JP3504018B2 - 基板冷却装置 - Google Patents
基板冷却装置Info
- Publication number
- JP3504018B2 JP3504018B2 JP10033995A JP10033995A JP3504018B2 JP 3504018 B2 JP3504018 B2 JP 3504018B2 JP 10033995 A JP10033995 A JP 10033995A JP 10033995 A JP10033995 A JP 10033995A JP 3504018 B2 JP3504018 B2 JP 3504018B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- substrate
- cooling
- plate
- cooling plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
マスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基板、
光ディスク用の基板等の基板を、フォトリソグラフィー
工程の中で、フォトレジスト液塗布や現像工程の前後に
おいて高温に加熱処理された基板を常温付近の目標温度
に冷却するために、冷却手段を備えた冷却プレートに基
板を接触載置または近接載置することにより、基板を冷
却する基板冷却装置に関する。
図7に示すような装置が知られている。この装置は、処
理室100内に設けられ、伝熱プレート101とペルチ
ェ素子102と放熱板103とからなる冷却プレート1
04と、その冷却プレート104に形成した貫通孔10
4aを通じて昇降可能に設けられた複数本の基板支持ピ
ン105と、各基板支持ピン105を昇降させるエアシ
リンダ106とを備えている。高温状態の基板Wを冷却
する際には、各基板支持ピン105を上昇させた状態で
基板搬送ロボット(図示せず)により基板Wの搬入を行
い、そして、各基板支持ピン105を下降させることに
より、基板Wを冷却プレート104の上に載置して基板
Wの冷却が開始されるようになっている。この時、比例
微積分(PID)制御などによってペルチェ素子102
を駆動することにより、図8のタイムチャートに示すよ
うに、冷却プレート104のプレート温度TPを基板W
を冷却すべき目標温度TSと同じ温度に維持するように
している。
うな基板冷却装置では、図8に示すように、冷却開始時
刻t1において高温の基板Wが冷却プレート104に載
置されると、基板Wの基板温度TWに引っ張られて、プ
レート温度TPが一時的に上昇する。もちろんこのと
き、冷却プレート104のペルチェ素子102は、PI
D制御により冷却の目標温度T S になるように制御され
るのではあるが、しかしながらその場合でも、ペルチェ
素子102の冷却能力をいくらでも大きくすることがで
きるわけではないので、冷却プレート104の温度が一
時的に冷却の目標温度T S よりも高くなってしまうこと
は避けがたい。従って、プレート温度TPが目標温度TS
に戻るまでの時間tPが長くなるので、基板Wを目標温
度TSまで冷却する時間tWも長くなり、その結果、装置
全体のスループットが低下するという欠点がある。
たものであって、基板を高速で冷却して冷却時間を短縮
することができ、かつ基板を効率良く冷却することがで
きる基板冷却装置を提供することを目的とする。
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項1に記載の基板冷却装置は、冷却手段を備え
た冷却プレートに基板を接触載置または近接載置するこ
とにより、基板を冷却する基板冷却装置において、前記
冷却プレートが基板を冷却すべき目標温度を第1の設定
温度とし、前記第1の設定温度よりも低い所定の温度を
第2の設定温度として、前記冷却プレートに基板が載置
された時点から、前記冷却手段に対して前記冷却プレー
トの温度が前記第2の設定温度になるような制御を開始
し、次いで、前記冷却プレートの温度が前記第2の設定
温度に達すると、前記冷却プレートの温度が前記第1の
設定温度になるように前記冷却手段を切り換え制御する
制御手段、を備えたものである。
に記載の装置において、前記制御手段は、前記冷却プレ
ートに基板が載置されるまでは、前記冷却プレートの温
度が前記第1の設定温度になるように前記冷却手段を制
御しているものである。
に記載の装置において、前記制御手段は、前記冷却プレ
ートに基板が載置された時点から、前記冷却プレートの
温度が前記第2の設定温度に達するまでの間、前記冷却
手段を最大冷却出力で駆動制御するものである。
請求項1の発明によれば、冷却プレートに基板が接触載
置または近接載置されると、制御手段によって、先ず、
冷却プレートの温度が第2の設定温度になるように冷却
手段が制御され、基板の冷却が開始される。ここで、第
2の設定温度は、冷却プレートが基板を冷却すべき目標
温度よりも低い所定の温度であり、また、この目標温度
を第1の設定温度としている。したがって、このとき、
冷却プレートの温度が目標温度よりも低い所定の温度に
なるように冷却手段が制御されるので、基板が載置され
た際に基板の温度に引っ張られる冷却プレートの温度上
昇が抑えられることになり、冷却プレートの温度がより
低温に維持される。これに伴って基板が速やかに冷却さ
れる。
温度に達すると、制御手段によって、冷却プレートの温
度が第1の設定温度になるように冷却手段が切り換え制
御される。これにより、目標温度に向かって冷却プレー
トの温度は上昇し、この間にも基板の温度は下降し続け
るので、冷却プレートの温度と基板の温度とが目標温度
に収束することになる。従って、目標温度に達するまで
冷却プレートと基板との温度差が大きく、基板は目標温
度に速やかに冷却される。
御手段によって、冷却プレートに基板が載置された時点
では、予め冷却プレートの温度が第1の設定温度になる
ように制御されており、この冷却プレートに基板が載置
されると、冷却プレートの温度が第2の設定温度になる
ように冷却手段が制御され、基板の冷却が開始される。
そして、冷却プレートの温度が第2の設定温度に達する
と、再び、冷却プレートの温度が第1の設定温度になる
ように冷却手段が切り換え制御され、基板が目標温度に
速やかに冷却される。また、同じ条件の複数枚の基板を
処理する場合においては、冷却開始時の冷却プレートの
温度を第1の設定温度に一定にでき、全ての基板は均一
な条件で冷却処理される。
ートに基板が載置されると、先ず、制御手段によって、
冷却プレートの温度が第2の設定温度になるように冷却
手段が最大冷却出力で制御され、基板の冷却が開始され
る。そして、冷却プレートの温度が第2の設定温度に達
すると、冷却プレートの温度が第1の設定温度になるよ
うに冷却手段が切り換え制御され、基板が目標温度に速
やかに冷却される。
する。
例を示す全体縦断面図であり、図2はその要部の平面図
である。ハウジング1内の下方に基板冷却装置2が設け
られ、その上方に基板加熱装置3が設けられている。
ート5を設けるとともに、その冷却プレート5に形成し
た貫通孔6を通じて複数本の基板支持ピン7を昇降可能
に設け、更に、図2に示すように、冷却プレート5上
に、冷却プレート5の表面と基板Wとの間に均一冷却の
ための所定の隙間(プロキシミティギャップ)を形成す
る複数個のプロキシミティボール8を設けて構成されて
いる。
部材9にエアシリンダ10が連動連結され、そのエアシ
リンダ10の伸縮によって基板支持ピン7が昇降される
ように構成されている。各基板支持ピン7を上昇させた
状態で基板搬送ロボット(図示せず)により基板Wの搬
入・搬出を行い、そして、各基板支持ピン7を下降させ
ることにより、基板Wを冷却プレート5上の各プロキシ
ミティボール8に載置して支持できるようになってい
る。
ミニウム製の伝熱プレート11と、給水管12および排
水管13を接続したアルミニウム製の水冷式の放熱板1
4と、伝熱プレート11と放熱板14との間に介在され
た冷却手段としての急冷用のペルチェ素子15とから構
成されている。放熱板14は、ペルチェ素子15の熱を
放熱するためのものである。また、ペルチェ素子15
は、その素子に許容される最大の電流を供給してその最
大冷却出力で駆動したときは、基板の冷却の目標温度T
S1 よりも十分に低く、またその目標温度T S1 に応じてそ
れよりも若干低い値として算出される第2の設定温度T
S2 よりも低い温度まで、冷却プレート5を冷却する能力
を有するものが使用される。また、伝熱プレート11の
中央箇所近くにペルチェ素子15によって冷却される冷
却プレート5のプレート温度TPを測定するプレート温
度センサ16が設けられている。また、放熱板14の給
水管12には、放熱水温度センサ18が接続されてお
り、給水管12を流れる放熱水の温度を測温している。
の構成を説明する。図3に示すように、プレート温度セ
ンサ16、放熱水温度センサ18、後述する各設定値を
入力する入力部20、基板Wの送り出し信号を出力する
搬送制御部21それぞれが制御部22に接続されるとと
もに、この制御部22に、電磁弁17などを介してエア
シリンダ10を駆動する基板昇降駆動部27と、ペルチ
ェ素子15に対する冷却駆動部28とが接続されてい
る。
等から冷却プレート5の設定温度等の必要な各設定値を
入力することにより、その入力された各設定値を制御部
22に出力して設定するようになっている。各設定値に
ついては後述する。
ボットによって搬入されてきた基板Wが冷却プレート5
の上方に上昇された基板支持ピン7に載置されるタイミ
ングを予め時間管理しておき、そのタイミングがきた
