JPH1174187A - 基板加熱処理方法および装置 - Google Patents
基板加熱処理方法および装置Info
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- JPH1174187A JPH1174187A JP24782397A JP24782397A JPH1174187A JP H1174187 A JPH1174187 A JP H1174187A JP 24782397 A JP24782397 A JP 24782397A JP 24782397 A JP24782397 A JP 24782397A JP H1174187 A JPH1174187 A JP H1174187A
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- heating
- heating plate
- heat treatment
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板を搬入して加熱板上に載置した後基板の
温度が所定の加熱処理温度に到達するまでの時間が短縮
されて、装置のスループットを向上させることができ、
複数枚の基板を連続して加熱処理したときに、複数枚の
基板を均一に加熱処理することができる方法を提供す
る。 【解決手段】 所定の加熱処理温度に加熱された加熱板
上へ基板を搬入し、加熱板の上面に基板を接触させて一
定時間保持し、基板を加熱処理した後加熱板上から基板
を搬出する熱処理サイクルにおいて、加熱板を固定出力
で加熱する状態と自動温度調節して加熱する状態とを切
り換える。
温度が所定の加熱処理温度に到達するまでの時間が短縮
されて、装置のスループットを向上させることができ、
複数枚の基板を連続して加熱処理したときに、複数枚の
基板を均一に加熱処理することができる方法を提供す
る。 【解決手段】 所定の加熱処理温度に加熱された加熱板
上へ基板を搬入し、加熱板の上面に基板を接触させて一
定時間保持し、基板を加熱処理した後加熱板上から基板
を搬出する熱処理サイクルにおいて、加熱板を固定出力
で加熱する状態と自動温度調節して加熱する状態とを切
り換える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
液晶表示装置用あるいはフォトマスク用のガラス基板な
どの基板の表面にフォトレジスト等の塗布液を塗布した
後に基板を加熱処理したり、化学増幅型レジストが塗布
された基板を露光後にベーク処理したりする場合などに
適用される基板加熱処理方法、ならびに、その方法の実
施に使用される基板加熱処理装置に関する。
液晶表示装置用あるいはフォトマスク用のガラス基板な
どの基板の表面にフォトレジスト等の塗布液を塗布した
後に基板を加熱処理したり、化学増幅型レジストが塗布
された基板を露光後にベーク処理したりする場合などに
適用される基板加熱処理方法、ならびに、その方法の実
施に使用される基板加熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】基板の表面にフォトレジスト等の塗布液
を塗布した後に基板を加熱処理したり、化学増幅型レジ
ストが塗布された基板を露光後ベーク（ＰＥＢ）処理し
たりする場合などには、加熱板（ホットプレート）を備
えた基板加熱処理装置が使用され、所定の加熱処理温度
に加熱された加熱板上に基板を直接に載置しあるいは加
熱板上に基板を僅かに浮かせた状態で支持して、加熱板
からの熱伝導により基板を所定の加熱処理温度に加熱す
るようにしている。この基板加熱処理装置においては、
基板を所定の加熱処理温度で加熱処理するために、加熱
板の内部に配置された測温抵抗体で加熱板の温度を測定
し、その測定値に基づいて加熱板に内蔵されたヒータを
ＰＩＤ制御することにより、加熱板の温度を常に所定の
加熱処理温度に保持するようにしている。
を塗布した後に基板を加熱処理したり、化学増幅型レジ
ストが塗布された基板を露光後ベーク（ＰＥＢ）処理し
たりする場合などには、加熱板（ホットプレート）を備
えた基板加熱処理装置が使用され、所定の加熱処理温度
に加熱された加熱板上に基板を直接に載置しあるいは加
熱板上に基板を僅かに浮かせた状態で支持して、加熱板
からの熱伝導により基板を所定の加熱処理温度に加熱す
るようにしている。この基板加熱処理装置においては、
基板を所定の加熱処理温度で加熱処理するために、加熱
板の内部に配置された測温抵抗体で加熱板の温度を測定
し、その測定値に基づいて加熱板に内蔵されたヒータを
ＰＩＤ制御することにより、加熱板の温度を常に所定の
加熱処理温度に保持するようにしている。
【０００３】ところが、基板を加熱板上へ搬入して載置
した時には、所定の加熱処理温度、例えば１２０℃に保
たれた加熱板が常温（２０℃程度）の基板に熱を吸収さ
れて、一時的に加熱板の温度が大きく低下する。このよ
うな加熱板の急峻な温度低下を即座に補償するように温
度制御が行われると、ヒータから加熱板に熱を与え過ぎ
てしまうことになり、加熱板の温度がオーバーシュート
を起こして、基板を加熱し過ぎてしまう。そこで、従来
は、図５に加熱板および基板のそれぞれの温度変化の様
子を示すように、加熱板の温度（その変化の状態を曲線
Ａで示す）が一時的に大きく低下しても、オーバーシュ
ートすることなく加熱板が１２０℃の温度に緩やかに到
達するように、ＰＩＤの値を変化させることにより対応
していた。図５において、曲線Ｂが基板の温度変化の状
態を示し、ｔａが、基板を加熱板上に搬入して載置した
時点を、ｔｂが、加熱板および基板のそれぞれの温度が
所定の加熱処理温度（１２０℃）に到達した時点をそれ
ぞれ示す。
した時には、所定の加熱処理温度、例えば１２０℃に保
たれた加熱板が常温（２０℃程度）の基板に熱を吸収さ
れて、一時的に加熱板の温度が大きく低下する。このよ
うな加熱板の急峻な温度低下を即座に補償するように温
度制御が行われると、ヒータから加熱板に熱を与え過ぎ
てしまうことになり、加熱板の温度がオーバーシュート
を起こして、基板を加熱し過ぎてしまう。そこで、従来
は、図５に加熱板および基板のそれぞれの温度変化の様
子を示すように、加熱板の温度（その変化の状態を曲線
Ａで示す）が一時的に大きく低下しても、オーバーシュ
ートすることなく加熱板が１２０℃の温度に緩やかに到
達するように、ＰＩＤの値を変化させることにより対応
していた。図５において、曲線Ｂが基板の温度変化の状
態を示し、ｔａが、基板を加熱板上に搬入して載置した
時点を、ｔｂが、加熱板および基板のそれぞれの温度が
所定の加熱処理温度（１２０℃）に到達した時点をそれ
ぞれ示す。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ように、加熱板の温度がオーバーシュートを起こさない
ようにＰＩＤの値を変化させる方法では、加熱板上に基
板を載置した時点ｔａから基板の温度が所定の加熱処理
温度（１２０℃）に到達した時点ｔｂまでの時間Ｔabが
長くかかってしまう。また、加熱処理温度の設定を変更
したときにも、加熱板の温度が変更後の加熱処理温度に
到達するまでの時間が長くかかってしまう。この結果、
装置のスループットが低下することとなる。
ように、加熱板の温度がオーバーシュートを起こさない
ようにＰＩＤの値を変化させる方法では、加熱板上に基
板を載置した時点ｔａから基板の温度が所定の加熱処理
温度（１２０℃）に到達した時点ｔｂまでの時間Ｔabが
長くかかってしまう。また、加熱処理温度の設定を変更
したときにも、加熱板の温度が変更後の加熱処理温度に
到達するまでの時間が長くかかってしまう。この結果、
装置のスループットが低下することとなる。
【０００５】また、加熱板の温度が所定の加熱処理温度
に緩やかに到達するようにＰＩＤの値を調節すると、複
数枚の基板を連続して加熱処理する場合に、基板の加熱
処理温度が安定するまでに数枚の基板の加熱処理が行わ
れる必要がある。このため、基板の熱処理履歴に各基板
間で差を生じる、といった問題点がある。
に緩やかに到達するようにＰＩＤの値を調節すると、複
数枚の基板を連続して加熱処理する場合に、基板の加熱
処理温度が安定するまでに数枚の基板の加熱処理が行わ
れる必要がある。このため、基板の熱処理履歴に各基板
間で差を生じる、といった問題点がある。
【０００６】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、加熱板上に基板を搬入して載置した
後基板の温度が所定の加熱処理温度に到達するまでの時
間が短縮され、また、加熱処理温度の設定を変更したと
きに、加熱板の温度が変更後の加熱処理温度に到達する
までの時間が短縮されて、装置のスループットを向上さ
せることができ、また、複数枚の基板を連続して加熱処
理したときに、各基板間で熱処理履歴に差を生じない
で、各基板間で加熱処理品質がばらつくことなく均一な
加熱処理を行うことができる基板加熱処理方法を提供す
ること、ならびに、その方法を好適に実施することがで
きる基板加熱処理装置を提供することを目的とする。
されたものであり、加熱板上に基板を搬入して載置した
後基板の温度が所定の加熱処理温度に到達するまでの時
間が短縮され、また、加熱処理温度の設定を変更したと
きに、加熱板の温度が変更後の加熱処理温度に到達する
までの時間が短縮されて、装置のスループットを向上さ
せることができ、また、複数枚の基板を連続して加熱処
理したときに、各基板間で熱処理履歴に差を生じない
で、各基板間で加熱処理品質がばらつくことなく均一な
加熱処理を行うことができる基板加熱処理方法を提供す
ること、ならびに、その方法を好適に実施することがで
きる基板加熱処理装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
所定の加熱処理温度に加熱された加熱板上へ基板を搬入
し、加熱板の上面に基板を接触または近接させて一定時
間保持して、基板を加熱処理した後、加熱板上から基板
を搬出し、この熱処理サイクルを繰り返す基板加熱処理
方法において、前記熱処理サイクル内において、前記加
熱板を固定出力で加熱する状態と自動温度調節して加熱
する状態とを切り換えることを特徴とする。
所定の加熱処理温度に加熱された加熱板上へ基板を搬入
し、加熱板の上面に基板を接触または近接させて一定時
間保持して、基板を加熱処理した後、加熱板上から基板
を搬出し、この熱処理サイクルを繰り返す基板加熱処理
方法において、前記熱処理サイクル内において、前記加
熱板を固定出力で加熱する状態と自動温度調節して加熱
する状態とを切り換えることを特徴とする。
【０００８】請求項２に係る発明は、請求項１記載の方
法において、加熱板の上面に基板を接触または近接させ
た時点で自動温度調節加熱状態から固定出力加熱状態へ
切り換え、その切換え時点から所定時間経過後に固定出
力加熱状態から自動温度調節加熱状態へ切り換えて、そ
の自動温度調節加熱状態を、基板が加熱処理された後加
熱板上から搬出され次に加熱処理すべき基板が加熱板上
へ搬入されて加熱板の上面に接触または近接させられる
まで継続させることを特徴とする。
法において、加熱板の上面に基板を接触または近接させ
た時点で自動温度調節加熱状態から固定出力加熱状態へ
切り換え、その切換え時点から所定時間経過後に固定出
力加熱状態から自動温度調節加熱状態へ切り換えて、そ
の自動温度調節加熱状態を、基板が加熱処理された後加
熱板上から搬出され次に加熱処理すべき基板が加熱板上
へ搬入されて加熱板の上面に接触または近接させられる
まで継続させることを特徴とする。
【０００９】請求項３に係る発明は、請求項１または請
求項２記載の方法において、加熱板の自動温度調節をＰ
ＩＤ制御により行うことを特徴とする。
求項２記載の方法において、加熱板の自動温度調節をＰ
ＩＤ制御により行うことを特徴とする。
【００１０】請求項４に係る発明は、上面に基板を接触
または近接させて載置し基板を加熱する加熱板と、この
加熱板を加熱する加熱手段と、この加熱手段を駆動制御
して前記加熱板を所定の加熱処理温度に調節する自動温
度調節手段と、基板を、前記加熱板の上面から上方へ離
間した位置と加熱板の上面に接触または近接した位置と
の間で昇降させる基板昇降手段とを備えた基板加熱処理
装置において、前記加熱手段を固定出力で駆動させて前
記加熱板を前記所定の加熱処理温度より高い温度に加熱
する固定出力駆動手段と、前記自動温度調節手段による
前記加熱手段の駆動制御と前記固定出力駆動手段による
加熱手段の駆動制御とを択一的に切り換える切換え手段
と、この切換え手段を作動させる作動手段とを設けたこ
とを特徴とする。
または近接させて載置し基板を加熱する加熱板と、この
加熱板を加熱する加熱手段と、この加熱手段を駆動制御
して前記加熱板を所定の加熱処理温度に調節する自動温
度調節手段と、基板を、前記加熱板の上面から上方へ離
間した位置と加熱板の上面に接触または近接した位置と
の間で昇降させる基板昇降手段とを備えた基板加熱処理
装置において、前記加熱手段を固定出力で駆動させて前
記加熱板を前記所定の加熱処理温度より高い温度に加熱
する固定出力駆動手段と、前記自動温度調節手段による
前記加熱手段の駆動制御と前記固定出力駆動手段による
加熱手段の駆動制御とを択一的に切り換える切換え手段
と、この切換え手段を作動させる作動手段とを設けたこ
とを特徴とする。
【００１１】請求項５に係る発明は、請求項４記載の装
置において、加熱板の上面に基板を接触または近接させ
た時点で作動手段により切換え手段を作動させて自動温
度調節手段による加熱手段の駆動制御から固定出力駆動
手段による加熱手段の駆動制御へ切り換え、その切換え
時点から所定時間経過後に作動手段により切換え手段を
作動させて固定出力駆動手段による加熱手段の駆動制御
から自動温度調節手段による加熱手段の駆動制御へ切り
換えて、その自動温度調節手段による加熱手段の駆動制
御を、基板が加熱処理された後加熱板上から搬出され次
に加熱処理すべき基板が加熱板上へ搬入されて加熱板の
上面に接触または近接させられるまで継続させることを
特徴とする。
置において、加熱板の上面に基板を接触または近接させ
た時点で作動手段により切換え手段を作動させて自動温
度調節手段による加熱手段の駆動制御から固定出力駆動
手段による加熱手段の駆動制御へ切り換え、その切換え
時点から所定時間経過後に作動手段により切換え手段を
作動させて固定出力駆動手段による加熱手段の駆動制御
から自動温度調節手段による加熱手段の駆動制御へ切り
換えて、その自動温度調節手段による加熱手段の駆動制
御を、基板が加熱処理された後加熱板上から搬出され次
に加熱処理すべき基板が加熱板上へ搬入されて加熱板の
上面に接触または近接させられるまで継続させることを
特徴とする。
【００１２】請求項６に係る発明は、請求項４または請
求項５記載の装置において、自動温度調節手段による加
熱手段の駆動制御がＰＩＤ制御であることを特徴とす
る。
求項５記載の装置において、自動温度調節手段による加
熱手段の駆動制御がＰＩＤ制御であることを特徴とす
る。
【００１３】請求項１に係る発明の基板加熱処理方法で
は、加熱板を固定出力で加熱する状態と自動温度調節し
て加熱する状態とが適宜切り換えられるので、基板を加
熱板上へ搬入した時に基板が加熱板から吸収する熱量に
見合う程度の熱を、固定出力による加熱によって加熱板
に与えておくことにより、一時的に加熱板の温度が大き
く低下することを防止することが可能になる。したがっ
て、自動温度調節へ切り換えて加熱板を加熱しても、加
熱板に熱を与え過ぎてしまってオーバーシュートを起こ
す、といったことが無くなる。このため、加熱板の温度
が所定の加熱処理温度に緩やかに到達する、といったよ
うな自動温度調節を行わなくてもよいので、加熱板上に
基板を載置してから基板の温度が所定の加熱処理温度に
到達するまでの時間が長くかかったり、加熱処理温度の
設定を変更したときに加熱板の温度が変更後の加熱処理
温度に到達するまでの時間が長くかかったりすることを
無くすことができる。また、複数枚の基板を連続して加
熱処理する場合に、基板の加熱処理温度が安定するまで
に数枚の基板の加熱処理を要する、といったことも無
く、すべての基板を同一の加熱処理温度で加熱処理する
ことができる。
は、加熱板を固定出力で加熱する状態と自動温度調節し
て加熱する状態とが適宜切り換えられるので、基板を加
熱板上へ搬入した時に基板が加熱板から吸収する熱量に
見合う程度の熱を、固定出力による加熱によって加熱板
に与えておくことにより、一時的に加熱板の温度が大き
く低下することを防止することが可能になる。したがっ
て、自動温度調節へ切り換えて加熱板を加熱しても、加
熱板に熱を与え過ぎてしまってオーバーシュートを起こ
す、といったことが無くなる。このため、加熱板の温度
が所定の加熱処理温度に緩やかに到達する、といったよ
うな自動温度調節を行わなくてもよいので、加熱板上に
基板を載置してから基板の温度が所定の加熱処理温度に
到達するまでの時間が長くかかったり、加熱処理温度の
設定を変更したときに加熱板の温度が変更後の加熱処理
温度に到達するまでの時間が長くかかったりすることを
無くすことができる。また、複数枚の基板を連続して加
熱処理する場合に、基板の加熱処理温度が安定するまで
に数枚の基板の加熱処理を要する、といったことも無
く、すべての基板を同一の加熱処理温度で加熱処理する
ことができる。
【００１４】請求項２に係る発明の基板加熱処理方法で
は、基板が加熱板上へ搬入されて加熱板の上面に接触ま
たは近接した時点で自動温度調節加熱状態から固定出力
加熱状態へ切り換えられ、その切換え時点から所定時間
経過後に固定出力加熱状態から自動温度調節加熱状態へ
切り換えられ、その自動温度調節加熱状態が、基板が加
熱処理された後加熱板上から搬出され次に加熱処理すべ
き基板が加熱板上へ搬入されて加熱板の上面に接触また
は近接するまで継続されるので、何らかの原因により、
基板が加熱処理されて加熱板上から搬出されてから次の
基板が加熱板上へ搬入されるまでの時間がばらつくよう
なことがあっても、すべての基板で熱処理履歴が同一に
なる。
は、基板が加熱板上へ搬入されて加熱板の上面に接触ま
たは近接した時点で自動温度調節加熱状態から固定出力
加熱状態へ切り換えられ、その切換え時点から所定時間
経過後に固定出力加熱状態から自動温度調節加熱状態へ
切り換えられ、その自動温度調節加熱状態が、基板が加
熱処理された後加熱板上から搬出され次に加熱処理すべ
き基板が加熱板上へ搬入されて加熱板の上面に接触また
は近接するまで継続されるので、何らかの原因により、
基板が加熱処理されて加熱板上から搬出されてから次の
基板が加熱板上へ搬入されるまでの時間がばらつくよう
なことがあっても、すべての基板で熱処理履歴が同一に
なる。
【００１５】請求項３に係る発明の基板加熱処理方法で
は、加熱処理された基板が加熱板上から搬出されて次に
加熱処理すべき基板が加熱板上へ搬入されるまでの期間
を含めて、加熱板の温度を所定の加熱処理温度に精度良
く維持することができる。
は、加熱処理された基板が加熱板上から搬出されて次に
加熱処理すべき基板が加熱板上へ搬入されるまでの期間
を含めて、加熱板の温度を所定の加熱処理温度に精度良
く維持することができる。
【００１６】請求項４に係る発明の装置を使用して基板
の加熱処理を行うときは、固定出力駆動手段により加熱
手段を固定出力で駆動制御させて加熱板を所定の加熱処
理温度より高い温度に加熱する状態と、自動温度調節手
段により加熱手段を駆動制御して加熱板を所定の加熱処
理温度に調節する状態とが、作動手段によって切換え手
段を作動させることにより適宜切り換えられるので、基
板を加熱板上へ搬入した時に基板が加熱板から吸収する
熱量に見合う程度の熱を、固定出力による加熱によって
加熱板に与えておくことにより、一時的に加熱板の温度
が大きく低下することを防止することが可能になる。し
たがって、自動温度調節へ切り換えて加熱板を加熱して
も、加熱板に熱を与え過ぎてしまってオーバーシュート
を起こす、といったことが無くなる。このため、加熱板
の温度が所定の加熱処理温度に緩やかに到達する、とい
ったような自動温度調節を行わなくてもよいので、加熱
板上に基板を載置してから基板の温度が所定の加熱処理
温度に到達するまでの時間が長くかかったり、加熱処理
温度の設定を変更したときに加熱板の温度が変更後の加
熱処理温度に到達するまでの時間が長くかかったりする
ことを無くすことができる。また、複数枚の基板を連続
して加熱処理する場合に、基板の加熱処理温度が安定す
るまでに数枚の基板の加熱処理を要する、といったこと
も無く、すべての基板を同一の加熱処理温度で加熱処理
することができる。
の加熱処理を行うときは、固定出力駆動手段により加熱
手段を固定出力で駆動制御させて加熱板を所定の加熱処
理温度より高い温度に加熱する状態と、自動温度調節手
段により加熱手段を駆動制御して加熱板を所定の加熱処
理温度に調節する状態とが、作動手段によって切換え手
段を作動させることにより適宜切り換えられるので、基
板を加熱板上へ搬入した時に基板が加熱板から吸収する
熱量に見合う程度の熱を、固定出力による加熱によって
加熱板に与えておくことにより、一時的に加熱板の温度
が大きく低下することを防止することが可能になる。し
たがって、自動温度調節へ切り換えて加熱板を加熱して
も、加熱板に熱を与え過ぎてしまってオーバーシュート
を起こす、といったことが無くなる。このため、加熱板
の温度が所定の加熱処理温度に緩やかに到達する、とい
ったような自動温度調節を行わなくてもよいので、加熱
板上に基板を載置してから基板の温度が所定の加熱処理
温度に到達するまでの時間が長くかかったり、加熱処理
温度の設定を変更したときに加熱板の温度が変更後の加
熱処理温度に到達するまでの時間が長くかかったりする
ことを無くすことができる。また、複数枚の基板を連続
して加熱処理する場合に、基板の加熱処理温度が安定す
るまでに数枚の基板の加熱処理を要する、といったこと
も無く、すべての基板を同一の加熱処理温度で加熱処理
することができる。
【００１７】請求項５に係る発明の基板加熱処理装置を
使用するときは、基板が加熱板上へ搬入されて加熱板の
上面に接触または近接した時点で、作動手段により切換
え手段を作動させて自動温度調節手段による加熱手段の
駆動制御から固定出力駆動手段による加熱手段の駆動制
御へ切り換えられ、その切換え時点から所定時間経過後
に、作動手段により切換え手段を作動させて固定出力駆
動手段による加熱手段の駆動制御から自動温度調節手段
による加熱手段の駆動制御へ切り換えられ、その自動温
度調節手段による加熱手段の駆動制御が、基板が加熱処
理された後加熱板上から搬出され次に加熱処理すべき基
板が加熱板上へ搬入されて加熱板の上面に接触または近
接するまで継続されるので、何らかの原因により、基板
が加熱処理されて加熱板上から搬出されてから次の基板
が加熱板上へ搬入されるまでの時間がばらつくようなこ
とがあっても、すべての基板で熱処理履歴が同一にな
る。
使用するときは、基板が加熱板上へ搬入されて加熱板の
上面に接触または近接した時点で、作動手段により切換
え手段を作動させて自動温度調節手段による加熱手段の
駆動制御から固定出力駆動手段による加熱手段の駆動制
御へ切り換えられ、その切換え時点から所定時間経過後
に、作動手段により切換え手段を作動させて固定出力駆
動手段による加熱手段の駆動制御から自動温度調節手段
による加熱手段の駆動制御へ切り換えられ、その自動温
度調節手段による加熱手段の駆動制御が、基板が加熱処
理された後加熱板上から搬出され次に加熱処理すべき基
板が加熱板上へ搬入されて加熱板の上面に接触または近
接するまで継続されるので、何らかの原因により、基板
が加熱処理されて加熱板上から搬出されてから次の基板
が加熱板上へ搬入されるまでの時間がばらつくようなこ
とがあっても、すべての基板で熱処理履歴が同一にな
る。
【００１８】請求項６に係る発明の基板加熱処理装置を
使用するときは、加熱処理された基板が加熱板上から搬
出されて次に加熱処理すべき基板が加熱板上へ搬入され
るまでの期間を含めて、加熱板の温度が所定の加熱処理
温度に精度良く維持される。
使用するときは、加熱処理された基板が加熱板上から搬
出されて次に加熱処理すべき基板が加熱板上へ搬入され
るまでの期間を含めて、加熱板の温度が所定の加熱処理
温度に精度良く維持される。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
について図１ないし図４を参照しながら説明する。
について図１ないし図４を参照しながら説明する。
【００２０】図１および図２は、この発明に係る基板加
熱処理方法を実施するのに使用される基板加熱処理装置
の構成の１例を示し、図１は要部の概略正面図、図２は
回路構成図である。
熱処理方法を実施するのに使用される基板加熱処理装置
の構成の１例を示し、図１は要部の概略正面図、図２は
回路構成図である。
【００２１】この加熱処理装置は、表面に塗布液、例え
ばフォトレジストが塗布された基板Ｗを直接に、あるい
は、微小突起を基板Ｗの下面との間に介在させるなどし
て僅かな間隔を設けて載置する加熱板（ホットプレー
ト）１０を有している。加熱板１０には、ヒータ（図１
には図示せず）が内蔵されており、また、加熱板１０の
温度を測定するための温度センサ１２が内設されてい
る。また、加熱板１０には、複数個、例えば３個の貫通
孔１４が穿設されており、その貫通孔１４にリフトピン
１６がそれぞれ上下方向に摺動自在に挿通されている。
３本のリフトピン１６は、昇降板１８の上面に固着され
ており、昇降板１８は、それを上下方向へ往復移動させ
る駆動機構、図示例ではエアーシリンダ２０に連結され
ている。そして、図１の（ａ）に示すように、エアーシ
リンダ２０によって昇降板１８を上昇させることによ
り、３本のリフトピン１６を加熱板１０の上面より突出
させて、３本のリフトピン１６によって基板Ｗを、加熱
板１０の上面から離間させた状態で支持するようになっ
ている。また、３本のリフトピン１６によって基板Ｗを
支持した状態で、図１の（ｂ）に示すように、エアーシ
リンダ２０によって昇降板１８を下降させることによ
り、３本のリフトピン１６を加熱板１０の上面より下方
へ引き入れ、これに伴って基板Ｗがリフトピン１６上か
ら加熱板１０の上面へ移載されるようになっている。昇
降板１８の移動ストロークの下端に対応する位置には、
昇降板１８が最下位置へ移動して基板Ｗがリフトピン１
６上から加熱板１０の上面へ移載されたことを検知する
位置センサ２２が設けられている。これらのリフトピン
１６の昇降動作は、装置外への基板Ｗの搬出および装置
内への基板Ｗの搬入に際して行われる。また、図示して
いないが、加熱板１０の上方には、それを覆うようにベ
ークカバーが配設されている。
ばフォトレジストが塗布された基板Ｗを直接に、あるい
は、微小突起を基板Ｗの下面との間に介在させるなどし
て僅かな間隔を設けて載置する加熱板（ホットプレー
ト）１０を有している。加熱板１０には、ヒータ（図１
には図示せず）が内蔵されており、また、加熱板１０の
温度を測定するための温度センサ１２が内設されてい
る。また、加熱板１０には、複数個、例えば３個の貫通
孔１４が穿設されており、その貫通孔１４にリフトピン
１６がそれぞれ上下方向に摺動自在に挿通されている。
３本のリフトピン１６は、昇降板１８の上面に固着され
ており、昇降板１８は、それを上下方向へ往復移動させ
る駆動機構、図示例ではエアーシリンダ２０に連結され
ている。そして、図１の（ａ）に示すように、エアーシ
リンダ２０によって昇降板１８を上昇させることによ
り、３本のリフトピン１６を加熱板１０の上面より突出
させて、３本のリフトピン１６によって基板Ｗを、加熱
板１０の上面から離間させた状態で支持するようになっ
ている。また、３本のリフトピン１６によって基板Ｗを
支持した状態で、図１の（ｂ）に示すように、エアーシ
リンダ２０によって昇降板１８を下降させることによ
り、３本のリフトピン１６を加熱板１０の上面より下方
へ引き入れ、これに伴って基板Ｗがリフトピン１６上か
ら加熱板１０の上面へ移載されるようになっている。昇
降板１８の移動ストロークの下端に対応する位置には、
昇降板１８が最下位置へ移動して基板Ｗがリフトピン１
６上から加熱板１０の上面へ移載されたことを検知する
位置センサ２２が設けられている。これらのリフトピン
１６の昇降動作は、装置外への基板Ｗの搬出および装置
内への基板Ｗの搬入に際して行われる。また、図示して
いないが、加熱板１０の上方には、それを覆うようにベ
ークカバーが配設されている。
【００２２】加熱板１０に内蔵されたヒータ２４は、図
２に示すように、電源２６に接続され、ヒータ２４およ
び電源２６に対しそれぞれ直列に第１サイリスタ２８お
よび第２サイリスタ３０が接続されており、両サイリス
タ２８は並列に設置されている。第１サイリスタ２８に
はＰＩＤコントローラ３２が接続され、ＰＩＤコントロ
ーラ３２には、加熱板１０に設置された温度センサ１２
が接続されている。このＰＩＤコントローラ３２によ
り、基板Ｗの加熱処理温度として設定された設定温度、
例えば１２０℃と温度センサ１２によって検出された加
熱板１０の実際の温度との差に基づいて、その差を無く
すようにヒータ２４への出力がＰＩＤ制御される。ま
た、第２サイリスタ３０には、互いに直列に位置センサ
２２の接点２２ａ、タイマー３４およびタイマー接点３
４ａが接続されている。そして、位置センサ２２がオン
された時点、すなわち、図１の（ｂ）に示すように基板
Ｗがリフトピン１４上から加熱板１０の上面へ移載され
た時点で、それまでＰＩＤコントローラ３２によりヒー
タ２４への出力を制御していた状態から固定の最大出力
でヒータ２４を駆動制御する状態へ切り換わり、その切
換え時点からタイマー３４に設定された設定時間が経過
した後に、再びＰＩＤコントローラ３２によりヒータ２
４への出力を制御する状態へ切り換わるようになってい
る。
２に示すように、電源２６に接続され、ヒータ２４およ
び電源２６に対しそれぞれ直列に第１サイリスタ２８お
よび第２サイリスタ３０が接続されており、両サイリス
タ２８は並列に設置されている。第１サイリスタ２８に
はＰＩＤコントローラ３２が接続され、ＰＩＤコントロ
ーラ３２には、加熱板１０に設置された温度センサ１２
が接続されている。このＰＩＤコントローラ３２によ
り、基板Ｗの加熱処理温度として設定された設定温度、
例えば１２０℃と温度センサ１２によって検出された加
熱板１０の実際の温度との差に基づいて、その差を無く
すようにヒータ２４への出力がＰＩＤ制御される。ま
た、第２サイリスタ３０には、互いに直列に位置センサ
２２の接点２２ａ、タイマー３４およびタイマー接点３
４ａが接続されている。そして、位置センサ２２がオン
された時点、すなわち、図１の（ｂ）に示すように基板
Ｗがリフトピン１４上から加熱板１０の上面へ移載され
た時点で、それまでＰＩＤコントローラ３２によりヒー
タ２４への出力を制御していた状態から固定の最大出力
でヒータ２４を駆動制御する状態へ切り換わり、その切
換え時点からタイマー３４に設定された設定時間が経過
した後に、再びＰＩＤコントローラ３２によりヒータ２
４への出力を制御する状態へ切り換わるようになってい
る。
【００２３】なお、図２に示したような回路構成の代わ
りに、マイクロコンピュータを用いて、同様のシーケン
ス動作を行わせるようにしてもよい。
りに、マイクロコンピュータを用いて、同様のシーケン
ス動作を行わせるようにしてもよい。
【００２４】次に、上記構成の基板加熱処理装置を使用
して基板を加熱処理する動作を、図３に示したフローチ
ャートに基づいて説明する。
して基板を加熱処理する動作を、図３に示したフローチ
ャートに基づいて説明する。
【００２５】この基板加熱処理装置による複数枚の基板
の加熱処理を開始して、未だ装置内に基板が存在してい
ない状態では、加熱板１０の温度は、ＰＩＤコントロー
ラ３２によりヒータ２４への出力がＰＩＤ制御されて、
設定された基板の加熱処理温度、例えば１２０℃に維持
されている（ステップＳ１）。そして、装置内へ基板Ｗ
が搬入され（ステップＳ２）、図１の（ａ）に示すよう
に、リフトピン１６が上昇してリフトピン１６上に基板
Ｗが支持された後、リフトピン１６が下降することによ
り、図１の（ｂ）に示すように、基板Ｗがリフトピン１
６上から加熱板１０の上面へ移載される（ステップＳ３
−１）。これと同時に、基板Ｗが加熱板１０上に載置さ
れたことが位置センサ２２によって検知され、位置セン
サ２２の接点２２ａが閉じて、タイマー３４が作動し、
タイマー接点３４ａが閉じて、第２サイリスタ３０がオ
ン状態へ切り換えられる。これにより、それまでＰＩＤ
コントローラ３２によりヒータ２４への出力をＰＩＤ制
御していた状態から固定の最大出力でヒータ２４を駆動
制御する状態へと切り換わる（ステップＳ３−２）。そ
して、固定の最大出力でヒータ２４が駆動されることに
より、加熱板１０の温度が設定温度（１２０℃）以上に
上昇する（ステップＳ４）。この際、加熱板１０上に載
置された基板Ｗも、加熱板１０からの熱伝導によって温
度が次第に上昇する。
の加熱処理を開始して、未だ装置内に基板が存在してい
ない状態では、加熱板１０の温度は、ＰＩＤコントロー
ラ３２によりヒータ２４への出力がＰＩＤ制御されて、
設定された基板の加熱処理温度、例えば１２０℃に維持
されている（ステップＳ１）。そして、装置内へ基板Ｗ
が搬入され（ステップＳ２）、図１の（ａ）に示すよう
に、リフトピン１６が上昇してリフトピン１６上に基板
Ｗが支持された後、リフトピン１６が下降することによ
り、図１の（ｂ）に示すように、基板Ｗがリフトピン１
６上から加熱板１０の上面へ移載される（ステップＳ３
−１）。これと同時に、基板Ｗが加熱板１０上に載置さ
れたことが位置センサ２２によって検知され、位置セン
サ２２の接点２２ａが閉じて、タイマー３４が作動し、
タイマー接点３４ａが閉じて、第２サイリスタ３０がオ
ン状態へ切り換えられる。これにより、それまでＰＩＤ
コントローラ３２によりヒータ２４への出力をＰＩＤ制
御していた状態から固定の最大出力でヒータ２４を駆動
制御する状態へと切り換わる（ステップＳ３−２）。そ
して、固定の最大出力でヒータ２４が駆動されることに
より、加熱板１０の温度が設定温度（１２０℃）以上に
上昇する（ステップＳ４）。この際、加熱板１０上に載
置された基板Ｗも、加熱板１０からの熱伝導によって温
度が次第に上昇する。
【００２６】タイマー３４が作動してから、すなわち、
ヒータ２４への出力がＰＩＤ制御から出力固定制御へと
切り換わった時点から、タイマー３４に設定された設定
時間が経過すると、タイマー接点３４ａが開いて、第２
サイリスタ３０がオンからオフへ切り換わる。これによ
り、固定の最大出力でヒータ２４を駆動していた状態か
ら再びＰＩＤコントローラ３２によりヒータ２４への出
力を制御する状態へと切り換わる（ステップＳ５）。こ
の時、加熱板１０の温度は設定温度（１２０℃）以上と
なっているため、ＰＩＤ制御に切り換わることにより、
加熱板１０の温度が設定温度に向かって低下する（ステ
ップＳ６）。この間も、加熱板１０上の基板Ｗの温度
は、加熱板１０から基板Ｗへの熱伝導により設定温度に
向かって上昇する。そして、ＰＩＤ制御によって加熱板
１０の温度が設定温度に調節され、また、基板Ｗの温度
が所定の加熱処理温度（１２０℃）に到達する（ステッ
プＳ７）。以後、加熱板１０の温度はＰＩＤ制御によっ
て設定温度に保持され、基板Ｗは１２０℃の温度で加熱
処理される（ステップＳ８）。
ヒータ２４への出力がＰＩＤ制御から出力固定制御へと
切り換わった時点から、タイマー３４に設定された設定
時間が経過すると、タイマー接点３４ａが開いて、第２
サイリスタ３０がオンからオフへ切り換わる。これによ
り、固定の最大出力でヒータ２４を駆動していた状態か
ら再びＰＩＤコントローラ３２によりヒータ２４への出
力を制御する状態へと切り換わる（ステップＳ５）。こ
の時、加熱板１０の温度は設定温度（１２０℃）以上と
なっているため、ＰＩＤ制御に切り換わることにより、
加熱板１０の温度が設定温度に向かって低下する（ステ
ップＳ６）。この間も、加熱板１０上の基板Ｗの温度
は、加熱板１０から基板Ｗへの熱伝導により設定温度に
向かって上昇する。そして、ＰＩＤ制御によって加熱板
１０の温度が設定温度に調節され、また、基板Ｗの温度
が所定の加熱処理温度（１２０℃）に到達する（ステッ
プＳ７）。以後、加熱板１０の温度はＰＩＤ制御によっ
て設定温度に保持され、基板Ｗは１２０℃の温度で加熱
処理される（ステップＳ８）。
【００２７】基板Ｗの加熱処理が終了すると、リフトピ
ン１６が上昇して、基板Ｗは、加熱板１０上からリフト
ピン１６上へ移し替えられ、加熱板１０の上面から離間
させられて装置内から搬出される（ステップＳ９）。そ
して、次に加熱処理すべき基板Ｗが装置内へ搬入されて
（ステップＳ２）、上記したステップＳ３−１、３−２
からステップＳ９までの操作が繰り返され、すべての基
板の加熱処理が終了すると（ステップＳ１０）、一連の
処理が終了する。
ン１６が上昇して、基板Ｗは、加熱板１０上からリフト
ピン１６上へ移し替えられ、加熱板１０の上面から離間
させられて装置内から搬出される（ステップＳ９）。そ
して、次に加熱処理すべき基板Ｗが装置内へ搬入されて
（ステップＳ２）、上記したステップＳ３−１、３−２
からステップＳ９までの操作が繰り返され、すべての基
板の加熱処理が終了すると（ステップＳ１０）、一連の
処理が終了する。
【００２８】以上のような基板の加熱処理動作における
加熱板１０の温度変化および基板Ｗの温度変化の様子を
図４に示す。図４において、曲線Ｉが加熱板１０の温度
変化の状態を示し、曲線IIが基板Ｗの温度変化の状態を
示す。また、ｔ１は、基板Ｗが加熱板１０上に載置され
て、ＰＩＤコントローラ３２によりヒータ２４への出力
がＰＩＤ制御されていた状態から固定の最大出力でヒー
タ２４が駆動される状態へと切り換わった時点（ステッ
プＳ３−１およびＳ３−２）を示し、ｔ２は、固定の最
大出力でヒータ２４が駆動されていた状態から再びＰＩ
Ｄコントローラ３２によりヒータ２４への出力が制御さ
れる状態へと切り換わった時点（ステップＳ５）を示し
ている。また、ｔ３は、基板Ｗの温度が所定の加熱処理
温度（１２０℃）に到達した時点（ステップＳ７）を示
している。そして、Ｔ13は、加熱板１０上に基板Ｗが載
置された時点ｔ１から基板Ｗの温度が所定の加熱処理温
度に到達した時点ｔ３までの時間であり、この到達時間
Ｔ13は、従来の加熱処理方法によった場合の到達時間Ｔ
ab（図５参照）に比べて短くなる。また、図４におい
て、Ｃで示した範囲は、ＰＩＤコントローラ３２により
ヒータ２４への出力がＰＩＤ制御されている時間帯を示
し、Ｆで示した範囲は、固定の最大出力でヒータ２４が
駆動制御されている時間帯を示している。
加熱板１０の温度変化および基板Ｗの温度変化の様子を
図４に示す。図４において、曲線Ｉが加熱板１０の温度
変化の状態を示し、曲線IIが基板Ｗの温度変化の状態を
示す。また、ｔ１は、基板Ｗが加熱板１０上に載置され
て、ＰＩＤコントローラ３２によりヒータ２４への出力
がＰＩＤ制御されていた状態から固定の最大出力でヒー
タ２４が駆動される状態へと切り換わった時点（ステッ
プＳ３−１およびＳ３−２）を示し、ｔ２は、固定の最
大出力でヒータ２４が駆動されていた状態から再びＰＩ
Ｄコントローラ３２によりヒータ２４への出力が制御さ
れる状態へと切り換わった時点（ステップＳ５）を示し
ている。また、ｔ３は、基板Ｗの温度が所定の加熱処理
温度（１２０℃）に到達した時点（ステップＳ７）を示
している。そして、Ｔ13は、加熱板１０上に基板Ｗが載
置された時点ｔ１から基板Ｗの温度が所定の加熱処理温
度に到達した時点ｔ３までの時間であり、この到達時間
Ｔ13は、従来の加熱処理方法によった場合の到達時間Ｔ
ab（図５参照）に比べて短くなる。また、図４におい
て、Ｃで示した範囲は、ＰＩＤコントローラ３２により
ヒータ２４への出力がＰＩＤ制御されている時間帯を示
し、Ｆで示した範囲は、固定の最大出力でヒータ２４が
駆動制御されている時間帯を示している。
【００２９】固定の最大出力でヒータ２４を駆動する時
間としてタイマー３４に設定する設定時間は、装置内へ
搬入されて加熱板１０上に載置された直後の基板Ｗ、例
えば２０℃の基板Ｗを所定の加熱処理温度（１２０℃）
まで上昇させる際に加熱板１０から基板Ｗによって吸収
される熱量を算出して、その熱量に見合う分だけ加熱板
１０に熱量を与えることができる時間とすればよい。
間としてタイマー３４に設定する設定時間は、装置内へ
搬入されて加熱板１０上に載置された直後の基板Ｗ、例
えば２０℃の基板Ｗを所定の加熱処理温度（１２０℃）
まで上昇させる際に加熱板１０から基板Ｗによって吸収
される熱量を算出して、その熱量に見合う分だけ加熱板
１０に熱量を与えることができる時間とすればよい。
【００３０】なお、上記した実施形態では、装置内へ搬
入された基板Ｗが加熱板１０上に載置された時点で、Ｐ
ＩＤコントローラ３２によりヒータ２４への出力をＰＩ
Ｄ制御していた状態から固定の最大出力でヒータ２４を
駆動制御する状態へ切り換えるようにし、その時点から
所定時間が経過した後に、再びＰＩＤコントローラ３２
によりヒータ２４への出力を制御する状態へ切り換える
ようにシーケンス制御するようにしたが、別のシーケン
スにより、例えば、基板Ｗの加熱処理が終了してリフト
ピンを上昇させるタイミングで、ＰＩＤコントローラ３
２によるヒータ２４のＰＩＤ制御状態から固定の最大出
力でヒータ２４を駆動制御する状態へ切り換えるように
して、加熱板１０上に載置された直後の基板Ｗによって
加熱板１０から吸収される熱量に見合う分だけ加熱板１
０に熱量を予め与え、加熱板を設定温度（１２０℃）以
上の温度に上昇させておき、ＰＩＤ制御から出力固定制
御への切換え時点から基板の入替え時間に相当する時間
が経過した後に、再びＰＩＤコントローラ３２によりヒ
ータ２４への出力を制御する状態へ切り換え、そのタイ
ミングで次の基板Ｗが加熱板１０上に載置されて、次の
基板Ｗの昇温が開始されるようにしてもよい。
入された基板Ｗが加熱板１０上に載置された時点で、Ｐ
ＩＤコントローラ３２によりヒータ２４への出力をＰＩ
Ｄ制御していた状態から固定の最大出力でヒータ２４を
駆動制御する状態へ切り換えるようにし、その時点から
所定時間が経過した後に、再びＰＩＤコントローラ３２
によりヒータ２４への出力を制御する状態へ切り換える
ようにシーケンス制御するようにしたが、別のシーケン
スにより、例えば、基板Ｗの加熱処理が終了してリフト
ピンを上昇させるタイミングで、ＰＩＤコントローラ３
２によるヒータ２４のＰＩＤ制御状態から固定の最大出
力でヒータ２４を駆動制御する状態へ切り換えるように
して、加熱板１０上に載置された直後の基板Ｗによって
加熱板１０から吸収される熱量に見合う分だけ加熱板１
０に熱量を予め与え、加熱板を設定温度（１２０℃）以
上の温度に上昇させておき、ＰＩＤ制御から出力固定制
御への切換え時点から基板の入替え時間に相当する時間
が経過した後に、再びＰＩＤコントローラ３２によりヒ
ータ２４への出力を制御する状態へ切り換え、そのタイ
ミングで次の基板Ｗが加熱板１０上に載置されて、次の
基板Ｗの昇温が開始されるようにしてもよい。
【００３１】
【発明の効果】請求項１に係る発明の基板加熱処理方法
によると、基板が搬入されて加熱板上に載置された後基
板の温度が所定の加熱処理温度に到達するまでの時間が
短縮され、また、加熱処理温度の設定を変更したとき
に、加熱板の温度が変更後の加熱処理温度に到達するま
での時間が短縮されるので、装置のスループットを向上
させることができ、また、複数枚の基板を連続して加熱
処理したときに、各基板間で熱処理履歴に差を生じない
で、各基板間で加熱処理品質がばらつくことがないの
で、複数枚の基板を均一に加熱処理することができる。
によると、基板が搬入されて加熱板上に載置された後基
板の温度が所定の加熱処理温度に到達するまでの時間が
短縮され、また、加熱処理温度の設定を変更したとき
に、加熱板の温度が変更後の加熱処理温度に到達するま
での時間が短縮されるので、装置のスループットを向上
させることができ、また、複数枚の基板を連続して加熱
処理したときに、各基板間で熱処理履歴に差を生じない
で、各基板間で加熱処理品質がばらつくことがないの
で、複数枚の基板を均一に加熱処理することができる。
【００３２】請求項２に係る発明の基板加熱処理方法で
は、何らかの原因により、基板が加熱処理されて加熱板
上から搬出されてから次の基板が加熱板上へ搬入される
までの時間がばらつくようなことがあっても、すべての
基板で熱処理履歴が同一になり、複数枚の基板を均一に
加熱処理することが可能となる。
は、何らかの原因により、基板が加熱処理されて加熱板
上から搬出されてから次の基板が加熱板上へ搬入される
までの時間がばらつくようなことがあっても、すべての
基板で熱処理履歴が同一になり、複数枚の基板を均一に
加熱処理することが可能となる。
【００３２】請求項３に係る発明の基板加熱処理方法で
は、加熱処理された基板が加熱板上から搬出されて次に
加熱処理すべき基板が加熱板上へ搬入されるまでの期間
を含めて、加熱板の温度を所定の加熱処理温度に精度良
く維持することができるので、基板の加熱処理品質を向
上させることができる。
は、加熱処理された基板が加熱板上から搬出されて次に
加熱処理すべき基板が加熱板上へ搬入されるまでの期間
を含めて、加熱板の温度を所定の加熱処理温度に精度良
く維持することができるので、基板の加熱処理品質を向
上させることができる。
【００３３】請求項４に係る発明の基板加熱処理装置を
使用すると、請求項１に係る発明の基板加熱処理方法を
好適に実施することができて、スループットを向上させ
ることができ、また、複数枚の基板を連続して加熱処理
したときに、複数枚の基板を均一に加熱処理することが
できる。
使用すると、請求項１に係る発明の基板加熱処理方法を
好適に実施することができて、スループットを向上させ
ることができ、また、複数枚の基板を連続して加熱処理
したときに、複数枚の基板を均一に加熱処理することが
できる。
【００３４】請求項５に係る発明の基板加熱処理装置を
使用すると、請求項２に係る発明の基板加熱処理方法を
好適に実施することができ、何らかの原因により、基板
が加熱処理されて加熱板上から搬出されてから次の基板
が加熱板上へ搬入されるまでの時間がばらつくようなこ
とがあっても、複数枚の基板を均一に加熱処理すること
が可能となる。
使用すると、請求項２に係る発明の基板加熱処理方法を
好適に実施することができ、何らかの原因により、基板
が加熱処理されて加熱板上から搬出されてから次の基板
が加熱板上へ搬入されるまでの時間がばらつくようなこ
とがあっても、複数枚の基板を均一に加熱処理すること
が可能となる。
【００３５】請求項６に係る発明の基板加熱処理装置を
使用すると、請求項３に係る発明の基板加熱処理方法を
好適に実施することができて、基板の加熱処理品質を向
上させることができる。
使用すると、請求項３に係る発明の基板加熱処理方法を
好適に実施することができて、基板の加熱処理品質を向
上させることができる。
【図１】この発明に係る基板加熱処理方法を実施するの
に使用される基板加熱処理装置の構成の１例を示す要部
の概略正面図である。
に使用される基板加熱処理装置の構成の１例を示す要部
の概略正面図である。
【図２】図１に示した装置の回路構成図である。
【図３】図１および図２に示した構成の基板加熱処理装
置を使用して基板を加熱処理する動作を説明するための
フローチャートである。
置を使用して基板を加熱処理する動作を説明するための
フローチャートである。
【図４】図１および図２に示した構成の基板加熱処理装
置による基板の加熱処理動作における加熱板の温度変化
および基板の温度変化の様子を示す図である。
置による基板の加熱処理動作における加熱板の温度変化
および基板の温度変化の様子を示す図である。
【図５】従来の方法によって基板を加熱処理したときの
加熱板および基板のそれぞれの温度変化の様子を示す図
である。
加熱板および基板のそれぞれの温度変化の様子を示す図
である。
１０ 加熱板（ホットプレート） １２ 温度センサ １４ 加熱板の貫通孔 １６ リフトピン １８ 昇降板 ２０ エアーシリンダ ２２ 位置センサ ２２ａ 位置センサの接点 ２４ ヒータ ２６ 電源 ２８、３０ サイリスタ ３２ ＰＩＤコントローラ ３４ タイマー ３４ａ タイマー接点 Ｗ 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/324 Ｈ０１Ｌ 21/324 Ｔ
Claims (6)
- 【請求項１】 所定の加熱処理温度に加熱された加熱板
上へ基板を搬入し、加熱板の上面に基板を接触または近
接させて一定時間保持して、基板を加熱処理した後、加
熱板上から基板を搬出し、この熱処理サイクルを繰り返
す基板加熱処理方法において、 前記熱処理サイクル内において、前記加熱板を固定出力
で加熱する状態と自動温度調節して加熱する状態とを切
り換えることを特徴とする基板加熱処理方法。 - 【請求項２】 加熱板の上面に基板を接触または近接さ
せた時点で自動温度調節加熱状態から固定出力加熱状態
へ切り換え、その切換え時点から所定時間経過後に固定
出力加熱状態から自動温度調節加熱状態へ切り換えて、
その自動温度調節加熱状態を、基板が加熱処理された後
加熱板上から搬出され次に加熱処理すべき基板が加熱板
上へ搬入されて加熱板の上面に接触または近接させられ
るまで継続させる請求項１記載の基板加熱処理方法。 - 【請求項３】 加熱板の自動温度調節がＰＩＤ制御によ
り行われる請求項１または請求項２記載の基板加熱処理
方法。 - 【請求項４】 上面に基板を接触または近接させて載置
し、基板を加熱する加熱板と、 この加熱板を加熱する加熱手段と、 この加熱手段を駆動制御して前記加熱板を所定の加熱処
理温度に調節する自動温度調節手段と、 基板を、前記加熱板の上面から上方へ離間した位置と加
熱板の上面に接触または近接した位置との間で昇降させ
る基板昇降手段とを備えた基板加熱処理装置において、 前記加熱手段を固定出力で駆動させて前記加熱板を前記
所定の加熱処理温度より高い温度に加熱する固定出力駆
動手段と、 前記自動温度調節手段による前記加熱手段の駆動制御と
前記固定出力駆動手段による加熱手段の駆動制御とを択
一的に切り換える切換え手段と、 この切換え手段を作動させる作動手段とを設けたことを
特徴とする基板加熱処理装置。 - 【請求項５】 加熱板の上面に基板を接触または近接さ
せた時点で作動手段により切換え手段を作動させて自動
温度調節手段による加熱手段の駆動制御から固定出力駆
動手段による加熱手段の駆動制御へ切り換え、その切換
え時点から所定時間経過後に作動手段により切換え手段
を作動させて固定出力駆動手段による加熱手段の駆動制
御から自動温度調節手段による加熱手段の駆動制御へ切
り換えて、その自動温度調節手段による加熱手段の駆動
制御を、基板が加熱処理された後加熱板上から搬出され
次に加熱処理すべき基板が加熱板上へ搬入されて加熱板
の上面に接触または近接させられるまで継続させる請求
項４記載の基板加熱処理装置。 - 【請求項６】 自動温度調節手段による加熱手段の駆動
制御がＰＩＤ制御である請求項４または請求項５記載の
基板加熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24782397A JP3933765B2 (ja) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | 基板加熱処理方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24782397A JP3933765B2 (ja) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | 基板加熱処理方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1174187A true JPH1174187A (ja) | 1999-03-16 |
| JP3933765B2 JP3933765B2 (ja) | 2007-06-20 |
Family
ID=17169203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24782397A Expired - Fee Related JP3933765B2 (ja) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | 基板加熱処理方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3933765B2 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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