JPH11340517A - 半導体発光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体発光装置の半導体発光素子から照射さ
れた光を樹脂封止体から高輝度に発光させる。 【解決手段】 本発明による半導体発光装置では、半導
体発光素子（４）を包囲し且つ半導体発光素子（４）か
ら照射された光を樹脂封止体（６）側に反射する傾斜面
（１１ｃ）を有するリフレクタ（１１）を基板（１）の
一方の主面（１ａ）に固着し、リフレクタ（１１）を樹
脂封止体（６）内に埋設する。半導体発光素子（４）か
ら側方に照射される光をリフレクタ（１１）の傾斜面
（１１ｃ）によって上方に反射するので、樹脂封止体
（６）の上方向かう光量を従来に比べて増加して高輝度
に光を取り出すことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止体から高
輝度に発光する半導体発光装置に関連する。

【０００２】

【従来の技術】図１８及び図１９に示すように、従来の
表面実装形の発光ダイオード装置は、一方の主面（１
ａ）にアイランド配線導体（ダイパッド）（２）とター
ミナル配線導体（ボンディングパッド）（３）とを個別
に形成した絶縁性の基板（１）と、アイランド配線導体
（２）上に固着された半導体発光素子（発光ダイオード
チップ）（４）と、半導体発光素子（４）の上面に形成
された電極とターミナル配線導体（３）とを接続するリ
ード細線（５）と、基板（１）の一方の主面（１ａ）の
アイランド配線導体（２）及びターミナル配線導体
（３）の一部、半導体発光素子（４）及びリード細線
（５）を被覆する光透過性の樹脂封止体（６）とから構
成される。

【０００３】基板（１）の一方の主面（１ａ）に形成さ
れたアイランド配線導体（２）及びターミナル配線導体
（３）は、基板（１）の端面（１ｃ）（１ｄ）に沿って
下方に延び、アイランド配線導体（２）及びターミナル
配線導体（３）の先端側は、基板（１）の他方の主面
（１ｂ）まで延伸して接続用電極を構成する。半導体発
光素子（４）の上面から放出された光は樹脂封止体
（６）を通じて外部に放出される。図１８及び図１９の
発光ダイオード装置は、基板（１）の底面を回路基板等
の上に表面実装することができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】図１８及び図１９の発
光ダイオード装置では、半導体発光素子（４）の側面か
ら光が照射され、側面からの光の多くは樹脂封止体
（６）の側方から外部に放出されるため、半導体発光素
子（４）から樹脂封止体（６）の上面を通り樹脂封止体
（６）の外部に放出される光量が相対的に少なく、樹脂
封止体（６）の上方に高輝度に光を取り出すことができ
なかった。そこで、本発明は、樹脂封止体から高輝度に
発光する半導体発光装置を提供することを目的とする。
また、本発明は、樹脂封止体から高輝度に発光し且つ半
導体発光装置を低コストでかつ生産性よく製造できる半
導体発光装置を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明による半導体発光
装置（１０）は、一方の主面（１ａ）にアイランド配線
導体（２）とターミナル配線導体（３）とを個別に形成
した絶縁性の基板（１）と、アイランド配線導体（２）
上に固着された半導体発光素子（４）と、半導体発光素
子（４）に形成された電極とターミナル配線導体（３）
とを接続するリード細線（５）と、基板（１）の一方の
主面（１ａ）のアイランド配線導体（２）及びターミナ
ル配線導体（３）の一部、半導体発光素子（４）及びリ
ード細線（５）を被覆する光透過性又は透明の樹脂封止
体（６）とを有する。半導体発光素子（４）を包囲し且
つ半導体発光素子（４）から照射された光を樹脂封止体
（６）側に反射する傾斜面（１１ｃ）を有するリフレク
タ（１１）を基板（１）の一方の主面（１ａ）に固着
し、リフレクタ（１１）を樹脂封止体（６）内に埋設す
る。

【０００６】半導体発光素子（４）から側方に照射され
る光をリフレクタ（１１）の傾斜面（１１ｃ）によって
上方に反射するので、従来の半導体発光装置に比べて樹
脂封止体（６）の上方向かう光量を増加して高輝度に光
を取り出すことができる。また、基板（１）に対して密
着する樹脂封止体（６）によってリフレクタ（１１）を
基板（１）に押圧するので、リフレクタ（１１）も基板
（１）に強固に密着し、ダブルシール構造により樹脂封
止体（６）と基板（１）及びリフレクタ（１１）と基板
（１）との両界面を通る水分等の異物の半導体発光素子
（４）への侵入を防止することができる。

【０００７】本発明の実施の形態では、リフレクタ（１
１）はリング部（１１ａ）と、リング部（１１ａ）の外
周面の両端に設けられたフランジ部（１１ｂ）とを有す
る。リング部（１１ａ）の高さは、半導体発光素子
（４）の高さよりも大きく、リフレクタ（１１）のフラ
ンジ部（１１ｂ）はリング部（１１ａ）の両端から基板
（１）の側面（１ｅ）（１ｆ）まで基板（１）の幅方向
に延伸する。リフレクタ（１１）は白色粉末を配合した
熱可遡性樹脂又は熱硬化性樹脂から成る。傾斜面（１１
ｃ）は、樹脂封止体（６）に向かって拡径する円錐面、
球面、放物面若しくはこれらの近似面又はこれらの組合
せ面に形成され、傾斜面（１１ｃ）の内側に配置された
半導体発光素子（４）は傾斜面（１１ｃ）によって包囲
される。

【０００８】アイランド配線導体（２）は、基板（１）
の一方の主面（１ａ）に形成されたアイランド（２ａ）
と、基板（１）の一方の主面（１ａ）の一端から一方の
側面（１ｃ）を通って基板（１）の他方の主面（１ｂ）
の一端まで形成されたアイランド電極部（２ｂ）と、基
板（１）の一方の主面（１ａ）に形成され且つアイラン
ド（２ａ）とアイランド電極部（２ｂ）とを接続する幅
狭のアイランド配線部（２ｃ）とから構成される。ター
ミナル配線導体（３）は、基板（１）の一方の主面（１
ａ）に形成されたターミナル（３ａ）と、基板（１）の
一方の主面（１ａ）の他端から他方の側面（１ｃ）を通
って基板（１）の他方の主面（１ｂ）の他端まで形成さ
れたターミナル電極部（３ｃ）と、基板（１）の一方の
主面（１ａ）に形成され且つターミナル（３ａ）とター
ミナル電極部（３ｃ）とを接続するターミナル配線部
（３ｂ）とから構成される。傾斜面（１１ｃ）の下縁部
は、アイランド配線導体（２）のアイランド（２ａ）の
内側に配置される。

【０００９】リング部（１１ａ）は、アイランド配線導
体（２）のアイランド（２ａ）の外周側とアイランド配
線部（２ｃ）及びターミナル（３ａ）の一部に重なる直
径を有する。アイランド電極部（２ｂ）は、基板（１）
の一方の主面（１ａ）に形成された表面電極部（２ｄ）
と、基板（１）の他方の主面（１ｂ）に形成された裏面
電極部（２ｅ）とを備えている。ターミナル電極部（３
ｃ）は、基板（１）の一方の主面（１ａ）に形成された
表面電極部（３ｄ）と、基板（１）の他方の主面（１
ｂ）に形成された裏面電極部（３ｅ）とを備えている。
半導体発光素子（４）は、基板（１）のほぼ中央に配置
されたアイランド配線導体（２）のアイランド（２ａ）
に固着され、アイランド（２ａ）は、平面的にみて半導
体発光素子（４）より大きな面積を有する。ターミナル
（３ａ）はアイランド配線導体（２）のアイランド（２
ａ）の側方から基板（１）の幅方向の中心軸（８）に対
してずれて配置され且つリング部（１１ａ）が環状に形
成されるため、基板（１）の長さを比較的小さくして、
半導体発光装置（１０）を小型化に製造することができ
る。リード細線（５）は、平面的に見てアイランド（２
ａ）の中心線（８）に対して傾斜し且つ前記リフレクタ
（１１）を跨越して半導体発光素子（４）とターミナル
（３ａ）との間に接続される。

【００１０】

【発明の実施の形態】次に、表面実装形の発光ダイオー
ド装置に適用した本発明による半導体発光装置の実施の
形態を図１〜図１７について説明する。図１〜図１７で
は図１８及び図１９に示す箇所と同一の部分には同一の
符号を付し、説明を省略する。

【００１１】図１〜図５に示すように、本実施の形態に
よる発光ダイオード装置（１０）は、半導体発光素子
（発光ダイオードチップ）４を包囲するリフレクタ（１
１）を絶縁性の基板（１）の一方の主面（１ａ）に形成
した点で図１８及び図１９に示す発光ダイオード装置と
相違する。長方形の平面形状を有する基板（１）は、樹
脂をガラス布に含浸させて成り、両主面が平坦な板材で
ある。アイランド配線導体（２）及びターミナル配線導
体（３）は、印刷技術によって母材の銅にニッケルと金
を順次メッキして形成される。アイランド配線導体
（２）は、基板（１）の一方の主面（上面）（１ａ）に
形成されたアイランド（２ａ）と、基板（１）の一方の
主面（１ａ）の一端から一方の側面（１ｃ）を通って基
板（１）の他方の主面（下面）（１ｂ）の一端まで形成
されたアイランド電極部（２ｂ）と、基板（１）の一方
の主面（１ａ）に形成され且つアイランド（２ａ）とア
イランド電極部（２ｂ）とを接続する幅狭のアイランド
配線部（２ｃ）とから構成される。

【００１２】ターミナル配線導体（３）は、基板（１）
の一方の主面（１ａ）に形成されたターミナル（３ａ）
と、基板（１）の一方の主面（１ａ）の他端から他方の
側面（１ｄ）を通って基板（１）の他方の主面（下面）
（１ｂ）の他端まで形成されたターミナル電極部（３
ｃ）と、基板（１）の一方の主面（１ａ）に形成され且
つターミナル（３ａ）とターミナル電極部（３ｃ）とを
接続するターミナル配線部（３ｂ）とから構成される。
アイランド電極部（２ｂ）とターミナル電極部（３ｃ）
は、それぞれ基板（１）の一方の主面（１ａ）に形成さ
れた表面電極部（２ｄ）（３ｄ）と、基板（１）の他方
の主面（１ｂ）に形成された裏面電極部（２ｅ）（３
ｅ）とを備えている。基板（１）の一方の主面（１ａ）
の全幅にわたって形成される表面電極部（２ｄ）（３
ｄ）の内端部（１３）（１４）は、基板（１）の全幅よ
り若干短かく、基板（１）の一対の側面（１ｅ）（１
ｆ）まで達しない。同様に、図５に示すように、基板
（１）の他方の主面（１ｂ）に形成された裏面電極部
（２ｅ）（３ｅ）の内端部（２ｆ)（３ｆ）は、基板
（１）の全幅より若干短かく、基板（１）の一対の側面
（１ｅ）（１ｆ）まで達しない。

【００１３】図１に示すように、基板（１）の略中央に
配置されたアイランド（２ａ）は、平面的にみて半導体
発光素子（４）より大きな面積を有し、ターミナル（３
ａ）はアイランド（２ａ）の側方から基板（１）の幅方
向の中心軸（８）からずれて配置される。このため、リ
ード細線（５）は、中心線（８）に対して傾斜して半導
体発光素子（４）とターミナル（３ａ）との間に接続さ
れる。本実施の形態では、ターミナル（３ａ）が中心軸
（８）からずれて配置され且つリング部（１１ａ）が環
状に形成されるため、基板（１）の長手方向の長さを比
較的小さくして、発光ダイオード装置（１０）を小型に
製造することができる。

【００１４】半導体発光素子（４）はガリウム砒素（Ｇ
ａＡｓ）、ガリウム燐（ＧａＰ）、ガリウムアルミニウ
ム砒素（ＧａＡｌＡｓ）等のガリウム系化合物半導体素
子である。半導体発光素子（４）の底面に形成された図
示しない底部電極は、導電性接着剤によってアイランド
（２ａ）のほぼ中央に固着される。また、半導体発光素
子（４）の上面に形成された図示しない上部電極は、ワ
イヤボンディング方法によって形成されたリード細線
（５）によってターミナル（３ａ）に接続される。リー
ド細線（５）は、リフレクタ（１１）の上方を跨って形
成される。

【００１５】リフレクタ（１１）は、図６に示すよう
に、リング部（１１ａ）と、リング部（１１ａ）の外周
面の両端に設けられたフランジ部（１１ｂ）とを有し、
白色粉末を配合した液晶ポリマーやＡＢＳ樹脂等により
構成される。リング部（１１ａ）の内周面に設けられた
上方に向かって拡径する円錐面、球面、放物面若しくは
これらに近似する面又はこれらの組合せから成る面の傾
斜面（１１ｃ）の下縁部は、図１に示すように、アイラ
ンド（２ａ）の内側に配置される。傾斜面（１１ｃ）の
内側に配置された半導体発光素子（４）はリング部（１
１ａ）によって包囲される。リング部（１１ａ）の高さ
は、半導体発光素子（４）の高さよりも大きい。また、
図３に示すように、リング部（１１ａ）はアイランド
（２ａ）の外周側とアイランド配線部（２ｃ）及びター
ミナル（３ａ）の一部に重なる直径を有する。リフレク
タ（１１）のフランジ部（１１ｂ）はリング部（１１
ａ）の両端から側面（１ｅ）（１ｆ）まで基板（１）の
短手方向に延伸する。後述のように、リフレクタ（１
１）は、リフレクタ（１１）の形状に対して相補的形状
を有する成形金型の成形空所（キャビティ）内に溶融し
た熱可塑性の液状樹脂を流し込みこれを冷却するインサ
ート成形法によって形成するため、リフレクタ（１１）
を構成する樹脂が冷却するときに、接着剤等を使用せず
に基板（１）の一方の主面（１ａ）に良好に固着するこ
とができる。

【００１６】樹脂封止体（６）は、基板（１）の一対の
側面（１ｃ）（１ｄ）に対して一定角度傾斜し且つ電極
部（２ｄ）（３ｄ）より内側に配置された一対の傾斜面
（６ａ）（６ｂ）と、基板（１）の一対の側面（１ｅ）
（１ｆ）と略同一平面を形成する一対の直立面（６ｃ）
（６ｄ）と、一対の直立面（６ｃ）（６ｄ）の間で直立
面（６ｃ）（６ｄ）に対して略直角な平面に形成された
上面（６ｅ）とを有する。図１に示すように、樹脂封止
体（６）は、アイランド（２ａ）、ターミナル（３
ａ）、アイランド配線部（２ｃ）とターミナル配線部
（３ｂ）の内側部分、リフレクタ（１１）、半導体発光
素子（４）及びリード細線（５）を被覆するが、一対の
電極部（２ｄ）（３ｄ）及び配線導体（２ｃ）とターミ
ナル配線部（３ｂ）の外側部分は樹脂封止体（６）から
露出する。リフレクタ（１１）の一対のフランジ部（１
１ｂ）の外端面（１１ｄ）は、基板（１）の一対の側面
（１ｅ）（１ｆ）の延長線上にある樹脂封止体（６）の
直立面（６ｃ）（６ｄ）から露出する。

【００１７】本発明による発光ダイオード装置（１０）
を製造する際に、まず図７に示す基板組立体（１２）を
用意する。図７及び図８に示すように、基板組立体（１
２）は、互いに並行に複数の細長い貫通孔（１６）が形
成された例えば樹脂をガラス布に含浸させて成る板状の
絶縁性の基板材料（１３）と、各貫通孔（１６）の一方
の側に隣接する基板材料（１３）上に形成されたアイラ
ンド導体列（１４）と、各貫通孔（１６）の他方の側に
隣接する基板材料（１３）上に形成されたターミナル導
体列（１５）とから構成される。本実施例では１枚の基
板材料（１３）から約５００個の発光ダイオード装置
（１０）を得ることができる。貫通孔（１６）は、基板
材料（１３）の一方の主面（１３ａ）から他方の主面
（１３ｂ）に向かって貫通し、基板材料（１３）の第３
の側面（１３ｄ）及び第４の側面（図示せず）に平行
に、基板材料（１３）の第１の側面（１３ｃ）から第１
の側面（１３ｃ）に平行な第２の側面（図示せず）に向
かって延伸する。図７に示すように、基板材料（１３）
の一方の主面（１３ａ）の隣合う貫通孔（１６）の間に
アイランド導体列（１４）とターミナル導体列（１５）
とが対向して形成される。尚、本実施の形態では貫通孔
（１６）を細長い長穴形状としたが、複数の円形状の貫
通孔（スルーホール）によって構成してもよい。

【００１８】アイランド導体列（１４）は、基板材料
（１３）の一方の主面（１３ａ）上に形成され相対的に
幅広に形成され且つ略四角形の平面形状を有するアイラ
ンド（１４ａ）と、基板材料（１３）の一方の主面（１
３ａ）から貫通孔（１６）の側面を通って基板材料（１
３）の他方の主面（１３ｂ）まで形成されたアイランド
電極部（１４ｂ）と、基板材料（１３）の一方の主面
（１３ａ）に形成され且つアイランド（１４ａ）とアイ
ランド電極部（１４ｂ）とを接続する相対的に幅狭のア
イランド配線部（１４ｃ）とから構成される。アイラン
ド（１４ａ）、アイランド配線部（１４ｃ）及びアイラ
ンド電極部（１４ｂ）は、完成した図１及び図３に示す
発光ダイオード装置（１０）のアイランド（２ａ）、ア
イランド配線部（２ｃ）及びアイランド電極部（２ｂ）
となる。

【００１９】ターミナル導体列（１５）は、基板材料
（１３）の一方の主面（１３ａ）上に形成され且つ相対
的に幅広で略四角形の平面形状を有するターミナル（１
５ａ）と、基板材料（１３）の一方の主面（１３ａ）か
ら貫通孔（１６）の側面を通って基板材料（１３）の他
方の主面（１３ｂ）まで形成されたターミナル電極部
（１５ｂ）と、基板材料（１３）の一方の主面（１３
ａ）に形成され且つターミナル（１５ａ）とターミナル
電極部（１５ｂ）とを接続する相対的に幅狭のターミナ
ル配線部（１５ｃ）とから構成される。ターミナル（１
５ａ）、ターミナル配線部（１５ｃ）及びターミナル電
極部（１５ｂ）は、完成した図１及び図３に示す発光ダ
イオード装置（１０）のターミナル（３ａ）、ターミナ
ル配線部（３ｂ）及びターミナル電極部（３ｃ）とな
る。

【００２０】アイランド（１４ａ）は隣り合う一対の貫
通孔（１６）の略中間で基板材料（１３）上に形成さ
れ、ターミナル（１５ａ）は、アイランド（１４ａ）及
びアイランド配線部（１４ｃ）の中心線の片側にずれて
形成される。アイランド電極部（１４ｂ）とターミナル
電極部（１５ｂ）は、基板材料（１３）の一方の主面か
ら貫通孔（１６）の側壁を通って基板材料（１３）の他
方の主面まで延伸し、貫通孔（１６）の側壁ではアイラ
ンド電極部（１４ｂ）とターミナル電極部（１５ｂ）は
連続し、アイランド導体列（１４）とターミナル導体列
（１５）とは一体となる。

【００２１】次に、図９に示すインサート成形に使用す
る成型用金型（１７）に基板組立体（１２）を装着す
る。成型用金型（１７）は、凹部（１８ａ）が形成され
た上型（１８）と下型（１９）とから構成され、上型
（１８）と下型（１９）の一方は可動型となり、他方は
固定型となる。上型（１８）と下型（１９）とを閉じる
と、成型用金型（１７）内には凹部（１８ａ）によって
基板材料（１３）のアイランド（１４ａ）と同数のキャ
ビティ（成形空所）（２０）が形成される。各キャビテ
ィ（２０）は、リフレクタ（１１）と相補的形状を有す
る複数のリフレクタ形成部（２０ａ）と、隣合うリフレ
クタ形成部（２０ａ）を繋ぐ複数の連繋部（２０ｂ）と
を有し、キャビティ（２０）の上面に連絡する各１個の
ゲート（樹脂注入口）（２１）が上型（１８）に形成さ
れる。

【００２２】基板材料（１３）にリフレクタ（１１）を
インサート形成するとき、図９に示すように成型用金型
（１７）の上型（１８）と下型（１９）との間に基板材
料（１３）を挟持して成型用金型（１７）内に配置す
る。このとき、基板材料（１３）の一方の主面（１３
ａ）と上型（１８）の凹部（１８ａ）との間にキャビテ
ィ（２０）が形成され、基板材料（１３）の一方の主面
（１３ａ）に設けられたアイランド（１４ａ）は上型
（１８）に形成された円錐状の突起（１８ｂ）の底面に
当接する。しかしながら、ゲート（２１）に対向するア
イランド（１４ａ）の上部には、キャビティ（２０）内
に樹脂を円滑に注入できるように円錐状の突起（１８
ｂ）を設けることができないため、リフレクタ（１１）
は形成されず、アイランド（１４ａ）は樹脂によって完
全に被覆される。

【００２３】次に、ゲート（２１）を通じてキャビティ
（２０）内に流動性の樹脂を注入する。キャビティ（２
０）内に注入された流動性の樹脂は、成型用金型（１
７）内で所定温度以上に加熱された後に冷却されて硬化
し、基板材料（１３）の一方の主面（１３ａ）に密着す
る。これによって、図１０及び図１１に示すように、キ
ャビティ（２０）内の樹脂が硬化して基板材料（１３）
の一方の主面（１３ａ）上で隣接するアイランド（１４
ａ）に沿ってアイランド配線部（１４ｃ）及びターミナ
ル配線部（１５ｃ）に対して略直角に多数のリフレクタ
アレイ（２２）を同時に形成することができる。基板材
料（１３）の各アイランド（１４ａ）に対応してリフレ
クタ（１１）が形成され、貫通孔（１６）の長さ方向に
隣接するリフレクタ（１１）が連結部（２３）によって
互いに連結されてリフレクタアレイ（２２）が形成され
るが、連結部（２３）の幅は、リフレクタ（１１）の径
より小さい。

【００２４】図１０に示すように、リフレクタ（１１）
は傾斜面（１１ｃ）が形成された内壁を有する円環状の
平面形状を有する。リフレクタアレイ（２２）は、アイ
ランド（１４ａ）の外周側とターミナル（１５ａ）の先
端部を被覆するが、アイランド（１４ａ）の中央部とタ
ーミナル配線部（１５ｃ）の大部分はリフレクタアレイ
（２２）によって被覆されず露出する。尚、本実施の形
態では熱可遡性樹脂を使用したインサート成形によって
リフレクタアレイ（２２）を形成したが、エポチシ系樹
脂等の熱硬化性樹脂を使用したインサート成形（トラン
スファモールド成形）によって形成してもよい。

【００２５】続いて、図１１及び図１２に示すように、
リフレクタ（１１）内に露出するアイランド（１４ａ）
に半導体発光素子（４）を周知のダイボンディング方法
により固着し、ワイヤボンディング方法を使用して半導
体発光素子（４）の上面に形成された電極（図示せず）
とターミナル（１５ａ）との間にリード細線（５）を接
続するため、リード細線（５）はリフレクタ（１１）の
上方を通って半導体発光素子（４）の上面の電極とター
ミナル（１５ａ）との間を電気的に接続する。本実施の
形態では、リフレクタ（１１）の高さを半導体発光素子
（４）の高さより大きくしたが、両高さをほぼ同等又は
リフレクタアレイ（２２）の高さを半導体発光素子
（４）より若干低くしてもよい。

【００２６】その後、図１３に示すように、上型（２
４）と下型（２５）から構成されるトランスファモール
ド用の成形金型（２６）を用意して、上型（２４）と下
型（２５）との間にリフレクタアレイ（２２）を形成し
た基板材料（１３）を挟持する。上型（２４）と下型
（２５）とを閉じると、上型（２４）の凹部（２４ａ）
と基板材料（１３）の一方の主面（１３ａ）との間に樹
脂封止アレイ（３０）と相補的形状を有するキャビティ
（２８）が成形金型（２６）内に設けられ、凹部（２４
ａ）の端部にはゲート（２９）に連絡するランナ（２
７）が形成される。周知のトランスファモールド方法に
よってランナ（２７）及び複数のゲート（２９）を通じ
てキャビティ（２８）内に流動化した樹脂を押圧注入す
ると、キャビティ（２８）内に注入された樹脂は、所定
温度以上に加熱されて硬化し、図１４〜図１６に示す光
透過性の複数の樹脂封止アレイ（３０）が基板材料（１
３）の一方の主面（１３ａ）に形成される。

【００２７】図１４に示すように、樹脂封止アレイ（３
０）は基板材料（１３）のアイランド（１４ａ）に対応
してうね状に形成され、各樹脂封止アレイ（３０）はリ
フレクタアレイ（２２）を被覆する。最後に、図１４に
示すように、基板材料（１３）と樹脂封止アレイ（３
０）と連結部（２３）とを平面的に見て線（Ｌ_１）に直
交する線（Ｌ_２）に沿って隣合うリフレクタ（１１）の
間の位置で切断する。これによって、図１〜図５に示す
個別化した発光ダイオード装置（１０）が得られる。

【００２８】本実施例の発光ダイオード装置（１０）で
は下記の効果が得られる。 半導体発光素子（４）から側方に照射される光をリ
フレクタ（１１）の傾斜面（１１ｃ）によって上方に反
射するので、樹脂封止体（６）の上方向かう光量を従来
例に比べて増加して高輝度に光を取り出すことができ
る。 基板（１）の長さを減少して、発光装置の小型化を
図ることができる。 基板（１）に対して良好に密着する樹脂封止体
（６）によってリフレクタ（１１）を基板（１）に押圧
するので、リフレクタ（１１）が基板（１）に良好に密
着し、両界面を通る水分等の異物の侵入を防止すること
ができる。 リフレクタ（１１）を備えた複数素子をインサート
成形によって同時に形成できるので、高輝度の半導体発
光素子を生産性良く得ることができる。

【００２９】

【発明の効果】前記のように、本発明では、絶縁性基板
の上面にリフレクタを配置して樹脂封止体の上面から高
輝度に発光する半導体発光装置が得られ、半導体発光装
置を低コストでかつ生産性よく製造できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 発光ダイオード装置に適用した本発明による
半導体発光装置の斜視図

【図２】 本発明による半導体発光装置の断面図

【図３】 本発明による半導体発光装置の平面図

【図４】 本発明による半導体発光装置の側面図

【図５】 本発明による半導体発光装置の底面図

【図６】 リフレクタの斜視図

【図７】 本発明による半導体発光装置の製造に使用す
る基板材料の平面図

【図８】 図７のVII−VII線に沿う断面図

【図９】 基板材料を成型用金型に装着した状態を示す
断面図

【図１０】 複数のリフレクタアレイを形成した基板材
料の断面図

【図１１】 ダイボンディング及びワイヤボンディング
を施した基板材料の平面図

【図１２】 図１１のXI−XI線に沿う断面図

【図１３】 基板材料を更に成形金型に装着した状態を
示す断面図

【図１４】 封止樹脂アレイを形成した基板材料の断面
図

【図１５】 図１４のXIV−XIV線に沿う断面図

【図１６】 図１４の側面図

【図１７】 本発明による半導体発光装置の他の実施の
形態を示す斜視図

【図１８】 従来の半導体発光装置の斜視図

【図１９】 従来の半導体発光装置の側面図

【符号の説明】

（１）・・基板、 （１ａ）・・一方の主面、 （１
ｂ）・・他方の主面、（１ｃ）・・側面、 （１ｅ）
（１ｆ）・・側面、 （２）・・アイランド配線導体、
（２ａ）・・アイランド、 （２ｂ）・・アイランド
電極部、 （２ｃ）・・アイランド配線部、 （２ｄ）
・・表面電極部、 （２ｅ）・・裏面電極部、 （３）
・・ターミナル配線導体、 （３ａ）・・ターミナル、
（３ｂ）・・ターミナル配線部、 （３ｃ）・・ター
ミナル電極部、 （３ｄ）・・表面電極部、 （３ｅ）
・・裏面電極部、 （４）・・半導体発光素子、
（５）・・リード細線、 （６）・・樹脂封止体、
（８）・・中心軸、 （１０）・・発光ダイオード装置
（半導体発光装置）、 （１１）・・リフレクタ、
（１１ａ）・・リング部、 （１１ｂ）・・フランジ
部、 （１１ｃ）・・傾斜面、（１２）・・基板組立
体、 （１３）・・基板材料、 （１３ａ）・・一方の
主面、 （１３ｂ）・・他方の主面、 （１３ｃ）・・
第１の側面、 （１３ｄ）・・第３の側面、 （１４）
・・アイランド導体列、 （１４ａ）・・アイランド、
（１４ｂ）・・アイランド電極部、 （１４ｃ）・・
アイランド配線部、（１５）・・ターミナル導体列、
（１５ａ）・・ターミナル、 （１５ｂ）・・ターミナ
ル電極部、 （１５ｃ）・・ターミナル配線部、 （１
６）・・貫通孔、 （１７）・・成型用金型、 （１
８）・・上型、 （１８ａ）・・凹部、 （１８ｂ）・
・突起、 （１９）・・下型、 （２０）・・キャビテ
ィ、（２０ａ）・・リフレクタ形成部、 （２０ｂ）・
・連繋部、 （２１）・・ゲート、 （２２）・・リフ
レクタアレイ、 （２３）・・連結部、 （２６）・・
成形金型、 （２８）・・キャビティ、 （３０）・・
樹脂封止アレイ、 （Ｌ_１）（Ｌ_２）・・線、

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一方の主面（１ａ）にアイランド配線導
   体（２）とターミナル配線導体（３）とを個別に形成し
   た絶縁性の基板（１）と、前記アイランド配線導体
   （２）上に固着された半導体発光素子（４）と、該半導
   体発光素子（４）に形成された電極と前記ターミナル配
   線導体（３）とを接続するリード細線（５）と、前記基
   板（１）の一方の主面（１ａ）のアイランド配線導体
   （２）及びターミナル配線導体（３）の一部、半導体発
   光素子（４）及びリード細線（５）を被覆する光透過性
   又は透明の樹脂封止体（６）とを有する半導体発光装置
   において、前記半導体発光素子（４）を包囲し且つ前記
   半導体発光素子（４）から照射された光を前記樹脂封止
   体（６）側に反射する傾斜面（１１ｃ）を有するリフレ
   クタ（１１）を前記基板（１）の一方の主面（１ａ）に
   固着し、前記リフレクタ（１１）を前記樹脂封止体
   （６）内に埋設したことを特徴とする半導体発光装置。
2. 【請求項２】 前記リフレクタ（１１）はリング部（１
   １ａ）と、該リング部（１１ａ）の外周面の両端に設け
   られたフランジ部（１１ｂ）とを有する請求項１に記載
   の半導体発光装置。
3. 【請求項３】 前記リフレクタ（１１）のフランジ部
   （１１ｂ）は前記リング部（１１ａ）の両端から前記基
   板（１）の側面（１ｅ）（１ｆ）まで前記基板（１）の
   幅方向に延伸する請求項１に記載の半導体発光装置。
4. 【請求項４】 前記リング部（１１ａ）の高さは、前記
   半導体発光素子（４）の高さよりも大きい請求項２に記
   載の半導体発光装置。
5. 【請求項５】 前記リフレクタ（１１）は白色粉末を配
   合した熱可遡性樹脂又は熱硬化性樹脂から成る請求項１
   に記載の半導体発光装置。
6. 【請求項６】 前記傾斜面（１１ｃ）は、前記樹脂封止
   体（６）に向かって拡径する円錐面、球面、放物面若し
   くはこれらの近似面又はこれらの組合せ面に形成され、
   前記傾斜面（１１ｃ）の内側に配置された前記半導体発
   光素子（４）は前記傾斜面（１１ｃ）によって包囲され
   る請求項１に記載の半導体発光装置。
7. 【請求項７】 前記アイランド配線導体（２）は、前記
   基板（１）の一方の主面（１ａ）に形成されたアイラン
   ド（２ａ）と、前記基板（１）の一方の主面（１ａ）の
   一端から一方の側面（１ｃ）を通って前記基板（１）の
   他方の主面（１ｂ）の一端まで形成されたアイランド電
   極部（２ｂ）と、前記基板（１）の一方の主面（１ａ）
   に形成され且つアイランド（２ａ）とアイランド電極部
   （２ｂ）とを接続する幅狭のアイランド配線部（２ｃ）
   とから構成される請求項１に記載の半導体発光装置。
8. 【請求項８】 前記ターミナル配線導体（３）は、前記
   基板（１）の一方の主面（１ａ）に形成されたターミナ
   ル（３ａ）と、前記基板（１）の一方の主面（１ａ）の
   他端から他方の側面（１ｃ）を通って前記基板（１）の
   他方の主面（１ｂ）の他端まで形成されたターミナル電
   極部（３ｃ）と、前記基板（１）の一方の主面（１ａ）
   に形成され且つ前記ターミナル（３ａ）とターミナル電
   極部（３ｃ）とを接続するターミナル配線部（３ｂ）と
   から構成される請求項１に記載の半導体発光装置。
9. 【請求項９】 前記傾斜面（１１ｃ）の下縁部は、前記
   アイランド配線導体（２）のアイランド（２ａ）の内側
   に配置される請求項７に記載の半導体発光装置。
10. 【請求項１０】 前記リフレクタ（１１）はリング部
    （１１ａ）と、該リング部（１１ａ）の外周面の両端に
    設けられたフランジ部（１１ｂ）とを有し、前記リング
    部（１１ａ）は、前記アイランド配線導体（２）のアイ
    ランド（２ａ）の外周側とアイランド配線部（２ｃ）及
    びターミナル（３ａ）の一部に重なる直径を有する請求
    項７に記載の半導体発光装置。
11. 【請求項１１】 前記アイランド電極部（２ｂ）は、前
    記基板（１）の一方の主面（１ａ）に形成された表面電
    極部（２ｄ）と、前記基板（１）の他方の主面（１ｂ）
    に形成された裏面電極部（２ｅ）とを備えた請求項７に
    記載の半導体発光装置。
12. 【請求項１２】 前記ターミナル電極部（３ｃ）は、前
    記基板（１）の一方の主面（１ａ）に形成された表面電
    極部（３ｄ）と、前記基板（１）の他方の主面（１ｂ）
    に形成された裏面電極部（３ｅ）とを備えた請求項８に
    記載の半導体発光装置。
13. 【請求項１３】 前記半導体発光素子（４）は、前記基
    板（１）の略中央に配置された前記アイランド配線導体
    （２）のアイランド（２ａ）に固着され、前記アイラン
    ド（２ａ）は、平面的にみて前記半導体発光素子（４）
    より大きい面積を有する請求項５に記載の半導体発光装
    置。
14. 【請求項１４】 前記ターミナル（３ａ）は前記アイラ
    ンド配線導体（２）のアイランド（２ａ）の側方から前
    記基板（１）の幅方向の中心軸（８）に対してずれて配
    置される請求項６に記載の半導体発光装置。
15. 【請求項１５】 前記リード細線（５）は、平面的に見
    て前記アイランド（２ａ）の中心線（８）に対し傾斜し
    且つ前記リフレクタ（１１）を跨越して前記半導体発光
    素子（４）と前記ターミナル（３ａ）との間に接続され
    る請求項５に記載の半導体発光装置。