JP3343013B2 - 基板洗浄方法及びその装置 - Google Patents
基板洗浄方法及びその装置Info
- Publication number
- JP3343013B2 JP3343013B2 JP34314795A JP34314795A JP3343013B2 JP 3343013 B2 JP3343013 B2 JP 3343013B2 JP 34314795 A JP34314795 A JP 34314795A JP 34314795 A JP34314795 A JP 34314795A JP 3343013 B2 JP3343013 B2 JP 3343013B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- ice
- gas
- cooling
- below zero
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 242
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 69
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 18
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 13
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 13
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 79
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 33
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 7
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 6
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 6
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 5
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 4
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0014—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by incorporation in a layer which is removed with the contaminants
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0064—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes
- B08B7/0092—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes by cooling
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B23/00—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/50—Reconditioning of record carriers; Cleaning of record carriers ; Carrying-off electrostatic charges
- G11B23/505—Reconditioning of record carriers; Cleaning of record carriers ; Carrying-off electrostatic charges of disk carriers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液
晶用ガラス基板、フォトマスク用基板等の基板を洗浄す
る基板洗浄方法及びその装置に関するものである。
晶用ガラス基板、フォトマスク用基板等の基板を洗浄す
る基板洗浄方法及びその装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハや液晶用ガラス基板等の基
板の表面に付着した塵埃等のパーティクルを除去するに
は、ブラシスクラブ法と呼ばれる方法が一般に採用され
ている。これは、回転している基板支持台上に載置した
基板の表面に洗浄水を供給しながら、ナイロン製のブラ
シ等で基板の表面を擦ってパーティクルを除去するとい
うものである。
板の表面に付着した塵埃等のパーティクルを除去するに
は、ブラシスクラブ法と呼ばれる方法が一般に採用され
ている。これは、回転している基板支持台上に載置した
基板の表面に洗浄水を供給しながら、ナイロン製のブラ
シ等で基板の表面を擦ってパーティクルを除去するとい
うものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のブラシスクラブ
法では、例えば、半導体ウエハの酸化膜上のパーティク
ルを除去する場合、ブラシと酸化膜面との摩擦により生
じた酸化膜面の静電気のため、一旦は除去されたパーテ
ィクルがその半導体ウエハに再付着してしまうという問
題がある。
法では、例えば、半導体ウエハの酸化膜上のパーティク
ルを除去する場合、ブラシと酸化膜面との摩擦により生
じた酸化膜面の静電気のため、一旦は除去されたパーテ
ィクルがその半導体ウエハに再付着してしまうという問
題がある。
【０００４】また、ブラシにも上記摩擦により生じた静
電気によりパーティクルが付着するため、その付着した
パーティクルが次の新しい半導体ウエハに付着するとい
う問題がある。
電気によりパーティクルが付着するため、その付着した
パーティクルが次の新しい半導体ウエハに付着するとい
う問題がある。
【０００５】また、ブラシが半導体ウエハと擦れること
によりブラシの毛等から塵埃が発生し、ブラシ自体がパ
ーティクルの発生源になるという問題がある。
によりブラシの毛等から塵埃が発生し、ブラシ自体がパ
ーティクルの発生源になるという問題がある。
【０００６】さらには、０．３μｍ程度の比較的大きな
パーティクルの場合は除去が可能であるが、０．１μｍ
程度の微細なパーティクルになるとパーティクルがブラ
シの毛と毛の隙間を素通りするため、その除去が困難に
なる。
パーティクルの場合は除去が可能であるが、０．１μｍ
程度の微細なパーティクルになるとパーティクルがブラ
シの毛と毛の隙間を素通りするため、その除去が困難に
なる。
【０００７】なお、上記の種々の問題は、半導体ウエハ
だけに限らず、液晶用ガラス基板、フォトマスク用基板
等の他の基板においても生じる。
だけに限らず、液晶用ガラス基板、フォトマスク用基板
等の他の基板においても生じる。
【０００８】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、比較的大きなパーティクルのみならず、微細な
パーティクルであっても基板の表面から確実に除去する
ことが可能な基板洗浄方法及びその装置を提供するもの
である。
であり、比較的大きなパーティクルのみならず、微細な
パーティクルであっても基板の表面から確実に除去する
ことが可能な基板洗浄方法及びその装置を提供するもの
である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板の表面を
洗浄する基板洗浄方法であって、基板を零下に冷却する
工程と、零下に冷却された基板の表面にミスト状の水を
含んだ気体を供給することにより基板の表面に氷を生成
する工程と、上記基板を回転させながらこの基板の表面
に気体を高圧噴射することにより、当該基板の表面に生
成された氷を粉砕すると共にその粉砕した氷を吹き飛ば
して基板の表面から除去する工程とを備えたものである
（請求項１）。
洗浄する基板洗浄方法であって、基板を零下に冷却する
工程と、零下に冷却された基板の表面にミスト状の水を
含んだ気体を供給することにより基板の表面に氷を生成
する工程と、上記基板を回転させながらこの基板の表面
に気体を高圧噴射することにより、当該基板の表面に生
成された氷を粉砕すると共にその粉砕した氷を吹き飛ば
して基板の表面から除去する工程とを備えたものである
（請求項１）。
【００１０】この基板洗浄方法では、零下に冷却された
基板の表面にミスト状の水を含んだ気体が供給される
と、パーティクルを核としてパーティクルの周囲に氷が
生成される。従って、その氷を除去することによりパー
ティクルが除去され、基板の表面が洗浄される。
基板の表面にミスト状の水を含んだ気体が供給される
と、パーティクルを核としてパーティクルの周囲に氷が
生成される。従って、その氷を除去することによりパー
ティクルが除去され、基板の表面が洗浄される。
【００１１】具体的には、回転する基板に対して気体が
高圧噴射されることにより基板の表面から氷が剥離さ
れ、パーティクルを含んだ氷が基板の表面から排除され
る。
高圧噴射されることにより基板の表面から氷が剥離さ
れ、パーティクルを含んだ氷が基板の表面から排除され
る。
【００１２】また、本発明は、上記基板洗浄方法におい
て、基板を零下に冷却する工程が、零下に冷却した冷却
プレート上に基板を載置することにより基板を冷却する
ものである（請求項２）。
て、基板を零下に冷却する工程が、零下に冷却した冷却
プレート上に基板を載置することにより基板を冷却する
ものである（請求項２）。
【００１３】この基板洗浄方法では、零下に冷却した冷
却プレート上に基板を載置することにより、基板の熱が
冷却プレートに奪われて基板が零下に冷却される。
却プレート上に基板を載置することにより、基板の熱が
冷却プレートに奪われて基板が零下に冷却される。
【００１４】また、本発明は、基板の表面を洗浄する基
板洗浄装置であって、基板を零下に冷却する冷却手段
と、この冷却手段により冷却された基板の表面にミスト
状の水を含んだ気体を供給する氷生成用気体供給手段
と、この氷生成用気体供給手段による気体の供給により
生成された基板の表面の氷を除去する除去手段とを備
え、この除去手段は、基板が載置される基板支持台と、
この基板支持台を回転させる駆動手段と、回転している
基板支持台上の基板の表面に気体を高圧噴射することに
より、基板の表面の氷を粉砕すると共にその粉砕した氷
を吹き飛ばして基板の表面から除去する気体高圧噴射手
段とを備えるものである（請求項３）。
板洗浄装置であって、基板を零下に冷却する冷却手段
と、この冷却手段により冷却された基板の表面にミスト
状の水を含んだ気体を供給する氷生成用気体供給手段
と、この氷生成用気体供給手段による気体の供給により
生成された基板の表面の氷を除去する除去手段とを備
え、この除去手段は、基板が載置される基板支持台と、
この基板支持台を回転させる駆動手段と、回転している
基板支持台上の基板の表面に気体を高圧噴射することに
より、基板の表面の氷を粉砕すると共にその粉砕した氷
を吹き飛ばして基板の表面から除去する気体高圧噴射手
段とを備えるものである（請求項３）。
【００１５】この基板洗浄装置では、冷却手段により基
板が零下に冷却され、この冷却された基板の表面にミス
ト状の水を含んだ気体が供給されると、パーティクルを
凝結核としてパーティクルの周囲に氷が生成される。そ
の氷が除去手段によって基板から除去されると、氷と一
緒にパーティクルも除去され、基板の表面が洗浄され
る。
板が零下に冷却され、この冷却された基板の表面にミス
ト状の水を含んだ気体が供給されると、パーティクルを
凝結核としてパーティクルの周囲に氷が生成される。そ
の氷が除去手段によって基板から除去されると、氷と一
緒にパーティクルも除去され、基板の表面が洗浄され
る。
【００１６】具体的には、回転している基板支持台上の
基板の表面に高圧噴射手段により気体が高圧噴射される
ことにより、上記基板の表面から氷が剥離され、パーテ
ィクルを含んだ氷が基板の表面から排除される。
基板の表面に高圧噴射手段により気体が高圧噴射される
ことにより、上記基板の表面から氷が剥離され、パーテ
ィクルを含んだ氷が基板の表面から排除される。
【００１７】また、本発明は、上記基板洗浄装置におい
て、上記冷却手段が、上記基板を載置する冷却プレート
と、この冷却プレートに配設され、冷却媒体を給送する
管体と、を備えている（請求項４）。
て、上記冷却手段が、上記基板を載置する冷却プレート
と、この冷却プレートに配設され、冷却媒体を給送する
管体と、を備えている（請求項４）。
【００１８】この基板洗浄装置では、冷却プレートに配
設された管体に冷却媒体を給送することによって、冷却
プレートが零下に冷却され、この冷却プレートがその上
に載置された基板を零下に冷却する。
設された管体に冷却媒体を給送することによって、冷却
プレートが零下に冷却され、この冷却プレートがその上
に載置された基板を零下に冷却する。
【００１９】また、本発明は、上記基板洗浄装置におい
て、上記氷生成用気体供給手段は、ミスト状の水と気体
との混合手段を備えている（請求項５）。
て、上記氷生成用気体供給手段は、ミスト状の水と気体
との混合手段を備えている（請求項５）。
【００２０】この基板洗浄装置では、ミスト状の水を含
んだ気体が零下に冷却された基板の表面に供給され、パ
ーティクルを凝結核として基板の表面に氷が生成され
る。
んだ気体が零下に冷却された基板の表面に供給され、パ
ーティクルを凝結核として基板の表面に氷が生成され
る。
【００２１】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る基板洗浄方
法を実施するための基板洗浄装置の概略図である。同図
に示す基板洗浄装置は、半導体ウエハ等の基板Ｗを零下
に冷却してその表面に氷を形成する冷却製氷部１０と、
基板Ｗの表面に形成された氷を除去する氷除去部２０
と、基板カセットから基板Ｗを取り出して冷却製氷部１
０内に送入すると共に、冷却製氷部１０内から表面に氷
の形成された基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを氷除去部
２０に受け渡す基板受渡し部３０と、上記各部の動作を
制御する制御部４０とから構成されている。
法を実施するための基板洗浄装置の概略図である。同図
に示す基板洗浄装置は、半導体ウエハ等の基板Ｗを零下
に冷却してその表面に氷を形成する冷却製氷部１０と、
基板Ｗの表面に形成された氷を除去する氷除去部２０
と、基板カセットから基板Ｗを取り出して冷却製氷部１
０内に送入すると共に、冷却製氷部１０内から表面に氷
の形成された基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを氷除去部
２０に受け渡す基板受渡し部３０と、上記各部の動作を
制御する制御部４０とから構成されている。
【００２２】冷却製氷部１０は、断熱構造を有するチャ
ンバ１１と、このチャンバ１１内に配設されると共に、
基板Ｗを載置することによりその基板Ｗを零下に冷却す
る冷却プレート１２とを備えている。
ンバ１１と、このチャンバ１１内に配設されると共に、
基板Ｗを載置することによりその基板Ｗを零下に冷却す
る冷却プレート１２とを備えている。
【００２３】チャンバ１１は、一方の側壁に形成された
基板Ｗを出し入れするための開口部１１１と、この開口
部１１１を開閉する扉１１２を有している。また、この
チャンバ１１は、チャンバ１１内部の湿気を外部へ排出
するためにチャンバ１１内部に窒素ガス等の乾燥した気
体を供給する乾燥用気体供給手段１３と、チャンバ１１
内にミスト状の水を含んだ窒素ガス等の気体を供給する
氷生成用気体供給手段１４と、液化窒素等の冷却媒体を
冷却プレート１２に供給する冷却媒体供給手段１５と、
チャンバ１１内部を真空にする真空手段１６とを有して
いる。
基板Ｗを出し入れするための開口部１１１と、この開口
部１１１を開閉する扉１１２を有している。また、この
チャンバ１１は、チャンバ１１内部の湿気を外部へ排出
するためにチャンバ１１内部に窒素ガス等の乾燥した気
体を供給する乾燥用気体供給手段１３と、チャンバ１１
内にミスト状の水を含んだ窒素ガス等の気体を供給する
氷生成用気体供給手段１４と、液化窒素等の冷却媒体を
冷却プレート１２に供給する冷却媒体供給手段１５と、
チャンバ１１内部を真空にする真空手段１６とを有して
いる。
【００２４】冷却プレート１２は、アルミ等の金属材料
から構成され、チャンバ１１内底部にチャンバ壁から離
間して配設されている。また、冷却プレート１２には、
上面に表面から僅かに離間して基板Ｗを載置するための
複数の突起１２１が形成され、内部に冷却媒体を流し込
むための管体１２２が蛇行状に埋め込まれて構成されて
いる。上記突起１２１は、主として、基板Ｗを冷却プレ
ート１２上に載置したときに冷却プレート１２表面の塵
埃等が基板Ｗに付着しないように設けたものである。ま
た、この突起１２１は、上記塵埃付着防止の他、基板Ｗ
に急激な温度変化を与えないようにするという効果等も
あるが、必ず設けなければならないものではない。
から構成され、チャンバ１１内底部にチャンバ壁から離
間して配設されている。また、冷却プレート１２には、
上面に表面から僅かに離間して基板Ｗを載置するための
複数の突起１２１が形成され、内部に冷却媒体を流し込
むための管体１２２が蛇行状に埋め込まれて構成されて
いる。上記突起１２１は、主として、基板Ｗを冷却プレ
ート１２上に載置したときに冷却プレート１２表面の塵
埃等が基板Ｗに付着しないように設けたものである。ま
た、この突起１２１は、上記塵埃付着防止の他、基板Ｗ
に急激な温度変化を与えないようにするという効果等も
あるが、必ず設けなければならないものではない。
【００２５】チャンバ１１に配設されている乾燥用気体
供給手段１３は、窒素ガス等の気体を圧縮状態で収納し
たボンベ等の気体供給装置１３１と、この気体供給装置
１３１からチャンバ１１内部に乾燥した気体を供給する
ための配管１３２と、この配管１３２に配設された乾燥
した気体の給送を制御するための制御弁１３３とから構
成されている。この乾燥用気体供給手段１３は、チャン
バ１１内の湿気によって内壁面が氷結するのを防止する
ために設けられたものである。
供給手段１３は、窒素ガス等の気体を圧縮状態で収納し
たボンベ等の気体供給装置１３１と、この気体供給装置
１３１からチャンバ１１内部に乾燥した気体を供給する
ための配管１３２と、この配管１３２に配設された乾燥
した気体の給送を制御するための制御弁１３３とから構
成されている。この乾燥用気体供給手段１３は、チャン
バ１１内の湿気によって内壁面が氷結するのを防止する
ために設けられたものである。
【００２６】また、氷生成用気体供給手段１４は、窒素
ガス等の気体を圧縮状態で収納したボンベ等の気体供給
装置１４１と、純水をミスト状（霧状）にして供給する
ミスト状の水供給装置１４２と、窒素ガス等の気体とミ
スト状の水を混合する混合室１４３と、この混合室１４
３からミスト状の水を含んだ気体をチャンバ１１内部に
供給する配管１４４とから構成されている。気体供給装
置１４１は、混合室１４３の手前に気体の給送を制御す
る制御弁１４５を備えて構成されている。ミスト状の水
供給装置１４２は、一般的な噴霧器と同じ原理で構成さ
れており、図略の純水を収納するタンク、純水に圧力を
加えるポンプ、純水をミスト状（霧状）に微粒化して噴
出させる噴口等を有している。この氷生成用気体供給手
段１４からのミスト状の水を含んだ気体によって零下に
冷却された基板Ｗの表面に氷が形成される。
ガス等の気体を圧縮状態で収納したボンベ等の気体供給
装置１４１と、純水をミスト状（霧状）にして供給する
ミスト状の水供給装置１４２と、窒素ガス等の気体とミ
スト状の水を混合する混合室１４３と、この混合室１４
３からミスト状の水を含んだ気体をチャンバ１１内部に
供給する配管１４４とから構成されている。気体供給装
置１４１は、混合室１４３の手前に気体の給送を制御す
る制御弁１４５を備えて構成されている。ミスト状の水
供給装置１４２は、一般的な噴霧器と同じ原理で構成さ
れており、図略の純水を収納するタンク、純水に圧力を
加えるポンプ、純水をミスト状（霧状）に微粒化して噴
出させる噴口等を有している。この氷生成用気体供給手
段１４からのミスト状の水を含んだ気体によって零下に
冷却された基板Ｗの表面に氷が形成される。
【００２７】すなわち、チャンバ１１内に供給されたミ
スト状の水を含んだ気体が零下に冷却された基板Ｗの表
面に達すると、図２に示すように、基板Ｗ上のパーティ
クルＰが凝結核となってパーティクルＰを包み込むよう
に氷片Ｈが生成される。このパーティクルＰは、比較的
大きなものは勿論のこと、０．１μｍ程度の微細なもの
でも凝結核となり得る。従って、微細なパーティクルＰ
の周囲にも氷片Ｈが生成される。
スト状の水を含んだ気体が零下に冷却された基板Ｗの表
面に達すると、図２に示すように、基板Ｗ上のパーティ
クルＰが凝結核となってパーティクルＰを包み込むよう
に氷片Ｈが生成される。このパーティクルＰは、比較的
大きなものは勿論のこと、０．１μｍ程度の微細なもの
でも凝結核となり得る。従って、微細なパーティクルＰ
の周囲にも氷片Ｈが生成される。
【００２８】また、冷却媒体供給手段１５は、液体窒素
等の冷却媒体を収納したボンベ等の媒体供給装置１５１
と、この媒体供給装置１５１からチャンバ１１内部の冷
却プレート１２に冷却媒体を供給するための配管１５２
と、この配管１５２に配設された冷却媒体の給送を制御
するための制御弁１５３と、冷却プレート１２に供給し
た冷却媒体を外部に排出するための配管１５４とから構
成されている。この配管１５２が冷却プレート１２の管
体１２２の入口側に接続され、配管１５４が冷却プレー
ト１２の管体１２２の出口側に接続される。この冷却媒
体供給手段１５により冷却プレート１２が零下に冷却さ
れ、この冷却プレート１２はその上に載置された基板Ｗ
を零下に冷却する。冷却プレート１２は、例えば、−４
０゜Ｃ程度に冷却されるが、基板Ｗはそれよりも高い温
度でよい。
等の冷却媒体を収納したボンベ等の媒体供給装置１５１
と、この媒体供給装置１５１からチャンバ１１内部の冷
却プレート１２に冷却媒体を供給するための配管１５２
と、この配管１５２に配設された冷却媒体の給送を制御
するための制御弁１５３と、冷却プレート１２に供給し
た冷却媒体を外部に排出するための配管１５４とから構
成されている。この配管１５２が冷却プレート１２の管
体１２２の入口側に接続され、配管１５４が冷却プレー
ト１２の管体１２２の出口側に接続される。この冷却媒
体供給手段１５により冷却プレート１２が零下に冷却さ
れ、この冷却プレート１２はその上に載置された基板Ｗ
を零下に冷却する。冷却プレート１２は、例えば、−４
０゜Ｃ程度に冷却されるが、基板Ｗはそれよりも高い温
度でよい。
【００２９】また、真空手段１６は、真空ポンプ等の真
空装置１６１と、チャンバ１１内部の窒素ガス等の気体
を排出するための配管１６２と、この配管１６２に配設
された気体の排出を制御するための制御弁１６３とから
構成されている。この真空手段１６はチャンバ１１内か
ら気体を排出して、チャンバ１１内部を真空にするため
に設けられたものであり、乾燥用気体供給手段１３と同
様、チャンバ１１の内壁面が氷結するのを防止する。
空装置１６１と、チャンバ１１内部の窒素ガス等の気体
を排出するための配管１６２と、この配管１６２に配設
された気体の排出を制御するための制御弁１６３とから
構成されている。この真空手段１６はチャンバ１１内か
ら気体を排出して、チャンバ１１内部を真空にするため
に設けられたものであり、乾燥用気体供給手段１３と同
様、チャンバ１１の内壁面が氷結するのを防止する。
【００３０】氷除去部２０は、基板Ｗを載置する基板支
持台２１１を備えた基板支持手段２１と、基板支持台２
１１を取り囲むことにより基板Ｗに対する所定の作業空
間を形成する上方が開放された偏平形状の環状カップ２
２と、基板支持台２１１上に載置された基板Ｗにクリー
ンなエア等の気体を高圧噴射して基板Ｗの表面の氷を基
板表面から剥離して吹き飛ばす気体高圧噴射手段２３
と、基板支持台２１１上の基板Ｗの最終洗浄を行なう純
水を供給する純水供給手段２４とを備えている。
持台２１１を備えた基板支持手段２１と、基板支持台２
１１を取り囲むことにより基板Ｗに対する所定の作業空
間を形成する上方が開放された偏平形状の環状カップ２
２と、基板支持台２１１上に載置された基板Ｗにクリー
ンなエア等の気体を高圧噴射して基板Ｗの表面の氷を基
板表面から剥離して吹き飛ばす気体高圧噴射手段２３
と、基板支持台２１１上の基板Ｗの最終洗浄を行なう純
水を供給する純水供給手段２４とを備えている。
【００３１】この基板支持手段２１は、環状カップ２２
の底部中央を上下方向に貫通し、基板支持台２１１を上
端部で支持する支持軸２１２と、この支持軸２１２の下
端部に設けられた回転昇降機構２１３とを備えている。
この回転昇降機構２１３は、図略のモータやギヤ等から
構成された駆動手段を有しており、この駆動手段の駆動
により支持軸２１２を介して基板支持台２１１を回転す
ると共に、基板支持台２１１を昇降するようになってい
る。基板支持台２１１は、上面に載置された基板Ｗを確
実に保持するための吸着保持手段を備えると共に、回転
昇降機構２１３により上部に移動され、環状カップ２２
の上部に突出する上方位置で基板Ｗが載置されるように
なっている。また、この基板支持台２１１は、回転昇降
機構２１３により下部に移動され、環状カップ２２内で
ある下方位置で基板Ｗの表面の氷を除去する作業等が行
なわれるようになっている。
の底部中央を上下方向に貫通し、基板支持台２１１を上
端部で支持する支持軸２１２と、この支持軸２１２の下
端部に設けられた回転昇降機構２１３とを備えている。
この回転昇降機構２１３は、図略のモータやギヤ等から
構成された駆動手段を有しており、この駆動手段の駆動
により支持軸２１２を介して基板支持台２１１を回転す
ると共に、基板支持台２１１を昇降するようになってい
る。基板支持台２１１は、上面に載置された基板Ｗを確
実に保持するための吸着保持手段を備えると共に、回転
昇降機構２１３により上部に移動され、環状カップ２２
の上部に突出する上方位置で基板Ｗが載置されるように
なっている。また、この基板支持台２１１は、回転昇降
機構２１３により下部に移動され、環状カップ２２内で
ある下方位置で基板Ｗの表面の氷を除去する作業等が行
なわれるようになっている。
【００３２】また、環状カップ２２は、底板２２１と、
この底板２２１の外周縁部に沿って延設された環状溝部
２２２と、この環状溝部２２２の外周縁部から内側斜め
上方に突設された環状堰部２２３とを備えている。上記
環状溝部２２２の底部は底板２２１よりも低い位置に設
定されると共に、上記環状堰部２２３の上縁部は底板２
２１よりも高い位置に設定されている。この結果、底板
２２１の上部には環状堰部２２３で囲まれた基板収納空
間２２４が形成され、この基板収納空間２２４内で上記
の氷除去作業等が行なわれるようになっている。また、
上記環状溝部２２２の適所にはドレンパイプ２２５が接
続され、除去された氷等が外部に排出できるようになっ
ている。
この底板２２１の外周縁部に沿って延設された環状溝部
２２２と、この環状溝部２２２の外周縁部から内側斜め
上方に突設された環状堰部２２３とを備えている。上記
環状溝部２２２の底部は底板２２１よりも低い位置に設
定されると共に、上記環状堰部２２３の上縁部は底板２
２１よりも高い位置に設定されている。この結果、底板
２２１の上部には環状堰部２２３で囲まれた基板収納空
間２２４が形成され、この基板収納空間２２４内で上記
の氷除去作業等が行なわれるようになっている。また、
上記環状溝部２２２の適所にはドレンパイプ２２５が接
続され、除去された氷等が外部に排出できるようになっ
ている。
【００３３】また、気体高圧噴射手段２３は、回転して
いる基板支持台２１１上の基板Ｗの表面にエア等の気体
を高圧噴射することにより基板Ｗの表面の氷を粉砕する
と共に、その粉砕した氷を吹き飛ばして基板Ｗの表面か
ら除去するノズル２３１と、クリーンなエア等の気体を
ノズル２３１から高圧噴射させる高圧噴射装置２３２と
を備えている。
いる基板支持台２１１上の基板Ｗの表面にエア等の気体
を高圧噴射することにより基板Ｗの表面の氷を粉砕する
と共に、その粉砕した氷を吹き飛ばして基板Ｗの表面か
ら除去するノズル２３１と、クリーンなエア等の気体を
ノズル２３１から高圧噴射させる高圧噴射装置２３２と
を備えている。
【００３４】また、純水供給手段２４は、気体高圧噴射
手段２３により基板Ｗの表面の氷を除去した後に、回転
している基板支持台２１１上の基板Ｗの表面に純水を供
給して基板Ｗの表面を最終洗浄するノズル２４１と、純
水をノズル２４１から吐出させる純水供給装置２４２と
を備えている。
手段２３により基板Ｗの表面の氷を除去した後に、回転
している基板支持台２１１上の基板Ｗの表面に純水を供
給して基板Ｗの表面を最終洗浄するノズル２４１と、純
水をノズル２４１から吐出させる純水供給装置２４２と
を備えている。
【００３５】基板受渡し部３０は、冷却製氷部１０と氷
除去部２０との間に配置され、先端に基板Ｗの外周面を
把持するハンド３１１を有するアーム３１と、アーム３
１を直線運動させると共に、ハンド３１１を駆動する図
略のモータやギヤ等からなる第１駆動部３２と、アーム
３１を回転運動させる図略のモータやギヤ等からなる第
２駆動部３３とを備えている。この基板受渡し部３０
は、ハンド３１１で基板Ｗをその外周面を把持して図略
の基板カセットから取り出すと共に、冷却製氷部１０の
チャンバ１１内の冷却プレート１２上に載置する。そし
て、表面に氷の形成された基板Ｗを冷却製氷部１０のチ
ャンバ１１内から取り出して氷除去部２０の基板支持台
２１１上に載置すると共に、洗浄の完了した基板Ｗを氷
除去部２０から取り出して図略の洗浄済基板カセットに
収納する。
除去部２０との間に配置され、先端に基板Ｗの外周面を
把持するハンド３１１を有するアーム３１と、アーム３
１を直線運動させると共に、ハンド３１１を駆動する図
略のモータやギヤ等からなる第１駆動部３２と、アーム
３１を回転運動させる図略のモータやギヤ等からなる第
２駆動部３３とを備えている。この基板受渡し部３０
は、ハンド３１１で基板Ｗをその外周面を把持して図略
の基板カセットから取り出すと共に、冷却製氷部１０の
チャンバ１１内の冷却プレート１２上に載置する。そし
て、表面に氷の形成された基板Ｗを冷却製氷部１０のチ
ャンバ１１内から取り出して氷除去部２０の基板支持台
２１１上に載置すると共に、洗浄の完了した基板Ｗを氷
除去部２０から取り出して図略の洗浄済基板カセットに
収納する。
【００３６】制御部４０は、図略のＣＰＵやＲＯＭ等を
備えており、予め設定された所定の洗浄プロセスに基づ
き上記冷却製氷部１０、氷除去部２０及び基板受渡し部
３０の各部動作を集中制御して基板Ｗの洗浄を行なう。
備えており、予め設定された所定の洗浄プロセスに基づ
き上記冷却製氷部１０、氷除去部２０及び基板受渡し部
３０の各部動作を集中制御して基板Ｗの洗浄を行なう。
【００３７】次に、上記基板洗浄装置による基板洗浄方
法について、その一例を示す図３のフローチャートに従
って説明する。
法について、その一例を示す図３のフローチャートに従
って説明する。
【００３８】まず、冷却製氷部１０を構成するチャンバ
１１内に乾燥用気体供給手段１３から窒素ガス等の乾燥
した気体が供給される（ステップ１）。次いで、乾燥し
た気体が供給されてから予め設定された所定の気体供給
時間が経過したか否かが判別され（ステップ２）、所定
の時間が経過していると、乾燥した気体の供給が停止さ
れると共に、冷却媒体供給手段１５の冷却媒体供給装置
１５１から冷却プレート１２の管体１２２内に液体窒素
等の冷却媒体が送り込まれて冷却プレート１２が、例え
ば、−４０゜Ｃ程度に冷却される（ステップ３）。
１１内に乾燥用気体供給手段１３から窒素ガス等の乾燥
した気体が供給される（ステップ１）。次いで、乾燥し
た気体が供給されてから予め設定された所定の気体供給
時間が経過したか否かが判別され（ステップ２）、所定
の時間が経過していると、乾燥した気体の供給が停止さ
れると共に、冷却媒体供給手段１５の冷却媒体供給装置
１５１から冷却プレート１２の管体１２２内に液体窒素
等の冷却媒体が送り込まれて冷却プレート１２が、例え
ば、−４０゜Ｃ程度に冷却される（ステップ３）。
【００３９】続いて、冷却製氷部１０を構成しているチ
ャンバ１１の扉１１２が開けられると共に、基板受渡し
部３０のハンド３１１により把持されて図略の基板カセ
ットから取り出された基板Ｗが、アーム３１の回転動作
と直線動作により開口部１１１からチャンバ１１内の冷
却プレート１２上に載置され、その後に扉１１２が閉じ
られる（ステップ４）。そして、基板Ｗを冷却プレート
１２上に載置してから所定の冷却時間が経過したか否か
が判別される（ステップ５）。この冷却時間は、基板Ｗ
が冷却プレート１２により零下に冷却されるのに必要な
値に設定されたものである。
ャンバ１１の扉１１２が開けられると共に、基板受渡し
部３０のハンド３１１により把持されて図略の基板カセ
ットから取り出された基板Ｗが、アーム３１の回転動作
と直線動作により開口部１１１からチャンバ１１内の冷
却プレート１２上に載置され、その後に扉１１２が閉じ
られる（ステップ４）。そして、基板Ｗを冷却プレート
１２上に載置してから所定の冷却時間が経過したか否か
が判別される（ステップ５）。この冷却時間は、基板Ｗ
が冷却プレート１２により零下に冷却されるのに必要な
値に設定されたものである。
【００４０】上記所定の冷却時間が経過すると、氷生成
用気体供給手段１４を構成する気体供給装置１４１とミ
スト状の水供給装置１４２とが作動されて、ミスト状の
水を含んだ気体が混合室１４３からチャンバ１１内に供
給される（ステップ６）。この気体は、窒素ガス等の所
定の不活性ガスの他、クリーンな空気であってもよい。
次いで、ミスト状の水を含んだ気体を供給してから所定
の供給時間が経過したか否かが判別される（ステップ
７）。この供給時間は、上記の図２に示す氷片Ｈが形成
されるのに必要な値に設定されたものであり、これによ
り基板Ｗの表面には図２に示す氷片Ｈが生成される。
用気体供給手段１４を構成する気体供給装置１４１とミ
スト状の水供給装置１４２とが作動されて、ミスト状の
水を含んだ気体が混合室１４３からチャンバ１１内に供
給される（ステップ６）。この気体は、窒素ガス等の所
定の不活性ガスの他、クリーンな空気であってもよい。
次いで、ミスト状の水を含んだ気体を供給してから所定
の供給時間が経過したか否かが判別される（ステップ
７）。この供給時間は、上記の図２に示す氷片Ｈが形成
されるのに必要な値に設定されたものであり、これによ
り基板Ｗの表面には図２に示す氷片Ｈが生成される。
【００４１】そして、上記所定の供給時間が経過する
と、ミスト状の水を含んだ気体のチャンバ１１内への供
給が停止されると共に（ステップ８）、チャンバ１１の
扉１１２が開けられ、基板受渡し部３０のハンド３１１
により冷却プレート１２上の基板Ｗが把持されて外部へ
取り出され、この基板Ｗがアーム３１の回転動作と直線
動作により氷除去部２０の予め上部位置に移動されてい
る基板支持台２１１上に載置される（ステップ９）。な
お、このとき、チャンバ１１の扉１１２が閉じられ、真
空手段１６によりチャンバ１１内の湿った気体が外部へ
排出される。そして、基板支持台２１１は、吸着保持手
段の作動により基板Ｗを基板支持台２１１上に吸着保持
すると共に、回転昇降機構２１３の作動により下部位置
に移動した後、所定の速度で回転を開始する（ステップ
１０）。
と、ミスト状の水を含んだ気体のチャンバ１１内への供
給が停止されると共に（ステップ８）、チャンバ１１の
扉１１２が開けられ、基板受渡し部３０のハンド３１１
により冷却プレート１２上の基板Ｗが把持されて外部へ
取り出され、この基板Ｗがアーム３１の回転動作と直線
動作により氷除去部２０の予め上部位置に移動されてい
る基板支持台２１１上に載置される（ステップ９）。な
お、このとき、チャンバ１１の扉１１２が閉じられ、真
空手段１６によりチャンバ１１内の湿った気体が外部へ
排出される。そして、基板支持台２１１は、吸着保持手
段の作動により基板Ｗを基板支持台２１１上に吸着保持
すると共に、回転昇降機構２１３の作動により下部位置
に移動した後、所定の速度で回転を開始する（ステップ
１０）。
【００４２】続いて、気体高圧噴射手段２３の高圧噴射
装置２３２が作動してノズル２３１からクリーンなエア
等の気体が基板Ｗに対して高圧噴射される（ステップ１
１）。このとき、ノズル２３１は、回転している基板Ｗ
の中心部と外周縁部間の範囲内でモータ等の駆動手段に
より移動し、基板Ｗの全域に気体が高圧噴射されるよう
になっている。これにより、基板Ｗの表面に生成されて
いる氷片Ｈが基板Ｗの表面から剥離されて吹き飛ばさ
れ、その氷は基板Ｗの表面から排除される。基板Ｗの表
面に付着していたパーティクルＰは、凝結核として氷の
内部に閉じ込められているために氷の排除により基板Ｗ
の表面から除去され、基板Ｗが洗浄されることになる。
上記の排除された氷は、環状カップ２２に捕捉され、ド
レンパイプ２２５から外部に排出される。
装置２３２が作動してノズル２３１からクリーンなエア
等の気体が基板Ｗに対して高圧噴射される（ステップ１
１）。このとき、ノズル２３１は、回転している基板Ｗ
の中心部と外周縁部間の範囲内でモータ等の駆動手段に
より移動し、基板Ｗの全域に気体が高圧噴射されるよう
になっている。これにより、基板Ｗの表面に生成されて
いる氷片Ｈが基板Ｗの表面から剥離されて吹き飛ばさ
れ、その氷は基板Ｗの表面から排除される。基板Ｗの表
面に付着していたパーティクルＰは、凝結核として氷の
内部に閉じ込められているために氷の排除により基板Ｗ
の表面から除去され、基板Ｗが洗浄されることになる。
上記の排除された氷は、環状カップ２２に捕捉され、ド
レンパイプ２２５から外部に排出される。
【００４３】続いて、基板Ｗに気体が高圧噴射されてか
ら所定の噴射時間が経過したか否かが判別される（ステ
ップ１２）。この噴射時間は、高圧噴射された気体によ
り氷が基板Ｗの表面から排除されるのに必要な値に設定
されたものである。そして、所定の時間が経過すると、
気体の高圧噴射が停止され（ステップ１３）、純水供給
手段２４の純水供給装置２４２が作動してノズル２４１
から純水が回転している基板Ｗの表面に供給される（ス
テップ１４）。次いで、純水が供給されてから所定の供
給時間が経過したか否かが判別され（ステップ１５）、
所定の時間が経過していると、純水の供給が停止される
（ステップ１６）。これにより、基板Ｗの表面の最終洗
浄が完了する。続いて、基板支持台２１１が高速回転に
切り替えられる（ステップ１７）。この高速回転によっ
て基板Ｗに付着している純水が遠心力で基板Ｗから排除
され、基板Ｗの表面の乾燥が行なわれる。
ら所定の噴射時間が経過したか否かが判別される（ステ
ップ１２）。この噴射時間は、高圧噴射された気体によ
り氷が基板Ｗの表面から排除されるのに必要な値に設定
されたものである。そして、所定の時間が経過すると、
気体の高圧噴射が停止され（ステップ１３）、純水供給
手段２４の純水供給装置２４２が作動してノズル２４１
から純水が回転している基板Ｗの表面に供給される（ス
テップ１４）。次いで、純水が供給されてから所定の供
給時間が経過したか否かが判別され（ステップ１５）、
所定の時間が経過していると、純水の供給が停止される
（ステップ１６）。これにより、基板Ｗの表面の最終洗
浄が完了する。続いて、基板支持台２１１が高速回転に
切り替えられる（ステップ１７）。この高速回転によっ
て基板Ｗに付着している純水が遠心力で基板Ｗから排除
され、基板Ｗの表面の乾燥が行なわれる。
【００４４】そして、基板支持台２１１が高速回転に切
り替えられてから所定の回転時間が経過したか否かが判
別される（ステップ１８）。この回転時間は、基板Ｗの
表面から純水が排除されて乾燥が完了する値に設定され
たものである。次いで、所定の時間が経過した後、回転
昇降機構２１３の回転駆動が停止されることにより基板
支持台２１１の回転が停止され（ステップ１９）、一連
の基板の洗浄作業が完了する。
り替えられてから所定の回転時間が経過したか否かが判
別される（ステップ１８）。この回転時間は、基板Ｗの
表面から純水が排除されて乾燥が完了する値に設定され
たものである。次いで、所定の時間が経過した後、回転
昇降機構２１３の回転駆動が停止されることにより基板
支持台２１１の回転が停止され（ステップ１９）、一連
の基板の洗浄作業が完了する。
【００４５】最後に、基板支持台２１１が回転昇降機構
２１３により上部位置に移動されると共に、吸着保持手
段が解除される。そして、その位置で基板受渡し部３０
のハンド３１１により基板Ｗが把持されて外部へ取り出
され、この基板Ｗがアーム３１の回転動作と直線動作に
より図略の洗浄済基板カセットに収納される（ステップ
２０）。
２１３により上部位置に移動されると共に、吸着保持手
段が解除される。そして、その位置で基板受渡し部３０
のハンド３１１により基板Ｗが把持されて外部へ取り出
され、この基板Ｗがアーム３１の回転動作と直線動作に
より図略の洗浄済基板カセットに収納される（ステップ
２０）。
【００４６】なお、上記の基板洗浄装置は、基板Ｗの表
面に生成された氷を氷除去部２０で除去している間に、
冷却製氷部１０のチャンバ１１内に次の新しい基板Ｗが
搬入され、上記各ステップが順次、実行されて複数の基
板Ｗの洗浄が連続して行なわれるようになっている。上
記の基板洗浄装置における冷却媒体供給手段１５は、そ
の基板洗浄装置を作動させている間は連続して作動させ
ておいてもよいし、チャンバ１１内に新しい基板Ｗを搬
入するたびに間欠的に作動させるようにしてもよい。
面に生成された氷を氷除去部２０で除去している間に、
冷却製氷部１０のチャンバ１１内に次の新しい基板Ｗが
搬入され、上記各ステップが順次、実行されて複数の基
板Ｗの洗浄が連続して行なわれるようになっている。上
記の基板洗浄装置における冷却媒体供給手段１５は、そ
の基板洗浄装置を作動させている間は連続して作動させ
ておいてもよいし、チャンバ１１内に新しい基板Ｗを搬
入するたびに間欠的に作動させるようにしてもよい。
【００４７】また、基板受渡し部３０についても、例え
ば、アーム３１を２つ備えておき、一方のアーム３１で
氷の生成された基板Ｗをチャンバ１１内から取り出して
いる間に、他方のアーム３１で次の新しい基板Ｗを基板
カセットから取り出してくるようにしてもよく、また、
搬送ベルト等と組み合わせる等、他の手段で構成するこ
ともできる。さらには、上記一連の洗浄作業を１つのチ
ャンバ内で行なうようにすることも可能である。
ば、アーム３１を２つ備えておき、一方のアーム３１で
氷の生成された基板Ｗをチャンバ１１内から取り出して
いる間に、他方のアーム３１で次の新しい基板Ｗを基板
カセットから取り出してくるようにしてもよく、また、
搬送ベルト等と組み合わせる等、他の手段で構成するこ
ともできる。さらには、上記一連の洗浄作業を１つのチ
ャンバ内で行なうようにすることも可能である。
【００４８】上記のように構成された本発明によれば、
パーティクルが凝結核となり、そのパーティクルを包み
込むようにして氷が生成されるので、従来のブラシスク
ラブ法では不可能であった微細なパーティクルの除去が
可能になると共に、従来のブラシスクラブ法で生じてい
た静電気によるパーティクルの再付着の問題やブラシ自
体が塵埃等の発生源になるという問題が生じることのな
い優れたものとなる。
パーティクルが凝結核となり、そのパーティクルを包み
込むようにして氷が生成されるので、従来のブラシスク
ラブ法では不可能であった微細なパーティクルの除去が
可能になると共に、従来のブラシスクラブ法で生じてい
た静電気によるパーティクルの再付着の問題やブラシ自
体が塵埃等の発生源になるという問題が生じることのな
い優れたものとなる。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように、基板の表面を洗浄
する基板洗浄方法において、基板を零下に冷却する工程
と、零下に冷却された基板の表面にミスト状の水を含ん
だ気体を供給することにより基板の表面に氷を形成する
工程と、基板の表面に形成された氷を除去する工程とを
備えているため、比較的大きなパーティクルのみなら
ず、微細なパーティクルであっても除去することが可能
となる。
する基板洗浄方法において、基板を零下に冷却する工程
と、零下に冷却された基板の表面にミスト状の水を含ん
だ気体を供給することにより基板の表面に氷を形成する
工程と、基板の表面に形成された氷を除去する工程とを
備えているため、比較的大きなパーティクルのみなら
ず、微細なパーティクルであっても除去することが可能
となる。
【００５０】また、上記の基板の表面に形成された氷を
除去する工程は、高圧噴射した気体により氷を基板の表
面から排除するものであるため、氷を基板の表面から確
実に剥離でき、パーティクルを含んだ氷を基板の表面か
ら確実に排除することができる。
除去する工程は、高圧噴射した気体により氷を基板の表
面から排除するものであるため、氷を基板の表面から確
実に剥離でき、パーティクルを含んだ氷を基板の表面か
ら確実に排除することができる。
【００５１】また、上記の基板を零下に冷却する工程
が、零下に冷却した冷却プレート上に基板を載置するも
のであれば、基板を短時間で零下に冷却することができ
る。
が、零下に冷却した冷却プレート上に基板を載置するも
のであれば、基板を短時間で零下に冷却することができ
る。
【００５２】また、基板の表面を洗浄する基板洗浄装置
において、基板を零下に冷却する冷却手段と、この冷却
手段によって冷却された基板の表面にミスト状の水を含
んだ気体を供給する氷生成用気体供給手段と、この氷生
成用気体供給手段による気体の供給により生成された基
板の表面の氷を除去する除去手段とを備えているため、
比較的大きなパーティクルのみならず、微細なパーティ
クルであっても除去することが可能となる。
において、基板を零下に冷却する冷却手段と、この冷却
手段によって冷却された基板の表面にミスト状の水を含
んだ気体を供給する氷生成用気体供給手段と、この氷生
成用気体供給手段による気体の供給により生成された基
板の表面の氷を除去する除去手段とを備えているため、
比較的大きなパーティクルのみならず、微細なパーティ
クルであっても除去することが可能となる。
【００５３】また、上記の除去手段は、基板が載置され
る基板支持台と、基板が載置された基板支持台を回転さ
せる駆動手段と、回転している基板支持台上の基板の表
面に気体を高圧噴射することにより、基板の表面の氷を
粉砕すると共にその粉砕した氷を吹き飛ばして基板の表
面から除去する気体高圧噴射手段と、気体の高圧噴射手
段を備えているため、氷を基板の表面から確実に剥離で
き、パーティクルを含んだ氷を基板の表面から確実に排
除することができる。
る基板支持台と、基板が載置された基板支持台を回転さ
せる駆動手段と、回転している基板支持台上の基板の表
面に気体を高圧噴射することにより、基板の表面の氷を
粉砕すると共にその粉砕した氷を吹き飛ばして基板の表
面から除去する気体高圧噴射手段と、気体の高圧噴射手
段を備えているため、氷を基板の表面から確実に剥離で
き、パーティクルを含んだ氷を基板の表面から確実に排
除することができる。
【００５４】また、上記の冷却手段が、基板を載置する
冷却プレートと、この冷却プレートに配設され、冷却媒
体を給送する管体とを備えたものでは、基板を短時間で
零下に冷却することができる。
冷却プレートと、この冷却プレートに配設され、冷却媒
体を給送する管体とを備えたものでは、基板を短時間で
零下に冷却することができる。
【００５５】また、上記の気体供給手段が、ミスト状の
水と気体との混合手段を備えているものでは、パーティ
クルを凝結核として容易に氷を生成することができるよ
うになる。
水と気体との混合手段を備えているものでは、パーティ
クルを凝結核として容易に氷を生成することができるよ
うになる。
【図１】本発明に係る基板洗浄方法を実施する基板洗浄
装置の概略図である。
装置の概略図である。
【図２】基板の表面に氷片が生成される状態を説明する
ための図である。
ための図である。
【図３】本発明に係る基板洗浄方法を説明するフローチ
ャートである。
ャートである。
１０ 冷却製氷部 １１ チャンバ １２ 冷却プレート １３ 乾燥用気体供給手段 １４ 氷生成用気体供給手段 １５ 冷却媒体供給手段 ２０ 氷除去部 ２１ 基板支持手段 ２２ 環状カップ ２３ 気体高圧噴射手段 ２４ 純水供給手段 ３０ 基板受渡し部 ３１ アーム ３２ 第１駆動部 ３３ 第２駆動部 ４０ 制御部 ３１１ ハンド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松永 実信 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大 日本スクリーン製造株式会社 洛西事業 所内 (56)参考文献 特開 平３−23635（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−145130（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−226310（ＪＰ，Ａ) 米国特許4777804（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 B08B 5/02
Claims (5)
- 【請求項１】 基板の表面を洗浄する基板洗浄方法であ
って、 基板を零下に冷却する工程と、 零下に冷却された基板の表面にミスト状の水を含んだ気
体を供給することにより基板の表面に氷を生成する工程
と、上記基板を回転させながらこの基板の表面に気体を高圧
噴射することにより、当該 基板の表面に生成された氷を
粉砕すると共にその粉砕した氷を吹き飛ばして基板の表
面から除去する工程と、 を備えたことを特徴とする基板洗浄方法。 - 【請求項２】 基板を零下に冷却する工程は、零下に冷
却した冷却プレート上に基板を載置することにより基板
を冷却することを特徴とする請求項１記載の基板洗浄方
法。 - 【請求項３】 基板の表面を洗浄する基板洗浄装置であ
って、 基板を零下に冷却する冷却手段と、 この冷却手段により冷却された基板の表面にミスト状の
水を含んだ気体を供給する氷生成用気体供給手段と、 この氷生成用気体供給手段による気体の供給により生成
された基板の表面の氷を除去する除去手段とを備え、こ
の除去手段は、 基板が載置される基板支持台と、 この基板支持台を回転させる駆動手段と、 回転している基板支持台上の基板の表面に気体を高圧噴
射することにより、基板の表面の氷を粉砕すると共にそ
の粉砕した氷を吹き飛ばして基板の表面から除去する気
体高圧噴射手段と、 を備える ことを特徴とする基板洗浄装置。 - 【請求項４】 上記冷却手段は、上記基板を載置する冷
却プレートと、この冷却プレートに配設され、冷却媒体
を給送する管体と、を備えたことを特徴とする請求項３
記載の基板洗浄装置。 - 【請求項５】 上記氷生成用気体供給手段は、ミスト状
の水と気体との混合手段を備えていることを特徴とする
請求項３又は４記載の基板洗浄装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34314795A JP3343013B2 (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 基板洗浄方法及びその装置 |
| US08/766,579 US5857474A (en) | 1995-12-28 | 1996-12-12 | Method of and apparatus for washing a substrate |
| KR1019960069456A KR100240209B1 (ko) | 1995-12-28 | 1996-12-21 | 기판 세정방법 및 그 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34314795A JP3343013B2 (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 基板洗浄方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09186123A JPH09186123A (ja) | 1997-07-15 |
| JP3343013B2 true JP3343013B2 (ja) | 2002-11-11 |
Family
ID=18359286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34314795A Expired - Fee Related JP3343013B2 (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 基板洗浄方法及びその装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5857474A (ja) |
| JP (1) | JP3343013B2 (ja) |
| KR (1) | KR100240209B1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7823597B2 (en) | 2006-11-28 | 2010-11-02 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US7942976B2 (en) | 2006-11-24 | 2011-05-17 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US8623146B2 (en) | 2011-01-20 | 2014-01-07 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| US9214331B2 (en) | 2011-01-06 | 2015-12-15 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3676912B2 (ja) * | 1997-08-07 | 2005-07-27 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体製造装置およびその異物除去方法 |
| US6332470B1 (en) * | 1997-12-30 | 2001-12-25 | Boris Fishkin | Aerosol substrate cleaner |
| US6951221B2 (en) * | 2000-09-22 | 2005-10-04 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| WO2002075798A1 (fr) * | 2001-03-16 | 2002-09-26 | Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. | Eau et procede de stockage d'une tranche de silicium |
| US6783599B2 (en) * | 2001-07-19 | 2004-08-31 | International Business Machines Corporation | Method of cleaning contaminants from the surface of a substrate |
| US20040016442A1 (en) * | 2002-07-26 | 2004-01-29 | Cawlfield B. Gene | Megasonically energized liquid interface apparatus and method |
| US6864458B2 (en) * | 2003-01-21 | 2005-03-08 | Applied Materials, Inc. | Iced film substrate cleaning |
| AU2003220242A1 (en) * | 2003-03-12 | 2004-10-11 | Mattson Technology Inc. | Systems and methods for cleaning semiconductor substrates using a reduced volume of liquid |
| JP4246159B2 (ja) * | 2003-03-25 | 2009-04-02 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造装置及び製造方法 |
| TW200608453A (en) * | 2004-08-20 | 2006-03-01 | Aqua Science Corp | Object treating device and method |
| DE102004054320A1 (de) * | 2004-11-10 | 2006-05-11 | Universität Konstanz | Verfahren und Vorrichtung zum Entfernen von Verunreinigungen und Verwendung eines Reinigungsmittels |
| JP2006332396A (ja) | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP4514700B2 (ja) * | 2005-12-13 | 2010-07-28 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| TW200739710A (en) * | 2006-04-11 | 2007-10-16 | Dainippon Screen Mfg | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| JP4767138B2 (ja) * | 2006-09-13 | 2011-09-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置、液膜凍結方法および基板処理方法 |
| JP4877783B2 (ja) * | 2006-11-28 | 2012-02-15 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 裏面洗浄装置、基板処理装置および裏面洗浄方法 |
| JP2008244327A (ja) | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Tokyo Electron Ltd | パーティクル測定方法、パーティクル測定装置及び記憶媒体 |
| JP5243165B2 (ja) * | 2008-09-25 | 2013-07-24 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
| KR101229775B1 (ko) * | 2008-12-26 | 2013-02-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 기판 세정장치 |
| KR101097509B1 (ko) * | 2009-07-17 | 2011-12-22 | 주식회사 엠엠티 | 기판 세정장치 |
| JP2013051301A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US10872634B2 (en) * | 2017-04-27 | 2020-12-22 | Seagate Technology Llc | Methods and devices for conditioning disks |
| US10675945B2 (en) * | 2018-03-15 | 2020-06-09 | Waymo Llc | Sensor condensation prevention |
| JP7224981B2 (ja) * | 2019-03-15 | 2023-02-20 | キオクシア株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| CN112934863A (zh) * | 2021-03-11 | 2021-06-11 | 洛阳正扬冶金技术股份有限公司 | 一种板带表面快速清洁及干燥方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4491484A (en) * | 1981-11-24 | 1985-01-01 | Mobile Companies, Inc. | Cryogenic cleaning process |
| JPS62213127A (ja) * | 1986-03-13 | 1987-09-19 | Nec Corp | 半導体ウエハ−の洗浄装置 |
| JPH084063B2 (ja) * | 1986-12-17 | 1996-01-17 | 富士通株式会社 | 半導体基板の保存方法 |
| JPH0323635A (ja) * | 1989-06-21 | 1991-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体基板の洗浄方法およびそれに用いる洗浄装置 |
| JPH0330315A (ja) * | 1989-06-27 | 1991-02-08 | Tokyo Erekutoron Kyushu Kk | 被処理体処理装置 |
| JPH03131026A (ja) * | 1989-10-17 | 1991-06-04 | Seiko Epson Corp | 洗浄装置 |
| JPH03234021A (ja) * | 1990-02-09 | 1991-10-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハの洗浄装置及びその洗浄方法 |
| JPH03261142A (ja) * | 1990-03-12 | 1991-11-21 | Fujitsu Ltd | 半導体基板洗浄方法 |
| JP3046835B2 (ja) * | 1990-11-05 | 2000-05-29 | 大陽東洋酸素株式会社 | 半導体ウエハの洗浄装置 |
| JPH04188828A (ja) * | 1990-11-22 | 1992-07-07 | Taiyo Sanso Co Ltd | 基板洗浄装置 |
| JPH05144793A (ja) * | 1991-03-18 | 1993-06-11 | Taiyo Sanso Co Ltd | 固体表面の洗浄装置 |
| JP2504916B2 (ja) * | 1993-09-20 | 1996-06-05 | 株式会社芝浦製作所 | 基板洗浄装置 |
-
1995
- 1995-12-28 JP JP34314795A patent/JP3343013B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-12-12 US US08/766,579 patent/US5857474A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-21 KR KR1019960069456A patent/KR100240209B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7942976B2 (en) | 2006-11-24 | 2011-05-17 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US7823597B2 (en) | 2006-11-28 | 2010-11-02 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US9214331B2 (en) | 2011-01-06 | 2015-12-15 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| US8623146B2 (en) | 2011-01-20 | 2014-01-07 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970052719A (ko) | 1997-07-29 |
| JPH09186123A (ja) | 1997-07-15 |
| KR100240209B1 (ko) | 2000-01-15 |
| US5857474A (en) | 1999-01-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3343013B2 (ja) | 基板洗浄方法及びその装置 | |
| US7862680B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
| JP3322853B2 (ja) | 基板の乾燥装置および洗浄装置並びに乾燥方法および洗浄方法 | |
| JP5385628B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| TWI362069B (ja) | ||
| TWI324091B (ja) | ||
| TWI494987B (zh) | 基板處理方法、記錄有用來實施此基板處理方法之電腦程式的記錄媒體及基板處理裝置 | |
| JP5243165B2 (ja) | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 | |
| JPH1131673A (ja) | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 | |
| US6990704B2 (en) | Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method | |
| EP0423761A2 (en) | Apparatus and method for particle removal by forced fluid convection | |
| JP4767204B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| KR20100056993A (ko) | 디스크와 같은 물체의 표면에서 액체를 제거하기 위한 장치 및 방법 | |
| JPH11340188A (ja) | レジスト剥離方法及び装置 | |
| WO2014050428A1 (ja) | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 | |
| JP2001121096A (ja) | ロールブラシ洗浄装置 | |
| JP2000117201A (ja) | 洗浄装置及び洗浄方法 | |
| JP2003077808A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JPH09162159A (ja) | 回転式基板乾燥装置 | |
| JP2000346549A (ja) | 回転式基板乾燥装置および乾燥方法 | |
| JP2000100763A (ja) | 基板表面の処理装置 | |
| JP3565690B2 (ja) | 密閉型洗浄装置およびこの装置を用いて精密基板を洗浄する方法 | |
| TWI559101B (zh) | 顯影裝置及顯影方法 | |
| JP2000235948A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2000133625A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080823 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080823 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090823 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090823 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090823 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100823 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100823 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |