引き出し導体細片３，３′を通し
てセンス電流ｊがＭＲ素子１の信号検知領域に流され
る。信号検知領域は記録媒体５からの磁界で抵抗変化を
生じ両端の電圧を変化させる。ＭＲヘッドはこの電圧変
化により媒体５からの信号磁界を検知する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来技術では狭ト
ラック化につれて問題となるクロストークについての考
慮がなされておらず、隣接するトラックから、ＭＲ膜両
端に接合された導体層に磁束を誘導するという問題があ
った。本発明の目的は、隣接トラックからのクロストー
ク量が少ないヘッド形状を設計することにある。
ラック化につれて問題となるクロストークについての考
慮がなされておらず、隣接するトラックから、ＭＲ膜両
端に接合された導体層に磁束を誘導するという問題があ
った。本発明の目的は、隣接トラックからのクロストー
ク量が少ないヘッド形状を設計することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的は導体層の断面
積が記録媒体対向面に近づくにつれて減少し、記録媒体
に対向する断面積はほぼ０となるようにすることにより
達成される。
積が記録媒体対向面に近づくにつれて減少し、記録媒体
に対向する断面積はほぼ０となるようにすることにより
達成される。
【０００５】
【作用】本発明によれば、導体層の媒体に対向する領域
が小さいので、導体層と交叉する記録媒体からの磁束が
減少する。これにより隣接するトラックからのクロスト
ーク量が減少し再生効率が向上する。
が小さいので、導体層と交叉する記録媒体からの磁束が
減少する。これにより隣接するトラックからのクロスト
ーク量が減少し再生効率が向上する。
【０００６】
【実施例】図１は本発明の実施例を示す説明図である。
本実施例は、両端に引き出し導体細片３，３′が接合さ
れた矩形パターンのＭＲ素子１が非磁性絶縁層２を介し
て磁気シールド体４，４′の間に設けられていることは
図２で説明した従来例と同様である。本実施例ではＭＲ
素子をＮｉ−Ｆｅ合金、硬磁性体層はＣｏＰｔＣｒ合金
で形成した。本実施例では両端の導体層３，３′の幅が
記録媒体対向面に近づくにつれて減少するようにし、媒
体に対向する面の幅ができるだけ０となるようにした。
本実施例では図１に示すＬ／Ｗは０.０５ である。実
際、図２で５′のようにヘッドが隣の媒体の端部と０.
５μｍ 重なったオフトラック時に再生を行った結果、
本実施例のヘッドのクロストーク量は従来のヘッドより
５ｄＢ減少した。
本実施例は、両端に引き出し導体細片３，３′が接合さ
れた矩形パターンのＭＲ素子１が非磁性絶縁層２を介し
て磁気シールド体４，４′の間に設けられていることは
図２で説明した従来例と同様である。本実施例ではＭＲ
素子をＮｉ−Ｆｅ合金、硬磁性体層はＣｏＰｔＣｒ合金
で形成した。本実施例では両端の導体層３，３′の幅が
記録媒体対向面に近づくにつれて減少するようにし、媒
体に対向する面の幅ができるだけ０となるようにした。
本実施例では図１に示すＬ／Ｗは０.０５ である。実
際、図２で５′のようにヘッドが隣の媒体の端部と０.
５μｍ 重なったオフトラック時に再生を行った結果、
本実施例のヘッドのクロストーク量は従来のヘッドより
５ｄＢ減少した。
【０００７】図３は従来のＭＲヘッドと、本実施例のＭ
ＲヘッドそれぞれのＰ−Ｑ間のトラック幅方向にそった
電位を計算機シミュレーションにより計算して比較した
結果である。本発明のＭＲヘッドの電位分布は引き出し
導体細片３，３′の形状を大幅に変えたにもかゝわら
ず、従来のヘッドとほとんど変わらない。媒体対向面側
およびその反対側におけるトラック幅方向の電位分布も
同様に両者でほぼ同じ値となった。すなわち、本実施例
のようにＭＲ膜に接する電極部の面積を従来のヘッドよ
り狭くしても、電流によるバイアス磁界はほとんどかわ
らず、磁気抵抗による再生特性は低下しない。本実施例
によりヘッドの再生出力を低減することなく、クロスト
ーク量を低減することができた。
ＲヘッドそれぞれのＰ−Ｑ間のトラック幅方向にそった
電位を計算機シミュレーションにより計算して比較した
結果である。本発明のＭＲヘッドの電位分布は引き出し
導体細片３，３′の形状を大幅に変えたにもかゝわら
ず、従来のヘッドとほとんど変わらない。媒体対向面側
およびその反対側におけるトラック幅方向の電位分布も
同様に両者でほぼ同じ値となった。すなわち、本実施例
のようにＭＲ膜に接する電極部の面積を従来のヘッドよ
り狭くしても、電流によるバイアス磁界はほとんどかわ
らず、磁気抵抗による再生特性は低下しない。本実施例
によりヘッドの再生出力を低減することなく、クロスト
ーク量を低減することができた。
【０００８】導体層の記録媒体対向面の面積が小さいＭ
Ｒヘッドを多数作製し、それぞれのクロストーク量を上
記条件で測定した結果を図４に示す。Ｌ／Ｗが０.５ 以
下のとき、従来ヘッド（Ｌ／Ｗ＝０）に比べてクロスト
ーク量が３〜５ｄＢ減少し、オフトラック特性の良好な
ヘッドが得られた。
Ｒヘッドを多数作製し、それぞれのクロストーク量を上
記条件で測定した結果を図４に示す。Ｌ／Ｗが０.５ 以
下のとき、従来ヘッド（Ｌ／Ｗ＝０）に比べてクロスト
ーク量が３〜５ｄＢ減少し、オフトラック特性の良好な
ヘッドが得られた。
【０００９】
【発明の効果】本発明によれば、記録媒体からの磁束が
導体層と鎖交する量が減少するのでクロストーク量が小
さい、オフトラック特性の良好な磁気抵抗効果再生ヘッ
ドを得ることができる。
導体層と鎖交する量が減少するのでクロストーク量が小
さい、オフトラック特性の良好な磁気抵抗効果再生ヘッ
ドを得ることができる。
【図１】本発明による磁気抵抗効果再生ヘッドの実施例
を示した説明図。
を示した説明図。
【図２】従来の磁気抵抗効果再生ヘッドを示した説明
図。
図。
【図３】図１，図２におけるＰ−Ｑ間の電位分布図。
【図４】導体層の形状とクロストーク量の関係を示した
測定図。
測定図。
１…磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）、２…非磁性絶縁
層、３，３′…引き出し導体層、４，４′…磁気シール
ド体、５…記録媒体、５′…オフトラック時の記録媒
体。
層、３，３′…引き出し導体層、４，４′…磁気シール
ド体、５…記録媒体、５′…オフトラック時の記録媒
体。
Claims (2)
- 【請求項１】二つの磁気シールド体の間に非磁性絶縁層
を介して配設される磁気抵抗効果素子と、その両端に接
続端部を有する非磁性の導体層が接続されている磁気抵
抗効果再生ヘッドにおいて、上記導体層の断面積が記録
媒体の対向面に近づくにつれて減少し、記録媒体に対向
する断面積は、ほぼ０となることを特徴とする磁気抵抗
効果再生ヘッド。 - 【請求項２】請求項１において、前記導体層の、磁気抵
抗効果素子と接する領域において、断面積が最大となる
導体層の幅Ｗと媒体に対向する面の幅Ｌの比Ｌ／Ｗが０
〜０.５望ましくは０〜０.１である磁気抵抗効果再生ヘ
ッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5013193A JPH06223333A (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 磁気抵抗効果再生ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5013193A JPH06223333A (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 磁気抵抗効果再生ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06223333A true JPH06223333A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=11826331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5013193A Pending JPH06223333A (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 磁気抵抗効果再生ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06223333A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100246550B1 (ko) * | 1995-10-15 | 2000-03-15 | 가네꼬 히사시 | 자기 저항 효과 소자 |
-
1993
- 1993-01-29 JP JP5013193A patent/JPH06223333A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100246550B1 (ko) * | 1995-10-15 | 2000-03-15 | 가네꼬 히사시 | 자기 저항 효과 소자 |
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Legal Events
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