ら、基板Wが基板支持ピン7に載置されたとみなして基
板送り出し信号を制御部22に出力するようになってい
る。
板Wを冷却すべき目標温度である第1の設定温度TS1を
記憶する第1設定温度記憶部24と、その第1の設定温
度T S1 に応じてそれよりも若干低い値として算出される
第2の設定温度T S2 を記憶する第2設定温度記憶部30
と、冷却プレート5のプレート温度TPを制御する温度
制御部26とが備えられている。なお、第2設定温度記
憶部30に記憶される第2の設定温度T S2 の算出は予め
実験的に求められた方法により行われるが、詳細につい
ては後述する。
ンピュータよりなり、入力部20から与えられた第1の
設定温度T S1 を第1設定温度記憶部24に記憶させる書
き込み機能と、その第1の設定温度T S1 に応じて第2の
設定温度T S2 を算出して第2設定温度記憶部30に書き
込む算出機能と、搬送制御部21からの基板送り出し信
号受信と基板支持ピン7の下降確認により基板Wの冷却
プレート5への載置を確認する載置確認機能と、基板W
の冷却プレート5への載置確認時に、温度制御部26に
対して最大出力駆動機能(後述する)の実行を指示する
最大出力駆動実行指示機能と、プレート温度センサ16
により検出される冷却プレート5の温度が第2設定温度
T S2 以下になったことを判定する判定機能と、かかる判
定時に第1設定温度記憶部24に記憶されている第1の
設定温度T S1 を読み出して後述する温度制御部26に対
しPID制御の目標温度として出力してPID制御の実
行を指示するPID制御指示機能と、あらかじめ設定し
た冷却処理時間t E の経過を計時する計時機能と、その
計時機能の計時結果や搬送制御部21からの基板送り出
し信号に応じて基板昇降制御部27に基板支持ピン7を
昇降させるためのピン下降指令、ピン上昇指令を出力す
るピン制御機能とを有する。
ロコンピュータよりなる。この温度制御部26は、周知
のPID制御のためのプログラムを内蔵したPID制御
機能と、そのPID制御は行わずにペルチェ素子15を
単純にその最大能力を発揮するよう最大冷却出力で連続
的に駆動する最大出力駆動機能とを有する。この2つの
機能はコントローラ23の制御により選択される。PI
D制御機能においては、プレート温度センサ16によっ
て計測される冷却プレート5のプレート温度T P を参照
し、冷却駆動部28に制御信号を出力することにより、
ペルチェ素子15を所定の目標温度にPID制御する。
この温度制御部26がペルチェ素子15をPID制御す
べき目標温度は、コントローラ23から出力される設定
温度である。例えばコントローラ23から第1の設定温
度T S1 が出力されたときには、ペルチェ素子15は第1
の設定温度T S1 となるようにPID制御される。また、
最大出力駆動機能においては、最大冷却出力となるよう
な制御信号を冷却駆動部28に出力して、ペルチェ素子
15に対しその素子に許容される最大の電流を連続的に
供給し、ペルチェ素子15を最大冷却出力で連続的に駆
動する。また、温度制御部26はプレート温度センサ1
6が計測した冷却プレート5のプレート温度T P を常時
入力し、コントローラ23へも伝える。なお、本実施例
では、コントローラ23や温度制御部26はそれぞれ単
一のマイクロコンピュータにより各機能を実現したが、
これらの機能を個別に有する複数の回路を別個に設けて
も良い。
基板Wが載置された時点から、プレート温度TPが目標
温度(第1の設定温度TS1)よりも低い所定の温度(第
2の設定温度TS2)になるようにペルチェ素子15を制
御し、プレート温度TPの温度上昇を抑えることによっ
て、基板Wを高速で冷却するものである。また、プレー
ト温度TPを最適な条件でコントロールし、プレート温
度TPと基板温度TWとが互いに目標温度に収束する時点
を一致させることによって、基板Wを効率良く冷却する
ものである。以下に具体的に説明する。
トローラ23が実行する制御を示す図4,図5のフロー
チャートおよび図6のタイムチャートを用いて説明す
る。図6において、(a)は基板支持ピン7の昇降によ
る基板Wの搬送タイミングを示し、(b)はタイムチャ
ートであり、基板Wの基板温度TWを実線で、冷却プレ
ート5のプレート温度TPを破線で図示している。な
お、冷却開始時刻t1において、基板Wが冷却プレート
5に載置されて冷却が開始されるが、その直後は基板温
度TWは高温であるため、図6の(b)では、その直後
の基板温度TWの記載を省略している。
値を入力する。各設定値としては、第1の設定温度TS1
としての基板Wを冷却すべき目標温度、基板Wの冷却開
始時刻t1から冷却終了時刻t2までの基板冷却時間tE
等があり、これらは基板Wの種類やペルチェ素子15の
能力などに応じて予め実験的に決定されるものである。
コントローラ23は、各設定値のうち第1の設定温度T
S1を第1設定温度記憶部24に記憶させる。第1の設定
温度TS1は、基板Wを冷却すべき目標温度であり、例え
ば、20℃と設定される。また、コントローラ23は、第
1の設定温度T S1 に応じてそこからΔTb(ΔTb>0)
を減じた値を第2の設定温度T S2 として算出し、かかる
値を第2設定温度記憶部30に記憶させる。ΔTbの大
きさは、使用するペルチェ素子15の特性や、後述する
フローチャートにおけるステップS8からS9に進んだ
とき(時刻tS)からステップS10でタイムアップす
るまで(時刻t 2 )の時間に応じて、時刻t 2 においてプ
レート温度T P と基板温度T W の両方が目標温度T S1 に収
束するような値を実験的に求めることにより決定され、
例えば3℃に設定される。なお、基板冷却時間t E はコ
ントローラ23の内部のメモリに記憶される。
基板Wが冷却プレート5上に載置される以前、すなわち
基板Wの冷却開始時刻t1以前に温度制御部26に対し
PID制御の目標温度として第1の設定温度TS1を設定
し、図6の(b)に示すように、冷却プレート5のプレ
ート温度TPが第1の設定温度TS1になるように、PI
D制御によってペルチェ素子15を駆動する。その結
果、基板Wが冷却プレート5に載置される以前では、冷
却プレート5のプレート温度TPが予め目標温度TS1に
保たれていることになる。
23は、搬送制御部21から基板送り出し信号が出され
たかどうかを判断する。すなわち、基板Wが基板支持ピ
ン7に搬入されたかどうかを判断する。基板Wが基板支
持ピン7上に搬入されると、コントローラ23は、基板
昇降駆動部27にピン下降指令を出し、エアシリンダ1
0の収縮によって基板支持ピン7が下降されて基板Wが
冷却プレート5上の各プロキシミティボール8に載置さ
れる。コントローラ23は、ピン下降が完了したかどう
かを判断し、完了すると次のステップ6に移行する。
うにして基板Wの冷却プレート5への載置を確認する
と、温度制御部26に対して、ペルチェ素子15が単純
にその最大能力を発揮する最大冷却出力で連続的に駆動
するよう指示する。温度制御部26は、これによりペル
チェ素子15に対しその素子に許容される最大の電流を
連続的に供給し、ペルチェ素子15を最大冷却出力で連
続的に駆動制御する。ここでは、ペルチェ素子15は、
最大冷却出力で駆動したときに冷却プレート5を基板の
冷却の目標温度T S1 や第2の設定温度T S2 よりも十分に
低い温度まで冷却する能力を有しているので、かかる最
大冷却出力での駆動は、基板を目標温度よりも低い所定
の温度になるように制御されていることになる。実際
に、冷却プレート5はこの最大冷却出力での冷却によ
り、図6の(b)に示すように、プレート温度T P が目
標温度T S1 よりも低い温度(第2の設定温度T S2 )にな
るまで冷却されることになる。
ると、コントローラ23は、温度制御部26を介してプ
レート温度センサ16で計測される冷却プレート5のプ
レート温度TPを順次読み込む。そして、読み込んだプ
レート温度T P が第2の設定温度T S2 以下になったか否
かを判断する。
定温度T S2 以下になると(時刻tS)、コントローラ2
3は第1設定温度記憶部24に記憶されている第1の設
定温度T S1 を読み出して温度制御部26に対して出力
し、PID制御の目標温度として設定する。これによ
り、温度制御部26の制御は冷却プレート5のプレート
温度T P が第1の設定温度T S1 となるようなPID制御
に切り換えられ、そのPID制御によるペルチェ素子1
5の駆動が開始される。
ローラ23は、予め設定された基板冷却時間tEがタイ
ムアップしたか否か判断する。なお、基板冷却時間tE
は、基板Wの初期温度のバラツキ等を考慮して少し長め
に設定される。基板冷却時間tEがタイムアップする
と、冷却終了時刻t2において、コントローラ23は、
基板昇降駆動部28にピン上昇指令を出し、エアシリン
ダ10の伸長によって基板支持ピン7を上昇させる。こ
れにより、基板Wは冷却プレート5の上方に持ち上げら
れて冷却が終了する。そして、ステップ3に戻って、次
の基板Wが冷却プレート5に載置されるまで、冷却プレ
ート5のプレート温度TPを第1の設定温度TS1に保持
しておく。これらの動作を繰り返すことにより、複数枚
の基板Wに対して、第1の設定温度TS1例えば20℃の常
温まで冷却してから次の処理工程へと移載していくので
ある。
基づいて基板冷却時の温度変化を説明する。
基板Wが冷却プレート5に載置されると、その基板Wの
基板温度TWは高温状態(例えば100 ℃以上)なので、
図6に示すように、基板温度TWは冷却プレート5に吸
熱されることにより急激に下がり始める。一方、基板W
が冷却プレート5に吸熱されることの熱移動量の方が、
冷却プレート5がペルチェ素子15で冷やされる熱移動
量よりも上回っている状況にあるので、冷却プレート5
のプレート温度TPは、基板Wに引っ張られて一時的に
上昇する。この時、プレート温度TPが第2の設定温度
TS2に達する時刻tSまでは、ペルチェ素子15が最大
冷却出力で駆動されているので、基板Wに引っ張られる
プレート温度TPの上昇が抑えられる。従って、プレー
ト温度TPがより低温に保たれることになり、これに伴
って基板温度TWも高速に冷却される。そして、このよ
うに基板Wの冷却動作の前期において、ペルチェ素子1
5をその最大冷却出力で連続的に駆動することにより、
ペルチェ素子15の能力を最大限に生かした高速な冷却
動作を実現できる。また、最大冷却出力での駆動である
から、そのあいだの制御動作はごく単純なものでよい。
その後、プレート温度T P が第2の設定温度T S2 以下に
なると、こんどはプレート温度T P が第1の設定温度T
S1 になるようなPID制御にペルチェ素子15の制御が
切り換えられる。このとき、基板温度T W はまだ第1の
設定温度T S1 までは低下しておらず、基板温度TWが第
1の設定温度TS1以下に冷やされ過ぎることなく精度良
く冷却される。この際、時刻tSにおいて、プレート温
度TPと基板温度TWの温度差ΔTS2(例えば6℃)が、
冷却プレート5の温度を目標温度(第1の設定温度
TS1)に保つ従来装置の場合の基板温度TWとの温度差
ΔTS1(例えば3℃)に比べて大きいので、熱が速く移
動することになり、これに伴って基板温度TWも第1の
設定温度TS1に速く到達することになる。従って、基板
Wを目標温度に正確に、かつ高速に冷却することができ
る。また、複数枚の基板Wを処理する場合、各基板W間
での冷却時間(冷却履歴)がほぼ一定になるので、例え
ば、後工程において半導体ウエハなどにフォトレジスト
液を塗布する際にその膜厚分布に悪影響を及ぼすような
ことがない。さらに、複数の基板Wにわたって冷却開始
時刻t 1 における冷却プレート5の温度を第1の設定温
度T S1 に一定にでき、全ての基板Wは均一な条件で冷却
処理される。
理でき、複数枚の基板Wを同じ冷却時間(冷却履歴)で
効率良く冷却処理することができる。結果、基板冷却装
置のスループットが向上して装置全体のスループットが
向上する。
ート5に載置される前に、第1の設定温度TS1になるよ
うに制御しているが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、例えば、プレート温度TPが第1の設定温度T
S1よりも低い温度になるようにしても良い。すなわち、
冷却プレート5を、基板Wを冷却すべき目標温度よりも
低い所定の温度になるように設定することにより、基板
Wの冷却開始時において、基板温度TWとプレート温度
TPとの温度差が大きく、基板温度TWは目標温度よりも
低い所定の温度に向かってより高速に冷却される。
ート5に載置されると、第2の設定温度TS2になるよう
にペルチェ素子15を最大冷却出力で駆動しているが、
本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、プレ
ート温度TPが第2の設定温度TS2になるように、PI
D制御によってペルチェ素子15を駆動しても良い。要
するに、冷却プレート5のプレート温度TPが、基板W
を冷却すべき目標温度よりも低い所定の温度になるよう
にペルチェ素子15を駆動するものであれば良い。ただ
し、上記実施例のようにペルチェ素子15を単純にその
最大冷却出力で連続的に駆動すれば、ペルチェ素子15
の能力を最大限に生かした高速な冷却動作を実現でき、
かつ、そのあいだの制御動作がごく単純なものでよいと
いう利点がある。
前と第2の設定温度TS2到達後にペルチェ素子15をP
ID制御で駆動しているが、本発明はこれに限定される
ものではなく、例えば、オン・オフ制御するものでも良
く、要するに、冷却プレート5のプレート温度TPが第
1の設定温度TS1になるように駆動するものであれば良
い。
らの基板送り出し信号を判別することにより、基板Wが
冷却プレート5上に搬入されたかどうかを検出している
が、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、
プレート温度センサ16を用いて所定の設定温度と比較
して基板Wが冷却プレート5上に搬入されたかどうかを
検出するようにしても良い。すなわち、基板Wが搬入さ
れると冷却プレート5も少なからず昇温するので、その
ことにより搬入を検知するようにしても良い。
ート5上の各プロキシミティボール8に載置している
が、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、
プロキシミティボール8を設けずに基板Wを冷却プレー
ト5上に直接載置するようにしてもよい。
1の発明によれば、冷却プレートに基板が載置される
と、制御手段によって基板を冷却すべき目標温度よりも
低い所定の温度(第2の設定温度)になるように冷却手
段が制御されるので、冷却プレートの温度上昇が抑えら
れて速く回復することになり、基板を高速に冷却するこ
とができる。従って、基板を目標温度まで冷却する時間
を短縮でき、装置全体のスループットを向上させること
ができる。
ートに基板が載置されるまでは、冷却プレートの温度が
目標温度(第1の設定温度)に設定され、冷却プレート
の温度が第2の設定温度に達した時点で、再び第1の設
定温度に設定されるので、次の基板を処理する際に、冷
却手段の制御を切り換えることなく目標温度を維持した
ままで冷却することができる。従って、冷却手段の制御
の切り換え回数が少なく、比較的簡単な制御で基板を高
速に冷却することができる。また、同じ条件の複数枚の
基板を処理する場合においては、冷却開始時の冷却プレ
ートの温度を第1の設定温度に一定にでき、全ての基板
は均一な条件で冷却処理される。
ートに基板が載置されると、制御手段によって冷却手段
が最大冷却出力で駆動制御されるので、冷却プレートの
温度上昇が抑えられてより速く回復することになり、基
板をより高速に冷却することができる。
縦断面図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 冷却手段を備えた冷却プレートに基板を
接触載置または近接載置することにより、基板を冷却す
る基板冷却装置において、前記冷却プレートが基板を冷却すべき目標温度を第1の
設定温度とし、前記第1の設定温度よりも低い所定の温
度を第2の設定温度として、 前記冷却プレートに基板が載置された時点から、前記冷
却手段に対して前記冷却プレートの温度が前記第2の設
定温度になるような制御を開始し、次いで、前記冷却プ
レートの温度が前記第2の設定温度に達すると、前記冷
却プレートの温度が前記第1の設定温度になるように前
記冷却手段を切り換え制御する制御手段、 を備えたことを特徴する基板冷却装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載の装置において、 前記制御手段は、前記冷却プレートに基板が載置される
までは、前記冷却プレートの温度が前記第1の設定温度
になるように前記冷却手段を制御している基板冷却装
置。 - 【請求項3】 請求項1に記載の装置において、 前記制御手段は、前記冷却プレートに基板が載置された
時点から、前記冷却プレートの温度が前記第2の設定温
度に達するまでの間、前記冷却手段を最大冷却出力で駆
動制御する基板冷却装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10033995A JP3504018B2 (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 基板冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10033995A JP3504018B2 (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 基板冷却装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08273993A JPH08273993A (ja) | 1996-10-18 |
JP3504018B2 true JP3504018B2 (ja) | 2004-03-08 |
Family
ID=14271377
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10033995A Expired - Fee Related JP3504018B2 (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 基板冷却装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3504018B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW389950B (en) * | 1997-04-07 | 2000-05-11 | Komatsu Mfg Co Ltd | Temperature control device |
JP3648150B2 (ja) * | 1999-11-18 | 2005-05-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 冷却処理装置及び冷却処理方法 |
CN102230727A (zh) * | 2011-06-01 | 2011-11-02 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 立式炉冷却控制***及方法 |
JP6442339B2 (ja) | 2015-03-26 | 2018-12-19 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置および熱処理方法 |
-
1995
- 1995-03-31 JP JP10033995A patent/JP3504018B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH08273993A (ja) | 1996-10-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3665826B2 (ja) | 基板熱処理装置 | |
US5522215A (en) | Substrate cooling apparatus | |
US6402509B1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
US6686571B2 (en) | Heat treatment unit, cooling unit and cooling treatment method | |
US5638687A (en) | Substrate cooling method and apparatus | |
JP3346716B2 (ja) | 基板冷却方法および基板冷却装置 | |
JP3504018B2 (ja) | 基板冷却装置 | |
JP2016183815A (ja) | 熱処理装置および熱処理方法 | |
US7425689B2 (en) | Inline physical shape profiling for predictive temperature correction during baking of wafers in a semiconductor photolithography process | |
JP4811860B2 (ja) | 熱処理方法、そのプログラム及び熱処理装置 | |
JP3755814B2 (ja) | 熱処理方法及び熱処理装置 | |
JPH1174187A (ja) | 基板加熱処理方法および装置 | |
JP3525022B2 (ja) | 基板加熱装置 | |
JPH08148421A (ja) | 基板冷却装置 | |
JP2000180071A (ja) | 熱処理装置 | |
JPH09306978A (ja) | 基板温度制御方法、基板熱処理装置及び基板支持装置 | |
JP2001093829A (ja) | 基板加熱処理装置および温度制御方法 | |
JPH08236414A (ja) | 基板冷却装置 | |
JP3628905B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JPH08203796A (ja) | 基板冷却装置 | |
JPH09289152A (ja) | 基板熱処理装置 | |
JP3648150B2 (ja) | 冷却処理装置及び冷却処理方法 | |
JP2005150696A (ja) | 熱処理装置および熱処理方法 | |
JP2007158110A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2807844B2 (ja) | 基板加熱装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20031209 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20031209 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071219 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081219 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081219 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091219 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091219 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091219 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |