JPH11340835A - 信号処理装置およびその信号処理方法 - Google Patents

信号処理装置およびその信号処理方法

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JPH11340835A
JPH11340835A JP14799898A JP14799898A JPH11340835A JP H11340835 A JPH11340835 A JP H11340835A JP 14799898 A JP14799898 A JP 14799898A JP 14799898 A JP14799898 A JP 14799898A JP H11340835 A JPH11340835 A JP H11340835A
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channel
frequency band
digital
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JP14799898A
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Masabumi Endo
正文 遠藤
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Original Assignee
Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ディジタル信号の長期保存とコストの削減を
両立させることができ、大容量の信号記録を実現する。 【解決手段】 入力信号をフィルタ回路により低周波数
帯域の主信号と高周波数帯域の副信号に分割し、アナロ
グ/ディジタル変換器によりそれぞれ主データと副デー
タに変換する。主データを圧縮して誤り訂正符号を付し
たあとフラッシュメモリの2値ブロックに記憶し、副デ
ータを圧縮して誤り訂正符号を付したあと多値ブロック
に記憶する。信号再生時に、2値ブロックから主データ
を読み出して、展開して誤りを訂正したあと、D/A変
換器により主信号に変換し、多値ブロックから副データ
を読み出し、展開して誤りを訂正したあと、D/A変換
器により副信号に変換し、得られた主信号と副信号を合
成し、もとの信号を再生するので、記憶信号の大容量
化、長期保存とコストの削減を実現できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、音声若しくは映像
信号を異なる周波数帯域に分割し、低周波数帯域と高周
波数帯域の信号をそれぞれ異なるメモリに記憶する信号
処理装置およびその信号処理方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、一つのメモリセルに3値以上の多
値のデータを記憶できる多値メモリが実用化されてい
る。多値メモリを用いて情報を記憶する場合に、通常の
2値メモリに較べて、記憶容量が2倍以上に向上でき
る。しかし、大容量の多値フラッシュメモリには、通常
の2値メモリに較べて、多値化の記憶レベル数の増加に
伴って、データの保持性能が悪化し、誤り発生率が大き
くなる。また、データの書き込み時間が長くなるという
不利益がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述した多値フラッシ
ュメモリを、AV信号(音響若しくは映像信号)のディ
ジタル符号化した大容量データの記憶媒体として利用す
る場合に、上記の問題が障害となる。また、フラッシュ
メモリのデータ保持性能が書き換え回数の増加に伴い劣
化し、且つ保持データが時間の経過に伴い緩やかに劣化
するという特性がある。このため、AV信号を長時間保
存する場合において、誤り訂正符号(ECC)を用いら
れるが、誤り訂正符号で訂正可能な範囲(実用的にはデ
ータブロック当たり数ビットである)を越えたとき急激
にデータエラーが増大するという不利益がある。
【0004】ディジタル化したAV信号を半導体記憶装
置、例えば、フラッシュメモリに記録する場合に、デー
タを圧縮するのが製造コストなどの制限から一般的な方
式であるため、わずかなデータエラーにより広範囲のデ
ータにおいて不良が発生する。このため、多値フラッシ
ュメモリに符号化したAV信号をそのままの記録・再生
方式では長期間のデータ保持は困難である。
【0005】現在実用化されているAV信号のアナログ
信号記録、例えば、磁気テープなどでは、多少の音質ま
たは画質の劣化は特別の用途を除いては感覚的にそれほ
ど気にならない。従って、ディジタル化したAV信号の
データ記録においても同様に、多少の劣化が生じても再
生時に信号の特性に顕著な影響がなければ、低いコスト
で長時間の信号保持を実現できれば、実用化の解決策と
なりうる。
【0006】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、記録対象信号、例えば、音響若
しくは映像信号を2または2以上の複数の周波数帯域に
分割して、各周波数帯域の信号をそれぞれディジタル符
号化し、高周波数帯域に応じたディジタル信号を多値メ
モリにより記録し、低周波数帯域に応じたディジタル信
号を通常の2値メモリにより記憶することで、ディジタ
ル信号の長期保存とコストの削減の面で両立させること
ができ、大容量の信号記録を実現できる信号記録装置を
提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の信号処理装置は、入力信号を第1から第n
(nは2以上の整数)までのnの周波数帯域に分割する
周波数帯域分割手段と、複数の多値メモリセルにより構
成された多値メモリブロックを少なくとも一つ有するn
個のメモリブロックと、上記周波数帯域分割手段により
分割されたnの周波数帯域の信号をnチャネルのディジ
タル信号に変換し、上記nチャネルのディジタル信号を
それぞれ上記n個のメモリブロックに記憶する信号記録
手段とを有し、さらに、当該信号記録手段に記録した信
号を再生するために、上記n個の不揮発性メモリブロッ
クに記憶されているnチャネルのディジタル信号を読み
出し、上記nチャネルのディジタル信号をそれぞれアナ
ログ信号に変換し、得られた上記nチャネルのアナログ
信号を一つの信号に合成する信号再生手段が設けられて
いる。
【0008】また、本発明では、一例として、例えば、
入力信号を低周波数帯域と高周波数帯域の二つの周波数
帯域に分割する周波数帯域分割手段と、上記低周波数帯
域の信号と高周波数帯域の信号をそれぞれ第1チャネル
と第2チャネルの2チャネルのディジタル信号に変換す
るアナログ/ディジタル変換手段と、上記第1チャネル
のディジタル信号を記憶する2値メモリセルからなる2
値メモリブロックと、上記第2チャネルのディジタル信
号を記憶する多値メモリセルからなる多値メモリブロッ
クと、信号再生時に、上記2値メモリブロックに記憶さ
れている上記第1チャネルのディジタル信号と上記多値
メモリブロックに記憶されている上記第2チャネルのデ
ィジタル信号とをそれぞれアナログ信号に変換するディ
ジタル/アナログ変換手段と、上記ディジタル/アナロ
グ変換手段で得られた2チャネルのアナログ信号を一つ
の信号に合成する信号合成手段とを有する。
【0009】また、本発明では、好適には、上記入力信
号は、音声信号若しくは映像信号であり、上記周波数帯
域分割手段は、例えば、所定の周波数帯域の信号を通過
させるフィルタにより構成されている。
【0010】また、本発明では、好適には、上記第1チ
ャネルのディジタル信号に対して、所定数のデータを一
ブロックとして、ブロック単位で誤り検出符号(EC
C)を付加する第1の誤り符号生成手段を有し、上記第
2チャネルのディジタル信号に対して、所定数のデータ
を一ブロックとして、ブロック単位で誤り検出符号(E
CC)を付加する第2の誤り符号生成手段を有する。
【0011】さらに、本発明では、好適には、上記2値
メモリブロックから読み出した上記第1チャネルのディ
ジタル信号に含まれている上記第1の誤り検出符号に応
じて、誤ったビットを訂正し、訂正したデータを上記デ
ィジタル/アナログ変換手段に出力する第1の誤り訂正
手段を有し、また、上記多値メモリブロックから読み出
した上記第2チャネルのディジタル信号に含まれている
上記第2の誤り検出符号に応じて、誤ったビットを訂正
し、訂正したデータを上記ディジタル/アナログ変換手
段に出力する第2の誤り訂正手段を有する。信号再生時
に、上記多値メモリブロックに記憶されている上記第2
チャネルのディジタル信号の誤りが上記第2の誤り訂正
符号により完全に訂正できない場合に、上記2値メモリ
ブロックに記憶されている上記第1チャネルのディジタ
ル信号のみを再生する。
【0012】また、本発明の信号処理方法は、入力信号
を第1から第n(nは2以上の整数)までのnの周波数
帯域に分割し、上記分割された各周波数帯域の信号をア
ナログ/ディジタル変換により、それぞれnチャネルの
ディジタル信号に変換し、上記nチャネルのディジタル
信号のうち、少なくとも高い周波数帯域の信号に基づい
た一チャネルのディジタル信号を3以上のレベルでデー
タを保持可能な多値メモリセルからなる多値メモリブロ
ックに記憶し、他チャネルのディジタルを2値メモリセ
ルからなる2値メモリブロックに記憶し、信号再生時
に、上記n個の不揮発性メモリブロックに記憶されてい
るnチャネルのディジタル信号を読み出し、それぞれア
ナログ信号に変換したあと、得られたnチャネルのアナ
ログ信号を一つの信号に合成する。
【0013】また、一例として、本発明の信号処理方法
は、入力信号を低周波数帯域と高周波数帯域の二つの周
波数帯域に分割し、上記低周波数帯域の信号と高周波数
帯域の信号をそれぞれ第1チャネルと第2チャネルの2
チャネルのディジタル信号に変換し、上記第1チャネル
のディジタル信号を2値メモリセルからなる2値メモリ
ブロックに保持し、上記第2チャネルのディジタル信号
を少なくとも3以上のレベルでデータを保持可能な多値
メモリセルからなる多値メモリブロックに保持し、信号
再生時に、上記2値メモリブロックに記憶されている上
記第1チャネルのディジタル信号と上記多値メモリブロ
ックに記憶されている上記第2チャネルのディジタル信
号を読み出し、それぞれアナログ信号に変換したあと、
一つの信号に合成する。
【0014】本発明によれば、入力信号、例えば、音響
信号若しくは映像信号は、異なる周波数帯域に分割され
る。低周波数帯域の信号は主要情報を表し、高周波数帯
域の信号は付属情報を表している。例えば、映像信号の
場合、低周波数帯域の信号は、映像の輝度を表し、高周
波数帯域の信号は色彩などの付属情報を表している。主
要情報を示す低周波数帯域の信号がディジタル符号化に
よってディジタル信号に変換され、2値メモリセルから
構成されている2値メモリブロックに記憶され、付属情
報を示す高周波数帯域の信号がディジタル信号に変換さ
れ、多値メモリセルから構成されている多値メモリブロ
ックに記憶される。
【0015】このため、主情報を表す低周波数帯域の信
号が劣化の少ない2値メモリにより記録され、付属情報
を表す高周波数帯域の信号が記録密度の高い多値メモリ
により記録される。多値メモリの記憶データに劣化が生
じた場合において、付属情報の欠落若しくは劣化が生じ
ることがあるが、主情報を劣化なく再生できることによ
って、多少の音質または画質の劣化が生じるが、もとの
記録信号の主な情報を再生できる。このため、特別な用
途を除けば実用上はそれほど問題とならないので、信号
の長期間の保存ができ、コストの低減が図れ、大容量の
信号記録を実現できる。
【0016】
【発明の実施の形態】図1は本発明に係る信号処理装置
の一実施形態を示す回路図である。図示のように、本実
施形態の信号処理装置は、アナログ/ディジタル変換器
/主信号と副信号分離フィルタ回路(A/D変換器/主
信号と副信号分離フィルタ回路)101、主データ圧縮
/訂正符号化回路(ECC)102、副データ圧縮/訂
正符号化回路(ECC)103、フラッシュメモリ2値
ブロック104、フラッシュメモリ多値メモリブロック
105、主データ展開/誤り検出・訂正回路106、副
データ展開/誤り検出・訂正回路107、ディジタル/
アナログ変換器/主信号と副信号の選択・合成回路(D
/A変換器/主信号と副信号の選択・合成回路)108
および同期信号発生回路109により構成されている。
【0017】本実施形態において、入力されるアナログ
信号は、例えば、音響信号若しくは映像信号である。当
該入力信号においては、例えば、低周波数低域の信号
は、主情報を表す主信号であり、高周波数低域の信号
は、付属情報を表す副信号である。主信号は、情報量が
小さく、副信号は、情報量が大きい。A/D変換器/主
信号と副信号分離フィルタ回路101は、入力されたア
ナログ信号をそれぞれ異なる周波数帯域に分割し、分割
し得た信号をそれぞれディジタル信号に変換する。信号
の分割は、例えば、フィルタにより所定の周波数成分の
みを抽出することにより行われる。例えば、入力信号に
おいて、所定の周波数fC 以下の成分は、主信号とし、
周波数fC 以上の成分は、付属信号とする場合には、信
号の分割は、周波数fC をカットオフ周波数とするロー
パスフィルタおよびハイパスフィルタにより行われる。
【0018】図2は、入力信号のスペクトル203およ
び周波数帯域分割に用いられるローパスフィルタ(低域
フィルタ)とハイパスフィルタ(高域フィルタ)の伝達
特性201,202をそれぞれ示している。図示のよう
に、入力されるAV信号のスペクトルは、ほぼ直流成分
から周波数f1 までの周波数帯域に分布している。この
うち、所定の周波数f0 以下の周波数帯域に分布してい
る信号は、主情報を表す主信号であり、周波数f0 から
1 までの周波数帯域に分布している信号は、付属情報
を表す副信号である。
【0019】主信号と副信号を分離させるために、図示
のように、ローパスフィルタとハイパスフィルタが用い
られる。ローパスフィルタは、周波数f0 をカットオフ
周波数とし、ハイパスフィルタは、周波数f0 からf1
までの帯域を通過帯域とする。入力信号を図2に示す伝
達特性を持つローパスフィルタおよびハイパスフィルタ
に入力することにより、ローパスフィルタにより、ほぼ
周波数0〜f0 の帯域の主信号が出力され、周波数f0
〜f1 までの帯域の副信号が出力される。
【0020】このように得られた主信号と副信号がそれ
ぞれA/D変換器によりディジタル符号化される。図1
に示すように、主データ系列D0 と副データ系列D1
得られる。主データ系列D0 は、主データ圧縮/訂正符
号化回路102に入力され、副データ系列D1 は、副デ
ータ圧縮/訂正符号化回路103に入力される。
【0021】主データ圧縮/訂正符号化回路102は、
入力される主データ系列D0 を所定のアルゴリズムによ
り圧縮処理し、さらに、圧縮されたデータをブロック単
位に誤り訂正符号を付与して、圧縮され、さらに誤り訂
正符号付きの主データ系列DC0を出力する。副データ圧
縮/訂正符号化回路103は、入力される副データ系列
1 を所定のアルゴリズムにより圧縮処理し、さらに、
圧縮されたデータをブロック単位に誤り訂正符号を付与
して、圧縮され、さらに誤り訂正符号付きの副データ系
列DC1を出力する。
【0022】主データ系列DC0の各データは、フラッシ
ュメモリ2値ブロック104に記憶され、副データ系列
C1の各データは、フラッシュメモリ多値ブロック10
5に記憶される。
【0023】上述したように、信号の記録は、A/D変
換器/主信号と副信号の分離フィルタ回路101、主デ
ータ圧縮/訂正符号化回路102および副データ圧縮/
訂正符号化回路103により行われる。低周波数帯域に
分布されている主信号に基づいた主データ系列DC0のデ
ータが2値ブロック104に格納され、高周波数帯域に
分布されている副信号に基づいた副データ系列DC1のデ
ータが多値ブロック105に格納される。
【0024】同期信号発生回路109は、主データ系列
C0のデータ記憶と副データ系列DC1のデータ記憶の動
作を同期して行うための同期信号を発生する。さらに、
信号再生時に、同期信号発生回路109により発生され
た同期信号に応じて、主データと副データの読み出しが
同期して行われる。
【0025】信号の再生は、主データ展開/誤り検出・
訂正回路106、副データ展開/誤り検出・訂正回路1
07およびD/A変換器/主信号と副信号の選択・合成
回路108により行われる。
【0026】主データ展開/誤り検出・訂正回路106
は、2値ブロック104から読み出された主データ系列
のデータを圧縮と相反するアルゴリズムで展開し、さら
に主データ系列に付加されている誤り訂正符号を用い
て、展開したデータにある誤りを訂正する。このように
展開され、さらに誤りが訂正された主データ系列DO0
がD/A変換器/主信号と副信号の選択・合成回路10
8に入力される。副データ展開/誤り検出・訂正回路1
07は、多値ブロック105から読み出された副データ
系列のデータを圧縮と相反するアルゴリズムで展開し、
さらに副データ系列に付加されている誤り訂正符号を用
いて、展開したデータにある誤りを訂正する。このよう
に展開され、さらに誤りが訂正された副データ系列DO
1がD/A変換器/主信号と副信号の選択・合成回路1
08に入力される。
【0027】D/A変換器/主信号と副信号の選択・合
成回路108により、主データ系列DO0 と副データ系
列DO1 をそれぞれアナログ信号に変換し、得られた主
信号および副信号を合成して、合成信号を再生されたア
ナログ信号として、外部に出力する。
【0028】なお、図示のように、主データ展開/誤り
検出・訂正回路106から主データの誤り状態を示す信
号SE0が出力され、副データ展開/誤り検出・訂正回路
107から副データの誤り状態を示す信号SE1が出力さ
れる。データ変換器/主信号と副信号の選択・合成回路
108は、信号SE0とSE1を受けて、これらの信号に示
す状態に応じて、信号の再生を制御する。例えば、主デ
ータおよび副データに誤りがなく、または誤り訂正符号
により完全に訂正できる場合に、D/A変換器/主信号
と副信号の選択・合成回路108は、主データDO0
よび副データDO1 により生成した主信号および副信号
を用いて、再生信号を合成する。この場合に、記録され
た信号が完全にもと通りに再生される。
【0029】一方、副データに多くの誤りが生じ、誤り
訂正符号により完全に訂正できない場合に、D/A変換
器/主信号と副信号の選択・合成回路108は、副信号
を再生できないものとして、主信号のみを再生信号とし
て出力する。この場合に、再生された信号において、瞬
間的に副信号が消失することがあるが、主信号が完全に
再生されたので、実用上は問題とならない。
【0030】そして、主信号と副信号がともに完全に再
生できない場合に、D/A変換器/主信号と副信号の選
択・合成回路108は、信号の再生ができないものと見
て、情報なしの信号として再生するか、または出力信号
をカット(スキップ)する。なお、主信号を記憶する2
値ブロックは、記憶データの信頼性が高く、さらに、主
データおよび副データともに誤り訂正符号が付加された
ので、主信号と副信号がともに再生できないような状態
がまれにしか発生しないので、本実施形態の信号処理装
置により、常に記録信号の再生が行える。
【0031】図3は、主データを記憶する2値ブロック
を構成する2値メモリセルおよび副データを記憶する多
値ブロックを構成する多値メモリセルのしきい値電圧を
示している。同図(a)に示すように、2値メモリセル
では、一メモリセルに一ビットのデータを記憶できる。
即ち、一メモリセルに一ビットのデータ“0”または
“1”を記憶でき、データ“0”を記憶する場合に、し
きい値電圧がVth1 を中心とした範囲内に分布するよう
に制御され、データ“1”を記憶する場合に、しきい値
電圧がVth0 を中心とした範囲内に分布するように制御
される。
【0032】図3(b)は、副データを記憶する多値ブ
ロックを構成する多値メモリセルのしきい値電圧の分布
を示している。図示のように、多値メモリでは、一メモ
リセルに2以上の複数ビットのデータを記憶できる。例
えば、4ビットのデータ“0000”を記憶する場合
に、しきい値電圧がVth15を中心とした範囲内に分布す
るように制御され、データ“1111”を記憶する場合
に、しきい値電圧がVth0 を中心とした範囲内に分布す
るように制御される。
【0033】図3(b)は、多値ブロックを構成するメ
モリセルのしきい値電圧の一分布例を示している。本実
施形態では、多値ブロックを構成する多値メモリセル
は、4値以外のメモリセルで構成することもできる。例
えば、一メモリセルに2ビットまたは3ビットのデータ
を記憶できるメモリセルを用いて構成できることはいう
までもない。
【0034】以上説明したように、本実施形態の信号処
理装置は、入力信号をフィルタ回路により低周波数帯域
の主信号と高周波数帯域の副信号とに分割して、アナロ
グ/ディジタル変換器によりそれぞれ主データと副デー
タに変換する。主データを圧縮して誤り訂正符号を付し
たあとフラッシュメモリの2値ブロックに記憶し、副デ
ータを圧縮して誤り訂正符号を付したあと多値ブロック
に記憶する。信号再生時に、2値ブロックから主データ
を読み出して、展開して誤りを訂正したあと、D/A変
換器により主信号に変換し、多値ブロックから副データ
を読み出し、展開して誤りを訂正したあと、D/A変換
器により副信号に変換する。得られた主信号と副信号を
合成し、もとの信号を生成する。この結果、信号記憶の
大容量化を実現でき、記憶信号の長期保存とコストの削
減を両立させることを実現できる。
【0035】図4〜図6は、本実施形態における2値メ
モリブロックおよび多値メモリブロックの構成例を示し
ている。図4は、2値メモリセルからなる2値ブロック
と多値メモリセルからなる多値ブロックを同じチップ上
に形成された例を示している。図4において、記録回路
60は、例えば、図1に示すA/D変換器/主信号と副
信号の分離フィルタ回路101、主データ圧縮/訂正符
号化回路102および副データ圧縮/訂正符号化回路1
03により構成されている。
【0036】即ち、入力されるアナログ信号、例えば、
AV信号は、記憶回路60により、低周波数帯域に分布
されている主信号に基づいた主データ系列DC0および高
周波数帯域に分布されている副信号に基づいた副データ
系列DC1に分割される。図示のように、主データ系列D
C0は、2ビットのデータd1,d2により構成され、副
データ系列DC1は、4ビットのデータd3,d4,d
5,d6により構成されている。
【0037】プログラム電圧発生回路70は、それぞれ
のメモリアレイに応じてプログラム電圧発生回路P1〜
P4に分割され、プログラム電圧発生回路P1はメモリ
アレイ11においてメモリセルm1に単ビットデータd
1を記録するためのプログラム電圧VP1を発生し、プロ
グラム電圧発生回路P2はメモリアレイ12においてメ
モリセルm2に単ビットデータd2を記録するためのプ
ログラム電圧VP2を発生し、プログラム電圧発生回路P
3はメモリアレイ13においてメモリセルm3に2ビッ
トデータd3およびd4を記録するためのプログラム電
圧VP3を発生し、プログラム電圧発生回路P4はメモリ
アレイ14においてメモリセルm4に2ビットデータd
5およびd6を記録するためのプログラム電圧VP4を発
生し、当該プログラム電圧Vp1〜Vp4を順次ローデ
コーダ20に供給する。
【0038】メモリアレイ部10は、それぞれのメモリ
セルが単ビットデジタル情報を記録するメモリセルm1
およびm2を配置したメモリアレイ11および12より
構成される第1のメモリアレイ領域10aと、それぞれ
のメモリセルが2ビットデジタル情報を記録するメモリ
セルm3およびm4を配置したメモリアレイ13および
14より構成される第2のメモリアレイ領域10bとに
より構成されている。各メモリアレイは、マトリクス状
に配線したワード線とビット線の格子位置にメモリセル
が配置される。図4の例においては、メモリアレイ11
においてワード線Wmとビット線B1nの格子位置にメ
モリセルm1が配置され、メモリアレイ12においてワ
ード線Wmとビット線B2nの格子位置にメモリセルm
2が配置され、メモリアレイ13においてワード線Wm
とビット線B3nの格子位置にメモリセルm3が配置さ
れ、メモリアレイ14においてワード線Wmとビット線
B4nの格子位置にメモリセルm4が配置されている。
【0039】ここで、2ビットの主データd1,d2お
よび4ビットの副データd3,d4,d5,d6を記録
する場合、メモリセルm1にビットデータd1を記録
し、メモリセルm2にビットデータd2を記録し、メモ
リセルm3にビットデータd3およびd4を記録し、メ
モリセルm4にビットデータd5およびd6を記録す
る。すなわち、主データが記録密度が低いが信頼性の高
い第1のメモリアレイ領域10aの2値メモリセルに記
録され、ある程度低い信頼性でも許容される副データ
が、記録密度が高いが信頼性の低い第2のメモリアレイ
領域10bの多値メモリセルに記録される。
【0040】ローデコーダ20は、XアドレスX1〜X
aをデコードして例えば1本のワード線Wmを選択し、
読み出し時に読み出し電圧VRDを印加し、プログラム時
にプログラム電圧VPPを印加する。カラム選択部30
は、それぞれのメモリアレイに応じてカラム選択部31
〜34に分割され、YアドレスY1〜Ybをデコードし
て、例えばメモリアレイ11においてビット線B1nを
選択し、メモリアレイ12においてビット線B2nを選
択し、メモリアレイ13においてビット線B3nを選択
し、メモリアレイ14においてビット線B4nを選択
し、読み出し時に選択ビット線を読み出し判定回路40
に接続し、またプログラム時に選択ビット線にプログラ
ム電圧を印加する。
【0041】読み出し判定回路40は、それぞれのメモ
リアレイに応じて読み出し判定回路C1〜C4に分割さ
れ、読み出し判定回路C1はメモリアレイ11において
単ビットデータを記録したメモリセルm1が接続された
ビット線b1nの読み出し電圧よりデータD1を判定
し、読み出し判定回路C2はメモリアレイ12において
単ビットデータを記録したメモリセルm2が接続された
ビット線b2nの読み出し電圧よりデータD2を判定
し、読み出し判定回路C3はメモリアレイ13において
2ビットデータを記録したメモリセルm3が接続された
ビット線b3nの読み出し電圧よりデータD3およびD
4を判定し、読み出し判定回路C4はメモリアレイ14
において2ビットデータを記録したメモリセルm4が接
続されたビット線b4nの読み出し電圧よりデータD5
およびD6を判定する。データD1,D2は、読み出し
主データDC0’を構成し、データD3,D4,D5,D
6は読み出し副データDC1’を構成している。
【0042】再生回路50は、例えば、図1に示す主デ
ータ展開/誤り検出・訂正回路106、副データ展開/
誤り検出・訂正回路107およびD/A変換器/主信号
と副信号の選択・合成回路108により構成されてい
る。再生回路50により、読み出し判定回路40により
出力された主データDC0’および副データDC1’に基づ
き、アナログ信号を再生して出力する。
【0043】図5は、多値ブロックを構成する多値メモ
リセルのしきい値電圧Vthの分布を示している。図5に
おいては、2ビットのデータがそれぞれ“00”、“0
1”、“10”および“11”の場合のメモリセルのし
きい値電圧Vthの分布を図示している。例えば、2ビッ
トのデータが“00”の場合に、メモリセルのしきい値
電圧がVth3 を中心とした一定の範囲内に分布するよう
に設定される。2ビットのデータが“11ウインドの場
合に、メモリセルのしきい値電圧がVth0 を中心とした
一定の範囲内に分布するように設定される。
【0044】以下、図4に示す信号処理装置のデータ書
き込みおよび読み出しの動作について説明する。まず、
データを書き込む場合について説明する。
【0045】記録回路60に入力されたアナログ信号に
基づいて、記憶すべき6ビットのデータd1〜d6が出
力される。プログラム電圧発生回路70では、プログラ
ム電圧発生回路P1でメモリアレイ11においてメモリ
セルm1に単ビットデータd1を記録するためのプログ
ラム電圧VP1が発生される。同様に、プログラム電圧発
生回路P2でメモリアレイ12においてメモリセルm2
に単ビットデータd2を記録するためのプログラム電圧
P2が発生され、プログラム電圧発生回路P3でメモリ
アレイ13においてメモリセルm3に2ビットデータd
3およびd4を記録するためのプログラム電圧VP3が発
生され、プログラム電圧発生回路P4でメモリアレイ1
4においてメモリセルm4に2ビットデータd5および
d6を記録するためのプログラム電圧VP4が発生され、
これらプログラム電圧VP1〜VP4が順次ローデコーダ2
0に供給される。
【0046】ローデコーダ20では、XアドレスX1〜
Xaがデコードされ、例えば、1本のワード線Wmが選
択され、この選択ワード線にプログラム電圧VPPが印加
される。また、YアドレスY1〜Ybがデコードされ、
例えばメモリアレイ11においてビット線B1nが選択
され、メモリアレイ12においてビット線B2nが選択
され、メモリアレイ13においてビット線B3nが選択
され、メモリアレイ14においてビット線B4nが選択
され、選択ビット線にプログラム電圧が印加される。
【0047】これにより、メモリセルm1に単ビットデ
ータD1が記録され、メモリセルm2に単ビットデータ
D2が記録され、メモリセルm3に2ビットデータD3
およびD4が記録され、メモリセルm4に2ビットデー
タD5およびD6が記録される。すなわち、より高い信
頼性の要求される主データが記録密度が低いが信頼性の
高い第1のメモリアレイ領域10aのメモリセルに記録
され、ある程度低い信頼性でも許容される副データが、
記録密度が高いが信頼性の低い第2のメモリアレイ領域
10bのメモリセルに記録される。
【0048】次に、読み出し動作について説明する。ロ
ーデコーダ20において、XアドレスX1〜Xaがデコ
ードされ例えば1本のワード線Wmが選択され、読み出
し電圧VRDが印加される。また、カラム選択部30にお
いて、YアドレスY1〜Ybがデコードされ、例えばメ
モリアレイ11においてビット線B1nが選択され、メ
モリアレイ12においてビット線B2nが選択され、メ
モリアレイ13においてビット線B3nが選択され、メ
モリアレイ14においてビット線B4nが選択され、読
み出し時に選択ビット線が読み出し判定回路40に接続
される。
【0049】読み出し判定回路40においては、読み出
し判定回路C1でメモリアレイ11において単ビットデ
ータを記録したメモリセルm1が接続されたビット線b
1nの読み出し電圧よりデータD1が判定される。同様
に、読み出し判定回路C2でメモリアレイ12において
単ビットデータを記録したメモリセルm2が接続された
ビット線b2nの読み出し電圧よりデータD2が判定さ
れ、読み出し判定回路C3でメモリアレイ13において
2ビットデータを記録したメモリセルm3が接続された
ビット線b3nの読み出し電圧よりデータD3およびD
4が判定され、読み出し判定回路C4でメモリアレイ1
4において2ビットデータを記録したメモリセルm4が
接続されたビット線b4nの読み出し電圧よりデータD
5およびD6が判定され、各判定データD1〜D6が再
生回路50に出力される。
【0050】そして、再生回路50では、読み出しデー
タD1〜D6がD/A変換され、合成された再生信号が
出力される。
【0051】以上説明したように、本例の信号処理装置
によれば、入力アナログ信号が異なる周波数帯域におけ
る主信号と副信号に分割され、主信号に基づいた主デー
タを記録密度が低いが信頼性の高い第1のメモリアレイ
領域のメモリセルに記録し、ある程度低い信頼性でも許
容される副データを、記録密度が高いが信頼性の低い第
2のメモリアレイ領域のメモリセルに記録するようにし
た。したがって、1個のメモリセルに2ビット以上の多
ビットデータを記録できる多値メモリセルを用いてオー
ディオ信号データまたはビデオ信号データ等のアナログ
信号をディジタル符号化して得られたデータを記録する
場合に、メモリの記録効率を大きく犠牲にすることな
く、大幅に信頼性の向上を図ることができる。
【0052】図6は、2値ブロックと多値ブロックが異
なる半導体チップ上に形成された信号処理装置の例を示
す図である。図6に示す信号処理装置は、図4に示す信
号処理装置と基本的に同じ構成を有するが、単ビットデ
ータを記録する2値ブロックと2ビットデータを記録す
る多値ブロックが、同一チップ内の別のメモリアレイ領
域ではなく、それぞれ別の半導体メモリチップに在する
点が異なる。図6において、100aは第1の半導体メ
モリチップ、100bは第2の半導体メモリチップ、2
0はローデコーダ、30はカラム選択部、40は読み出
し判定回路、50は再生回路、60は記録回路、70は
プログラム電圧発生回路をそれぞれ示している。
【0053】第1の半導体メモリチップ100aは、そ
れぞれのメモリセルが単ビットデータを記録するメモリ
セルm1およびm2を配置したメモリアレイ11aおよ
び12aより構成され、専用のローデコーダa20aお
よびカラム選択部a30aを備えている。第2の半導体
メモリチップ200aは、それぞれのメモリセルが2ビ
ットデータを記録するメモリセルm3およびm4を配置
したメモリアレイ13bおよび14bより構成され、専
用のローデコーダb20bおよびカラム選択部b30b
を備えている。
【0054】ここで、6ビットのデータd1〜d6を記
録する場合、メモリセルm1に単ビットデータd1を記
録し、メモリセルm2に単ビットデータd2を記録し、
メモリセルm3に2ビットデータd3およびd4を記録
し、メモリセルm4に2ビットデータd5およびd6を
記録する。
【0055】すわなち、主信号に基づいた主データを、
記録密度が低いが信頼性の高い第1の半導体メモリチッ
プのメモリセルに記録し、ある程度低い信頼性でも許容
される副信号に基づいた副データを、記録密度が高い信
頼性の低い第2に半導体メモリチップのメモリセルに記
録する。これによって、メモリの記録効率を大きく犠牲
にすることなく、大幅に信頼性の向上を図ることができ
る。
【0056】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の信号処理
装置によれば、ディジタル信号の長期保存とコストの削
減の面で両立させることができ、大容量の信号記録を実
現できる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る信号処理装置の一実施形態を示す
回路図である。
【図2】入力信号のスペクトルおよびフィルタの伝達特
性を示す図である。
【図3】2値メモリセルと多値メモリセルのしきい値電
圧の分布を示す図である。
【図4】同一チップ上に在する2値ブロックと多値ブロ
ックを有する信号処理装置の構成を示す回路図である。
【図5】2ビットのデータを記憶する多値メモリセルの
しきい値電圧の分布を示す図である。
【図6】別々のチップに在する2値ブロックと多値ブロ
ックを有する信号処理装置の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
10…メモリアレイ部、20…ローデコーダ、30…カ
ラム選択部、40…読み出し判定回路、50…再生回
路、60…記録回路、70…プログラム電圧発生回路、
100a…第1のメモリチップ、100b…第2のメモ
リチップ、101…A/D変換器/主信号と副信号分離
フィルタ回路、102…主データ圧縮/訂正符号化回
路、103…副データ圧縮/訂正符号化回路、104…
フラッシュメモリ2値ブロック、105…フラッシュメ
モリ多値メモリブロック、106…主データ展開/誤り
検出・訂正回路、107…副データ展開/誤り検出・訂
正回路、108…D/A変換器/主信号と副信号の選択
・合成回路、109…同期信号発生回路。

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】入力信号を第1から第n(nは2以上の整
    数)までのnの周波数帯域に分割する周波数帯域分割手
    段と、 複数の多値メモリセルにより構成された多値メモリブロ
    ックを少なくとも一つ有するn個のメモリブロックと、 上記周波数帯域分割手段により分割されたnの周波数帯
    域の信号をnチャネルのディジタル信号に変換し、上記
    nチャネルのディジタル信号をそれぞれ上記n個のメモ
    リブロックに記憶する信号記録手段とを有する信号処理
    装置。
  2. 【請求項2】上記入力信号は、音声信号若しくは映像信
    号である請求項1記載の信号処理装置。
  3. 【請求項3】入力信号を第1から第n(nは2以上の整
    数)までのnの周波数帯域に分割する周波数帯域分割手
    段と、 複数の多値メモリセルにより構成された多値メモリブロ
    ックを少なくとも一つ有するn個のメモリブロックと、 上記周波数帯域分割手段により分割された各周波数帯域
    の信号をそれぞれnチャネルのディジタル信号に変換
    し、上記nチャネルのディジタル信号をそれぞれ上記n
    個のメモリブロックに記憶する信号記録手段と、 上記n個の不揮発性メモリブロックに記憶されているn
    チャネルのディジタル信号を読み出し、上記nチャネル
    のディジタル信号をそれぞれアナログ信号に変換し、得
    られた上記nチャネルのアナログ信号を一つの信号に合
    成する信号再生手段とを有する信号処理装置。
  4. 【請求項4】上記入力信号は、音声信号若しくは映像信
    号である請求項3記載の信号処理装置。
  5. 【請求項5】上記nチャネルのディジタル信号のうち、
    高周波数帯域の信号に基づいたディジタル信号が上記多
    値メモリブロックに記憶される請求項3記載の信号処理
    装置。
  6. 【請求項6】上記n個のメモリブロックは、一つのメモ
    リチップ上に形成されている請求項3記載の信号処理装
    置。
  7. 【請求項7】複数の2値メモリセルにより構成されてい
    る2値メモリブロックと、 複数の多値メモリセルにより構成されている多値メモリ
    ブロックと、 入力信号を低周波数帯域と高周波数帯域の二つの周波数
    帯域に分割する周波数帯域分割手段と、 上記低周波数帯域の信号と高周波数帯域の信号をそれぞ
    れ第1チャネルと第2チャネルのディジタル信号に変換
    し、上記第1チャネルのディジタル信号を上記2値メモ
    リブロックに記憶し、上記第2チャネルのディジタル信
    号を上記多値メモリブロックに記憶する信号記録手段と
    を有する信号処理装置。
  8. 【請求項8】上記入力信号は、音声信号若しくは映像信
    号である請求項7記載の信号処理装置。
  9. 【請求項9】複数の2値メモリセルにより構成されてい
    る2値メモリブロックと、 複数の多値メモリセルにより構成されている多値メモリ
    ブロックと、 入力信号を低周波数帯域と高周波数帯域の二つの周波数
    帯域に分割する周波数帯域分割手段と、 上記低周波数帯域の信号と高周波数帯域の信号をそれぞ
    れ第1チャネルと第2チャネルのディジタル信号に変換
    し、上記第1チャネルのディジタル信号を上記2値メモ
    リブロックに記憶し、上記第2チャネルのディジタル信
    号を上記多値メモリブロックに記憶する信号記録手段
    と、 上記2値メモリブロックに記憶されている上記第1チャ
    ネルのディジタル信号と上記多値メモリブロックに記憶
    されている上記第2チャネルのディジタル信号とをそれ
    ぞれアナログ信号に変換し、得られた2つのアナログ信
    号を一つの信号に合成する信号再生手段とを有する信号
    処理装置。
  10. 【請求項10】上記入力信号は、音声信号若しくは映像
    信号である請求項9記載の信号処理装置。
  11. 【請求項11】上記第1チャネルのディジタル信号に対
    して、所定数のデータを一ブロックとして、ブロック単
    位で誤り検出符号(ECC)を付加する第1の誤り符号
    生成手段を有し、 上記誤り検出符号を付加したディジタル信号は上記第1
    チャネルのディジタル信号として、上記2値メモリブロ
    ックに保持される請求項9記載の信号処理装置。
  12. 【請求項12】上記第2チャネルのディジタル信号に対
    して、所定数のデータを一ブロックとして、ブロック単
    位で誤り検出符号(ECC)を付加する第2の誤り符号
    生成手段を有し、 上記誤り検出符号を付加したディジタル信号を上記第2
    チャネルのディジタル信号として、上記多値メモリブロ
    ックに保持される請求項9記載の信号処理装置。
  13. 【請求項13】上記2値メモリブロックから読み出した
    上記第1チャネルのディジタル信号に含まれている上記
    第1の誤り検出符号に応じて、誤ったビットを訂正し、
    訂正したデータを上記ディジタル/アナログ変換手段に
    出力する第1の誤り訂正手段を有する請求項11記載の
    信号処理装置。
  14. 【請求項14】上記多値メモリブロックから読み出した
    上記第2チャネルのディジタル信号に含まれている上記
    第2の誤り検出符号に応じて、誤ったビットを訂正し、
    訂正したデータを上記ディジタル/アナログ変換手段に
    出力する第2の誤り訂正手段を有する請求項12記載の
    信号処理装置。
  15. 【請求項15】信号再生時に、上記多値メモリブロック
    に記憶されている上記第2チャネルのディジタル信号の
    誤りが上記第2の誤り訂正符号により完全に訂正できな
    い場合に、上記2値メモリブロックに記憶されている上
    記第1チャネルのディジタル信号のみを再生する請求項
    14記載の信号処理装置。
  16. 【請求項16】上記周波数帯域分割手段は、所定の周波
    数帯域の信号を通過させるフィルタにより構成されてい
    る請求項9記載の信号処理装置。
  17. 【請求項17】上記2値メモリブロックと上記多値メモ
    リブロックは、一つのメモリチップ上に形成されている
    請求項9記載の信号処理装置。
  18. 【請求項18】入力信号を第1から第n(nは2以上の
    整数)までのnの周波数帯域に分割し、 上記分割された各周波数帯域の信号をそれぞれnチャネ
    ルのディジタル信号に変換し、 上記nチャネルのディジタル信号のうち、少なくとも高
    い周波数帯域の信号に基づいた一チャネルのディジタル
    信号を3以上のレベルでデータを保持可能な多値メモリ
    セルからなる多値メモリブロックに記憶し、他チャネル
    のディジタル信号を2値メモリセルからなる2値メモリ
    ブロックに記憶する信号処理方法。
  19. 【請求項19】入力信号を第1から第n(nは2以上の
    整数)までのnの周波数帯域に分割し、 上記分割された各周波数帯域の信号をそれぞれnチャネ
    ルのディジタル信号に変換し、 上記nチャネルのディジタル信号のうち、少なくとも高
    い周波数帯域の信号に基づいた一チャネルのディジタル
    信号を3以上のレベルでデータを保持可能な多値メモリ
    セルからなる多値メモリブロックに記憶し、他チャネル
    のディジタル信号を2値メモリセルからなる2値メモリ
    ブロックに記憶し、 信号再生時に、上記各メモリブロックに記憶されている
    nチャネルのディジタル信号を読み出し、それぞれアナ
    ログ信号に変換したあと、得られたnチャネルのアナロ
    グ信号を一つの信号に合成する信号処理方法。
  20. 【請求項20】上記入力信号は、音声信号若しくは映像
    信号である請求項19記載の信号処理方法。
  21. 【請求項21】上記アナログ/ディジタル変換により得
    られたnチャネルのディジタル信号のうち、高周波数帯
    域の信号に基づいたディジタル信号を多値メモリブロッ
    クに記憶される請求項19記載の信号処理方法。
  22. 【請求項22】入力信号を低周波数帯域と高周波数帯域
    の二つの周波数帯域に分割し、 上記低周波数帯域の信号と高周波数帯域の信号をそれぞ
    れ第1チャネルと第2チャネルの2チャネルのディジタ
    ル信号に変換し、 上記第1チャネルのディジタル信号を2値メモリセルか
    らなる2値メモリブロックに保持し、上記第2チャネル
    のディジタル信号を少なくとも3以上のレベルでデータ
    を保持可能な多値メモリセルからなる多値メモリブロッ
    クに保持する信号処理方法。
  23. 【請求項23】入力信号を低周波数帯域と高周波数帯域
    の二つの周波数帯域に分割し、 上記低周波数帯域の信号と高周波数帯域の信号をそれぞ
    れ第1チャネルと第2チャネルの2チャネルのディジタ
    ル信号に変換し、 上記第1チャネルのディジタル信号を2値メモリセルか
    らなる2値メモリブロックに保持し、上記第2チャネル
    のディジタル信号を少なくとも3以上のレベルでデータ
    を保持可能な多値メモリセルからなる多値メモリブロッ
    クに保持し、 信号再生時に、上記2値メモリブロックに記憶されてい
    る上記第1チャネルのディジタル信号と上記多値メモリ
    ブロックに記憶されている上記第2チャネルのディジタ
    ル信号を読み出し、それぞれアナログ信号に変換したあ
    と、一つの信号に合成する信号処理方法。
  24. 【請求項24】上記入力信号は、音声信号若しくは映像
    信号である請求項23記載の信号処理方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007077890A1 (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Takashi Suzuki スピン分離装置、スピン非対称物質の製造方法、電流源及び信号処理方法
JP2007292881A (ja) * 2006-04-21 2007-11-08 Yahata Denki Sangyo Kk 鉄道車両用の音声記録システム
US7518911B2 (en) * 2006-05-25 2009-04-14 Sandisk Corporation Method and system for programming multi-state non-volatile memory devices
JP5122978B2 (ja) * 2005-12-28 2013-01-16 隆史 鈴木 スピン分離装置
US8630115B2 (en) 2005-04-11 2014-01-14 Micron Technology, Inc. Non-volatile electronic memory device with NAND structure being monolithically integrated on semiconductor

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8630115B2 (en) 2005-04-11 2014-01-14 Micron Technology, Inc. Non-volatile electronic memory device with NAND structure being monolithically integrated on semiconductor
US8824205B2 (en) * 2005-04-11 2014-09-02 Micron Technology, Inc. Non-volatile electronic memory device with NAND structure being monolithically integrated on semiconductor
US10170191B2 (en) 2005-04-11 2019-01-01 Micron Technology, Inc. Electronic memory device having two portions that can be decoupled
US10825525B2 (en) 2005-04-11 2020-11-03 Micron Technology, Inc. Programming non-volatile electronic memory device with NAND architecture
US10825524B2 (en) 2005-04-11 2020-11-03 Micron Technology, Inc. Memory device with a common source select line for two memory portions of a logic sector
WO2007077890A1 (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Takashi Suzuki スピン分離装置、スピン非対称物質の製造方法、電流源及び信号処理方法
US8101920B2 (en) 2005-12-28 2012-01-24 Takashi Suzuki Spin isolation apparatus, spin asymmetric material producing method, current source, and signal processing method
JP5122978B2 (ja) * 2005-12-28 2013-01-16 隆史 鈴木 スピン分離装置
JP2007292881A (ja) * 2006-04-21 2007-11-08 Yahata Denki Sangyo Kk 鉄道車両用の音声記録システム
US7518911B2 (en) * 2006-05-25 2009-04-14 Sandisk Corporation Method and system for programming multi-state non-volatile memory devices

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