JPH1152562A - フォトレジスト組成物 - Google Patents
フォトレジスト組成物Info
- Publication number
- JPH1152562A JPH1152562A JP9214665A JP21466597A JPH1152562A JP H1152562 A JPH1152562 A JP H1152562A JP 9214665 A JP9214665 A JP 9214665A JP 21466597 A JP21466597 A JP 21466597A JP H1152562 A JPH1152562 A JP H1152562A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alkali
- resin
- acid
- composition according
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 感度、解像度、耐熱性、残膜率、塗布性、プ
ロファイル、タイム・ディレイ効果耐性などの諸性能に
優れた化学増幅型のポジ型フォトレジスト組成物を提供
する。 【解決手段】 アルカリに対して不溶性又は難溶性の状
態から酸の作用でアルカリ可溶性となる樹脂、及び酸発
生剤として次式（Ｉ）で示されるテトラアリールボレー
ト化合物を含有するポジ型フォトレジスト組成物。 式中、Ｒ1〜Ｒ20 は互いに独立に、水素、フッ素、トリ
フルオロメチル又は炭素数１〜４のアルキルを表すが、
そのうちの少なくとも一つはフッ素又はトリフルオロメ
チルであり、Ｒ+ はジアリールハロニウム又はトリアリ
ールスルホニウムを表す。
ロファイル、タイム・ディレイ効果耐性などの諸性能に
優れた化学増幅型のポジ型フォトレジスト組成物を提供
する。 【解決手段】 アルカリに対して不溶性又は難溶性の状
態から酸の作用でアルカリ可溶性となる樹脂、及び酸発
生剤として次式（Ｉ）で示されるテトラアリールボレー
ト化合物を含有するポジ型フォトレジスト組成物。 式中、Ｒ1〜Ｒ20 は互いに独立に、水素、フッ素、トリ
フルオロメチル又は炭素数１〜４のアルキルを表すが、
そのうちの少なくとも一つはフッ素又はトリフルオロメ
チルであり、Ｒ+ はジアリールハロニウム又はトリアリ
ールスルホニウムを表す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、遠紫外線（エキシ
マレーザー等を含む）、電子線、Ｘ線又は放射光によっ
て作用し、半導体集積回路の製作などに用いられるリソ
グラフィーに適したフォトレジスト組成物に関するもの
である。
マレーザー等を含む）、電子線、Ｘ線又は放射光によっ
て作用し、半導体集積回路の製作などに用いられるリソ
グラフィーに適したフォトレジスト組成物に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】近年、集積回路の高集積化に伴って、サ
ブミクロンのパターン形成が要求されるようになってい
る。特にエキシマレーザーリソグラフィーは、６４M DR
AM及び２５６M DRAMの製造を可能とすることから、注目
されている。かかるエキシマレーザーリソグラフィープ
ロセスに適したレジストとして、酸触媒及び化学増幅効
果を利用した、いわゆる化学増幅型レジストが提案され
ている。化学増幅型レジストは、放射線の照射部で酸発
生剤から発生した酸を触媒とする反応により、照射部の
アルカリ現像液に対する溶解性を変化させるものであ
り、これによってポジ型又はネガ型のフォトレジストが
得られる。
ブミクロンのパターン形成が要求されるようになってい
る。特にエキシマレーザーリソグラフィーは、６４M DR
AM及び２５６M DRAMの製造を可能とすることから、注目
されている。かかるエキシマレーザーリソグラフィープ
ロセスに適したレジストとして、酸触媒及び化学増幅効
果を利用した、いわゆる化学増幅型レジストが提案され
ている。化学増幅型レジストは、放射線の照射部で酸発
生剤から発生した酸を触媒とする反応により、照射部の
アルカリ現像液に対する溶解性を変化させるものであ
り、これによってポジ型又はネガ型のフォトレジストが
得られる。
【０００３】化学増幅型レジストにおいては、放射線照
射によって発生した酸が、露光後の熱処理（post expos
ure bake：以下、「ＰＥＢ」と略すことがある）によっ
て拡散し、樹脂等の保護基を脱離させるとともに、酸を
再生成することにより、高い感度が実現されているが、
一層の高感度化が望まれており、また解像度の向上も望
まれている。
射によって発生した酸が、露光後の熱処理（post expos
ure bake：以下、「ＰＥＢ」と略すことがある）によっ
て拡散し、樹脂等の保護基を脱離させるとともに、酸を
再生成することにより、高い感度が実現されているが、
一層の高感度化が望まれており、また解像度の向上も望
まれている。
【０００４】さらに、化学増幅型レジストには、環境か
らの影響を受けやすいという欠点がある。すなわち、放
射線照射からＰＥＢまでの放置時間によって性能が大き
く変化する、いわゆるタイム・ディレイ（time delay）
効果が発生する。このようなタイム・ディレイ効果によ
り、解像度が低下するとともに、現像後のパターンに膜
張り現象（Ｔ−シェイプ化）などが発生し、プロファイ
ルが悪化する。タイム・ディレイ効果の原因は、環境雰
囲気中に微量存在するアミン類などにより、レジスト中
で発生した酸が失活するためと考えられている。
らの影響を受けやすいという欠点がある。すなわち、放
射線照射からＰＥＢまでの放置時間によって性能が大き
く変化する、いわゆるタイム・ディレイ（time delay）
効果が発生する。このようなタイム・ディレイ効果によ
り、解像度が低下するとともに、現像後のパターンに膜
張り現象（Ｔ−シェイプ化）などが発生し、プロファイ
ルが悪化する。タイム・ディレイ効果の原因は、環境雰
囲気中に微量存在するアミン類などにより、レジスト中
で発生した酸が失活するためと考えられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、感度、解像
度、耐熱性、残膜率、塗布性、プロファイル、タイム・
ディレイ効果耐性などの諸性能に優れた化学増幅型のポ
ジ型フォトレジスト組成物を提供することを目的とす
る。本発明者らは、かかる目的を達成すべく鋭意研究を
行った結果、特定の成分を組み合わせることにより、優
れた性能を有するポジ型フォトレジスト組成物が得られ
ることを見出し、本発明を完成した。
度、耐熱性、残膜率、塗布性、プロファイル、タイム・
ディレイ効果耐性などの諸性能に優れた化学増幅型のポ
ジ型フォトレジスト組成物を提供することを目的とす
る。本発明者らは、かかる目的を達成すべく鋭意研究を
行った結果、特定の成分を組み合わせることにより、優
れた性能を有するポジ型フォトレジスト組成物が得られ
ることを見出し、本発明を完成した。
【０００６】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、アル
カリに対して不溶性又は難溶性の状態から酸の作用でア
ルカリ可溶性となる樹脂、及び酸発生剤として次式
（Ｉ）で示されるテトラアリールボレート化合物を含有
してなるポジ型フォトレジスト組成物を提供するもので
ある。
カリに対して不溶性又は難溶性の状態から酸の作用でア
ルカリ可溶性となる樹脂、及び酸発生剤として次式
（Ｉ）で示されるテトラアリールボレート化合物を含有
してなるポジ型フォトレジスト組成物を提供するもので
ある。
【０００７】
【０００８】式中、Ｒ1〜Ｒ20 は互いに独立に、水素、
フッ素、トリフルオロメチル又は炭素数１〜４のアルキ
ルを表すが、そのうちの少なくとも一つはフッ素又はト
リフルオロメチルであり、Ｒ+ はジアリールハロニウム
又はトリアリールスルホニウムを表す。
フッ素、トリフルオロメチル又は炭素数１〜４のアルキ
ルを表すが、そのうちの少なくとも一つはフッ素又はト
リフルオロメチルであり、Ｒ+ はジアリールハロニウム
又はトリアリールスルホニウムを表す。
【０００９】本発明は、上記式（Ｉ）で示されるテトラ
アリールボレート化合物をフォトレジストの酸発生剤と
して使用する点に、大きな特徴を有する。
アリールボレート化合物をフォトレジストの酸発生剤と
して使用する点に、大きな特徴を有する。
【００１０】
【発明の実施の形態】フォトレジスト組成物の主体とな
る樹脂成分は、それ自体ではアルカリに対して不溶性又
は難溶性であるが、酸の作用により化学変化を起こして
アルカリ可溶性となるものである。例えば、フェノール
骨格を有するアルカリ可溶性樹脂のフェノール性水酸基
の少なくとも一部を、アルカリ現像液に対して溶解抑止
能を持ち、酸に対しては不安定な基で保護した樹脂が用
いられる。
る樹脂成分は、それ自体ではアルカリに対して不溶性又
は難溶性であるが、酸の作用により化学変化を起こして
アルカリ可溶性となるものである。例えば、フェノール
骨格を有するアルカリ可溶性樹脂のフェノール性水酸基
の少なくとも一部を、アルカリ現像液に対して溶解抑止
能を持ち、酸に対しては不安定な基で保護した樹脂が用
いられる。
【００１１】ベースとなるアルカリ可溶性樹脂として
は、例えば、ノボラック樹脂、ポリビニルフェノール樹
脂、ポリイソプロペニルフェノール樹脂、ビニルフェノ
ールとスチレン、アクリロニトリル、メチルメタクリレ
ート又はメチルアクリレートとの共重合体、イソプロペ
ニルフェノールとスチレン、アクリロニトリル、メチル
メタクリレート又はメチルアクリレートとの共重合体な
どが挙げられる。ビニルフェノール及びイソプロペニル
フェノールにおける水酸基とビニル基又はイソプロペニ
ル基との位置関係は特に限定されないが、一般にはｐ−
ビニルフェノール及びｐ−イソプロペニルフェノールが
好ましい。これらの樹脂は、透明性を向上させるために
部分的に水素添加されていてもよい。また、アルカリに
可溶である範囲において、上記樹脂のフェノール核にア
ルキル基やアルコキシ基などが導入されていてもよい。
これらのアルカリ可溶性樹脂のなかでも、ポリビニルフ
ェノール系樹脂、すなわちビニルフェノールの単独重合
体又はビニルフェノールと他の単量体との共重合体が好
ましく用いられる。
は、例えば、ノボラック樹脂、ポリビニルフェノール樹
脂、ポリイソプロペニルフェノール樹脂、ビニルフェノ
ールとスチレン、アクリロニトリル、メチルメタクリレ
ート又はメチルアクリレートとの共重合体、イソプロペ
ニルフェノールとスチレン、アクリロニトリル、メチル
メタクリレート又はメチルアクリレートとの共重合体な
どが挙げられる。ビニルフェノール及びイソプロペニル
フェノールにおける水酸基とビニル基又はイソプロペニ
ル基との位置関係は特に限定されないが、一般にはｐ−
ビニルフェノール及びｐ−イソプロペニルフェノールが
好ましい。これらの樹脂は、透明性を向上させるために
部分的に水素添加されていてもよい。また、アルカリに
可溶である範囲において、上記樹脂のフェノール核にア
ルキル基やアルコキシ基などが導入されていてもよい。
これらのアルカリ可溶性樹脂のなかでも、ポリビニルフ
ェノール系樹脂、すなわちビニルフェノールの単独重合
体又はビニルフェノールと他の単量体との共重合体が好
ましく用いられる。
【００１２】このようなアルカリ可溶性樹脂に導入さ
れ、アルカリ現像液に対して溶解抑止能を持つが、酸に
対して不安定な基は、この分野で公知の各種保護基であ
ることができる。例えば、tert−ブトキシカルボニル
基、tert−ブトキシカルボニルメチル基、テトラヒドロ
−２−ピラニル基、テトラヒドロ−２−フリル基、メト
キシメチル基、１−エトキシエチル基などが挙げられ、
これらの基がフェノール性水酸基の水素に置換すること
になる。これらの保護基のなかでも、本発明においては
特に、１−エトキシエチル基が好ましい。フェノール骨
格を有するアルカリ可溶性樹脂のフェノール性水酸基に
これらの保護基を導入する場合、アルカリ可溶性樹脂中
のフェノール性水酸基のうち、保護基で置換されたもの
の割合（保護基導入率）は、一般には１０〜５０％の範
囲にあるのが好ましい。
れ、アルカリ現像液に対して溶解抑止能を持つが、酸に
対して不安定な基は、この分野で公知の各種保護基であ
ることができる。例えば、tert−ブトキシカルボニル
基、tert−ブトキシカルボニルメチル基、テトラヒドロ
−２−ピラニル基、テトラヒドロ−２−フリル基、メト
キシメチル基、１−エトキシエチル基などが挙げられ、
これらの基がフェノール性水酸基の水素に置換すること
になる。これらの保護基のなかでも、本発明においては
特に、１−エトキシエチル基が好ましい。フェノール骨
格を有するアルカリ可溶性樹脂のフェノール性水酸基に
これらの保護基を導入する場合、アルカリ可溶性樹脂中
のフェノール性水酸基のうち、保護基で置換されたもの
の割合（保護基導入率）は、一般には１０〜５０％の範
囲にあるのが好ましい。
【００１３】特に、樹脂成分の全部又は一部として、前
記したポリビニルフェノール系樹脂のフェノール性水酸
基が、アルカリ現像液に対して溶解抑止能を持ち、酸に
対しては不安定な基で部分的に保護された樹脂を用いる
のが好ましい。なかでも好ましいものは、ポリビニルフ
ェノール系樹脂のフェノール性水酸基が部分的に１−エ
トキシエチルエーテル化された樹脂である。
記したポリビニルフェノール系樹脂のフェノール性水酸
基が、アルカリ現像液に対して溶解抑止能を持ち、酸に
対しては不安定な基で部分的に保護された樹脂を用いる
のが好ましい。なかでも好ましいものは、ポリビニルフ
ェノール系樹脂のフェノール性水酸基が部分的に１−エ
トキシエチルエーテル化された樹脂である。
【００１４】フォトレジスト組成物を構成する酸発生剤
は、その物質自体に、又はその物質を含むレジスト組成
物に、放射線を照射することによって、酸を発生する化
合物である。本発明では、かかる酸発生剤の少なくとも
一部として、前記式（Ｉ）で示されるテトラアリールボ
レート化合物を用いる。かかるテトラアリールボレート
化合物を含有させることにより、特に感度、解像度及び
プロファイルのバランスに優れたレジストが得られる。
は、その物質自体に、又はその物質を含むレジスト組成
物に、放射線を照射することによって、酸を発生する化
合物である。本発明では、かかる酸発生剤の少なくとも
一部として、前記式（Ｉ）で示されるテトラアリールボ
レート化合物を用いる。かかるテトラアリールボレート
化合物を含有させることにより、特に感度、解像度及び
プロファイルのバランスに優れたレジストが得られる。
【００１５】式（Ｉ）において、Ｒ1〜Ｒ20 は互いに独
立に、水素、フッ素、トリフルオロメチル又は炭素数１
〜４のアルキルであるが、そのうちの少なくとも一つは
フッ素又はトリフルオロメチルでなければならない。ア
ルキルの炭素数が３以上の場合は、直鎖でも分岐してい
てもよい。Ｒ1〜Ｒ20 は、特にフッ素であるのが有利で
あり、この場合、式（Ｉ）のテトラアリールボレート化
合物は次式（II）で示される。
立に、水素、フッ素、トリフルオロメチル又は炭素数１
〜４のアルキルであるが、そのうちの少なくとも一つは
フッ素又はトリフルオロメチルでなければならない。ア
ルキルの炭素数が３以上の場合は、直鎖でも分岐してい
てもよい。Ｒ1〜Ｒ20 は、特にフッ素であるのが有利で
あり、この場合、式（Ｉ）のテトラアリールボレート化
合物は次式（II）で示される。
【００１６】
【００１７】式（Ｉ）及び式（II）中のＲ+ は、ジアリ
ールハロニウム又はトリアリールスルホニウムであり、
ここでアリールとは芳香族残基を意味し、例えば、無置
換の又は置換されたフェニルが挙げられる。このフェニ
ルに置換しうる基としては、炭素数１〜２０程度のアル
キルや、炭素数６以下のシクロアルキル、炭素数１〜１
０程度のアルコキシなどが挙げられる。ジアリールハロ
ニウムを構成する２個のアリール、及びトリアリールス
ルホニウムを構成する３個のアリールは、それぞれ同一
でも異なってもよい。また、ジアリールハロニウムを構
成するハロゲンは、塩素、臭素、ヨウ素などであること
ができるが、特にヨウ素が有利であり、Ｒ+ で表される
ジアリールハロニウムとして、より具体的には次式(II
I) で示されるものが有利である。
ールハロニウム又はトリアリールスルホニウムであり、
ここでアリールとは芳香族残基を意味し、例えば、無置
換の又は置換されたフェニルが挙げられる。このフェニ
ルに置換しうる基としては、炭素数１〜２０程度のアル
キルや、炭素数６以下のシクロアルキル、炭素数１〜１
０程度のアルコキシなどが挙げられる。ジアリールハロ
ニウムを構成する２個のアリール、及びトリアリールス
ルホニウムを構成する３個のアリールは、それぞれ同一
でも異なってもよい。また、ジアリールハロニウムを構
成するハロゲンは、塩素、臭素、ヨウ素などであること
ができるが、特にヨウ素が有利であり、Ｒ+ で表される
ジアリールハロニウムとして、より具体的には次式(II
I) で示されるものが有利である。
【００１８】
【００１９】式中、Ｒ21〜Ｒ30は互いに独立に、水素、
炭素数１〜２０のアルキル、炭素数６以下のシクロアル
キル、又は炭素数１〜１０のアルコキシを表す。ここで
アルキル及びアルコキシの炭素数が３以上の場合は、直
鎖でも分岐していてもよい。
炭素数１〜２０のアルキル、炭素数６以下のシクロアル
キル、又は炭素数１〜１０のアルコキシを表す。ここで
アルキル及びアルコキシの炭素数が３以上の場合は、直
鎖でも分岐していてもよい。
【００２０】式（Ｉ）のテトラアリールボレート化合物
は、例えば、特開平 6-184170 号公報により公知であ
り、具体例としては次のようなものが挙げられる。
は、例えば、特開平 6-184170 号公報により公知であ
り、具体例としては次のようなものが挙げられる。
【００２１】ジフェニルヨードニウム テトラキス（ペ
ンタフルオロフェニル）ボレート、ビス（ドデシルフェ
ニル）ヨードニウム テトラキス（ペンタフルオロフェ
ニル）ボレート、（４−オクチルオキシフェニル）フェ
ニルヨードニウム テトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート、トリルクミルヨードニウム テトラキス
(ペンタフルオロフェニル)ボレート、トリルクミルヨー
ドニウム テトラキス（トリフルオロメチルフェニル）
ボレート、トリルクミルヨードニウム テトラキス（ジ
フルオロフェニル）ボレート、トリフェニルスルホニウ
ム テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートな
ど。
ンタフルオロフェニル）ボレート、ビス（ドデシルフェ
ニル）ヨードニウム テトラキス（ペンタフルオロフェ
ニル）ボレート、（４−オクチルオキシフェニル）フェ
ニルヨードニウム テトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート、トリルクミルヨードニウム テトラキス
(ペンタフルオロフェニル)ボレート、トリルクミルヨー
ドニウム テトラキス（トリフルオロメチルフェニル）
ボレート、トリルクミルヨードニウム テトラキス（ジ
フルオロフェニル）ボレート、トリフェニルスルホニウ
ム テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートな
ど。
【００２２】本発明では、酸発生剤の少なくとも一部と
して、式（Ｉ）のテトラアリールボレート化合物を用い
ることが必須であり、酸発生剤は、実質的にこのテトラ
アリールボレート化合物のみからなってもよいし、この
テトラアリールボレート化合物とともに、他の酸発生剤
を含有してもよい。式（Ｉ）のテトラアリールボレート
化合物とともに他の酸発生剤を併用する場合は、酸発生
剤全体の量を基準に、テトラアリールボレート化合物を
１０重量％以上とするのが好ましい。
して、式（Ｉ）のテトラアリールボレート化合物を用い
ることが必須であり、酸発生剤は、実質的にこのテトラ
アリールボレート化合物のみからなってもよいし、この
テトラアリールボレート化合物とともに、他の酸発生剤
を含有してもよい。式（Ｉ）のテトラアリールボレート
化合物とともに他の酸発生剤を併用する場合は、酸発生
剤全体の量を基準に、テトラアリールボレート化合物を
１０重量％以上とするのが好ましい。
【００２３】式（Ｉ）のテトラアリールボレート化合物
と併用される他の酸発生剤は、この分野で公知の、放射
線照射により酸を発生する各種の化合物又は混合物であ
ることができ、例えば、式（Ｉ）以外のオニウム塩化合
物、有機ハロゲン化合物、オルトキノンジアジド化合
物、ジアゾメタンジスルホニル化合物、ジスルホン系化
合物、その他のスルホン酸系化合物などが挙げられる。
なかでも、式（Ｉ）のテトラアリールボレート化合物と
の組合せでは、ジアゾメタンジスルホニル化合物が好ま
しい。ジアゾメタンジスルホニル化合物には、ビス（シ
クロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（フェニ
ルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トリルスルホ
ニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−キシリルスルホニ
ル）ジアゾメタンなどが包含される。
と併用される他の酸発生剤は、この分野で公知の、放射
線照射により酸を発生する各種の化合物又は混合物であ
ることができ、例えば、式（Ｉ）以外のオニウム塩化合
物、有機ハロゲン化合物、オルトキノンジアジド化合
物、ジアゾメタンジスルホニル化合物、ジスルホン系化
合物、その他のスルホン酸系化合物などが挙げられる。
なかでも、式（Ｉ）のテトラアリールボレート化合物と
の組合せでは、ジアゾメタンジスルホニル化合物が好ま
しい。ジアゾメタンジスルホニル化合物には、ビス（シ
クロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（フェニ
ルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トリルスルホ
ニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−キシリルスルホニ
ル）ジアゾメタンなどが包含される。
【００２４】本発明のポジ型フォトレジスト組成物は、
以上説明した樹脂及び酸発生剤を含有するものである
が、タイム・ディレイ効果に対する耐性をよりよくする
ためには、さらに含窒素化合物を含有するのが好まし
い。ここで用いる含窒素化合物としては、３級アミンが
好ましく、特に、基板上に形成されたレジスト膜のプリ
ベーク後もこのレジスト膜中に残存して効果を発揮する
もの、具体的には常圧において１５０℃以上の沸点を有
するものが好ましい。このような３級アミンの具体例と
しては、トリブチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルウンデシ
ルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルドデシルアミン、トリペン
チルアミン、Ｎ−メチルジオクチルアミン、Ｎ−メチル
ジシクロヘキシルアミン、トリヘキシルアミン、トリイ
ソオクチルアミン、トリオクチルアミンなどが挙げられ
る。
以上説明した樹脂及び酸発生剤を含有するものである
が、タイム・ディレイ効果に対する耐性をよりよくする
ためには、さらに含窒素化合物を含有するのが好まし
い。ここで用いる含窒素化合物としては、３級アミンが
好ましく、特に、基板上に形成されたレジスト膜のプリ
ベーク後もこのレジスト膜中に残存して効果を発揮する
もの、具体的には常圧において１５０℃以上の沸点を有
するものが好ましい。このような３級アミンの具体例と
しては、トリブチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルウンデシ
ルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルドデシルアミン、トリペン
チルアミン、Ｎ−メチルジオクチルアミン、Ｎ−メチル
ジシクロヘキシルアミン、トリヘキシルアミン、トリイ
ソオクチルアミン、トリオクチルアミンなどが挙げられ
る。
【００２５】ポジ型フォトレジスト組成物を構成する各
成分の好ましい組成比は、この組成物中の全固形分重量
を基準に、樹脂成分が７５〜９９重量％の範囲、そして
酸発生剤が０.0５〜２０重量％の範囲である。含窒素化
合物を配合する場合は、同じく組成物中の全固形分重量
を基準に、０.0０１〜１０重量％の範囲とするのが好ま
しい。また本発明のポジ型フォトレジスト組成物は、必
要に応じてさらに他の成分、例えば、増感剤、染料、接
着性改良剤など、この分野で慣用されている各種の添加
物を含有することもできる。
成分の好ましい組成比は、この組成物中の全固形分重量
を基準に、樹脂成分が７５〜９９重量％の範囲、そして
酸発生剤が０.0５〜２０重量％の範囲である。含窒素化
合物を配合する場合は、同じく組成物中の全固形分重量
を基準に、０.0０１〜１０重量％の範囲とするのが好ま
しい。また本発明のポジ型フォトレジスト組成物は、必
要に応じてさらに他の成分、例えば、増感剤、染料、接
着性改良剤など、この分野で慣用されている各種の添加
物を含有することもできる。
【００２６】このポジ型フォトレジスト組成物は通常、
全固形分濃度が１０〜５０重量％となるように、上記の
各成分を溶剤に溶解してレジスト液が調製され、シリコ
ンウェハなどの基体上に塗布される。ここで用いる溶剤
は、各成分を溶解し、適当な乾燥速度を有し、溶剤が蒸
発した後に均一で平滑な塗膜を与えるものであればよ
く、この分野で通常用いられているものであることがで
きる。例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセ
ロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチル
エーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチ
ルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエス
テル類、エチルセロソルブ、メチルセロソルブ、プロピ
レングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノエチルエーテル及びジエチレングリコールジメ
チルエーテルのようなグリコールモノ又はジエーテル
類、乳酸エチル、酢酸ブチル及びピルビン酸エチルのよ
うなエステル類、２−ヘプタノン、シクロヘキサノン及
びメチルイソブチルケトンのようなケトン類、キシレン
のような芳香族炭化水素類などが挙げられる。これらの
溶剤は、それぞれ単独で、又は２種以上組み合わせて用
いることができる。
全固形分濃度が１０〜５０重量％となるように、上記の
各成分を溶剤に溶解してレジスト液が調製され、シリコ
ンウェハなどの基体上に塗布される。ここで用いる溶剤
は、各成分を溶解し、適当な乾燥速度を有し、溶剤が蒸
発した後に均一で平滑な塗膜を与えるものであればよ
く、この分野で通常用いられているものであることがで
きる。例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセ
ロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチル
エーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチ
ルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエス
テル類、エチルセロソルブ、メチルセロソルブ、プロピ
レングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノエチルエーテル及びジエチレングリコールジメ
チルエーテルのようなグリコールモノ又はジエーテル
類、乳酸エチル、酢酸ブチル及びピルビン酸エチルのよ
うなエステル類、２−ヘプタノン、シクロヘキサノン及
びメチルイソブチルケトンのようなケトン類、キシレン
のような芳香族炭化水素類などが挙げられる。これらの
溶剤は、それぞれ単独で、又は２種以上組み合わせて用
いることができる。
【００２７】基体上に塗布され、乾燥されたレジスト膜
には、パターニングのための露光処理が施され、次いで
脱保護基反応を促進するための加熱処理（ＰＥＢ）を行
った後、アルカリ現像液で現像され、ポジ型パターンが
形成される。ここで用いるアルカリ現像液は、この分野
で用いられる各種のアルカリ性水溶液であることができ
るが、一般には、テトラメチルアンモニウムハイドロオ
キサイドの水溶液が用いられることが多い。
には、パターニングのための露光処理が施され、次いで
脱保護基反応を促進するための加熱処理（ＰＥＢ）を行
った後、アルカリ現像液で現像され、ポジ型パターンが
形成される。ここで用いるアルカリ現像液は、この分野
で用いられる各種のアルカリ性水溶液であることができ
るが、一般には、テトラメチルアンモニウムハイドロオ
キサイドの水溶液が用いられることが多い。
【００２８】
【実施例】次に実施例を挙げて、本発明をより具体的に
説明するが、本発明はこれらの実施例によってなんら限
定されるものではない。なお、例中にある部は、特に記
載のないかぎり重量部を表す。
説明するが、本発明はこれらの実施例によってなんら限
定されるものではない。なお、例中にある部は、特に記
載のないかぎり重量部を表す。
【００２９】参考例（樹脂の保護化） 窒素置換された５００mlの四つ口フラスコに、重量平均
分子量（Mw）23,900、多分散度（Mw／Mn）１.1２のポリ
（ｐ−ビニルフェノール）〔日本曹達（株）製の“VP-1
5000”〕２５ｇ（ｐ−ビニルフェノール単位として２０
８ミリモル）、及びｐ−トルエンスルホン酸０.0２１ｇ
（０.1０９ミリモル）を入れ、１，４−ジオキサン２５
０ｇに溶解した。 この溶液に、エチルビニルエーテル
７.8８ｇ（１０９ミリモル）を滴下し、その後２５℃で
５時間反応させた。この反応溶液をイオン交換水１５０
０mlに滴下し、次に濾別して、白色のウェットケーキを
得た。このウェットケーキを再度１，４−ジオキサン２
００ｇに溶解し、次にイオン交換水１５００mlに滴下
し、濾別した。得られたウェットケーキを６００ｇのイ
オン交換水中で攪拌して洗浄し、濾過してウェットケー
キを取り出し、さらにこのイオン交換水による洗浄操作
を２回繰り返した。得られた白色のウェットケーキを減
圧乾燥して、ポリ（ｐ−ビニルフェノール）の水酸基が
部分的に１−エトキシエチルエーテル化された樹脂を得
た。この樹脂を 1Ｈ−ＮＭＲで分析したところ、水酸基
の３５％が１−エトキシエチル基で保護されていた。こ
の樹脂の重量平均分子量は 31,200 、多分散度は１.1７
であった。
分子量（Mw）23,900、多分散度（Mw／Mn）１.1２のポリ
（ｐ−ビニルフェノール）〔日本曹達（株）製の“VP-1
5000”〕２５ｇ（ｐ−ビニルフェノール単位として２０
８ミリモル）、及びｐ−トルエンスルホン酸０.0２１ｇ
（０.1０９ミリモル）を入れ、１，４−ジオキサン２５
０ｇに溶解した。 この溶液に、エチルビニルエーテル
７.8８ｇ（１０９ミリモル）を滴下し、その後２５℃で
５時間反応させた。この反応溶液をイオン交換水１５０
０mlに滴下し、次に濾別して、白色のウェットケーキを
得た。このウェットケーキを再度１，４−ジオキサン２
００ｇに溶解し、次にイオン交換水１５００mlに滴下
し、濾別した。得られたウェットケーキを６００ｇのイ
オン交換水中で攪拌して洗浄し、濾過してウェットケー
キを取り出し、さらにこのイオン交換水による洗浄操作
を２回繰り返した。得られた白色のウェットケーキを減
圧乾燥して、ポリ（ｐ−ビニルフェノール）の水酸基が
部分的に１−エトキシエチルエーテル化された樹脂を得
た。この樹脂を 1Ｈ−ＮＭＲで分析したところ、水酸基
の３５％が１−エトキシエチル基で保護されていた。こ
の樹脂の重量平均分子量は 31,200 、多分散度は１.1７
であった。
【００３０】実施例１ 参考例で合成した樹脂１３.5部、酸発生剤として（ｐ−
トリル)(ｐ−クミル）ヨードニウム テトラキス（ペン
タフルオロフェニル）ボレート〔ローヌ・プーラン社製
の“PHOTOINITIATOR 2074” 〕０.5部、及び含窒素化合
物としてＮ−メチルジオクチルアミン０.0２部を、プロ
ピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７０部
に溶解した。この溶液を孔径０.1μm のフッ素樹脂製フ
ィルタで濾過して、レジスト液を調製した。
トリル)(ｐ−クミル）ヨードニウム テトラキス（ペン
タフルオロフェニル）ボレート〔ローヌ・プーラン社製
の“PHOTOINITIATOR 2074” 〕０.5部、及び含窒素化合
物としてＮ−メチルジオクチルアミン０.0２部を、プロ
ピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７０部
に溶解した。この溶液を孔径０.1μm のフッ素樹脂製フ
ィルタで濾過して、レジスト液を調製した。
【００３１】常法により洗浄したシリコンウェハに、ス
ピンコーターを用いて、上記のレジスト液を乾燥後の膜
厚が０.7２μm となるように塗布した。次いでこのシリ
コンウェハを、ホットプレート上にて９０℃で９０秒間
プリベークした。プリベーク後の塗膜を、パターンを有
するクロムマスクを介して、２４８nmの露光波長を有す
るＫｒＦエキシマレーザーステッパー〔(株)ニコン製の
“NSR-1755 EX8A” 、NA=O.45 〕を用い、露光量を段階
的に変化させて露光処理した。露光後すぐに、ウェハを
ホットプレート上にて１００℃で９０秒間加熱してＰＥ
Ｂを行い、露光部の脱保護基反応を行った。これをテト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの２.3８重量
