JPH11340007A - 負特性サーミスタおよび電子複写機 - Google Patents
負特性サーミスタおよび電子複写機Info
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- JPH11340007A JPH11340007A JP10141418A JP14141898A JPH11340007A JP H11340007 A JPH11340007 A JP H11340007A JP 10141418 A JP10141418 A JP 10141418A JP 14141898 A JP14141898 A JP 14141898A JP H11340007 A JPH11340007 A JP H11340007A
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- H01C7/04—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
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- H01C1/1413—Terminals or electrodes formed on resistive elements having negative temperature coefficient
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- H01C1/01—Mounting; Supporting
- H01C1/014—Mounting; Supporting the resistor being suspended between and being supported by two supporting sections
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- H01C1/00—Details
- H01C1/02—Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure
- H01C1/022—Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure the housing or enclosure being openable or separable from the resistive element
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- Thermistors And Varistors (AREA)
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- Details Of Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 負特性サーミスタ素子のサイズを大きくする
ことなく突入電流抑制効果を向上させたケースタイプの
負特性サーミスタを提供する。 【解決手段】 板状の負特性サーミスタ素子の対向する
一対の両側面に形成された電極に給電端子が導通され、
さらに前記負特性サーミスタ素子と前記給電端子がケー
スに収納され、前記負特性サーミスタ素子の少なくとも
一主面と前記ケース内壁とが面接触していることを特徴
とする。
ことなく突入電流抑制効果を向上させたケースタイプの
負特性サーミスタを提供する。 【解決手段】 板状の負特性サーミスタ素子の対向する
一対の両側面に形成された電極に給電端子が導通され、
さらに前記負特性サーミスタ素子と前記給電端子がケー
スに収納され、前記負特性サーミスタ素子の少なくとも
一主面と前記ケース内壁とが面接触していることを特徴
とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、突入電流抑制用
の負特性サーミスタおよびこの負特性サーミスタを用い
た電子複写機に関するものである。
の負特性サーミスタおよびこの負特性サーミスタを用い
た電子複写機に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】負特性サーミスタは、常温での抵抗値に
比較して、温度の上昇とともに抵抗値が小さくなるとい
う機能がある。この機能を利用して、負特性サーミスタ
はセット機器の電源回路に組み込まれ、セット機器の電
源スイッチを入れた瞬間に電源回路に流れる突入電流を
抑制する回路素子として用いられる。
比較して、温度の上昇とともに抵抗値が小さくなるとい
う機能がある。この機能を利用して、負特性サーミスタ
はセット機器の電源回路に組み込まれ、セット機器の電
源スイッチを入れた瞬間に電源回路に流れる突入電流を
抑制する回路素子として用いられる。
【０００３】図６は、突入電流抑制用ケースタイプの負
特性サーミスタ１の一般的な構造を示す。負特性サーミ
スタ１は円板状の負特性サーミスタ素子２の対向する主
面に形成された電極３、４に給電端子５、６が導通さ
れ、さらに、負特性サーミスタ素子２と給電端子５、６
は、耐熱性の樹脂ケース７に収納されている。負特性サ
ーミスタ素子２は、樹脂ケース７の内部空間で、給電端
子５、６の一端側で挟持されており、給電端子５、６の
他端は、樹脂ケース７を貫通して外部に導出されてい
る。
特性サーミスタ１の一般的な構造を示す。負特性サーミ
スタ１は円板状の負特性サーミスタ素子２の対向する主
面に形成された電極３、４に給電端子５、６が導通さ
れ、さらに、負特性サーミスタ素子２と給電端子５、６
は、耐熱性の樹脂ケース７に収納されている。負特性サ
ーミスタ素子２は、樹脂ケース７の内部空間で、給電端
子５、６の一端側で挟持されており、給電端子５、６の
他端は、樹脂ケース７を貫通して外部に導出されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述の負特性サーミス
タ１の突入電流抑制効果を向上させるには、負特性サー
ミスタ素子２の体積を大きくして負特性サーミスタ素子
２の熱容量を大きくすることによって、負特性サーミス
タ素子２の自己発熱温度の上昇を遅くし、抵抗値低下を
抑制する方法があった。
タ１の突入電流抑制効果を向上させるには、負特性サー
ミスタ素子２の体積を大きくして負特性サーミスタ素子
２の熱容量を大きくすることによって、負特性サーミス
タ素子２の自己発熱温度の上昇を遅くし、抵抗値低下を
抑制する方法があった。
【０００５】しかしながら、負特性サーミスタ素子２の
コストが製品コストに占める割合が大きいため、負特性
サーミスタ素子２の体積すなわちサイズを大きくするこ
とは負特性サーミスタ１のコストが上昇するという問題
があった。
コストが製品コストに占める割合が大きいため、負特性
サーミスタ素子２の体積すなわちサイズを大きくするこ
とは負特性サーミスタ１のコストが上昇するという問題
があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この第１の発明の負特性
サーミスタは、板状の負特性サーミスタ素子の対向する
一対の両側面に形成された電極に給電端子が導通され、
さらに前記負特性サーミスタ素子と前記給電端子がケー
スに収納され、前記負特性サーミスタ素子の少なくとも
一方の主面と前記ケース内壁とが面接触していることを
特徴とする。
サーミスタは、板状の負特性サーミスタ素子の対向する
一対の両側面に形成された電極に給電端子が導通され、
さらに前記負特性サーミスタ素子と前記給電端子がケー
スに収納され、前記負特性サーミスタ素子の少なくとも
一方の主面と前記ケース内壁とが面接触していることを
特徴とする。
【０００７】この第２の発明の負特性サーミスタは、板
状の負特性サーミスタ素子が角板形状であることを特徴
とする。
状の負特性サーミスタ素子が角板形状であることを特徴
とする。
【０００８】この第３の発明の負特性サーミスタは、板
状の負特性サーミスタ素子が四角板であることを特徴と
する。この第４の発明の負特性サーミスタは、前記負特
性サーミスタ素子が、希土類遷移元素酸化物からなるこ
とを特徴とする。
状の負特性サーミスタ素子が四角板であることを特徴と
する。この第４の発明の負特性サーミスタは、前記負特
性サーミスタ素子が、希土類遷移元素酸化物からなるこ
とを特徴とする。
【０００９】この第５の発明の負特性サーミスタは、前
記希土類遷移元素酸化物が、ＬａＣｏ系希土類遷移元素
酸化物であることを特徴とする。
記希土類遷移元素酸化物が、ＬａＣｏ系希土類遷移元素
酸化物であることを特徴とする。
【００１０】この第６の発明の負特性サーミスタは、前
記給電端子が、Ｃｕ金属系材料からなることを特徴とす
る。
記給電端子が、Ｃｕ金属系材料からなることを特徴とす
る。
【００１１】この第７の発明の負特性サーミスタは、前
記Ｃｕ金属系材料が、Ｃｕ−Ｔｉ系合金材料であること
を特徴とする。
記Ｃｕ金属系材料が、Ｃｕ−Ｔｉ系合金材料であること
を特徴とする。
【００１２】この第８の発明の負特性サーミスタは、前
記ケースが、セラミックからなるものであることを特徴
とする。
記ケースが、セラミックからなるものであることを特徴
とする。
【００１３】この第９の発明の電子複写機は、電源とカ
ーボン定着用ヒータの熱源との間に、上記発明の負特性
サーミスタが直列接続されていることを特徴とする。
ーボン定着用ヒータの熱源との間に、上記発明の負特性
サーミスタが直列接続されていることを特徴とする。
【００１４】これらにより、負特性サーミスタの突入電
流抑制効果を向上させることができる。さらには、定格
電流値を大きくすることができる。
流抑制効果を向上させることができる。さらには、定格
電流値を大きくすることができる。
【００１５】
【００１６】
【実施例１】以下、この発明の１つの実施の形態につい
て、図１に示す、負特性サーミスタ１１を実施例に用い
て説明する。図１は負特性サーミスタ１１の分解斜視図
であり、負特性サーミスタ１１は、概略的に、角板形状
の負特性サーミスタ素子１２と、一対の給電端子１５、
１６と、ケース１７とから構成される。
て、図１に示す、負特性サーミスタ１１を実施例に用い
て説明する。図１は負特性サーミスタ１１の分解斜視図
であり、負特性サーミスタ１１は、概略的に、角板形状
の負特性サーミスタ素子１２と、一対の給電端子１５、
１６と、ケース１７とから構成される。
【００１７】負特性サーミスタ素子１２は、ＬａＣｏ系
希土類遷移元素酸化物を主成分とする、Ｂ定数（Ｂ（２
５／５０））が４０００Ｋになるセラミック原料を用い
て角板状の成形体を形成し、それを焼成して得られたセ
ラミック素体の対向する一対の両側面に、Ａｇペースト
を塗布、焼付けて電極１３、１４を形成したものであ
る。この負特性サーミスタ素子１２は、縦２０ｍｍ、横
１５ｍｍ、厚み５ｍｍの角板状で、室温抵抗値は２０Ω
であった。
希土類遷移元素酸化物を主成分とする、Ｂ定数（Ｂ（２
５／５０））が４０００Ｋになるセラミック原料を用い
て角板状の成形体を形成し、それを焼成して得られたセ
ラミック素体の対向する一対の両側面に、Ａｇペースト
を塗布、焼付けて電極１３、１４を形成したものであ
る。この負特性サーミスタ素子１２は、縦２０ｍｍ、横
１５ｍｍ、厚み５ｍｍの角板状で、室温抵抗値は２０Ω
であった。
【００１８】給電端子１５、１６は、弾性体であるＣｕ
−Ｔｉ系合金からなり、接触部１５ａ、１６ａを有して
いる。
−Ｔｉ系合金からなり、接触部１５ａ、１６ａを有して
いる。
【００１９】ケース１７は、アルミナからなり、主面が
開口した凹部形状のケース本体１７ａと、開口を覆う蓋
１７ｂとからなる。ケース本体１７ａの側壁１７ｃには
給電端子１５、１６を導出するための切り込み１７ｄ、
１７ｄが形成されている。
開口した凹部形状のケース本体１７ａと、開口を覆う蓋
１７ｂとからなる。ケース本体１７ａの側壁１７ｃには
給電端子１５、１６を導出するための切り込み１７ｄ、
１７ｄが形成されている。
【００２０】上述した負特性サーミスタ素子１２の電極
１３、１４が形成された両側面を、接触部１５ａ、１６
ａが接触するように給電端子１５、１６で挟持した状態
で、給電端子１５、１６の一端をケース本体１７ａの側
壁１７ｃの切り込み１７ｄ、１７ｄに挿入するととも
に、負特性サーミスタ素子１２をケース本体１７ａに収
納する。次に、ケース本体１７ａに蓋１７ｂを嵌め、高
温耐熱性のシリコン樹脂（図示せず）などでシーリング
したものが負特性サーミスタ１１である。
１３、１４が形成された両側面を、接触部１５ａ、１６
ａが接触するように給電端子１５、１６で挟持した状態
で、給電端子１５、１６の一端をケース本体１７ａの側
壁１７ｃの切り込み１７ｄ、１７ｄに挿入するととも
に、負特性サーミスタ素子１２をケース本体１７ａに収
納する。次に、ケース本体１７ａに蓋１７ｂを嵌め、高
温耐熱性のシリコン樹脂（図示せず）などでシーリング
したものが負特性サーミスタ１１である。
【００２１】この際、ケース本体１７ａの凹部の深さ
は、負特性サーミスタ素子１２の厚みとほぼ同一にされ
ているため、負特性サーミスタ素子２の一主面はケース
本体１７ａの底壁に面接触され、負特性サーミスタ素子
２の他主面は蓋１７ｂのケース１７の内側面に面接触さ
れる。次に、比較例１、２として、図６に示した従来例
の負特性サーミスタ１を２種類準備した。比較例１の負
特性サーミスタは、Ｍｎ、Ｎｉなど遷移元素酸化物の２
〜４成分系からなる、Ｂ定数（Ｂ（２５／５０））が３
０００Ｋになるセラミック原料を用いて、実施例の負特
性サーミスタ素子１２とほぼ同じ体積となる直径２０ｍ
ｍ、厚み５ｍｍの円板状に焼成した後、両主面にＡｇペ
ーストからなる電極３、４を焼付けし、室温抵抗値が２
０Ωの負特性サーミスタ素子２を作製し、その負特性サ
ーミスタ素子２の両主面を給電端子５、６で挟持して、
ＰＰＳからなる樹脂ケースに収納したものである。
は、負特性サーミスタ素子１２の厚みとほぼ同一にされ
ているため、負特性サーミスタ素子２の一主面はケース
本体１７ａの底壁に面接触され、負特性サーミスタ素子
２の他主面は蓋１７ｂのケース１７の内側面に面接触さ
れる。次に、比較例１、２として、図６に示した従来例
の負特性サーミスタ１を２種類準備した。比較例１の負
特性サーミスタは、Ｍｎ、Ｎｉなど遷移元素酸化物の２
〜４成分系からなる、Ｂ定数（Ｂ（２５／５０））が３
０００Ｋになるセラミック原料を用いて、実施例の負特
性サーミスタ素子１２とほぼ同じ体積となる直径２０ｍ
ｍ、厚み５ｍｍの円板状に焼成した後、両主面にＡｇペ
ーストからなる電極３、４を焼付けし、室温抵抗値が２
０Ωの負特性サーミスタ素子２を作製し、その負特性サ
ーミスタ素子２の両主面を給電端子５、６で挟持して、
ＰＰＳからなる樹脂ケースに収納したものである。
【００２２】比較例２の負特性サーミスタは、比較例１
と同様の原料を用いたが、そのＭｎＮｉ系遷移元素酸化
物の組成比または添加物を変えて、室温抵抗値が６Ωの
負特性サーミスタ素子を用い、その他については比較例
１と同一のものを用いた。つまり、比較例１と比較例２
は、室温抵抗値は異なるがＢ定数はほぼ同じ負特性サー
ミスタであった。
と同様の原料を用いたが、そのＭｎＮｉ系遷移元素酸化
物の組成比または添加物を変えて、室温抵抗値が６Ωの
負特性サーミスタ素子を用い、その他については比較例
１と同一のものを用いた。つまり、比較例１と比較例２
は、室温抵抗値は異なるがＢ定数はほぼ同じ負特性サー
ミスタであった。
【００２３】なお、実施例の負特性サーミスタ素子１２
と比較例１、比較例２の負特性サーミスタ素子とをほぼ
同じ体積としたのは、実施例の負特性サーミスタ素子１
２と比較例１、比較例２の負特性サーミスタ素子との熱
容量をほぼ同一として、負特性サーミスタ素子がケース
１７内壁に面接触した実施例の熱容量との比較を行なう
ためである。
と比較例１、比較例２の負特性サーミスタ素子とをほぼ
同じ体積としたのは、実施例の負特性サーミスタ素子１
２と比較例１、比較例２の負特性サーミスタ素子との熱
容量をほぼ同一として、負特性サーミスタ素子がケース
１７内壁に面接触した実施例の熱容量との比較を行なう
ためである。
【００２４】上述の、実施例、比較例１、比較例２を各
１０個ずつ試料として準備し、図２に示す測定回路を用
いて、負荷電流と素子発熱温度との関係を測定した。つ
まり、図２は、電子複写機のうち、定着用ヒータである
ハロゲンランプの保護回路を示しており、１００Ｖの電
源１８、７５０Ｗのランプ負荷１９および上記負特性サ
ーミスタ試料２０を直列に接続した。測定温度を２５℃
にして、突入電流値の測定をそれぞれの試料についてお
こなった。なお、電源１８には、電圧変動による誤差を
なくすため、ゼロクロス投入可能な交流の安定化電源を
使用し、オシロスコープ２１と並列に接続した０．１Ω
の固定抵抗２２を直列に接続した。突入電流値は、オシ
ロスコープで観測した波形における最大電流値とし、各
１０個の平均値とした。その結果を表１に示す。
１０個ずつ試料として準備し、図２に示す測定回路を用
いて、負荷電流と素子発熱温度との関係を測定した。つ
まり、図２は、電子複写機のうち、定着用ヒータである
ハロゲンランプの保護回路を示しており、１００Ｖの電
源１８、７５０Ｗのランプ負荷１９および上記負特性サ
ーミスタ試料２０を直列に接続した。測定温度を２５℃
にして、突入電流値の測定をそれぞれの試料についてお
こなった。なお、電源１８には、電圧変動による誤差を
なくすため、ゼロクロス投入可能な交流の安定化電源を
使用し、オシロスコープ２１と並列に接続した０．１Ω
の固定抵抗２２を直列に接続した。突入電流値は、オシ
ロスコープで観測した波形における最大電流値とし、各
１０個の平均値とした。その結果を表１に示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】表１に明らかなように、比較例１と比較例
２とでは、抵抗値が６Ωから２０Ωに大きくなること
で、突入電流値が小さくなっており、突入電流抑制効果
を向上させるには抵抗値を大きくすることが有効である
ことがわかる。また、実施例と比較例１とでは、同じ抵
抗値つまり同じ発熱量にもかかわらず実施例の突入電流
値が小さくなっている。すなわち、負特性サーミスタ素
子をケースに面接触させて、負特性サーミスタ素子とケ
ースを一体として熱容量を大きくすることにより、負特
性サーミスタ素子のサイズを大きくせずに、突入電流抑
制効果を向上させることができる。さらに、実施例は、
比較例２に比べ、抵抗値を大きくしたことに加え、素子
をケースに面接触させて熱容量を大きくしたことから、
突入電流値が小さくなっている。
２とでは、抵抗値が６Ωから２０Ωに大きくなること
で、突入電流値が小さくなっており、突入電流抑制効果
を向上させるには抵抗値を大きくすることが有効である
ことがわかる。また、実施例と比較例１とでは、同じ抵
抗値つまり同じ発熱量にもかかわらず実施例の突入電流
値が小さくなっている。すなわち、負特性サーミスタ素
子をケースに面接触させて、負特性サーミスタ素子とケ
ースを一体として熱容量を大きくすることにより、負特
性サーミスタ素子のサイズを大きくせずに、突入電流抑
制効果を向上させることができる。さらに、実施例は、
比較例２に比べ、抵抗値を大きくしたことに加え、素子
をケースに面接触させて熱容量を大きくしたことから、
突入電流値が小さくなっている。
【００２７】なお、突入電流抑制効果は、負特性サーミ
スタ素子の素材がＭｎＮｉ系遷移元素酸化物とＬａＣｏ
系希土類遷移元素酸化物とのＢ定数の差によるものでは
ないことは従来周知のことであり、表１に示した結果は
負特性サーミスタ素子の抵抗値と熱容量とに起因するも
のであることが理解できる。
スタ素子の素材がＭｎＮｉ系遷移元素酸化物とＬａＣｏ
系希土類遷移元素酸化物とのＢ定数の差によるものでは
ないことは従来周知のことであり、表１に示した結果は
負特性サーミスタ素子の抵抗値と熱容量とに起因するも
のであることが理解できる。
【００２８】続いて、同じく実施例、比較例１、比較例
２を試料に用いて、定電流２Ａ、４Ａ、６Ａ、８Ａ、１
０Ａを各試料に印加したときの素子温度を測定して、定
格電流値の評価をおこなった。なお、電源および測定温
度は前述の突入電流値測定と同様であった。その結果を
図３に示す。 図３に明らかなように、実施例は、１０
Ａ負荷したときの素子温度が約２００℃であるのに対
し、比較例１は２５０℃を超えている。通常、ケースタ
イプの突入電流抑制用負特性サーミスタの最大使用素子
温度は、ほぼ２００℃に設定されているため、この素子
温度が２００℃になる電流値で比較すると、実施例は約
１０Ａであり、比較例１は約５Ａである。すなわち、負
特性サーミスタ素子の原料を、ＭｎＮｉ系遷移元素酸化
物からＢ定数が高いＬａＣｏ系希土類遷移元素酸化物に
変更することにより、負特性サーミスタ素子の自己発熱
を小さくできるため、定格電流値の向上がはかれる。ま
た、同じ負荷電流とした場合では、低発熱でサーミスタ
自体やセット基板への熱的影響を抑制できる。
２を試料に用いて、定電流２Ａ、４Ａ、６Ａ、８Ａ、１
０Ａを各試料に印加したときの素子温度を測定して、定
格電流値の評価をおこなった。なお、電源および測定温
度は前述の突入電流値測定と同様であった。その結果を
図３に示す。 図３に明らかなように、実施例は、１０
Ａ負荷したときの素子温度が約２００℃であるのに対
し、比較例１は２５０℃を超えている。通常、ケースタ
イプの突入電流抑制用負特性サーミスタの最大使用素子
温度は、ほぼ２００℃に設定されているため、この素子
温度が２００℃になる電流値で比較すると、実施例は約
１０Ａであり、比較例１は約５Ａである。すなわち、負
特性サーミスタ素子の原料を、ＭｎＮｉ系遷移元素酸化
物からＢ定数が高いＬａＣｏ系希土類遷移元素酸化物に
変更することにより、負特性サーミスタ素子の自己発熱
を小さくできるため、定格電流値の向上がはかれる。ま
た、同じ負荷電流とした場合では、低発熱でサーミスタ
自体やセット基板への熱的影響を抑制できる。
【００２９】また、実施例と比較例２を比較すると、１
０Ａではほぼ同じ素子温度を示しているが、比較例２は
素子抵抗値が６Ωと小さく、実施例は２０Ωと３倍以上
である。すなわち、負特性サーミスタ素子の原料をＭｎ
Ｎｉ系遷移元素酸化物から抵抗温度特性におけるＢ定数
が高いＬａＣｏ系希土類遷移元素酸化物に変更すること
により、抵抗値が３倍以上大きくても、同等の定格電流
とすることができる。
０Ａではほぼ同じ素子温度を示しているが、比較例２は
素子抵抗値が６Ωと小さく、実施例は２０Ωと３倍以上
である。すなわち、負特性サーミスタ素子の原料をＭｎ
Ｎｉ系遷移元素酸化物から抵抗温度特性におけるＢ定数
が高いＬａＣｏ系希土類遷移元素酸化物に変更すること
により、抵抗値が３倍以上大きくても、同等の定格電流
とすることができる。
【００３０】
【実施例２】次に、この発明による他の実施の形態を図
４を参照して説明する。但し、前述の一つの実施の形態
と同一のものには同一の符号を付して詳細な説明を省略
する。
４を参照して説明する。但し、前述の一つの実施の形態
と同一のものには同一の符号を付して詳細な説明を省略
する。
【００３１】図４に示す負特性サーミスタ１１ａは、上
述の負特性サーミスタ１１を、例えば金属からなる支持
体２３で、ケース本体１７ａを固定するとともに蓋１７
ｂを押さえたものである。支持体２３は、ケース１７の
一主面から側面を経由して他主面に延びた複数の係止爪
２３ａを備えており、これにより、ケース本体１７ａと
蓋１７ｂとの接合強度を高めることができる。
述の負特性サーミスタ１１を、例えば金属からなる支持
体２３で、ケース本体１７ａを固定するとともに蓋１７
ｂを押さえたものである。支持体２３は、ケース１７の
一主面から側面を経由して他主面に延びた複数の係止爪
２３ａを備えており、これにより、ケース本体１７ａと
蓋１７ｂとの接合強度を高めることができる。
【００３２】
【実施例３】さらに、この発明による他の実施の形態を
図５を参照して説明する。但し、前述の一つの実施の形
態と同一のものには同一の符号を付して詳細な説明を省
略する。
図５を参照して説明する。但し、前述の一つの実施の形
態と同一のものには同一の符号を付して詳細な説明を省
略する。
【００３３】図５に示す負特性サーミスタ１１ｂは、上
述の負特性サーミスタ１１ａの支持体２３に脚部を形成
したものである。この支持体２４は、一端に脚部２４ｂ
が形成されており、適宜脚部２４ｂを屈曲させて取付け
部とし、負特性サーミスタ１１ｂを回路基板などに固定
することができる。
述の負特性サーミスタ１１ａの支持体２３に脚部を形成
したものである。この支持体２４は、一端に脚部２４ｂ
が形成されており、適宜脚部２４ｂを屈曲させて取付け
部とし、負特性サーミスタ１１ｂを回路基板などに固定
することができる。
【００３４】なお、上記した各実施例では、四角板の負
特性サーミスタ素子を用いたが、これに限らず、円板、
多角形板などの各種形状でもよい。しかしながら、電極
間距離が一定である角板の負特性サーミスタが特に有用
である。これは、一対の両側面に形成された電極面を均
等に電流が流れるため、耐突入電流特性に優れているか
らである。
特性サーミスタ素子を用いたが、これに限らず、円板、
多角形板などの各種形状でもよい。しかしながら、電極
間距離が一定である角板の負特性サーミスタが特に有用
である。これは、一対の両側面に形成された電極面を均
等に電流が流れるため、耐突入電流特性に優れているか
らである。
【００３５】なお、ケース１７の材料は、アルミナに限
らず、ムライトなど他のセラミック材料や、耐熱性、不
燃性、熱伝導性が高く、従来の樹脂ケースの熱劣化損傷
を回避でき、負特性サーミスタ１１の熱容量を大きくで
きる材料であれば、セラミック以外の材料でもよい。
らず、ムライトなど他のセラミック材料や、耐熱性、不
燃性、熱伝導性が高く、従来の樹脂ケースの熱劣化損傷
を回避でき、負特性サーミスタ１１の熱容量を大きくで
きる材料であれば、セラミック以外の材料でもよい。
【００３６】なお、上述した負特性サーミスタ１１のよ
うに、負特性サーミスタ素子１２の両主面ともケース１
７の内壁に面接触するのが望ましいが、負特性サーミス
タ素子１２の少なくとも一方の主面がケース１７の内壁
と面接触する構造でもよい。また、負特性サーミスタ素
子１２の主面に加え、電極１３、１４が形成されていな
い対向する一対の両側面もケース１７の内壁に面接触し
ていてもよい。
うに、負特性サーミスタ素子１２の両主面ともケース１
７の内壁に面接触するのが望ましいが、負特性サーミス
タ素子１２の少なくとも一方の主面がケース１７の内壁
と面接触する構造でもよい。また、負特性サーミスタ素
子１２の主面に加え、電極１３、１４が形成されていな
い対向する一対の両側面もケース１７の内壁に面接触し
ていてもよい。
【００３７】さらに、給電端子１５、１６は、ばね性の
Ｃｕ−Ｔｉ系合金以外に、固有抵抗が小さく、熱膨脹係
数が小さい、ばね性のＣｕ系金属を用いることもできる
し、他に固有抵抗の高い、例えばＮｉ系金属などに導電
性のメッキなどを施したものでもよい。
Ｃｕ−Ｔｉ系合金以外に、固有抵抗が小さく、熱膨脹係
数が小さい、ばね性のＣｕ系金属を用いることもできる
し、他に固有抵抗の高い、例えばＮｉ系金属などに導電
性のメッキなどを施したものでもよい。
【００３８】また、負特性サーミスタ素子の電極として
は、Ａｇのみに限定されるわけではなく、Ｐｄ、Ｐｔ、
Ａｕなどの貴金属、あるいはそれら２種以上の合金を用
いて電極ペーストを印刷焼付けてもよい。あるいはその
他、負特性サーミスタ素子とオーミックコンタクトが得
られる金属、合金を用いたスパッタリング法、イオンプ
レーディング法などによっても同じ効果が得られる。
は、Ａｇのみに限定されるわけではなく、Ｐｄ、Ｐｔ、
Ａｕなどの貴金属、あるいはそれら２種以上の合金を用
いて電極ペーストを印刷焼付けてもよい。あるいはその
他、負特性サーミスタ素子とオーミックコンタクトが得
られる金属、合金を用いたスパッタリング法、イオンプ
レーディング法などによっても同じ効果が得られる。
【００３９】さらに、このような負特性サーミスタは、
電子複写機に用いると有用である。つまり、図２の測定
回路図で示したように、電子複写機において、定着工程
があるが、紙にカーボンを定着させるときに熱ローラを
用いている。この熱ローラの熱源として、たとえばハロ
ゲンランプが用いられており、定着のために電流のオン
−オフが行われている。スイッチをオンしたときに、突
入電流によってハロゲンランプが破壊されるのを防ぐた
めに、電源とハロゲンランプの間に、負特性サーミスタ
を直列接続している。このような場合、突入電流抑制効
果の高いこの発明の負特性サーミスタを用いると、ハロ
ゲンランプの保護に有効である。
電子複写機に用いると有用である。つまり、図２の測定
回路図で示したように、電子複写機において、定着工程
があるが、紙にカーボンを定着させるときに熱ローラを
用いている。この熱ローラの熱源として、たとえばハロ
ゲンランプが用いられており、定着のために電流のオン
−オフが行われている。スイッチをオンしたときに、突
入電流によってハロゲンランプが破壊されるのを防ぐた
めに、電源とハロゲンランプの間に、負特性サーミスタ
を直列接続している。このような場合、突入電流抑制効
果の高いこの発明の負特性サーミスタを用いると、ハロ
ゲンランプの保護に有効である。
【００４０】
【発明の効果】この発明によれば、電極を負特性サーミ
スタ素子の側面に形成して、負特性サーミスタ素子主面
とケース内壁を面接触して、負特性サーミスタ素子の熱
容量を大きくした。これにより、突入電流による負特性
サーミスタ素子の瞬時の発熱をケースに熱伝導させて、
負特性サーミスタ素子の抵抗値低下を抑制できる。した
がって、負特性サーミスタのサイズを大きくすることな
く、突入電流抑制効果を向上させることができる。
スタ素子の側面に形成して、負特性サーミスタ素子主面
とケース内壁を面接触して、負特性サーミスタ素子の熱
容量を大きくした。これにより、突入電流による負特性
サーミスタ素子の瞬時の発熱をケースに熱伝導させて、
負特性サーミスタ素子の抵抗値低下を抑制できる。した
がって、負特性サーミスタのサイズを大きくすることな
く、突入電流抑制効果を向上させることができる。
【００４１】さらに、負特性サーミスタ素子が、Ｂ定数
が大きいＬａＣｏ系希土類遷移元素酸化物からなること
により、負特性サーミスタ素子の抵抗値が大きくなって
も、負特性サーミスタ素子の自己発熱が抑えられ、定格
電流値を大きくすることができる。
が大きいＬａＣｏ系希土類遷移元素酸化物からなること
により、負特性サーミスタ素子の抵抗値が大きくなって
も、負特性サーミスタ素子の自己発熱が抑えられ、定格
電流値を大きくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態を示す負特性サーミスタ
の分解斜視図である。
の分解斜視図である。
【図２】この発明を評価した測定回路図である。
【図３】この発明の一実施形態における負荷電流と負特
性サーミスタ素子発熱温度との関係を示すグラフであ
る。
性サーミスタ素子発熱温度との関係を示すグラフであ
る。
【図４】この発明の他の実施形態を示す負特性サーミス
タの斜視図である。
タの斜視図である。
【図５】この発明の他の実施形態を示す負特性サーミス
タの斜視図である。
タの斜視図である。
【図６】従来のケースタイプの負特性サーミスタの断面
図である。
図である。
１１、２０ 負特性サーミスタ １２ 負特性サーミスタ素子 １３、１４ 電極 １５、１６ 給電端子 １７ ケース １７ａ ケース本体 １７ｂ 蓋 １８ 電源 １９ 熱源
Claims (9)
- 【請求項１】 板状の負特性サーミスタ素子の対向する
一対の両側面に形成された電極に給電端子が導通され、
さらに前記負特性サーミスタ素子と前記給電端子がケー
スに収納され、 前記負特性サーミスタ素子の少なくとも一主面と前記ケ
ース内壁とが面接触していることを特徴とする負特性サ
ーミスタ。 - 【請求項２】 板状の負特性サーミスタ素子は、角板形
状であることを特徴とする請求項１記載の負特性サーミ
スタ。 - 【請求項３】 板状の負特性サーミスタ素子は、四角板
であることを特徴とする請求項１または請求項２記載の
負特性サーミスタ。 - 【請求項４】 前記負特性サーミスタ素子が、希土類遷
移元素酸化物からなることを特徴とする請求項１から請
求項３のいずれかに記載の負特性サーミスタ。 - 【請求項５】 前記希土類遷移元素酸化物が、ＬａＣｏ
系希土類遷移元素酸化物であることを特徴とする請求項
４記載の負特性サーミスタ。 - 【請求項６】 前記給電端子が、Ｃｕ金属系材料からな
ることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに
記載の負特性サーミスタ。 - 【請求項７】 前記Ｃｕ金属系材料が、Ｃｕ−Ｔｉ系合
金材料であることを特徴とする請求項６記載の負特性サ
ーミスタ。 - 【請求項８】 前記ケースが、セラミックからなるもの
であることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれ
かに記載の負特性サーミスタ。 - 【請求項９】 電源とカーボン定着用ヒータの熱源との
間に、前記請求項１から請求項８のいずれかに記載の負
特性サーミスタが直列接続されていることを特徴とする
電子複写機。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10141418A JPH11340007A (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | 負特性サーミスタおよび電子複写機 |
| TW088106820A TW412757B (en) | 1998-05-22 | 1999-04-28 | NTC thermistors |
| US09/304,705 US6242998B1 (en) | 1998-05-22 | 1999-05-04 | NTC thermistors |
| CN99107368A CN1126120C (zh) | 1998-05-22 | 1999-05-18 | 负温度特性热敏电阻 |
| KR1019990018463A KR100312734B1 (ko) | 1998-05-22 | 1999-05-21 | 부특성 서미스터 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10141418A JPH11340007A (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | 負特性サーミスタおよび電子複写機 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340007A true JPH11340007A (ja) | 1999-12-10 |
Family
ID=15291555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10141418A Pending JPH11340007A (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | 負特性サーミスタおよび電子複写機 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6242998B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11340007A (ja) |
| KR (1) | KR100312734B1 (ja) |
| CN (1) | CN1126120C (ja) |
| TW (1) | TW412757B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006525680A (ja) * | 2003-05-02 | 2006-11-09 | タイコ・エレクトロニクス・コーポレイション | 回路保護デバイス |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3601459B2 (ja) * | 2001-02-23 | 2004-12-15 | 株式会社村田製作所 | 正特性サーミスタ装置 |
| TWI312602B (en) * | 2006-02-09 | 2009-07-21 | Energetic Technology Co | Varistor and method for producing the same |
| US8274357B2 (en) * | 2006-05-08 | 2012-09-25 | Powertech Industrial Co., Ltd. | Varistor having ceramic case |
| CN103366910B (zh) * | 2012-03-27 | 2016-10-05 | 台湾双羽电机股份有限公司 | 散热型电阻及其散热模块 |
| DE102016107931A1 (de) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | Epcos Ag | Elektronisches Bauelement zur Einschaltstrombegrenzung und Verwendung eines elektronischen Bauelements |
| US11224098B2 (en) * | 2018-11-01 | 2022-01-11 | General Electric Company | Systems and methods for passive heating of temperature-sensitive electronic components |
| CN111564271A (zh) * | 2020-05-14 | 2020-08-21 | 兴勤（常州）电子有限公司 | 热敏电阻 |
| KR102284961B1 (ko) * | 2021-03-12 | 2021-08-03 | 스마트전자 주식회사 | 회로 보호 장치 |
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| US2698372A (en) * | 1951-04-23 | 1954-12-28 | Louis J Patla | Electrical resistor and method of making same |
| US3925748A (en) * | 1973-11-08 | 1975-12-09 | Thermo Electronics Inc | Resistance device for use in energizing the starting winding of a split phase induction motor |
| US4395623A (en) * | 1980-03-04 | 1983-07-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Self-regulating electric heater |
| US4698614A (en) * | 1986-04-04 | 1987-10-06 | Emerson Electric Co. | PTC thermal protector |
| JP2575213B2 (ja) * | 1989-09-18 | 1997-01-22 | 株式会社トクヤマ | サーミスタ素子 |
| JP2529252Y2 (ja) * | 1990-04-05 | 1997-03-19 | 日本油脂株式会社 | 正特性サーミスタ装置 |
| JPH0737706A (ja) * | 1993-07-19 | 1995-02-07 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体セラミック素子 |
| JPH08203704A (ja) * | 1995-01-27 | 1996-08-09 | Tdk Corp | 正特性サーミスタ装置 |
| JPH08264303A (ja) * | 1995-03-27 | 1996-10-11 | Murata Mfg Co Ltd | 正特性サーミスタ装置 |
| JPH09163593A (ja) * | 1995-12-05 | 1997-06-20 | Murata Mfg Co Ltd | 突入電流抑制回路 |
| JP3687696B2 (ja) * | 1996-02-06 | 2005-08-24 | 株式会社村田製作所 | 半導体磁器組成物とそれを用いた半導体磁器素子 |
| GB2324648A (en) * | 1997-03-26 | 1998-10-28 | Jack Wang | Burn and explosion-resistant circuit package for a varistor chip |
-
1998
- 1998-05-22 JP JP10141418A patent/JPH11340007A/ja active Pending
-
1999
- 1999-04-28 TW TW088106820A patent/TW412757B/zh active
- 1999-05-04 US US09/304,705 patent/US6242998B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-05-18 CN CN99107368A patent/CN1126120C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1999-05-21 KR KR1019990018463A patent/KR100312734B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006525680A (ja) * | 2003-05-02 | 2006-11-09 | タイコ・エレクトロニクス・コーポレイション | 回路保護デバイス |
| JP4664905B2 (ja) * | 2003-05-02 | 2011-04-06 | タイコ・エレクトロニクス・コーポレイション | 回路保護デバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW412757B (en) | 2000-11-21 |
| KR100312734B1 (ko) | 2001-11-03 |
| CN1126120C (zh) | 2003-10-29 |
| KR19990088480A (ko) | 1999-12-27 |
| US6242998B1 (en) | 2001-06-05 |
| CN1236957A (zh) | 1999-12-01 |
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