JP2001267472A - チップタイプの小型半導体装置 - Google Patents
チップタイプの小型半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 チップタイプの小型半導体装置の電極位置等
を容易に識別できるようにしたものである。 【解決手段】 本発明は半導体チップ１２を半導体チッ
プ搭載基板１１に取り付け、この半導体チップ１２を合
成樹脂によりモールドしパッケージ１５としたチップタ
イプの小型半導体装置２０において、モールド部１５の
上部にテーパ部２３等を形成し、電極の位置を容易に確
認できるようにしたものである。
を容易に識別できるようにしたものである。 【解決手段】 本発明は半導体チップ１２を半導体チッ
プ搭載基板１１に取り付け、この半導体チップ１２を合
成樹脂によりモールドしパッケージ１５としたチップタ
イプの小型半導体装置２０において、モールド部１５の
上部にテーパ部２３等を形成し、電極の位置を容易に確
認できるようにしたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はチップタイプの小型
半導体装置に係り、特に、電極、ピン等の位置、方向を
正確に識別できるようにしたチップタイプの小型半導体
装置に関する。
半導体装置に係り、特に、電極、ピン等の位置、方向を
正確に識別できるようにしたチップタイプの小型半導体
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】チップ
タイプの小型半導体装置１０を製造するには図１１に示
すように５０mm×２５mmの大きさのセラミック、ガラス
エポキシ、ポリイミド等の半導体チップ搭載基板１１が
備えられる。
タイプの小型半導体装置１０を製造するには図１１に示
すように５０mm×２５mmの大きさのセラミック、ガラス
エポキシ、ポリイミド等の半導体チップ搭載基板１１が
備えられる。
【０００３】この半導体チップ搭載基板１１の上面には
図１２に示すように銀ペースト、金シリコン共晶等で半
導体チップ１２がマウントされる。
図１２に示すように銀ペースト、金シリコン共晶等で半
導体チップ１２がマウントされる。
【０００４】この半導体チップ搭載基板１１と半導体チ
ップ１２とには直径が２０μmの金等のボンデ ィングワ
イヤー１３でボンディングされ、半導体チップ搭載基板
１１の図示しない電極配線、内部配線、ピン等との接続
をするようになっている。このようにして半導体チップ
搭載基板１１には２００個の半導体チップ１２が取り付
けられる。
ップ１２とには直径が２０μmの金等のボンデ ィングワ
イヤー１３でボンディングされ、半導体チップ搭載基板
１１の図示しない電極配線、内部配線、ピン等との接続
をするようになっている。このようにして半導体チップ
搭載基板１１には２００個の半導体チップ１２が取り付
けられる。
【０００５】半導体チップ１２を取り付けた半導体チッ
プ搭載基板１１の上部は図１３に示すように液状エポキ
シ樹脂１４が印刷技術により０．４mmの厚さにモールド
され、１５０℃で１時間熱処理するようになっている。
プ搭載基板１１の上部は図１３に示すように液状エポキ
シ樹脂１４が印刷技術により０．４mmの厚さにモールド
され、１５０℃で１時間熱処理するようになっている。
【０００６】その後ブレードダイシング技術により図１
４に示すように個別に切り離され、図１５に示すように
エポキシ樹脂１４によりモールドされた外形寸法０．８
mm×１．０m×０．６mmの角形モールド部１５のチップ
タイプの小型 半導体装置１０を製造するようになって
いる。
４に示すように個別に切り離され、図１５に示すように
エポキシ樹脂１４によりモールドされた外形寸法０．８
mm×１．０m×０．６mmの角形モールド部１５のチップ
タイプの小型 半導体装置１０を製造するようになって
いる。
【０００７】このチップタイプの小型半導体装置１０は
非常に小さいので上部からは半導体基板１１の電極、ピ
ン等の位置や方向等が識別できにくい。
非常に小さいので上部からは半導体基板１１の電極、ピ
ン等の位置や方向等が識別できにくい。
【０００８】そのため、この小型半導体装置１０を裏返
して電極位置や方向等を確かめたり拡大鏡等により確認
した後の製品テスト、取付作業が煩雑、かつ、面倒であ
ると言う問題があった。
して電極位置や方向等を確かめたり拡大鏡等により確認
した後の製品テスト、取付作業が煩雑、かつ、面倒であ
ると言う問題があった。
【０００９】そこで本発明は上記のような問題を解決す
るためにモールド部の上部にテーパ部を形成した位置決
め等が容易にできるようにしたチップタイプの小型半導
体装置を提供することを目的としたものである。
るためにモールド部の上部にテーパ部を形成した位置決
め等が容易にできるようにしたチップタイプの小型半導
体装置を提供することを目的としたものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１、２、３、４、
５の発明は半導体チップを半導体チップ搭載基板に取り
付け、この半導体チップを合成樹脂によりモールドしモ
ールド部としたチップタイプの小型半導体装置におい
て、モールド部の上部にテーパ部、ランド部を形成し、
電極位置を容易に確認できるようにしたものである。
５の発明は半導体チップを半導体チップ搭載基板に取り
付け、この半導体チップを合成樹脂によりモールドしモ
ールド部としたチップタイプの小型半導体装置におい
て、モールド部の上部にテーパ部、ランド部を形成し、
電極位置を容易に確認できるようにしたものである。
【００１１】また、請求項６の発明は半導体チップを半
導体チップ搭載基板に取り付け、この半導体チップを合
成樹脂によりモールド部したチップタイプの小型半導体
装置において、モールド部の上部に位置決め表示部を形
成し、電極の位置を容易に確認できるようにしたもので
ある。
導体チップ搭載基板に取り付け、この半導体チップを合
成樹脂によりモールド部したチップタイプの小型半導体
装置において、モールド部の上部に位置決め表示部を形
成し、電極の位置を容易に確認できるようにしたもので
ある。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下本発明チップタイプの小型半
導体装置の実施の形態を図１ないし図１０により説明す
る。
導体装置の実施の形態を図１ないし図１０により説明す
る。
【００１３】本発明チップタイプの小型半導体装置２０
は基本的には従来のチップタイプの小型半導体装置１０
とほぼ同様であるから従来のチップタイプの小型半導体
装置１０と同一部分は同一符号を付して本発明チップタ
イプの小型半導体装置２０について説明する。
は基本的には従来のチップタイプの小型半導体装置１０
とほぼ同様であるから従来のチップタイプの小型半導体
装置１０と同一部分は同一符号を付して本発明チップタ
イプの小型半導体装置２０について説明する。
【００１４】チップタイプの小型半導体装置２０を製造
するには図２に示すように５０mm×２５mmの大きさのセ
ラミック、ガラスエポキシ、ポリイミド等の半導体チッ
プ搭載基板１１が備えられる。
するには図２に示すように５０mm×２５mmの大きさのセ
ラミック、ガラスエポキシ、ポリイミド等の半導体チッ
プ搭載基板１１が備えられる。
【００１５】この半導体チップ搭載基板１１の上面には
図３に示すように銀ペースト、金シリコン共晶等のマウ
ント方法により、これに半導体チップ１２を取り付ける
ようになっている。
図３に示すように銀ペースト、金シリコン共晶等のマウ
ント方法により、これに半導体チップ１２を取り付ける
ようになっている。
【００１６】この半導体チップ搭載基板１１と半導体チ
ップ１２とには図４に示すように直径が２０μmの金線
等のボンディングワイヤー１３がボンディングされ、半
導体チップ搭載基板１１の図 示しない電極配線、内部
配線、ピン等と接続をするようになっている。
ップ１２とには図４に示すように直径が２０μmの金線
等のボンディングワイヤー１３がボンディングされ、半
導体チップ搭載基板１１の図 示しない電極配線、内部
配線、ピン等と接続をするようになっている。
【００１７】このようにして半導体チップ搭載基板１１
の上面には図６に示すように２００個の半導体チップ１
２が取り付けられる。
の上面には図６に示すように２００個の半導体チップ１
２が取り付けられる。
【００１８】半導体チップ１２を取り付けた半導体チッ
プ搭載基板１１の上部は図７に示すように液状エポキシ
樹脂１４が印刷技術により０．４mmの厚さにモールドさ
れ、１５０℃で１時間熱処理するようになっている。
プ搭載基板１１の上部は図７に示すように液状エポキシ
樹脂１４が印刷技術により０．４mmの厚さにモールドさ
れ、１５０℃で１時間熱処理するようになっている。
【００１９】この後ブレードダイシング技術により図８
に示すように個別に切り離され、外形０．８mm×１．０
mm×０．６mmのチップタイプの小型半導体装置２０を製
造するようになっている。
に示すように個別に切り離され、外形０．８mm×１．０
mm×０．６mmのチップタイプの小型半導体装置２０を製
造するようになっている。
【００２０】このチップタイプの小型半導体装置２０の
角形モールド部１５の一側面、例えば、前面側２１が図
９に示すように片くさび状のブレード２２によりテーパ
−カットされ、図１０、図１に示すように電極、ピン等
の位置や方向等を確認するテーパ部２３を形成するよう
になっている。
角形モールド部１５の一側面、例えば、前面側２１が図
９に示すように片くさび状のブレード２２によりテーパ
−カットされ、図１０、図１に示すように電極、ピン等
の位置や方向等を確認するテーパ部２３を形成するよう
になっている。
【００２１】これによりチップタイプの小型半導体装置
２０をわざわざ表裏を反転して確認することなく上部か
らの電極、ピン等の位置が正確、かつ、確実に確認する
ことができる。
２０をわざわざ表裏を反転して確認することなく上部か
らの電極、ピン等の位置が正確、かつ、確実に確認する
ことができる。
【００２２】そのため、チップタイプの小型半導体装置
２０の製品テスト、取付作業を確実、かつ、容易に行う
ことができる。
２０の製品テスト、取付作業を確実、かつ、容易に行う
ことができる。
【００２３】上記実施の形態では片くさび状のブレード
２２により角形モールド部１５をテーパ−カットしテー
パ部２３を形成したがこの角形モールド部１５を丸みを
もってラウンドカットしラウンド部を形成するようにし
てもよい。
２２により角形モールド部１５をテーパ−カットしテー
パ部２３を形成したがこの角形モールド部１５を丸みを
もってラウンドカットしラウンド部を形成するようにし
てもよい。
【００２４】さらに、テーパ部２３、ラウンド部は一個
のみならず複数個を形成してもよいその他モールド部１
５の上部に表示記号等を付すようにしても同様な効果を
得ることができる。
のみならず複数個を形成してもよいその他モールド部１
５の上部に表示記号等を付すようにしても同様な効果を
得ることができる。
【００２５】
【発明の効果】各請求項の発明は半導体チップを半導体
チップ搭載基板に取り付け、この半導体チップを合成樹
脂によりモールドしモールド部としたチップタイプの小
型半導体装置において、モールド部の上部にテーパ部、
ラウンド部、表示部等を形成し、電極配線の位置を容易
に確認できるようにしたものである。
チップ搭載基板に取り付け、この半導体チップを合成樹
脂によりモールドしモールド部としたチップタイプの小
型半導体装置において、モールド部の上部にテーパ部、
ラウンド部、表示部等を形成し、電極配線の位置を容易
に確認できるようにしたものである。
【図１】本発明チップタイプの小型半導体装置の概要を
示す斜視図。
示す斜視図。
【図２】本発明チップタイプの小型半導体装置の第１の
製造工程を示す説明図。
製造工程を示す説明図。
【図３】本発明チップタイプの小型半導体装置の第２の
製造工程を示す説明図。
製造工程を示す説明図。
【図４】本発明チップタイプの小型半導体装置の第３の
製造工程を示す説明図。
製造工程を示す説明図。
【図５】本発明チップタイプの小型半導体装置の第４の
製造工程を示す説明図。
製造工程を示す説明図。
【図６】本発明チップタイプの小型半導体装置の第５の
製造工程を示す説明図。
製造工程を示す説明図。
【図７】本発明チップタイプの小型半導体装置の第６の
製造工程を示す説明図。
製造工程を示す説明図。
【図８】本発明チップタイプの小型半導体装置の第７の
製造工程を示す説明図。
製造工程を示す説明図。
【図９】本発明チップタイプの小型半導体装置の第８の
製造工程に使用する片くさび状のブレードの側面図。
製造工程に使用する片くさび状のブレードの側面図。
【図１０】本発明チップタイプの小型半導体装置の第８
の製造工程を示す説明図。
の製造工程を示す説明図。
【図１１】従来のチップタイプの小型半導体装置の第１
の製造工程を示す説明図。
の製造工程を示す説明図。
【図１２】従来のチップタイプの小型半導体装置の第２
の製造工程を示す説明図。
の製造工程を示す説明図。
【図１３】従来のチップタイプの小型半導体装置の第３
の製造工程を示す説明図。
の製造工程を示す説明図。
【図１４】従来のチップタイプの小型半導体装置の第４
の製造工程を示す説明図。
の製造工程を示す説明図。
【図１５】従来のチップタイプの小型半導体装置の概要
を示す斜視図。
を示す斜視図。
１０、２０ チップタイプの小型半導体装置 １１ 半導体チップ搭載基板 １２ 半導体チップ １３ ボンディングワイヤー １４ エポキシ樹脂 １５ 角形モールド部 ２２ くさび状のブレード ２３ テーパ部
Claims (6)
- 【請求項１】半導体チップを半導体チップ搭載基板に取
り付け、この半導体チップを合成樹脂によりモールドし
モールド部としたチップタイプの小型半導体装置におい
て、 モールド部の上部にテーパ部を形成したことを特徴とす
るチップタイプの小型半導体装置。 - 【請求項２】テーパ部は角形モールド部の側部に形成し
たことを特徴とする請求項１記載のチップタイプの小型
半導体装置。 - 【請求項３】テーパ部は角形モールド部の側部に複数個
形成したことを特徴とする請求項１または２記載のチッ
プタイプの小型半導体装置。 - 【請求項４】半導体チップを半導体チップ搭載基板に取
り付け、この半導体チップを合成樹脂によりモールドし
モールド部としたチップタイプの小型半導体装置におい
て、 角形モールド部の上部の側部にラウンド部を形成したこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項５】テーパ部はモールド部の側部に複数個形成
したことを特徴とする請求項３記載のチップタイプの小
型半導体装置。 - 【請求項６】半導体チップを半導体基板に取り付け、こ
の半導体チップを合成樹脂によりモールドしパッケージ
としたチップタイプの小型半導体装置において、 モールド部の上部に位置決め表示部を形成したことを特
徴とするチップタイプの小型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000080062A JP2001267472A (ja) | 2000-03-22 | 2000-03-22 | チップタイプの小型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000080062A JP2001267472A (ja) | 2000-03-22 | 2000-03-22 | チップタイプの小型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001267472A true JP2001267472A (ja) | 2001-09-28 |
Family
ID=18597222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000080062A Pending JP2001267472A (ja) | 2000-03-22 | 2000-03-22 | チップタイプの小型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001267472A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02250360A (ja) * | 1989-03-24 | 1990-10-08 | Ibiden Co Ltd | 電子部品パッケージ |
| JPH07111430A (ja) * | 1993-10-14 | 1995-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品とその製造方法 |
| JPH09129785A (ja) * | 1995-09-05 | 1997-05-16 | Motorola Inc | ダイの輪郭が形成されたパッケージ・ボディを有する半導体素子およびその製造方法 |
| JPH10135375A (ja) * | 1996-11-05 | 1998-05-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置ならびに半導体装置の製造方法および製造装置 |
| JPH11220077A (ja) * | 1997-10-15 | 1999-08-10 | Toshiba Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JPH11340517A (ja) * | 1998-05-22 | 1999-12-10 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
-
2000
- 2000-03-22 JP JP2000080062A patent/JP2001267472A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02250360A (ja) * | 1989-03-24 | 1990-10-08 | Ibiden Co Ltd | 電子部品パッケージ |
| JPH07111430A (ja) * | 1993-10-14 | 1995-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品とその製造方法 |
| JPH09129785A (ja) * | 1995-09-05 | 1997-05-16 | Motorola Inc | ダイの輪郭が形成されたパッケージ・ボディを有する半導体素子およびその製造方法 |
| JPH10135375A (ja) * | 1996-11-05 | 1998-05-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置ならびに半導体装置の製造方法および製造装置 |
| JPH11220077A (ja) * | 1997-10-15 | 1999-08-10 | Toshiba Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JPH11340517A (ja) * | 1998-05-22 | 1999-12-10 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
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