JPH08242020A - 発光ダイオードの実装構造 - Google Patents

発光ダイオードの実装構造

Info

Publication number
JPH08242020A
JPH08242020A JP7045555A JP4555595A JPH08242020A JP H08242020 A JPH08242020 A JP H08242020A JP 7045555 A JP7045555 A JP 7045555A JP 4555595 A JP4555595 A JP 4555595A JP H08242020 A JPH08242020 A JP H08242020A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
emitting diode
light emitting
metal circuit
circuit substrate
recessed part
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7045555A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Kamio
尚 神尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seikosha KK
Original Assignee
Seikosha KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seikosha KK filed Critical Seikosha KK
Priority to JP7045555A priority Critical patent/JPH08242020A/ja
Publication of JPH08242020A publication Critical patent/JPH08242020A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 発光ダイオードの発する光を安定して反射で
き、実装作業が容易にできる発光ダイオードの実装構造
を提供する。 【構成】 金属回路基板２の表面には、側面が傾斜面と
なった凹部３が設けてあり、金属回路基板２の表面に
は、凹部３に到達する配線パターン４が絶縁層５を介し
て設けてあり、凹部３には、配線パターン４と接続され
た発光ダイオードチップ１が実装してあり、絶縁層５
は、配線パターン４に対応する部分に形成され、残余部
分からは金属回路基板２の地肌が露見しており、地肌が
露見した傾斜面が発光ダイオードチップ１から発せられ
る光の反射面となっており、凹部３には、発光ダイオー
ドチップ１を保護するポッティング樹脂７が充填されて
いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、カメラのオートフォー
カスをはじめとして光学的距離測定などに利用されてい
る発光ダイオードを実装する構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の発光ダイオードの実装構造として
は、図２（ａ）、（ｂ）に示すような構造が挙げられ
る。すなわち、回路基板に実装するリードフレーム５１
上に側面が傾斜面となっている凹部５１ａを形成し、凹
部５１ａ内に発光ダイオード５２をダイボンディングし
て、並設されている配線パターン５３にリード線５４に
て結線し、そして、リードフレーム５１の両端は回路基
板に実装するための端子として残しておいて、発光ダイ
オード５２をモールド材５５でモールドするという構造
である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のものは、リード
フレームに反射面を設けているため反射面の角度に安定
性がなく、さらに、発光ダイオードの周囲をモールド材
でモールドするために特別なモールド型を必要とし、ま
た、その作業は極めて煩雑であるという問題点を有して
いた。
【０００４】そこで本発明の目的は、発光ダイオードの
発する光を安定して反射でき、実装作業が容易にできる
発光ダイオードの実装構造を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、金属回路基板の表面には、側面が傾斜
面となった凹部が設けてあり、金属回路基板の表面に
は、凹部に到達する配線パターンが絶縁層を介して設け
てあり、凹部には、配線パターンと接続された発光ダイ
オードチップが実装してあり、絶縁層は、配線パターン
に対応する部分に形成され、残余部分からは金属回路基
板の地肌が露見しており、地肌が露見した傾斜面が発光
ダイオードチップから発せられる光の反射面となってお
り、凹部には、発光ダイオードチップを保護するポッテ
ィング樹脂が充填されている。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の詳細を添付図面に示した好適
な実施例にそって説明する。
【０００７】図１に本発明の発光ダイオード１の実装構
造を示す。金属回路基板２には側面が傾斜面となった凹
部３が設けられている。金属回路基板２の表面には、一
方が凹部３の底部３ａまで、もう一方が凹部３の周囲に
形成された棚部３ｂまで到達する配線パターン４ａ、４
ｂが絶縁層５を介して設けてある。棚部３ｂはボンディ
ングを容易にするために部分的に水平面にしてある。配
線パターン４ａ、４ｂの設けられていない表面には絶縁
層５は設けられておらず、金属回路基板２の地肌３ｃが
露見して反射面を形成している。凹部３の底面３ａには
発光ダイオードチップ１が実装され、棚部３ｂの配線パ
ターン４ｂにボンディングワイヤ６にて結線されてい
る。そして、凹部３にはポッティング樹脂７が充填され
ていて、発光ダイオードチップ１は保護されている。な
お、ポッティング樹脂７の表面が上端開口部で水平にな
るようにポッティング樹脂７は充填されている。
【０００８】本実施例によれば、発光ダイオード１を実
装する凹部は側面が傾斜面となった金属回路基板２に設
けてあるから、反射面が金属回路基板の金属地肌で形成
されていて発光ダイオード１の発する光が安定して反射
され、照射効率が高くなる。さらに、金属回路基板の表
面の凹部に充填するポッティング樹脂の表面を平面にす
ることにより、距離測定に誤差が生じにくくなる。
【０００９】
【発明の効果】本発明の構成によれば、発光ダイオード
の発光する光は安定して反射され、実装作業は容易に行
なわれる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の発光ダイオードの実装構造を示す図で
あり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図２】従来の発光ダイオードの実装構造を示す図であ
り、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【符号の説明】
１ 発光ダイオードチップ ２ 金属回路基板 ３ 凹部 ４ 配線パターン ５ 絶縁層 ７ ポッティング樹脂

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 金属回路基板の表面には、側面が傾斜面
    となった凹部が設けてあり、 上記金属回路基板の表面には、上記凹部に到達する配線
    パターンが絶縁層を介して設けてあり、 上記凹部には、上記配線パターンと接続された発光ダイ
    オードチップが実装してあり、 上記絶縁層は、上記配線パターンに対応する部分に形成
    され、残余部分からは上記金属回路基板の地肌が露見し
    ており、 地肌が露見した上記傾斜面が上記発光ダイオードチップ
    から発せられる光の反射面となっており、 上記凹部には、上記発光ダイオードチップを保護するポ
    ッティング樹脂が充填されていることを特徴とする発光
    ダイオードの実装構造。
JP7045555A 1995-03-06 1995-03-06 発光ダイオードの実装構造 Pending JPH08242020A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7045555A JPH08242020A (ja) 1995-03-06 1995-03-06 発光ダイオードの実装構造

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7045555A JPH08242020A (ja) 1995-03-06 1995-03-06 発光ダイオードの実装構造

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08242020A true JPH08242020A (ja) 1996-09-17

Family

ID=12722615

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7045555A Pending JPH08242020A (ja) 1995-03-06 1995-03-06 発光ダイオードの実装構造

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH08242020A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006179520A (ja) * 2004-12-20 2006-07-06 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置
KR100757826B1 (ko) * 2006-09-29 2007-09-11 서울반도체 주식회사 측면 발광 다이오드 패키지
JP2007294966A (ja) * 2006-04-21 2007-11-08 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 多層反射面構造を有するｌｅｄパッケージ及びその製造方法
US8083372B2 (en) * 2008-04-25 2011-12-27 Epson Imaging Devices Corporation Illumination system, electro-optic device, and electronic apparatus
CN102708761A (zh) * 2012-06-14 2012-10-03 广东威创视讯科技股份有限公司 一种消除背投拼接墙拼缝的装置
KR101279998B1 (ko) * 2012-11-07 2013-07-05 김영석 고방열 ｃｏｂ ｌｅｄ 패키지
JP2015099948A (ja) * 2015-03-02 2015-05-28 ローム株式会社 発光装置、発光装置の製造方法、および光学装置

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4591071B2 (ja) * 2004-12-20 2010-12-01 日亜化学工業株式会社 半導体装置
JP2006179520A (ja) * 2004-12-20 2006-07-06 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置
JP2007294966A (ja) * 2006-04-21 2007-11-08 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 多層反射面構造を有するｌｅｄパッケージ及びその製造方法
US20090227050A1 (en) * 2006-04-21 2009-09-10 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light emitting diode package having multi-stepped reflecting surface structure and fabrication method thereof
US8586128B2 (en) * 2006-04-21 2013-11-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode package having multi-stepped reflecting surface structure and fabrication method thereof
US8373180B2 (en) 2006-09-29 2013-02-12 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
KR100757826B1 (ko) * 2006-09-29 2007-09-11 서울반도체 주식회사 측면 발광 다이오드 패키지
WO2008038978A1 (en) * 2006-09-29 2008-04-03 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
US8083372B2 (en) * 2008-04-25 2011-12-27 Epson Imaging Devices Corporation Illumination system, electro-optic device, and electronic apparatus
US8833957B2 (en) 2008-04-25 2014-09-16 Epson Imaging Devices Corporation Illumination system, electro-optic device, and electronic apparatus
CN102708761A (zh) * 2012-06-14 2012-10-03 广东威创视讯科技股份有限公司 一种消除背投拼接墙拼缝的装置
KR101279998B1 (ko) * 2012-11-07 2013-07-05 김영석 고방열 ｃｏｂ ｌｅｄ 패키지
JP2015099948A (ja) * 2015-03-02 2015-05-28 ローム株式会社 発光装置、発光装置の製造方法、および光学装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7247940B2 (en) Optoelectronic device with patterned-metallized package body, method for producing such a device and method for the patterned metallization of a plastic-containing body
US7833811B2 (en) Side-emitting LED package and method of manufacturing the same
JP4174823B2 (ja) 半導体発光装置
US7368329B2 (en) Diode housing
US6252252B1 (en) Optical semiconductor device and optical semiconductor module equipped with the same
US6995405B2 (en) Illuminator
TWI497746B (zh) 發光二極體封裝及其製造方法
US7718451B2 (en) Method for producing an optoelectronic device with patterned-metallized package body and method for the patterned metalization of a plastic-containing body
US20130037845A1 (en) Lead frame, and light emitting diode module having the same
JP2004363533A (ja) 発光ダイオード素子の製造方法
JP2008147203A (ja) 半導体発光装置
JPH11340517A (ja) 半導体発光装置
US6878972B2 (en) Light-emitting diode with plastic reflector cup
JPH11317545A (ja) ２レベル射出成形リ―ドフレ―ム
JPH08242020A (ja) 発光ダイオードの実装構造
JPH0555636A (ja) 半導体発光装置の製造方法
JP3790199B2 (ja) 光半導体装置及び光半導体モジュール
JP2535786Y2 (ja) 発光表示装置
KR101322454B1 (ko) 발광 다이오드 패키지
JP2921451B2 (ja) 半導体発光モジュール
JPH05145121A (ja) 発光ダイオードの実装構造
KR20050090872A (ko) 반도체 발광 소자 패키지
JP2006148169A (ja) 光半導体モジュール
KR100638807B1 (ko) 발광소자 패키지
JPH04107861U (ja) 発光表示装置