JPH0737706A - 半導体セラミック素子 - Google Patents
半導体セラミック素子Info
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- JPH0737706A JPH0737706A JP5177813A JP17781393A JPH0737706A JP H0737706 A JPH0737706 A JP H0737706A JP 5177813 A JP5177813 A JP 5177813A JP 17781393 A JP17781393 A JP 17781393A JP H0737706 A JPH0737706 A JP H0737706A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/04—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
- H01C7/042—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient mainly consisting of inorganic non-metallic substances
- H01C7/043—Oxides or oxidic compounds
- H01C7/045—Perovskites, e.g. titanates
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 昇温状態での抵抗値が小さく電力消費量を低
減することができるとともに、信頼性に優れたＮＴＣサ
ーミスタ素子を得る。 【構成】 セラミック素体１がＬａＣｏＯ3 などの希土
類遷移元素酸化物から形成され、セラミック素体１が実
質的にケース台６及びケース７などにより外気から遮断
された構造を有することを特徴としている。
減することができるとともに、信頼性に優れたＮＴＣサ
ーミスタ素子を得る。 【構成】 セラミック素体１がＬａＣｏＯ3 などの希土
類遷移元素酸化物から形成され、セラミック素体１が実
質的にケース台６及びケース７などにより外気から遮断
された構造を有することを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、負の抵抗温度係数を有
するセラミック素体を用いた半導体セラミック素子に関
するものである。
するセラミック素体を用いた半導体セラミック素子に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、スイッチング電源ではスイッチ
を入れた瞬間に過電流が流れることから、この初期の突
入電流を吸収する素子として、いわゆるＮＴＣサーミス
タ素子が用いられている。このＮＴＣサーミスタ素子
は、室温での抵抗値が高く、温度の上昇とともに抵抗値
が低下する機能を有しており、これによって初期の突入
電流を抑制し、その後自己発熱により昇温して低抵抗と
なり、定常状態では電力消費量が低減できる。このよう
なＮＴＣサーミスタ素子のセラミック素体としては、従
来からスピネル酸化物が用いられている。
を入れた瞬間に過電流が流れることから、この初期の突
入電流を吸収する素子として、いわゆるＮＴＣサーミス
タ素子が用いられている。このＮＴＣサーミスタ素子
は、室温での抵抗値が高く、温度の上昇とともに抵抗値
が低下する機能を有しており、これによって初期の突入
電流を抑制し、その後自己発熱により昇温して低抵抗と
なり、定常状態では電力消費量が低減できる。このよう
なＮＴＣサーミスタ素子のセラミック素体としては、従
来からスピネル酸化物が用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このようなＮＴＣサー
ミスタ素子を突入電流防止用に用いた場合、上述のよう
に自己発熱による昇温状態で抵抗値が小さくならなけれ
ばならない。しかしながら、従来のスピネル酸化物を用
いたＮＴＣ素子は、一般に比抵抗を小さくするほどＢ定
数が小さくなる傾向にあり、昇温状態における抵抗値を
十分に小さくすることができず、定常状態における電力
消費量が低減できないという問題があった。
ミスタ素子を突入電流防止用に用いた場合、上述のよう
に自己発熱による昇温状態で抵抗値が小さくならなけれ
ばならない。しかしながら、従来のスピネル酸化物を用
いたＮＴＣ素子は、一般に比抵抗を小さくするほどＢ定
数が小さくなる傾向にあり、昇温状態における抵抗値を
十分に小さくすることができず、定常状態における電力
消費量が低減できないという問題があった。
【０００４】特公昭４８−６３５２号公報等において
は、Ｂ定数が大きくなるＮＴＣサーミスタ素子として、
ＢａＴｉＯ3 にＬｉ2 Ｏ3 を２０ｍｏｌ％添加した組成
のセラミックが提案されている。しかしながら、このよ
うなＮＴＣサーミスタ素子においては、１４０℃の比抵
抗が１０5 Ω・ｃｍ以上と大きいことから、定常状態に
おける電力消費量が増大するという問題がある。
は、Ｂ定数が大きくなるＮＴＣサーミスタ素子として、
ＢａＴｉＯ3 にＬｉ2 Ｏ3 を２０ｍｏｌ％添加した組成
のセラミックが提案されている。しかしながら、このよ
うなＮＴＣサーミスタ素子においては、１４０℃の比抵
抗が１０5 Ω・ｃｍ以上と大きいことから、定常状態に
おける電力消費量が増大するという問題がある。
【０００５】また、ＶＯ2 系セラミックを用いた素子
は、８０℃での比抵抗が１０から０．０１Ω・ｃｍに低
下する抵抗値急変特性を示すことから、突入電流防止用
として優れている。しかしながら、このＶＯ2 系セラミ
ック素子は、不安定であり、また還元焼成後急冷して製
造する必要があり、その形状はビード状に限定されると
いう問題があった。さらに、許容電流値が数十ｍＡと小
さいことから、スイッチング電源などの大電流が流れる
箇所においては使用することができないという問題もあ
った。
は、８０℃での比抵抗が１０から０．０１Ω・ｃｍに低
下する抵抗値急変特性を示すことから、突入電流防止用
として優れている。しかしながら、このＶＯ2 系セラミ
ック素子は、不安定であり、また還元焼成後急冷して製
造する必要があり、その形状はビード状に限定されると
いう問題があった。さらに、許容電流値が数十ｍＡと小
さいことから、スイッチング電源などの大電流が流れる
箇所においては使用することができないという問題もあ
った。
【０００６】本発明の目的は、これらの従来の問題点を
解消し、昇温状態における抵抗値を小さくして電力消費
量を低減できるとともに、信頼性に優れた半導体セラミ
ック素子を提供することにある。
解消し、昇温状態における抵抗値を小さくして電力消費
量を低減できるとともに、信頼性に優れた半導体セラミ
ック素子を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成するため、低抵抗でかつＢ定数が大きい負の抵抗
温度特性を示すセラミック組成物について鋭意検討した
ところ、希土類元素と遷移元素からなる酸化物セラミッ
ク組成がこのような特性を有しており、かつこのような
希土類遷移元素酸化物セラミックをセラミック素体と
し、これを実質的に外気から遮断された構造とすること
により、大電流を流しても破壊されず、定常状態の消費
電力を十分に低減し得る半導体セラミック素子が得られ
ることを見出し、本発明を完成するに至った。
を達成するため、低抵抗でかつＢ定数が大きい負の抵抗
温度特性を示すセラミック組成物について鋭意検討した
ところ、希土類元素と遷移元素からなる酸化物セラミッ
ク組成がこのような特性を有しており、かつこのような
希土類遷移元素酸化物セラミックをセラミック素体と
し、これを実質的に外気から遮断された構造とすること
により、大電流を流しても破壊されず、定常状態の消費
電力を十分に低減し得る半導体セラミック素子が得られ
ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】すなわち、本発明の半導体セラミック素子
は、セラミック素体が希土類遷移元素酸化物から形成さ
れ、かつセラミック素体が実質的に外気から遮断された
構造であることを特徴としている。
は、セラミック素体が希土類遷移元素酸化物から形成さ
れ、かつセラミック素体が実質的に外気から遮断された
構造であることを特徴としている。
【０００９】本発明において用いる希土類遷移元素酸化
物は、希土類元素と遷移元素からなる酸化物であれば特
に限定されるものではないが、具体的には、ＬａＣｏ系
またはＮｄＣｏＯ3 等の希土類遷移元素化合物を採用す
ることができる。特に、ＬａＣｏ系酸化物は、温度上昇
によるＢ定数の増加が大きく、かつ室温におけるＢ定数
が小さいので、優れた特性を得ることができる。
物は、希土類元素と遷移元素からなる酸化物であれば特
に限定されるものではないが、具体的には、ＬａＣｏ系
またはＮｄＣｏＯ3 等の希土類遷移元素化合物を採用す
ることができる。特に、ＬａＣｏ系酸化物は、温度上昇
によるＢ定数の増加が大きく、かつ室温におけるＢ定数
が小さいので、優れた特性を得ることができる。
【００１０】
【作用】希土類遷移元素酸化物が、低抵抗で室温のＢ定
数が小さく、かつ高温でのＢ定数が大きいという特性に
ついては、Ｖ．Ｇ．Ｂｈｉｄｅ、Ｄ．Ｓ．Ｒａｊｏｒｉ
ａによる文献（Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ６〔３〕１０２１
（１９７２））等に記載されている。本発明者らは、こ
のような特性が実際に素子に適用できるか否かについて
実用試験を種々試みた。その結果、大電流を流しても破
壊されず、定常時の消費電力が低減されるものの、大気
中で高温に放置すると抵抗値が変化する傾向にあること
を見出し、そのままでは実用化し得ないことがわかっ
た。そこで、本発明では、このような希土類遷移元素酸
化物からなるセラミック素体を実質的に外気から遮断さ
れた構造とし、これによって抵抗値の安定化を図ってい
る。
数が小さく、かつ高温でのＢ定数が大きいという特性に
ついては、Ｖ．Ｇ．Ｂｈｉｄｅ、Ｄ．Ｓ．Ｒａｊｏｒｉ
ａによる文献（Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ６〔３〕１０２１
（１９７２））等に記載されている。本発明者らは、こ
のような特性が実際に素子に適用できるか否かについて
実用試験を種々試みた。その結果、大電流を流しても破
壊されず、定常時の消費電力が低減されるものの、大気
中で高温に放置すると抵抗値が変化する傾向にあること
を見出し、そのままでは実用化し得ないことがわかっ
た。そこで、本発明では、このような希土類遷移元素酸
化物からなるセラミック素体を実質的に外気から遮断さ
れた構造とし、これによって抵抗値の安定化を図ってい
る。
【００１１】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明す
る。まず、Ｃｏ2 Ｏ3 及びＬａ2 Ｏ3 の粉末をＬａＣｏ
Ｏ3 の組成となるように秤量した。この秤量した粉末
を、純水及びジルコニアボールとともにポリエチレン製
ポットで７時間湿式混合した後、乾燥させて１０００℃
で２時間仮焼成し、仮焼粉末を作成した。この仮焼粉末
にバインダーと水を加え、再度ポリエチレン製ポットで
５時間湿式混合し、乾燥後、乾式プレスにより円板状成
形体に成形した。
る。まず、Ｃｏ2 Ｏ3 及びＬａ2 Ｏ3 の粉末をＬａＣｏ
Ｏ3 の組成となるように秤量した。この秤量した粉末
を、純水及びジルコニアボールとともにポリエチレン製
ポットで７時間湿式混合した後、乾燥させて１０００℃
で２時間仮焼成し、仮焼粉末を作成した。この仮焼粉末
にバインダーと水を加え、再度ポリエチレン製ポットで
５時間湿式混合し、乾燥後、乾式プレスにより円板状成
形体に成形した。
【００１２】次に、この成形体を大気中にて１３５０℃
で２時間焼成し、希土類遷移元素酸化物からなる焼成体
のセラミック素体を得た。このセラミック素体の両主面
にＡｇペーストを塗布した後、焼き付けて電極を形成し
た。
で２時間焼成し、希土類遷移元素酸化物からなる焼成体
のセラミック素体を得た。このセラミック素体の両主面
にＡｇペーストを塗布した後、焼き付けて電極を形成し
た。
【００１３】また、比較のため、Ｃｏ3 Ｏ4 、Ｍｎ3 Ｏ
4 、及びＣｕＣＯ3 をそれぞれ重量比で６：３：１に秤
量して得られるセラミック素体からなる従来のＮＴＣサ
ーミスタ素子を作成した。
4 、及びＣｕＣＯ3 をそれぞれ重量比で６：３：１に秤
量して得られるセラミック素体からなる従来のＮＴＣサ
ーミスタ素子を作成した。
【００１４】この実施例のＮＴＣサーミスタ素子と従来
のＮＴＣサーミスタ素子を、スイッチング電源中にセッ
トし、突入電流抑制効果を測定した。表１に、スイッチ
オン後１秒，２秒，５秒，３０秒経過時の電流値を示
す。
のＮＴＣサーミスタ素子を、スイッチング電源中にセッ
トし、突入電流抑制効果を測定した。表１に、スイッチ
オン後１秒，２秒，５秒，３０秒経過時の電流値を示
す。
【００１５】
【表１】
【００１６】表１から明らかなように、本発明に従い希
土類遷移元素酸化物を用いたＮＴＣサーミスタ素子にお
いては、通常状態において低抵抗であり、大電流が流せ
ることがわかる。
土類遷移元素酸化物を用いたＮＴＣサーミスタ素子にお
いては、通常状態において低抵抗であり、大電流が流せ
ることがわかる。
【００１７】次に、このＬａＣｏ系酸化物のセラミック
素子をケース中または樹脂封止して、外気から遮断され
た構造にする実施例について説明する。実施例１ 上記のＬａＣｏ系セラミック素子をＰＰＳ樹脂ケース内
にセットした。図１は、この半導体セラミック素子を示
しており、セラミック素体１の両側にはＡｇペーストを
焼き付けて形成した電極２，３が形成されており、これ
らの電極２，３に電気的に接続するように板ばね付き端
子４，５が取付けられている。この端子４，５はケース
台６内に通されている。ケース台６の上方は、ケース７
によってカバーされている。ケース台６及びケース７
は、ＰＰＳ樹脂より形成されている。この実施例では、
このケース台６及びケース７によりセラミック素体１を
覆うことにより、外気と遮断した構造としている。
素子をケース中または樹脂封止して、外気から遮断され
た構造にする実施例について説明する。実施例１ 上記のＬａＣｏ系セラミック素子をＰＰＳ樹脂ケース内
にセットした。図１は、この半導体セラミック素子を示
しており、セラミック素体１の両側にはＡｇペーストを
焼き付けて形成した電極２，３が形成されており、これ
らの電極２，３に電気的に接続するように板ばね付き端
子４，５が取付けられている。この端子４，５はケース
台６内に通されている。ケース台６の上方は、ケース７
によってカバーされている。ケース台６及びケース７
は、ＰＰＳ樹脂より形成されている。この実施例では、
このケース台６及びケース７によりセラミック素体１を
覆うことにより、外気と遮断した構造としている。
【００１８】実施例２ 上述のＬａＣｏ系セラミック素子をシリコン樹脂中にデ
ィップモールドすることにより、シリコーン樹脂で被覆
した。図２はこの半導体セラミック素子を示しており、
セラミック素体１の両側に設けられた電極２，３に電気
的に接続するようにハンダ８，９により端子４，５が取
付けられている。この状態でシリコーン樹脂中にディッ
プモールドすることにより、そのまわりにシリコーン樹
脂からなる樹脂モールド部１０が形成されている。この
実施例では、樹脂モールド部１０により、セラミック素
体１が外気から遮断された構造とされている。
ィップモールドすることにより、シリコーン樹脂で被覆
した。図２はこの半導体セラミック素子を示しており、
セラミック素体１の両側に設けられた電極２，３に電気
的に接続するようにハンダ８，９により端子４，５が取
付けられている。この状態でシリコーン樹脂中にディッ
プモールドすることにより、そのまわりにシリコーン樹
脂からなる樹脂モールド部１０が形成されている。この
実施例では、樹脂モールド部１０により、セラミック素
体１が外気から遮断された構造とされている。
【００１９】比較例１ 図３に示すように、比較として、図１に示すケース７で
覆われない構造のセラミック素子を作製した。
覆われない構造のセラミック素子を作製した。
【００２０】比較例２ 図４に示すように、比較として、図２に示す樹脂モール
ド部１０によって覆われない構造のセラミック素子を作
製した。
ド部１０によって覆われない構造のセラミック素子を作
製した。
【００２１】実施例１，２及び比較例１，２の各素子
を、大気中１８０℃で放置し、室温抵抗の変化を調べ
た。この結果を表２に示す。
を、大気中１８０℃で放置し、室温抵抗の変化を調べ
た。この結果を表２に示す。
【００２２】
【表２】
【００２３】表２から明らかなように、本発明に従いセ
ラミック素体が外気から遮断された構造である実施例
１，２の素子は、いずれも比較例１，２に比べ、室温抵
抗の変化が小さいことがわかる。
ラミック素体が外気から遮断された構造である実施例
１，２の素子は、いずれも比較例１，２に比べ、室温抵
抗の変化が小さいことがわかる。
【００２４】以上の実施例においては、セラミック素体
を外気から遮断するため、ＰＰＳ樹脂またはシリコーン
樹脂などの樹脂でセラミック素体をまわりを覆っている
が、ケースまたは樹脂モールド部等を形成する樹脂とし
ては、上記樹脂に限定されるものではなく、例えば、Ｐ
ＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）及びＰＢＴ（ポリ
ブチレンテレフタレート）などの他の耐熱性樹脂も使用
することができる。
を外気から遮断するため、ＰＰＳ樹脂またはシリコーン
樹脂などの樹脂でセラミック素体をまわりを覆っている
が、ケースまたは樹脂モールド部等を形成する樹脂とし
ては、上記樹脂に限定されるものではなく、例えば、Ｐ
ＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）及びＰＢＴ（ポリ
ブチレンテレフタレート）などの他の耐熱性樹脂も使用
することができる。
【００２５】
【発明の効果】本発明に従えば、セラミック素体を希土
類遷移元素酸化物から形成し、かつセラミック素体が実
質的に外気から遮断された構造にしている。希土類遷移
元素酸化物からなるセラミック素体を用いているため、
低抵抗で室温のＢ定数が小さく、かつ高温でのＢ定数が
大きく、定常状態における電力消費量を十分に低減する
ことができ、かつ大電流を流すことができる。また外気
から遮断された構造としているため、室温抵抗の変化を
小さくすることができる。このため、本発明の半導体セ
ラミック素子はスイッチング電源などの大電流が流れる
箇所においても使用することができる。
類遷移元素酸化物から形成し、かつセラミック素体が実
質的に外気から遮断された構造にしている。希土類遷移
元素酸化物からなるセラミック素体を用いているため、
低抵抗で室温のＢ定数が小さく、かつ高温でのＢ定数が
大きく、定常状態における電力消費量を十分に低減する
ことができ、かつ大電流を流すことができる。また外気
から遮断された構造としているため、室温抵抗の変化を
小さくすることができる。このため、本発明の半導体セ
ラミック素子はスイッチング電源などの大電流が流れる
箇所においても使用することができる。
【図１】本発明に従う一実施例を示す断面図。
【図２】本発明に従う他の実施例を示す断面図。
【図３】比較のセラミック素子を示す断面図。
【図４】他の比較のセラミック素子を示す断面図。
１…セラミック素体 ２，３…電極 ４，５…端子 ６…ケース台 ７…ケース ８，９…ハンダ １０…樹脂モールド部
Claims (2)
- 【請求項１】 負の抵抗温度係数を有するセラミック素
体を用いた半導体セラミック素子において、 前記セラミック素体が希土類遷移元素酸化物により形成
され、かつセラミック素体が実質的に外気から遮断され
た構造であることを特徴とする、半導体セラミック素
子。 - 【請求項２】 前記希土類遷移元素酸化物が、ＬａＣｏ
系酸化物である、請求項１に記載の半導体セラミック素
子。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5177813A JPH0737706A (ja) | 1993-07-19 | 1993-07-19 | 半導体セラミック素子 |
| EP94110973A EP0635852B1 (en) | 1993-07-19 | 1994-07-14 | Semiconductor ceramic device |
| TW083106424A TW249799B (ja) | 1993-07-19 | 1994-07-14 | |
| DE69424477T DE69424477T2 (de) | 1993-07-19 | 1994-07-14 | Keramik-Halbleiterbauelement |
| SG1996003939A SG48945A1 (en) | 1993-07-19 | 1994-07-14 | Semiconductor ceramic device |
| US08/276,514 US5504371A (en) | 1993-07-19 | 1994-07-15 | Semiconductor ceramic device having a ceramic element with negative temperature coefficient of resistance |
| KR1019940017241A KR0139600B1 (ko) | 1993-07-19 | 1994-07-18 | 반도체 세라믹 소자 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5177813A JPH0737706A (ja) | 1993-07-19 | 1993-07-19 | 半導体セラミック素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0737706A true JPH0737706A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16037542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5177813A Pending JPH0737706A (ja) | 1993-07-19 | 1993-07-19 | 半導体セラミック素子 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5504371A (ja) |
| EP (1) | EP0635852B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0737706A (ja) |
| KR (1) | KR0139600B1 (ja) |
| DE (1) | DE69424477T2 (ja) |
| SG (1) | SG48945A1 (ja) |
| TW (1) | TW249799B (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3687696B2 (ja) * | 1996-02-06 | 2005-08-24 | 株式会社村田製作所 | 半導体磁器組成物とそれを用いた半導体磁器素子 |
| US5889322A (en) * | 1996-11-29 | 1999-03-30 | Kyocera Corporation | Low-temperature calcined ceramics |
| TW460429B (en) * | 1997-10-08 | 2001-10-21 | Murata Manufacturing Co | Semiconductive ceramic composition and semiconductive ceramic element using the same |
| JPH11340007A (ja) * | 1998-05-22 | 1999-12-10 | Murata Mfg Co Ltd | 負特性サーミスタおよび電子複写機 |
| DE19851869B4 (de) * | 1998-11-10 | 2007-08-02 | Epcos Ag | Heißleiter-Temperaturfühler |
| US6358875B1 (en) * | 1999-01-25 | 2002-03-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductive ceramic material, semiconductive ceramic, and semiconductive ceramic element |
| MY120265A (en) * | 1999-03-11 | 2005-09-30 | Murata Manufacturing Co | Negative temperature coefficient thermistor |
| DE10045705A1 (de) * | 2000-09-15 | 2002-04-04 | Vacuumschmelze Gmbh & Co Kg | Magnetkern für einen Transduktorregler und Verwendung von Transduktorreglern sowie Verfahren zur Herstellung von Magnetkernen für Transduktorregler |
| US6794220B2 (en) * | 2001-09-05 | 2004-09-21 | Konica Corporation | Organic thin-film semiconductor element and manufacturing method for the same |
| KR100431442B1 (ko) * | 2002-01-17 | 2004-05-14 | 주식회사 광원 | 자동차용 방수 써미스터 |
| KR101038149B1 (ko) * | 2003-08-26 | 2011-05-31 | 엘지전자 주식회사 | 건조기 및 그 히터 에러 감지방법 |
| DE102006053081A1 (de) | 2006-11-10 | 2008-05-15 | Epcos Ag | Elektrische Baugruppe mit PTC-Widerstandselementen |
| DE102006053085A1 (de) | 2006-11-10 | 2008-05-15 | Epcos Ag | Elektrische Baugruppe mit PTC-Widerstandselementen |
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