％水溶液で現像して、ポジ型パターンを得た。形成され
たパターンを電子顕微鏡で観察したところ、１８mJ／cm
2 の露光量で０.2４μm の微細パターンをプロファイル
よく解像していた。
ピンコーターを用いて、上記のレジスト液を乾燥後の膜
厚が０.7２μm となるように塗布した。次いでこのシリ
コンウェハを、ホットプレート上にて９０℃で９０秒間
プリベークした。プリベーク後の塗膜を、パターンを有
するクロムマスクを介して、２４８nmの露光波長を有す
るＫｒＦエキシマレーザーステッパー〔(株)ニコン製の
“NSR-1755 EX8A” 、NA=O.45 〕を用い、露光量を段階
的に変化させて露光処理した。露光後すぐに、ウェハを
ホットプレート上にて１００℃で９０秒間加熱してＰＥ
Ｂを行い、露光部の脱保護基反応を行った。これをテト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの２.3８重量
％水溶液で現像して、ポジ型パターンを得た。形成され
たパターンを電子顕微鏡で観察したところ、１８mJ／cm
2 の露光量で０.2４μm の微細パターンをプロファイル
よく解像していた。
【００３２】実施例２ 参考例で合成した樹脂１３.5部、酸発生剤として（ｐ−
トリル)(ｐ−クミル）ヨードニウム テトラキス（ペン
タフルオロフェニル）ボレート０.1部、同じく酸発生剤
としてビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン
０.5部、及び含窒素化合物としてＮ−メチルジオクチル
アミン０.0２部を、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート７０部に溶解した。この溶液を孔径
０.1μm のフッ素樹脂製フィルタで濾過してレジスト液
を調製した。このレジスト液を用いて実施例１と同様の
操作を行い、形成されたパターンを電子顕微鏡で観察し
たところ、３８mJ／cm2 の露光量で０.2４μm の微細パ
ターンをプロファイルよく解像していた。
トリル)(ｐ−クミル）ヨードニウム テトラキス（ペン
タフルオロフェニル）ボレート０.1部、同じく酸発生剤
としてビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン
０.5部、及び含窒素化合物としてＮ−メチルジオクチル
アミン０.0２部を、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート７０部に溶解した。この溶液を孔径
０.1μm のフッ素樹脂製フィルタで濾過してレジスト液
を調製した。このレジスト液を用いて実施例１と同様の
操作を行い、形成されたパターンを電子顕微鏡で観察し
たところ、３８mJ／cm2 の露光量で０.2４μm の微細パ
ターンをプロファイルよく解像していた。
【００３３】実施例１及び２のレジスト組成物は、露光
後３０分間放置してからＰＥＢを行っても、まったく同
じ感度及び解像度を示した。また、プロファイルも良好
であった。
後３０分間放置してからＰＥＢを行っても、まったく同
じ感度及び解像度を示した。また、プロファイルも良好
であった。
【００３４】比較例１ 参考例で合成した樹脂１３.5部、酸発生剤としてジフェ
ニルヨードニウム テトラフルオロボレート〔みどり化
学（株）製の“DPI-101” 〕０.5部、及び含窒素化合物
としてＮ−メチルジオクチルアミン０.0４部を、プロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテート７０部に
溶解した。この溶液を孔径０.1μm のフッ素樹脂製フィ
ルタで濾過して、レジスト液を調製した。このレジスト
液を用いて実施例１と同様の操作を行い、形成されたパ
ターンを電子顕微鏡で観察したところ、１６mJ／cm2 の
露光量で０.2８μm までのパターンしか解像しなかっ
た。露光量を上げても解像度は０.2８μm より小さくな
らず、露光量を上げるとプロファイルが却って悪くなっ
た。
ニルヨードニウム テトラフルオロボレート〔みどり化
学（株）製の“DPI-101” 〕０.5部、及び含窒素化合物
としてＮ−メチルジオクチルアミン０.0４部を、プロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテート７０部に
溶解した。この溶液を孔径０.1μm のフッ素樹脂製フィ
ルタで濾過して、レジスト液を調製した。このレジスト
液を用いて実施例１と同様の操作を行い、形成されたパ
ターンを電子顕微鏡で観察したところ、１６mJ／cm2 の
露光量で０.2８μm までのパターンしか解像しなかっ
た。露光量を上げても解像度は０.2８μm より小さくな
らず、露光量を上げるとプロファイルが却って悪くなっ
た。
【００３５】比較例２ 酸発生剤をジ（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウ
ム テトラフルオロボレート〔みどり化学（株）製の
“BBI-101” 〕０.5部に変更した以外は、比較例１と同
様の操作を行った。形成されたパターンを電子顕微鏡で
観察したところ、３２mJ／cm2 の露光量で０.2６μm ま
でのパターンしか解像しなかった。
ム テトラフルオロボレート〔みどり化学（株）製の
“BBI-101” 〕０.5部に変更した以外は、比較例１と同
様の操作を行った。形成されたパターンを電子顕微鏡で
観察したところ、３２mJ／cm2 の露光量で０.2６μm ま
でのパターンしか解像しなかった。
【００３６】比較例３ 酸発生剤としてジ（４−tert−ブチルフェニル）ヨード
ニウム トリフレート〔みどり化学（株）製の“BBI-10
5” 〕０.5部に変更した以外は、比較例１と同様の操作
を行った。形成されたパターンを電子顕微鏡で観察した
ところ、２６mJ／cm2 の露光量で０.2５μm のパターン
を解像したものの、膜減りが非常に大きく、プロファイ
ルは悪かった。
ニウム トリフレート〔みどり化学（株）製の“BBI-10
5” 〕０.5部に変更した以外は、比較例１と同様の操作
を行った。形成されたパターンを電子顕微鏡で観察した
ところ、２６mJ／cm2 の露光量で０.2５μm のパターン
を解像したものの、膜減りが非常に大きく、プロファイ
ルは悪かった。
【００３７】
【発明の効果】本発明により、式（Ｉ）のテトラアリー
ルボレート化合物を酸発生剤として配合したフォトレジ
スト組成物は、環境による影響を受けにくく、また、遠
紫外線（エキシマレーザーを含む）光源、電子線、Ｘ線
及び放射光のような高エネルギー放射線の露光領域にお
いて、高い感度、優れた解像性、及び優れたプロファイ
ルを示す。したがって、このフォトレジスト組成物を用
いることにより、微細なフォトレジストパターンを高精
度で形成することができる。
ルボレート化合物を酸発生剤として配合したフォトレジ
スト組成物は、環境による影響を受けにくく、また、遠
紫外線（エキシマレーザーを含む）光源、電子線、Ｘ線
及び放射光のような高エネルギー放射線の露光領域にお
いて、高い感度、優れた解像性、及び優れたプロファイ
ルを示す。したがって、このフォトレジスト組成物を用
いることにより、微細なフォトレジストパターンを高精
度で形成することができる。
Claims (11)
- 【請求項１】アルカリに対して不溶性又は難溶性の状態
から酸の作用でアルカリ可溶性となる樹脂、及び次式
（Ｉ） （式中、Ｒ1〜Ｒ20 は互いに独立に、水素、フッ素、ト
リフルオロメチル又は炭素数１〜４のアルキルを表す
が、そのうちの少なくとも一つはフッ素又はトリフルオ
ロメチルであり、Ｒ+ はジアリールハロニウム又はトリ
アリールスルホニウムを表す）で示されるテトラアリー
ルボレート化合物を含む酸発生剤を含有することを特徴
とする、ポジ型フォトレジスト組成物。 - 【請求項２】式（Ｉ）中のＲ1〜Ｒ20がすべてフッ素で
ある請求項１記載の組成物。 - 【請求項３】式（Ｉ）中のＲ+ が、次式(III) （式中、Ｒ21〜Ｒ30は互いに独立に、水素、炭素数１〜
２０のアルキル、炭素数６以下のシクロアルキル、又は
炭素数１〜１０のアルコキシを表す）で示されるジアリ
ールヨードニウムである請求項１又は２記載の組成物。 - 【請求項４】酸発生剤が、実質的に式（Ｉ）のテトラア
リールボレート化合物からなる請求項１〜３のいずれか
に記載の組成物。 - 【請求項５】酸発生剤が、式（Ｉ）のテトラアリールボ
レート化合物とともに他の酸発生剤を含有する請求項１
〜３のいずれかに記載の組成物。 - 【請求項６】他の酸発生剤が、ジアゾメタンジスルホニ
ル化合物である請求項５記載の組成物。 - 【請求項７】アルカリに対して不溶性又は難溶性の状態
から酸の作用でアルカリ可溶性となる樹脂が、ポリビニ
ルフェノール系樹脂のフェノール性水酸基を、アルカリ
現像液に対して溶解抑止能を持つが、酸に対して不安定
な基で部分的に保護した樹脂を含有する請求項１〜６の
いずれかに記載の組成物。 - 【請求項８】ポリビニルフェノール系樹脂のフェノール
性水酸基が、部分的に１−エトキシエチルエーテル化さ
れている請求項７記載の組成物。 - 【請求項９】組成物中の全固形分重量を基準に、アルカ
リに対して不溶性又は難溶性の状態から酸の作用でアル
カリ可溶性となる樹脂を７５〜９９重量％、及び酸発生
剤を０.0５〜２０重量％含有する請求項１〜８のいずれ
かに記載の組成物。 - 【請求項１０】さらに、含窒素化合物を含有する請求項
１〜８のいずれかに記載の組成物。 - 【請求項１１】組成物中の全固形分重量を基準に、 ア
ルカリに対して不溶性又は難溶性の状態から酸の作用で
アルカリ可溶性となる樹脂を７５〜９９重量％、 酸発
生剤を０.0５〜２０重量％、及び含窒素化合物を０.0０
１〜１０重量％含有する請求項１０記載の組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21466597A JP3921748B2 (ja) | 1997-08-08 | 1997-08-08 | フォトレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21466597A JP3921748B2 (ja) | 1997-08-08 | 1997-08-08 | フォトレジスト組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1152562A true JPH1152562A (ja) | 1999-02-26 |
| JP3921748B2 JP3921748B2 (ja) | 2007-05-30 |
Family
ID=16659547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21466597A Expired - Fee Related JP3921748B2 (ja) | 1997-08-08 | 1997-08-08 | フォトレジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3921748B2 (ja) |
Cited By (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001068575A1 (fr) * | 2000-03-13 | 2001-09-20 | Daikin Industries, Ltd. | Cation de type sel de fluoroalkylonium ou generateur d'acides generant des cations ou des acides lorsqu'il est irradie par des rayons d'energie |
| US7189494B2 (en) | 2005-05-26 | 2007-03-13 | Eastman Kodak Company | On-press developable imageable element comprising a tetraarylborate salt |
| KR20130069426A (ko) | 2011-12-16 | 2013-06-26 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 후막 포토레지스트 패턴의 제조 방법 |
| KR20130098213A (ko) | 2012-02-27 | 2013-09-04 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 포지티브형 포토레지스트 조성물, 포토레지스트 적층체, 포토레지스트 패턴의 제조 방법, 및 접속 단자의 제조 방법 |
| KR20140001795A (ko) | 2012-06-28 | 2014-01-07 | 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 | 후막용 포지티브형 레지스트 조성물, 후막 레지스트 패턴의 제조 방법, 접속 단자의 제조 방법 |
| KR20140074239A (ko) | 2012-12-07 | 2014-06-17 | 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 | 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 후막 레지스트 패턴의 제조 방법, 접속 단자의 제조 방법 |
| KR20150110350A (ko) | 2014-03-20 | 2015-10-02 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 후막용 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
| KR20150110351A (ko) | 2014-03-20 | 2015-10-02 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
| KR20160019860A (ko) | 2014-08-12 | 2016-02-22 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 포지티브형 레지스트 재료 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법 |
| KR20160098044A (ko) | 2015-02-10 | 2016-08-18 | 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 | 후막용 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
| KR20160113003A (ko) | 2015-03-18 | 2016-09-28 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 감광성 수지층의 형성 방법, 포토레지스트 패턴의 제조 방법, 및 도금 조형물의 형성 방법 |
| KR20160117272A (ko) | 2015-03-31 | 2016-10-10 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
| US9709890B2 (en) | 2014-09-18 | 2017-07-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
| KR20170123265A (ko) | 2016-04-28 | 2017-11-07 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
| KR20170125727A (ko) | 2016-05-06 | 2017-11-15 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
| US9910358B2 (en) | 2014-10-20 | 2018-03-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process and chemically amplified negative resist composition |
| KR20180103726A (ko) | 2017-03-10 | 2018-09-19 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물, 주형 부착 기판의 제조 방법, 및 도금 조형물의 제조 방법 |
| KR20190038351A (ko) | 2017-09-29 | 2019-04-08 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 드라이 필름, 감광성 드라이 필름의 제조 방법, 패턴화된 레지스트막의 제조 방법, 주형이 형성된 기판의 제조 방법, 및 도금 조형물의 제조 방법, 및 메르캅토 화합물 |
| KR20190046658A (ko) | 2017-10-25 | 2019-05-07 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 드라이 필름, 감광성 드라이 필름의 제조 방법, 패턴화된 레지스트막의 제조 방법, 주형 부착 기판의 제조 방법, 도금 조형물의 제조 방법, 및 메르캅토 화합물 |
| KR20190098045A (ko) | 2018-02-13 | 2019-08-21 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 드라이 필름, 감광성 드라이 필름의 제조 방법, 패턴화된 레지스트막의 제조 방법, 주형이 형성된 기판의 제조 방법, 도금 조형물의 제조 방법, 및 메르캅토 화합물 |
| WO2019187591A1 (ja) | 2018-03-27 | 2019-10-03 | 東京応化工業株式会社 | めっき造形物の製造方法 |
| CN110471257A (zh) * | 2018-05-09 | 2019-11-19 | 东京应化工业株式会社 | 感光性树脂组合物、感光性干膜及其制造方法、抗蚀剂膜、基板及镀敷造形物的制造方法 |
| JP2019211629A (ja) * | 2018-06-05 | 2019-12-12 | 株式会社日本触媒 | 化学増幅型レジスト用光ルイス酸発生剤、および化学増幅型レジスト組成物 |
| KR20200007649A (ko) | 2018-07-13 | 2020-01-22 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 감광성 조성물, 감광성 드라이 필름, 감광성 드라이 필름의 제조 방법, 패턴화된 레지스트막의 제조 방법, 증감제, 및 화학 증폭형 감광성 조성물의 증감 방법 |
| KR20200012766A (ko) | 2018-07-26 | 2020-02-05 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물, 주형이 부착된 기판의 제조 방법, 및 도금 조형물의 제조 방법 |
| KR20200052839A (ko) | 2018-11-07 | 2020-05-15 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 드라이 필름, 감광성 드라이 필름의 제조 방법, 패턴화된 레지스트막의 제조 방법, 주형이 형성된 기판의 제조 방법 및 도금 조형물의 제조 방법 |
| KR20200056311A (ko) | 2018-11-14 | 2020-05-22 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 레지스트 패턴 형성 방법, 레지스트 조성물 및 그 제조 방법 |
| KR20200080186A (ko) | 2018-12-26 | 2020-07-06 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 드라이 필름, 감광성 드라이 필름의 제조 방법, 패턴화된 레지스트막의 제조 방법, 주형 부착 기판의 제조 방법 및 도금 조형물의 제조 방법 |
| KR20200081312A (ko) | 2018-12-27 | 2020-07-07 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 감광성 조성물, 감광성 드라이 필름, 패턴화된 레지스트막의 제조 방법, 주형 부착 기판의 제조 방법, 도금 조형물의 제조 방법 및 화합물 |
| KR20220042384A (ko) | 2019-08-02 | 2022-04-05 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 드라이 필름, 감광성 드라이 필름의 제조 방법, 패턴화된 레지스트막의 제조 방법, 화합물 및 광산 발생제 그리고 n-오르가노술포닐옥시 화합물의 제조 방법 |
| KR20220094114A (ko) | 2020-12-28 | 2022-07-05 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 드라이 필름, 감광성 드라이 필름의 제조 방법, 패턴화된 레지스트막의 제조 방법, 주형 형성 기판의 제조 방법 및 도금 조형물의 제조 방법 |
| KR20220101615A (ko) | 2019-11-12 | 2022-07-19 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 감광성 조성물의 제조 방법, 화학 증폭형 감광성 조성물 조제용 프리믹스액, 화학 증폭형 감광성 조성물, 감광성 드라이 필름의 제조 방법 및 패턴화된 레지스트막의 제조 방법 |
| KR20220121695A (ko) | 2021-02-25 | 2022-09-01 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물, 감광성 드라이 필름, 패턴화된 레지스트막의 제조 방법, 주형이 형성된 기판의 제조 방법, 및 도금 조형물의 제조 방법 |
| KR20220121694A (ko) | 2021-02-25 | 2022-09-01 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물, 감광성 드라이 필름, 패턴화된 레지스트막의 제조 방법, 주형이 형성된 기판의 제조 방법, 및 도금 조형물의 제조 방법 |
| KR20220123396A (ko) | 2019-12-27 | 2022-09-06 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물, 감광성 드라이 필름, 감광성 드라이 필름의 제조 방법, 패턴화된 레지스트막의 제조 방법 및 산 확산 억제제 |
| KR20220123395A (ko) | 2019-12-26 | 2022-09-06 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 드라이 필름, 감광성 드라이 필름의 제조 방법, 패턴화된 레지스트막의 제조 방법, 주형이 형성된 기판의 제조 방법 및 도금 조형물의 제조 방법 |
| KR20220143665A (ko) | 2020-02-21 | 2022-10-25 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 레지스트 패턴 형성 방법 |
| US11550221B2 (en) | 2018-06-27 | 2023-01-10 | Tokyo Ohka Kog Yo Co., Ltd. | Chemically amplified positive-type photosensitive resin composition, photosensitive dry film, method of manufacturing photosensitive dry film, method of manufacturing patterned resist film, method of manufacturing substrate with template, method of manufacturing plated article, and nitrogen-containing aromatic heterocyclic compound |
| KR20230031924A (ko) | 2020-07-01 | 2023-03-07 | 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 | 화학 증폭형 감광성 조성물, 감광성 드라이 필름, 도금용 주형 부착 기판의 제조 방법, 및 도금 조형물의 제조 방법 |
| KR20230048364A (ko) | 2020-08-04 | 2023-04-11 | 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 | 화학 증폭형 감광성 조성물, 감광성 드라이 필름, 도금용 주형 부착 기판의 제조 방법, 및 도금 조형물의 제조 방법 |
| US11803122B2 (en) | 2020-05-18 | 2023-10-31 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemical amplification-type photosensitive composition, photosensitive dry film, production method of patterned resist layer, production method of plated molded article, compound, and production method of compound |
-
1997
- 1997-08-08 JP JP21466597A patent/JP3921748B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (59)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001068575A1 (fr) * | 2000-03-13 | 2001-09-20 | Daikin Industries, Ltd. | Cation de type sel de fluoroalkylonium ou generateur d'acides generant des cations ou des acides lorsqu'il est irradie par des rayons d'energie |
| US7189494B2 (en) | 2005-05-26 | 2007-03-13 | Eastman Kodak Company | On-press developable imageable element comprising a tetraarylborate salt |
| KR20130069426A (ko) | 2011-12-16 | 2013-06-26 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 후막 포토레지스트 패턴의 제조 방법 |
| US9244354B2 (en) | 2011-12-16 | 2016-01-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method for producing thick film photoresist pattern |
| KR20130098213A (ko) | 2012-02-27 | 2013-09-04 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 포지티브형 포토레지스트 조성물, 포토레지스트 적층체, 포토레지스트 패턴의 제조 방법, 및 접속 단자의 제조 방법 |
| US9091916B2 (en) | 2012-02-27 | 2015-07-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive-type photoresist composition, photoresist laminate, method for producing photoresist pattern, and method for producing connecting terminal |
| KR20140001795A (ko) | 2012-06-28 | 2014-01-07 | 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 | 후막용 포지티브형 레지스트 조성물, 후막 레지스트 패턴의 제조 방법, 접속 단자의 제조 방법 |
| KR20140074239A (ko) | 2012-12-07 | 2014-06-17 | 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 | 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 후막 레지스트 패턴의 제조 방법, 접속 단자의 제조 방법 |
| US9448478B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-09-20 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemically amplified positive-type photosensitive resin composition for thick-film application |
| KR20150110350A (ko) | 2014-03-20 | 2015-10-02 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 후막용 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
| KR20150110351A (ko) | 2014-03-20 | 2015-10-02 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
| US9557651B2 (en) | 2014-03-20 | 2017-01-31 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemically amplified positive-type photosensitive resin composition |
| US10007178B2 (en) | 2014-08-12 | 2018-06-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Positive resist composition and patterning process |
| KR20160019860A (ko) | 2014-08-12 | 2016-02-22 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 포지티브형 레지스트 재료 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법 |
| US9709890B2 (en) | 2014-09-18 | 2017-07-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
| US9910358B2 (en) | 2014-10-20 | 2018-03-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process and chemically amplified negative resist composition |
| KR20160098044A (ko) | 2015-02-10 | 2016-08-18 | 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 | 후막용 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
| US9977328B2 (en) | 2015-02-10 | 2018-05-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemically amplified positive-type photosensitive resin composition for thick film |
| US10353291B2 (en) | 2015-03-18 | 2019-07-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method for forming photosensitive resin layer, method for producing photoresist pattern, and method for producing plated molded article |
| KR20160113003A (ko) | 2015-03-18 | 2016-09-28 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 감광성 수지층의 형성 방법, 포토레지스트 패턴의 제조 방법, 및 도금 조형물의 형성 방법 |
| US10054855B2 (en) | 2015-03-31 | 2018-08-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemically amplified positive-type photosensitive resin composition |
| KR20160117272A (ko) | 2015-03-31 | 2016-10-10 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
| US10261415B2 (en) | 2016-04-28 | 2019-04-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemically amplified positive-type photosensitive resin composition |
| KR20170123265A (ko) | 2016-04-28 | 2017-11-07 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
| KR20170125727A (ko) | 2016-05-06 | 2017-11-15 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
| US10890845B2 (en) | 2016-05-06 | 2021-01-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemically amplified positive-type photosensitive resin composition |
| KR20180103726A (ko) | 2017-03-10 | 2018-09-19 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물, 주형 부착 기판의 제조 방법, 및 도금 조형물의 제조 방법 |
| US10509318B2 (en) | 2017-03-10 | 2019-12-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemically amplified positive-type photosensitive resin composition, method for manufacturing substrate with template, and method for manufacturing plated article |
| KR20190038351A (ko) | 2017-09-29 | 2019-04-08 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 드라이 필름, 감광성 드라이 필름의 제조 방법, 패턴화된 레지스트막의 제조 방법, 주형이 형성된 기판의 제조 방법, 및 도금 조형물의 제조 방법, 및 메르캅토 화합물 |
| US11061326B2 (en) | 2017-09-29 | 2021-07-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemical amplification type positive photosensitive resin composition, a photosensitive dry film, a method for producing a photosensitive dry film, a method for producing a patterned resist film, a method of manufacturing a template with a substrate, and a method of manufacturing a plated shaped product, and a Mercapto compound |
| US11022880B2 (en) | 2017-10-25 | 2021-06-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemically amplified positive-type photosensitive resin composition, photosensitive dry film, method of manufacturing photosensitive dry film, method of manufacturing patterned resist film, method of manufacturing substrate with template, method of manufacturing plated article, and mercapto compound |
| KR20190046658A (ko) | 2017-10-25 | 2019-05-07 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 드라이 필름, 감광성 드라이 필름의 제조 방법, 패턴화된 레지스트막의 제조 방법, 주형 부착 기판의 제조 방법, 도금 조형물의 제조 방법, 및 메르캅토 화합물 |
| KR20190098045A (ko) | 2018-02-13 | 2019-08-21 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 드라이 필름, 감광성 드라이 필름의 제조 방법, 패턴화된 레지스트막의 제조 방법, 주형이 형성된 기판의 제조 방법, 도금 조형물의 제조 방법, 및 메르캅토 화합물 |
| KR20200135502A (ko) | 2018-03-27 | 2020-12-02 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 도금 조형물의 제조 방법 |
| WO2019187591A1 (ja) | 2018-03-27 | 2019-10-03 | 東京応化工業株式会社 | めっき造形物の製造方法 |
| CN110471257A (zh) * | 2018-05-09 | 2019-11-19 | 东京应化工业株式会社 | 感光性树脂组合物、感光性干膜及其制造方法、抗蚀剂膜、基板及镀敷造形物的制造方法 |
| US11131927B2 (en) | 2018-05-09 | 2021-09-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemically amplified positive-type photosensitive resin composition, photosensitive dry film, method of manufacturing photosensitive dry film, method of manufacturing patterned resist film, method of manufacturing substrate with template and method of manufacturing plated article |
| KR20190128998A (ko) | 2018-05-09 | 2019-11-19 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 드라이 필름, 감광성 드라이 필름의 제조 방법, 패턴화된 레지스트막의 제조 방법, 주형 부착 기판의 제조 방법, 및 도금 조형물의 제조 방법 |
| JP2019211629A (ja) * | 2018-06-05 | 2019-12-12 | 株式会社日本触媒 | 化学増幅型レジスト用光ルイス酸発生剤、および化学増幅型レジスト組成物 |
| US11550221B2 (en) | 2018-06-27 | 2023-01-10 | Tokyo Ohka Kog Yo Co., Ltd. | Chemically amplified positive-type photosensitive resin composition, photosensitive dry film, method of manufacturing photosensitive dry film, method of manufacturing patterned resist film, method of manufacturing substrate with template, method of manufacturing plated article, and nitrogen-containing aromatic heterocyclic compound |
| KR20200007649A (ko) | 2018-07-13 | 2020-01-22 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 감광성 조성물, 감광성 드라이 필름, 감광성 드라이 필름의 제조 방법, 패턴화된 레지스트막의 제조 방법, 증감제, 및 화학 증폭형 감광성 조성물의 증감 방법 |
| US11016387B2 (en) | 2018-07-26 | 2021-05-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemically amplified positive-type photosensitive resin composition, method of manufacturing substrate with template, and method of manufacturing plated article |
| KR20200012766A (ko) | 2018-07-26 | 2020-02-05 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물, 주형이 부착된 기판의 제조 방법, 및 도금 조형물의 제조 방법 |
| KR20200052839A (ko) | 2018-11-07 | 2020-05-15 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 드라이 필름, 감광성 드라이 필름의 제조 방법, 패턴화된 레지스트막의 제조 방법, 주형이 형성된 기판의 제조 방법 및 도금 조형물의 제조 방법 |
| KR20200056311A (ko) | 2018-11-14 | 2020-05-22 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 레지스트 패턴 형성 방법, 레지스트 조성물 및 그 제조 방법 |
| KR20200080186A (ko) | 2018-12-26 | 2020-07-06 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 드라이 필름, 감광성 드라이 필름의 제조 방법, 패턴화된 레지스트막의 제조 방법, 주형 부착 기판의 제조 방법 및 도금 조형물의 제조 방법 |
| KR20200081312A (ko) | 2018-12-27 | 2020-07-07 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 감광성 조성물, 감광성 드라이 필름, 패턴화된 레지스트막의 제조 방법, 주형 부착 기판의 제조 방법, 도금 조형물의 제조 방법 및 화합물 |
| US11474432B2 (en) | 2018-12-27 | 2022-10-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemically amplified photosensitive composition, photosensitive dry film, method of manufacturing patterned resist film, method of manufacturing substrate with template, method of manufacturing plated article, and compound |
| KR20220042384A (ko) | 2019-08-02 | 2022-04-05 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 드라이 필름, 감광성 드라이 필름의 제조 방법, 패턴화된 레지스트막의 제조 방법, 화합물 및 광산 발생제 그리고 n-오르가노술포닐옥시 화합물의 제조 방법 |
| KR20220101615A (ko) | 2019-11-12 | 2022-07-19 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 감광성 조성물의 제조 방법, 화학 증폭형 감광성 조성물 조제용 프리믹스액, 화학 증폭형 감광성 조성물, 감광성 드라이 필름의 제조 방법 및 패턴화된 레지스트막의 제조 방법 |
| KR20220123395A (ko) | 2019-12-26 | 2022-09-06 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 드라이 필름, 감광성 드라이 필름의 제조 방법, 패턴화된 레지스트막의 제조 방법, 주형이 형성된 기판의 제조 방법 및 도금 조형물의 제조 방법 |
| KR20220123396A (ko) | 2019-12-27 | 2022-09-06 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물, 감광성 드라이 필름, 감광성 드라이 필름의 제조 방법, 패턴화된 레지스트막의 제조 방법 및 산 확산 억제제 |
| KR20220143665A (ko) | 2020-02-21 | 2022-10-25 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 레지스트 패턴 형성 방법 |
| US11803122B2 (en) | 2020-05-18 | 2023-10-31 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemical amplification-type photosensitive composition, photosensitive dry film, production method of patterned resist layer, production method of plated molded article, compound, and production method of compound |
| KR20230031924A (ko) | 2020-07-01 | 2023-03-07 | 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 | 화학 증폭형 감광성 조성물, 감광성 드라이 필름, 도금용 주형 부착 기판의 제조 방법, 및 도금 조형물의 제조 방법 |
| KR20230048364A (ko) | 2020-08-04 | 2023-04-11 | 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 | 화학 증폭형 감광성 조성물, 감광성 드라이 필름, 도금용 주형 부착 기판의 제조 방법, 및 도금 조형물의 제조 방법 |
| KR20220094114A (ko) | 2020-12-28 | 2022-07-05 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 드라이 필름, 감광성 드라이 필름의 제조 방법, 패턴화된 레지스트막의 제조 방법, 주형 형성 기판의 제조 방법 및 도금 조형물의 제조 방법 |
| KR20220121694A (ko) | 2021-02-25 | 2022-09-01 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물, 감광성 드라이 필름, 패턴화된 레지스트막의 제조 방법, 주형이 형성된 기판의 제조 방법, 및 도금 조형물의 제조 방법 |
| KR20220121695A (ko) | 2021-02-25 | 2022-09-01 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭형 포지티브형 감광성 조성물, 감광성 드라이 필름, 패턴화된 레지스트막의 제조 방법, 주형이 형성된 기판의 제조 방법, 및 도금 조형물의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3921748B2 (ja) | 2007-05-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3921748B2 (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| JP3955384B2 (ja) | 化学増幅型レジスト組成物 | |
| TWI224713B (en) | Positive photoresist composition | |
| US6040112A (en) | Photoresist composition | |
| US20040234888A1 (en) | Photoacid generators with perfluorinated multifunctional anions | |
| JP3546687B2 (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| KR19980032828A (ko) | 포지티브 내식막 조성물 | |
| JP2000029220A (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| JP3873372B2 (ja) | ポジ型フォトレジスト組成物 | |
| JP4023003B2 (ja) | 化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物 | |
| JP3447136B2 (ja) | ポジ型感光性組成物 | |
| JP3823449B2 (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| JPH1069082A (ja) | ネガ型レジスト組成物 | |
| US6284430B1 (en) | Positive-working chemical-amplification photoresist composition and method for forming a resist pattern using the same | |
| JP4479072B2 (ja) | 電子線用レジスト組成物 | |
| JP3817347B2 (ja) | ポジ型フォトレジスト組成物 | |
| JP3924857B2 (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| JP3870502B2 (ja) | ポジ型フォトレジスト組成物 | |
| JP2002341522A (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| JP3931484B2 (ja) | ポジ型フォトレジスト組成物 | |
| JP3713808B2 (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| JP2005330369A (ja) | 共重合体及び感放射線性樹脂組成物 | |
| JPH04149445A (ja) | ポジ型感光性組成物 | |
| KR101567059B1 (ko) | 화학증폭형 포지티브 레지스트 조성물 | |
| JP3283017B2 (ja) | 混合樹脂組成物及びそれを用いたポジ型レジスト組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040426 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061102 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061107 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070105 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070130 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070212 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100302 Year of fee payment: 3 |
|
| RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D05 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110302 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120302 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |