JPH1141526A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
- Publication number
- JPH1141526A JPH1141526A JP9193741A JP19374197A JPH1141526A JP H1141526 A JPH1141526 A JP H1141526A JP 9193741 A JP9193741 A JP 9193741A JP 19374197 A JP19374197 A JP 19374197A JP H1141526 A JPH1141526 A JP H1141526A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output line
- reset
- common output
- photoelectric conversion
- optical signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 93
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 74
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 78
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 101150039432 CHS7 gene Proteins 0.000 description 7
- 101100327904 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) csc-1 gene Proteins 0.000 description 7
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 101001051799 Aedes aegypti Molybdenum cofactor sulfurase 3 Proteins 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/63—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/616—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise involving a correlated sampling function, e.g. correlated double sampling [CDS] or triple sampling
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/63—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
- H04N25/633—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current by using optical black pixels
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
- H04N25/671—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/767—Horizontal readout lines, multiplexers or registers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
- Facsimile Image Signal Circuits (AREA)
Abstract
CTNの容量値にアンバランス量が生じている場合やF
PNのプロセスばらつきの場合に動作条件による変動を
極力低減できる構成を提供することにある。 【解決手段】 複数の光電変換手段と、該光電変換手段
からノイズ信号を読み出して保持するノイズ信号保持手
段と、該光電変換手段から光信号を読み出して保持する
光信号保持手段と、ノイズ信号共通出力線と、光信号共
通出力線と、該ノイズ信号共通出力線、及び該光信号共
通出力線をリセットするリセット手段と、該リセット手
段に接続されたリセット電圧源と、該ノイズ信号保持手
段の信号、及び該光信号保持手段の信号を、該ノイズ信
号共通出力線、及び該光信号共通出力線との容量分割で
読み出す読み出し手段と、を有する光電変換装置におい
て、該リセット電圧源に電圧可変手段を設けたことを特
徴とする。
Description
し、例えば、ビデオカメラ、ディジタルカメラ、ファク
シミリ、イメージスキャナ、ディジタル複写機、あるい
はX線撮像装置等の画像読み取りを行う1次元及び2次
元の光電変換装置に関し、特に、増幅型の光電変換装置
における固定パターンノイズ(FPN:Fixed Pattern
Noise )を除去する光電変換装置に関するものである。
CDの他に各画素にバイポーラトランジスタを増幅素子
として設けたBASIS、各画素にMOSトランジスタ
を増幅素子として設けた増幅型の光電変換装置(例え
ば、特開平1−154678号公報)等が提案されてい
る。このような増幅型の光電変換装置においては、各画
素に用いている増幅素子のバラツキが固定パターンノイ
ズ(FPN)となるため、従来、このFPN除去方法に
関して、さまざまな提案がなされている。このFPN除
去方法の1つとして、光信号(S信号)と暗状態の信号
(N信号)の差分をとることにより、増幅素子のバラツ
キを補正する方法が提案されている。このFPN補正手
法の例を図10、図11に示す。図10は光電変換装置
を各画素に有する1次元の光電変換装置の1bit分の
回路図、図11はそのタイミングチャートである。(テ
レビジョン学会誌 Vol.47、No9(1993)pp.1180) この回路動作、及びFPN除去について以下に説明す
る。まず、制御パルスφCRをオンして保持容量CT
1,2をリセットし、次に、センサであるバイポーラト
ランジスタ9のベースに光量に応じ電荷を受光・蓄積が
終了した後、制御パルスφTSをオンしてノイズを含む
光信号を光信号保持容量CTS1に転送する。続いて、
制御パルスφBRSをオンして、センサのリセット動作
を行い、制御パルスφTNをオンしてセンサのノイズ信
号をノイズ信号保持容量CTN2に転送し、再度、制御
パルスφBRSをオンして、センサのリセット動作を行
って蓄積動作にはいる。
走査を開始する。まず最初に、光信号共通出力線3、及
びノイズ信号共通出力線4をリセットMOS5,6を用
いてリセットした後、光信号保持容量CTS,ノイズ信
号保持容量CTNのデータを共通出力線3,4にそれぞ
れ共通出力線容量7,8による容量分割にて出力する。
ここで、出力線容量CHS7,CHN8は各共通出力線
3,4の容量であるが、以後、光信号共通出力線3を出
力線容量CHS7、ノイズ信号共通出力線を出力線容量
CHN8と定義する。その後、再び出力線容量CHS
7,CHN8をリセットして、不図示の次のbitのC
TS,CTNのデータを読み出す。
号を出力する。出力された信号はそれぞれボルテージホ
ロア13,14を介して差動アンプに入力されICの出
力となる。ここで、チップ内のFPNは主に各画素のバ
イポーラトランジスタ9のhFE等のバラツキに起因す
るものが主であり、上記のS−N方式により、画素ごと
のhFEバラツキに起因するFPNを除去することが可
能となる。
ンノイズのことであり、以降、FPNは暗時の固定パタ
ーンノイズと定義する。
明する。図10において、光信号共通出力線の信号(S
out)、およびノイズ信号共通出力線の信号(Nou
t)は次式であらわされる。 ここで、 VS:光信号読み出し時の光信号蓄積容量CTSの電
圧、 VN:ノイズ信号読み出し時のノイズ信号蓄積容量CT
Sの電圧、 である。
ていたとしても、(1),(2)式の差分信号は0とな
るためFPNが除去できることになる。
S−N方式においては、光信号保持容量CTSとノイズ
信号保持容量CTNの容量値が完全に一致している場合
はFPNが除去できる。
CTSとノイズ信号保持容量CTNの容量値は集積回路
の製造上のプロセス加工精度に起因するアンバランス量
が生じており、そのアンバランス量のバラツキがFPN
の要因となることが、本発明者らによって明らかになっ
た。
量CTNの容量値にΔCTなるアンバランス量が生じて
いる場合、すなわち CTS=CT+ΔCT CTN=CT である場合、上記の差分信号は であらわされる。
号蓄積容量CTS、ノイズ信号読み出し時のノイズ信号
蓄積容量CTSにアンバランス量のバラツキに比例する
ことになる。
ても、保持容量CT上の電圧VCTと出力線容量CHの
リセット電圧VCHRの差分を小さくすることによりF
PNを極小にすることが可能となる。
ロセスばらつきや動作条件(例えば電源電圧や動作周波
数)によって変動すると、それに伴って保持容量CT上
の電圧VCTと出力線容量CHのリセット電圧VCHR
の差分も変動するため、FPNのプロセスバラツキや動
作条件によるバラツキが発生することになり、実使用上
好ましくない。
持容量CT上の電圧VCTは主として画素のバイポーラ
トランジスタのhFEおよびベース/コレクタ間容量C
bc、保持容量CT、保持容量CTへの読み出し時間、
等によって決定され、また、出力線容量CHのリセット
電圧はGNDに固定されている。従って、バイポーラト
ランジスタのhFEやベース/コレクタ間容量Cbcが
プロセスによって変動する場合や動作周波数の変更に伴
って保持容量CTへの読み出し時間が変化する場合は保
持容量CT上の電圧VCTが変動し、FPNのプロセス
バラツキや動作周波数依存が発生することになる。
画素に備えた増幅型光電変換装置の場合では、保持容量
CT上の電圧VCTはMOSアンプの閾値電圧Vthやホ
トダイオードのリセット電位によって決定されるため、
MOSのVthやホトダイオードのリセット電圧がプロセ
スによって変動する場合には、同様にFPNのプロセス
バラツキが発生することになる。
PNのプロセスバラツキや動作条件によるFPNの変動
という問題があり、光電変換装置のS/N改善に大きな
支障をきたしている。
持容量CTSとノイズ信号保持容量CTNの容量値にア
ンバランス量が生じている場合においてもFPNを極力
低減できる構成、および、FPNのプロセスや動作条件
による変動を極力低減できる構成を提案し、高性能の光
電変換装置を提供することにある。
めに、本発明は、複数の光電変換手段と、該光電変換手
段からノイズ信号を読み出して保持するノイズ信号保持
手段と、該光電変換手段から光信号を読み出して保持す
る光信号保持手段と、ノイズ信号共通出力線と、光信号
共通出力線と、該ノイズ信号共通出力線、及び該光信号
共通出力線をリセットするリセット手段と、該リセット
手段に接続されたリセット電圧源と、該ノイズ信号保持
手段の信号、及び該光信号保持手段の信号を、該ノイズ
信号共通出力線、及び該光信号共通出力線との容量分割
で読み出す読み出し手段と、を有する光電変換装置にお
いて、該リセット電圧源に電圧可変手段を設けたことを
その手段とするものである。
手段からノイズ信号を読み出して保持するノイズ信号保
持手段と、該光電変換手段から光信号を読み出して保持
する光信号保持手段と、ノイズ信号共通出力線と、光信
号共通出力線と、該ノイズ信号共通出力線、及び該光信
号共通出力線をリセットするリセット手段と、該リセッ
ト手段に接続されたリセット電圧源と、該ノイズ信号保
持手段の信号、及び該光信号保持手段の信号を、該ノイ
ズ信号共通出力線、及び該光信号共通出力線との容量分
割で読み出す読み出し手段と、を有する光電変換装置に
おいて、該リセット電圧源の電圧値にダミー画素、また
はオプティカルブラック画素の出力値を用いる、をその
手段とするものである。
手段からノイズ信号を読み出して保持するノイズ信号保
持手段と、該光電変換手段から光信号を読み出して保持
する光信号保持手段と、ノイズ信号共通出力線と、光信
号共通出力線と、該ノイズ信号共通出力線、及び該光信
号共通出力線をリセットするリセット手段と、該リセッ
ト手段に接続されたリセット電圧源と、該ノイズ信号保
持手段の信号、及び該光信号保持手段の信号を、該ノイ
ズ信号共通出力線、及び該光信号共通出力線との容量分
割で読み出す読み出し手段とを有する光電変換装置にお
いて、該ノイズ信号保持手段に保持される電圧の平均値
と、該リセット手段によりリセットされた該ノイズ信号
共通出力線、及び該光信号共通出力線の電圧値がほぼ等
しいことをその手段とするものである。
手段をリセットするセンサリセット手段と、該センサリ
セット手段に接続されたセンサリセット電圧源と、該光
電変換手段からノイズ信号を読み出して保持するノイズ
信号保持手段と、該光電変換手段から光信号を読み出し
て保持する光信号保持手段と、ノイズ信号共通出力線
と、光信号共通出力線と、該ノイズ信号共通出力線、及
び該光信号共通出力線をリセットするリセット手段と、
該リセット手段に接続されたリセット電圧源と、該ノイ
ズ信号保持手段の信号、及び該光信号保持手段の信号
を、該ノイズ信号共通出力線、及び該光信号共通出力線
との容量分割で読み出す読み出し手段と、を同一半導体
基板上に有する光電変換装置において、該ノイズ信号保
持手段に保持される電圧値の変動要因と、該リセット手
段によリセットされた該ノイズ信号共通出力線、及び該
光信号共通出力線の電圧値の変動要因とを同一とするこ
とをその手段とするものである。
よび作用効果について説明する。
回路図である。本実施形態は、ホトダイオード(20,
20′,20″)、リセットスイッチ(21,21′,
21″)、転送スイッチ(22,22′,22″)、N
MOSソースホロア(10,10′,10″)、および
光信号保持容量CTS(1,1′,1″)およびノイズ
信号保持容量CTN(2,2′,2″)を画素ごとに設
けた構成となっている。さらに、スイッチングMOS
(31,31′,31″,32,32′,32″)及び
転送用MOS(33,33′,33″,34,34′,
34″)と電流源(35,35′,35″)が適宜設け
られている。
1′,1″)、およびノイズ信号保持容量CTN(2,
2′,2″)の電位は各ビットのNMOSソースホロア
(10,10′,10″)の出力電位となる。ここで、
各ビットごとの光信号保持容量CTS(1,1′,
1″)およびノイズ信号保持容量CTN(2,2′,
2″)の電位は、NMOSソースホロア(10,1
0′,10″)の閾値電圧Vthのバラツキ分の電位差が
生じる。ここで、光信号共通出力線3、及びノイズ信号
共通出力線4をリセットMOS5,6を用いてリセット
した後、保持容量CTS,CTNのデータを共通出力線
3,4にそれぞれ容量分割にて出力する。ここで、出力
線容量CHS7,CHN8は各共通出力線の容量である
が、以後、光信号共通出力線を出力線容量CHS、ノイ
ズ信号共通出力線を出力線容量CHNと定義する。その
後、再び出力線容量CHS7,CHN8をリセットし
て、次のbitの保持容量CTS,CTNのデータを読
み出す。そして共通出力線の信号はボルテージホロア1
3,14、および差動アンプ15を介してS−N出力が
得られる。
容量CHリセット電源11の電圧に可変手段を設けたこ
とである。以下にその効果を説明する。
容量CHリセット電源11の電圧と保持容量CT上の電
圧の平均値の差分の関係を示す。
力線容量CHリセット電源11の電圧と保持容量CT上
の電圧の差分が大きくなるほどFPNが大きくなってい
ることがわかる。
(1,1′,1″)とノイズ信号保持容量CTN(2,
2′,2″)の電位がほぼ等しいにもかかわらず、実際
には容量値のアンバランス量をゼロにはできないため、
FPNが発生し、かつ、そのFPNが出力線容量CHリ
セット電圧11と保持容量CT上の電圧の差分に比例す
るということがわかる。
り、リセット電位を調整することにより光電変換素子の
FPN除去効果を最大限に引き出すことが可能になる。
図示しているが、言うまでもなく、本発明はビット数に
制限されるものではない。
変換装置を示しているが、垂直走査用のシフトレジスタ
によって順次各ライン毎に光電電荷を読み出すことで、
2次元の光電変換装置の場合においても、同様の効果を
得ることができる。
形態における回路図である。本実施形態においては、出
力線容量CHS7,CHN8のリセット電源を可変抵抗
102、およびボルテージホロア101で構成し、パッ
ド(PAD)100を介してIC内部にリセット電圧を
供給する構成を示しており、その他の部分に関しては第
1の実施形態と同様である。ボルテージホロア101は
ゲインが1のインピーダンス変換素子であり、可変抵抗
は外部からの操作で抵抗値を変化してその分圧電位を変
化するものである。
Cの外部にリセット電源の可変手段を設けたことであ
る。これにより、例えばプロセスのVthバラツキ等によ
り保持容量CT上の電圧が変動しても、IC外部でリセ
ット電位を調整することにより光電変換素子のFPNを
最小にすることが可能になる。
およびボルテージホロア101で構成されたリセット電
源から、パッド100を介して出力線容量CHをリセッ
トする例を示したが、例えばボルテージホロアはIC内
部に設けても、また、設けなくても良い。更に、可変抵
抗102以外の手段、例えば電子的にゲート電位を変化
してMOSトランジスタのソース・ドレイン間の抵抗値
を変化する手段を用いて電圧を可変させても構わない。
を図示しているが、言うまでもなく、本発明はビット数
に制限されるものではない。さらに、本実施形態におい
ても1次元の光電変換装置を示しているが、垂直走査用
のシフトレジスタによって順次各ライン毎に光電電荷を
読み出すことで、2次元の光電変換装置の場合において
も、同様の効果を得ることができる。
形態における回路図である。本実施形態においては、出
力線容量CHS7,CHN8のリセット電圧源をダミー
画素200とボルテージホロア101で構成した例であ
り、その他の部分に関しては基本的には図1に示した第
1実施形態と同様である。ただし、図上、保持容量CT
1,2をリセットするリセットMOS40,41と、1
つの光電変換素子を示しているが、リセットMOSは別
な手段でリセットしてもよいし、また複数の光電変換素
子であってもよいのは勿論である。
な構成のリセットMOS36′,バイポーラトランジス
タ9′,リセットMOS22′,スイッチングMOS3
2′,保持容量2′,リセットMOS41′とからなる
ダミー画素200を備え、ダミー画素200の出力をボ
ルテージホロワ101をへて、リセットMOS5,6の
ソース電源としているので、出力線3,4の電位をノイ
ズ読み出し電源と一致させることができる。
は開口されていても、遮光されていても構わない。ま
た、ダミー画素200を形成するバイポーラトランジス
タ9′、およびノイズ信号保持容量CTN2′に関して
は必ずしも有効画素と同一形状である必要はないが、同
一形状とした方が好ましい。
関しては、例えばボルテージホロア101の入力容量や
その他の寄生容量も考慮して、有効画素のノイズ信号保
持容量CTN2と同一の値とするのが好ましい。
信号保持容量CTN2の電位は上述のように画素のバイ
ポーラトランジスタ9のhFEやベース−コレクタ間容
量、ノイズ信号保持容量CTN2の容量値、ノイズ信号
保持容量CTN2への読み出し時間に依存するが、本実
施形態の構成を用いることにより、上記のパラメータが
変動しても常に出力線容量CHのリセット電位と保持容
量CT上の電位をほぼ等しくすることが可能になるた
め、FPNの変動を抑制することが可能となる。
素を用いて、出力線容量CHのリセット電圧を形成して
いるが、複数のダミー画素から出力線容量CHのリセッ
ト電圧を形成しても良い。さらに、本実施形態において
も1次元の光電変換装置を示しているが、垂直走査用の
シフトレジスタによって順次各ライン毎に光電電荷を読
み出すことで、2次元の光電変換装置の場合において
も、同様の効果を得ることができる。
形態における回路図である。本実施形態も上記の実施形
態と同様に、出力線容量CHS7,CHN8のリセット
電圧源をダミー画素201とボルテージホロア(10
1,101′)で構成した例である。尚、図5では有効
画素は1bitのみ図示しているが、実際には複数の有
効画素から形成されている。本実施形態においては、画
素はホトダイオード20とPMOSソースホロア70,
71の2段から構成されており、保持容量CT1,2の
電位はホトダイオード20のリセット電位Vres、お
よび画素のPMOSソースホロア70,71のVthで決
定され、保持容量CT1,2の大きさにはほとんど依存
しないため、ダミー画素201は保持容量CTを省略し
た形式となっている。また、出力線容量CHのリセット
にはアナログスイッチ50,51を用いており、出力線
容量CHリセット時のふられが低減されている。なお、
電流源37,38は制御パルスφTの電圧でオン・オフ
制御される。
線容量CHのリセット電源の電圧値はダミー画素201
で決定し、その電圧をパッド100を介して、IC外部
のボルテージホロア101′でインピーダンスを低下さ
せて、再びパッド100′を介して出力線容量CHリセ
ットスイッチ50,51に接続されていることである。
このような構成を用いることで、所望の出力線容量CH
リセット電源のインピーダンスを得ることができ、か
つ、そのリセット電圧は画素上の保持容量CT上の電位
に設定することができる。従って、PMOSソースホロ
アの閾値Vthがばらついても、常に保持容量CT上の電
位と出力線容量CHのリセット電位の差分を0に近い値
に維持することが可能である。
ミー画素201は開口されていても遮光されていても構
わない。また、ダミー画素を形成するホトダイオード2
0′、およびソースホロア70′,71′に関しても、
必ずしも有効画素と同一形状である必要はないが、同一
形状/パラメータとした方が好ましい。さらに、ボルテ
ージホロア101に関しては、省略することも可能であ
る。また、ダミー画素201にダミーの保持容量CTを
加えても構わない。本実施形態においては1ビットのダ
ミー画素を用いて出力線容量CHのリセット電圧を形成
しているが、複数のダミー画素から出力線容量CHのリ
セット電圧を形成しても良い。
形態における回路図である。本実施形態においては2次
元光電変換装置のオプティカルブラック(OB)の出力
を用いて出力線容量CHのリセット電圧を決定する例で
ある。
した第2実施形態とほぼ同様であるが、2次元の光電変
換装置であるため、垂直の選択スイッチ27が付加され
ている。また、OB画素(203,203′,20
3″)は受光部が遮光されている以外は有効画素と同一
構成となっている。
のOB画素の平均値で出力線容量CHリセット電圧を決
定していることである。出力線容量CHリセット電圧は
以下の動作により決定される。
をフォトダイオード20で検出して保持容量CTS
(1,1′,1″)、N信号を保持容量CTN(2,
2′,2″)に読み込む。続いて水平シフトレジスタを
動作させ、順次、転送スイッチMOS33,34等をオ
ン・オフして出力線容量CH(7,8)に容量分割にて
読み出す。このとき、出力線容量CHリセットスイッチ
(5,6)はオフ状態にしておくと、出力線容量CHの
電位はOB画素の出力の平均電圧となる。
て、OB画素の出力平均電圧である出力線4のアンプ1
3の出力電圧を容量111にホールドし、ボルテージホ
ロア101を介して、出力線容量CHのリセット電圧を
決定し、有効画素を通常の動作にて読み出す。
平均値を出力線容量CHリセット電圧値に用いているた
め、画素のソースホロアのVthがばらついていても、そ
の平均値に近い出力線容量CHリセット電圧を形成する
ことが可能となる。尚、他の動作、例えば、OB画素を
順次読み出すのではなく、一括して出力線容量CH上に
読み出すという動作でOB画素の出力を平均化しても良
く、さらに、図6ではノイズ信号Nの出力を用いている
が、信号Sの出力、または両方を用いても良い。すなわ
ち、本実施形態においてはOB画素の平均値を出力線容
量CHリセット電圧値として用いることが特徴であり、
他の手段および動作を用いて同様の効果を実現しても構
わない。
画素1×3のOB画素を図示しているが、有効画素、O
B画素ともにこの画素数に限定されるものではない。
形態における回路図である。本実施形態は有効画素のノ
イズ出力Nの平均値で出力線容量CHリセット電圧を決
定する例である。
ズ信号保持容量CTS(1,1′,1″)を接続するス
イッチ(90,90′,90″)および光信号保持容量
CTN(2,2′,2″)を接続するスイッチ(91,
91′,91″)が設けられていること以外は、図5に
示した第4実施形態とほぼ同様である。
にノイズ信号を保持容量CTN(2,2′,2″)に読
み出した後にスイッチ(90,90′,90″)をON
する。この動作により、容量111は有効画素のノイズ
信号Nのおおよその出力平均値の電位となる。その後、
スイッチ(90,90′,90″)をOFFし、再びN
信号をノイズ信号保持容量CTN(2,2′,2″)に
読み出す。すなわち、最初のN信号読み出しは、出力線
容量CHリセット電圧値を決定する動作であり、その後
に実際の出力信号となるノイズ信号Nを読み出す動作と
なる。
3によって、容量111をある初期電位Vinitにリセッ
トする手段を設けてあるが、この電位はおおよそノイズ
信号Nの電位にすることが好ましい。しかしながら、容
量111と全ビットの保持容量CTN(2,2′,
2″)の和の分割比が十分大きければ、容量111をリ
セットする手段は省略しても構わない。また、保持容量
CTS間に接続されているスイッチ(91,91′,9
1″)は、保持容量CTSとCTNのペア性を確保する
ために設けてあり、実際にはこのスイッチ(91,9
1′,91″)は常時オフ状態に設定している。
のN信号の平均値出力を用いて出力線容量CHリセット
電圧を決定していることであり、ダミー画素やOB画素
を設けることができない光電変換装置、例えばマルチチ
ップ型の密着型イメージセンサ用の光電変換装置や、ダ
ミー画素やOB画素を設ける必要のない光電変換装置と
して好適であるが、言うまでもなく通常の光電変換装置
においてもFPN低減効果が得られる。
形態における回路図である。本実施形態は保持容量CT
上の電圧と出力線容量CHのリセット電圧のプロセスバ
ラツキによる変動方向が同一になるように、出力線容量
CHリセット電圧源を構成した例である。図8におい
て、ノイズ保持容量CTN2の電位は主としてホトダイ
オード20のリセット電源205の電圧値、および、画
素のNMOSソースホロア10のVthによって決定され
る。ここでリセット電源205はNMOSダイオード4
6,47の2段で構成されている。従って、出力線容量
CHリセット電圧源206をNMOSダイオード43,
44の2段とNMOSソースホロア45、電流源49,
およびボルテージホロア(101)で構成することによ
り、例えば、プロセス変動でNMOSのVthがばらつい
ても、常に、保持容量CT1,2上の電位と出力線容量
CHリセット電位の差分をゼロ近傍で一定にでき、FP
Nのプロセス変動を抑制することが可能となる。
5およびNMOSソースホロア45に用いている素子パ
ラメータ、すなわちNMOSのゲート長、ゲート幅、ソ
ースホロア電流値等を完全に一致させなくとも、FPN
のプロセス変動を抑制するという効果を十分に得ること
ができる。
量CT上の電位を決定するデバイスと同種類のデバイス
を用いて、出力線容量CHリセット電源を構成すること
により、FPNのプロセス変動を抑制することである。
従って、本実施形態においてはNMOSを主体とした構
成を示したが、NMOSを用いた場合に限らず、例え
ば、PMOSや抵抗といったあらゆる半導体素子を用い
た場合でも、本発明の構成によりFPNのプロセス変動
を抑制できるという効果を得ることができる。また、本
実施形態も第6実施形態同様にダミー画素やOB画素を
設けることができない光電変換装置、例えばマルチチッ
プ型の密着型イメージセンサ用の光電変換装置として特
に好適である。
形態における回路図である。本実施形態も第7実施形態
と同様に保持容量CT上の電圧と出力線容量CHのリセ
ット電圧のプロセスバラツキによる変動方向が同一にな
るように、出力線容量CHリセット電圧源を構成した一
例である。
電位は主としてホトダイオード20のリセット電源20
7の電圧値、および、画素のPMOSソースホロア(7
0,71)の閾値Vthによって決定される。ここでリセ
ット電源205は定電流源51〜55と抵抗56,57
を用いて構成されているため、リセット電圧は抵抗値の
バラツキによって変動する。従って、保持容量CTN2
の電位は、PMOSの閾値Vth、および抵抗のバラツキ
により変動することになる。本実施形態においては、出
力線容量CHリセット電圧源208はPMOSダイオー
ド73,74の2段と抵抗で構成しているが、出力線容
量CHリセット電圧源208の電源インピーダンスを低
減させるため、出力線容量CHリセット電圧源208の
PMOS73,74のサイズと、画素ソースホロア7
0,71に用いているPMOSのサイズは異なってい
る。
が±0.3V、抵抗が±30%、電源電圧が±10%の
変動に対して、保持容量CT上の電位と出力線容量CH
リセット電位の差分は0.3V以内であり、FPNのプ
ロセス変動は実使用上問題にならなかった。また、本実
施形態も第6実施形態同様にダミー画素やOB画素を設
けることができない光電変換装置、例えばマルチチップ
型の密着型イメージセンサ用の光電変換装置として特に
好適である。
ト或いは3ビットの光電変換素子を用いて説明したが、
さらに、複数の画素ビットを有して1次元の光電変換装
置であってもよく、垂直走査用のシフトレジスタによっ
て順次各ライン毎に光電電荷を読み出すことで、2次元
の光電変換装置の場合においても、同様の効果を得るこ
とができる。
いることにより、従来技術では除去しきれなかった光電
変換装置のFPN、およびFPNのプロセス変動を抑制
することが可能となり、光電変換装置の高S/N化が実
現できる。
終段においてFPNを抑制しているので、光電変換素子
そのもののばらつきばかりでなく、スイッチングMOS
等のばらつきについても抑制することができ、FPNを
十分小さくできる。
る。
ッチ 100 パッド 101,101′ ボルテージホロア 102 可変抵抗 110 スイッチ 111 容量 200,201 ダミー画素 203,203′,203″ オプティカルブラック
(OB)画素 205,207 ホトダイオードリセット電圧源 206,208 CHリセット電圧源
Claims (11)
- 【請求項1】 複数の光電変換手段と、該光電変換手段
からノイズ信号を読み出して保持するノイズ信号保持手
段と、該光電変換手段から光信号を読み出して保持する
光信号保持手段と、ノイズ信号共通出力線と、光信号共
通出力線と、該ノイズ信号共通出力線、及び該光信号共
通出力線をリセットするリセット手段と、該リセット手
段に接続されたリセット電圧源と、該ノイズ信号保持手
段の信号、及び該光信号保持手段の信号を、該ノイズ信
号共通出力線及び該光信号共通出力線との容量分割で読
み出す読み出し手段と、を有する光電変換装置におい
て、 該リセット電圧源に電圧可変手段を設けたことを特徴と
する光電変換装置。 - 【請求項2】 前記リセット電圧源に接続する電圧可変
手段はボンディングパッドを介してリセットスイッチと
で接続され前記リセット手段に接続されることを特徴と
する請求項1記載の光電変換装置。 - 【請求項3】 複数の光電変換手段と、該光電変換手段
からノイズ信号を読み出して保持するノイズ信号保持手
段と、該光電変換手段から光信号を読み出して保持する
光信号保持手段と、ノイズ信号共通出力線と、光信号共
通出力線と、該ノイズ信号共通出力線、及び該光信号共
通出力線をリセットするリセット手段と、該リセット手
段に接続されたリセット電圧源と、該ノイズ信号保持手
段の信号、及び該光信号保持手段の信号を、該ノイズ信
号共通出力線、及び該光信号共通出力線との容量分割で
読み出す読み出し手段と、を有する光電変換装置におい
て、 前記リセット電圧源の電圧値に、ダミー画素、またはオ
プティカルブラック画素の出力値を用いることを特徴と
する光電変換装置。 - 【請求項4】 前記リセット電圧源はボルテージホロア
を含むことを特徴とする請求項3記載の光電変換装置。 - 【請求項5】 前記ダミー画素、またはオプティカルブ
ラック画素の出力値は複数のダミー画素、またはオプテ
ィカルブラック画素の出力の平均値であることを特徴と
する請求項3または請求項4記載の光電変換装置。 - 【請求項6】 複数の光電変換手段と、該光電変換手段
からノイズ信号を読み出して保持するノイズ信号保持手
段と、該光電変換手段から光信号を読み出して保持する
光信号保持手段と、ノイズ信号共通出力線と、光信号共
通出力線と、該ノイズ信号共通出力線、及び該光信号共
通出力線をリセットするリセット手段と、該リセット手
段に接続されたリセット電圧源と、該ノイズ信号保持手
段の信号、及び該光信号保持手段の信号を、該ノイズ信
号共通出力線、及び該光信号共通出力線との容量分割で
読み出す読み出し手段と、を有する光電変換装置におい
て、 前記ノイズ信号保持手段に保持される電圧の平均値と、
前記リセット手段によりリセットされた該ノイズ信号共
通出力線、及び該光信号共通出力線の電圧値がほぼ等し
いことを特徴とする光電変換装置。 - 【請求項7】 該ノイズ信号保持手段に保持される電圧
値と該リセット手段によりリセットされた該ノイズ信号
共通出力線、及び該光信号共通出力線の電圧値の差分が
0.5V以下であることを特徴とする請求項6記載の光
電変換装置。 - 【請求項8】 複数の光電変換手段と、該光電変換手段
をリセットするセンサリセット手段と、該センサリセッ
ト手段に接続されたセンサリセット電圧源と、該光電変
換手段からノイズ信号を読み出して保持するノイズ信号
保持手段と、該光電変換手段から光信号を読み出して保
持する光信号保持手段と、ノイズ信号共通出力線と、光
信号共通出力線と、該ノイズ信号共通出力線、及び該光
信号共通出力線をリセットするリセット手段と、該リセ
ット手段に接続されたリセット電圧源と、該ノイズ信号
保持手段の信号、及び該光信号保持手段の信号を、該ノ
イズ信号共通出力線、及び該光信号共通出力線との容量
分割で読み出す読み出し手段と、を同一半導体基板上に
有する光電変換装置において、 前記ノイズ信号保持手段に保持される電圧値の変動要因
と、 前記リセット手段によりリセットされた前記ノイズ信号
共通出力線、及び前記光信号共通出力線の電圧値の変動
要因と、を同一とすることを特徴とする光電変換装置。 - 【請求項9】 上記変動要因はプロセスによる、MOS
トランジスタのVth変動、抵抗値変動、バイポーラト
ランジスタのhFE変動、バイポーラトランジスタのベ
ース−コレクタ間の容量変動、であることを特徴とする
請求項8記載の光電変換装置。 - 【請求項10】 複数の光電変換手段と、該光電変換手
段から光信号を読み出して保持する光信号保持手段と、
前記光信号を転送する光信号共通出力線と、該光電変換
手段からノイズ信号を読み出して保持するノイズ信号保
持手段と、前記ノイズ信号を転送するノイズ信号共通出
力線と、を備えた光電変換装置において、 前記光信号共通出力線及び前記ノイズ信号共通出力線と
をリセットするリセット手段と、前記リセット手段に接
続されたリセット電圧源とを備え、前記リセット電圧源
に電圧可変手段を設けたことを特徴とする光電変換装
置。 - 【請求項11】 前記リセット電圧源に設けられた電圧
可変手段はボンディングパッドを介してリセットスイッ
チに接続されることを特徴とする請求項1記載の光電変
換装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19374197A JP3673620B2 (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 光電変換装置 |
TW087111449A TW459400B (en) | 1997-07-18 | 1998-07-14 | Photoelectric conversion apparatus |
US09/114,920 US6118115A (en) | 1997-07-18 | 1998-07-14 | Photoelectric conversion apparatus |
EP98305643A EP0892552B1 (en) | 1997-07-18 | 1998-07-15 | Photoelectric conversion apparatus |
DE69818365T DE69818365T2 (de) | 1997-07-18 | 1998-07-15 | Photoelektrische Umwandlungsvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19374197A JP3673620B2 (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 光電変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1141526A true JPH1141526A (ja) | 1999-02-12 |
JP3673620B2 JP3673620B2 (ja) | 2005-07-20 |
Family
ID=16313046
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19374197A Expired - Fee Related JP3673620B2 (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 光電変換装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6118115A (ja) |
EP (1) | EP0892552B1 (ja) |
JP (1) | JP3673620B2 (ja) |
DE (1) | DE69818365T2 (ja) |
TW (1) | TW459400B (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005223908A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Samsung Electronics Co Ltd | Cmosイメージセンサのクランプ回路 |
JP2006081189A (ja) * | 2004-09-08 | 2006-03-23 | Magnachip Semiconductor Ltd | イメージセンサの検出回路 |
JP2008017349A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Konica Minolta Holdings Inc | 固体撮像装置 |
US7477302B2 (en) | 2003-12-05 | 2009-01-13 | Sony Corporation | Solid-state image pickup apparatus and image pickup method |
JP2015015609A (ja) * | 2013-07-05 | 2015-01-22 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、光電変換システム |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW421962B (en) * | 1997-09-29 | 2001-02-11 | Canon Kk | Image sensing device using mos type image sensing elements |
SG70128A1 (en) * | 1997-10-06 | 2000-01-25 | Canon Kk | Method of driving image sensor |
JP4006075B2 (ja) * | 1998-01-30 | 2007-11-14 | キヤノン株式会社 | Cmosセンサ及び撮像システム |
US6201572B1 (en) * | 1998-02-02 | 2001-03-13 | Agilent Technologies, Inc. | Analog current mode assisted differential to single-ended read-out channel operable with an active pixel sensor |
US6765613B1 (en) * | 1998-07-22 | 2004-07-20 | Micron Technology, Inc. | Low light sensor signal to noise improvement |
JP4536173B2 (ja) * | 1998-07-22 | 2010-09-01 | ソニー株式会社 | 画像記録装置及び画像記録方法 |
JP3011196B2 (ja) * | 1998-07-29 | 2000-02-21 | 日本電気株式会社 | イメージセンサ |
US6445413B1 (en) * | 1998-08-24 | 2002-09-03 | Xerox Corporation | System for determining a video offset from dark photosensors in an image sensor array |
EP0999698B1 (en) * | 1998-11-02 | 2013-06-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup device and method of resetting the same |
US6538695B1 (en) * | 1998-11-04 | 2003-03-25 | Ic Media Corporation | On-chip fixed-pattern noise calibration for CMOS image sensors |
US6850278B1 (en) * | 1998-11-27 | 2005-02-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup apparatus |
JP2000287130A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Sharp Corp | 増幅型固体撮像装置 |
JP3466953B2 (ja) * | 1999-04-12 | 2003-11-17 | キヤノン株式会社 | イメージセンサ |
JP3601053B2 (ja) * | 1999-04-22 | 2004-12-15 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置 |
US6704050B1 (en) | 1999-04-23 | 2004-03-09 | Polaroid Corporation | Active-pixel image sensing device with linear mode voltage to current conversion |
JP2000324406A (ja) | 1999-05-07 | 2000-11-24 | Canon Inc | 光電変換装置及びそれを用いた画像読み取りシステム |
JP3908411B2 (ja) * | 1999-06-10 | 2007-04-25 | 富士通株式会社 | 固体撮像装置 |
US6654057B1 (en) | 1999-06-17 | 2003-11-25 | Micron Technology, Inc. | Active pixel sensor with a diagonal active area |
JP3524440B2 (ja) | 1999-07-27 | 2004-05-10 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置とその駆動方法 |
US6384394B1 (en) * | 1999-08-16 | 2002-05-07 | Intel Corporation | Apparatus and method for offset reduction in the image sensors |
JP3750502B2 (ja) * | 2000-08-03 | 2006-03-01 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびカメラシステム |
US7154548B2 (en) * | 2001-01-29 | 2006-12-26 | Valley Oak Semiconductor | Multiplexed and pipelined column buffer for use with an array of photo sensors |
US6853402B2 (en) * | 2001-01-30 | 2005-02-08 | Xerox Corporation | Combined multiplexing and offset correction for an image sensor array |
US6855937B2 (en) | 2001-05-18 | 2005-02-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus |
JP4724313B2 (ja) * | 2001-05-18 | 2011-07-13 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、放射線撮像装置及びそれを用いた放射線撮像システム |
US7286174B1 (en) * | 2001-06-05 | 2007-10-23 | Dalsa, Inc. | Dual storage node pixel for CMOS sensor |
JP2003078816A (ja) * | 2001-09-03 | 2003-03-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 測光装置 |
JP3658401B2 (ja) * | 2002-09-20 | 2005-06-08 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びそれを用いたカメラ |
JP2004153705A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 増幅型固体撮像装置及びそれを用いた撮像システム |
US7804532B2 (en) * | 2005-04-27 | 2010-09-28 | Nikon Corporation | Noise reducing device, electronic camera, and image processing program for reducing image noise by using blackout image |
KR100790982B1 (ko) * | 2006-02-14 | 2008-01-03 | 삼성전자주식회사 | 옵티컬 블랙 화소들의 리셋 신호 레벨들의 평균값을이용하여 활성 화소의 리셋 신호 레벨을 보정하는 이미지센서 및 이미지 센서의 활성 화소의 리셋 신호 레벨보정방법 |
JP2008211591A (ja) * | 2007-02-27 | 2008-09-11 | Seiko Instruments Inc | 光電変換装置 |
WO2008150283A1 (en) * | 2007-05-21 | 2008-12-11 | Micron Technology, Inc. | Suppression of row-wise noise in cmos image sensors |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US34309A (en) * | 1862-02-04 | Improvement in restoring waste rubber | ||
JPS60200687A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-11 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
EP0576104B1 (en) * | 1985-11-15 | 1998-02-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric transducer apparatus |
US5771070A (en) * | 1985-11-15 | 1998-06-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state image pickup apparatus removing noise from the photoelectric converted signal |
US4835404A (en) * | 1986-09-19 | 1989-05-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converting apparatus with a switching circuit and a resetting circuit for reading and resetting a plurality of lines sensors |
JPH07120767B2 (ja) * | 1986-09-19 | 1995-12-20 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
DE3750329D1 (de) * | 1986-12-18 | 1994-09-08 | Canon Kk | Signalausleseschaltung. |
US4879470A (en) * | 1987-01-16 | 1989-11-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converting apparatus having carrier eliminating means |
US4821104A (en) * | 1987-04-29 | 1989-04-11 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Image sensor having reduced fixed-noise output using flip flop circuit |
JPH01154678A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-16 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
US5162912A (en) * | 1989-04-10 | 1992-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus eliminating noise in an output signal |
JPH0451785A (ja) * | 1990-06-20 | 1992-02-20 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
JP3287056B2 (ja) * | 1993-03-24 | 2002-05-27 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
US5654537A (en) * | 1995-06-30 | 1997-08-05 | Symbios Logic Inc. | Image sensor array with picture element sensor testability |
JP3347625B2 (ja) * | 1996-12-24 | 2002-11-20 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
-
1997
- 1997-07-18 JP JP19374197A patent/JP3673620B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-07-14 TW TW087111449A patent/TW459400B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-07-14 US US09/114,920 patent/US6118115A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-07-15 EP EP98305643A patent/EP0892552B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-07-15 DE DE69818365T patent/DE69818365T2/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7477302B2 (en) | 2003-12-05 | 2009-01-13 | Sony Corporation | Solid-state image pickup apparatus and image pickup method |
JP2005223908A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Samsung Electronics Co Ltd | Cmosイメージセンサのクランプ回路 |
JP4654046B2 (ja) * | 2004-02-04 | 2011-03-16 | 三星電子株式会社 | Cmosイメージセンサのクランプ回路 |
JP2006081189A (ja) * | 2004-09-08 | 2006-03-23 | Magnachip Semiconductor Ltd | イメージセンサの検出回路 |
JP4677310B2 (ja) * | 2004-09-08 | 2011-04-27 | クロステック・キャピタル,リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | イメージセンサの検出回路 |
US7956908B2 (en) | 2004-09-08 | 2011-06-07 | Crosstek Capital, LLC | Read-out circuit of image sensor |
JP2008017349A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Konica Minolta Holdings Inc | 固体撮像装置 |
US9955101B2 (en) | 2013-05-07 | 2018-04-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and photoelectric conversion system including pixels which generate signals by performing photoelectric conversion on incident light |
JP2015015609A (ja) * | 2013-07-05 | 2015-01-22 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、光電変換システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69818365T2 (de) | 2004-07-15 |
DE69818365D1 (de) | 2003-10-30 |
JP3673620B2 (ja) | 2005-07-20 |
EP0892552A2 (en) | 1999-01-20 |
US6118115A (en) | 2000-09-12 |
TW459400B (en) | 2001-10-11 |
EP0892552B1 (en) | 2003-09-24 |
EP0892552A3 (en) | 2000-01-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3673620B2 (ja) | 光電変換装置 | |
US7576788B2 (en) | Image pickup apparatus including a plurality of pixels, each having a photoelectric conversion element and an amplifier whose output is prevented from falling below a predetermined level | |
US9769396B2 (en) | Solid-state image pickup apparatus, signal processing method for a solid-state image pickup apparatus, and electronic apparatus | |
US8553120B2 (en) | Solid state image pickup apparatus | |
US7456886B2 (en) | Image pickup apparatus | |
JP6339851B2 (ja) | 固体撮像装置及びその駆動方法 | |
US9001243B2 (en) | Imaging apparatus and processing method thereof | |
KR101900668B1 (ko) | 고체 촬상 소자 및 촬상 장치 | |
US20110198482A1 (en) | Photoelectric conversion device and imaging device | |
US20080237446A1 (en) | Solid-state image pickup device and method | |
EP1271930A2 (en) | Image sensing apparatus capable of outputting image with converted resolution, its control method, and image sensing system | |
EP1626570A2 (en) | Operational amplifier for an active pixel sensor | |
EP0928103A2 (en) | CMOS imaging sensors | |
JP2002077733A (ja) | 固体撮像装置 | |
WO2000019706A1 (en) | Low-noise active-pixel sensor for imaging arrays with high speed row reset | |
JP6037178B2 (ja) | 固体撮像装置及び撮像装置 | |
US7116367B2 (en) | Solid-state image pickup apparatus having a reset transistor controlled by an output line | |
JP4557469B2 (ja) | 光電変換装置、及び固体撮像システム | |
JP2003009003A (ja) | 撮像装置および撮像システム | |
JP2004349907A (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH11112728A (ja) | 半導体装置と密着型イメージセンサ | |
JP2004274229A (ja) | 撮像装置 | |
JP4708583B2 (ja) | 撮像装置 | |
JP4537271B2 (ja) | 撮像装置及び撮像システム | |
JP2007214791A (ja) | 撮像素子、撮像装置、及び撮像素子の駆動方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20031125 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040312 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041029 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041228 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050407 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050425 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |