JPH0935908A - 正特性サーミスタ装置及びそれを用いた消磁回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】正特性サーミスタ装置の放熱性が良く、再通電
できるまでの復帰時間が短い正特性サーミスタ装置及び
それを用いた消磁回路を提供する。 【解決手段】正特性サーミスタ素子と一対の端子とケー
スとから構成され、正特性サーミスタ素子は平板状の正
特性サーミスタ素体の両主面に電極が形成されており、
一対の端子は一端に平板部を有する平端子とバネ部を有
するバネ端子とからなり、正特性サーミスタ素子の電極
に一対の端子の平板部とバネ部とが当接した状態で前記
ケースに収納されるとともに、ケースからは一対の端子
の他端が延出している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、カラーテレビやカ
ラーモニター等のブラウン管の消磁用に用いられる正特
性サーミスタ装置及びそれを用いた消磁回路に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】正特性サーミスタ装置として、従来から
図６に示すものがある。この第１従来例の正特性サーミ
スタ装置１０は、正特性サーミスタ素子１と一対の端子
２，２とケース４とから構成される。

【０００３】正特性サーミスタ素子１は平板状の正特性
サーミスタ素体の両主面に電極１ａ，１ａが形成されて
いる。一対の端子２，２は一端にバネ部２ａが形成さ
れ、他端に細幅状のリード端子部２ｂ，２ｂが形成され
ている。ケース４は、上面が開口した樹脂成型品のケー
ス本体４ａと蓋体４ｂとからなり、ケース本体４ａの上
部開口は蓋体４ｂで閉じられている。

【０００４】正特性サーミスタ装置１０は、正特性サー
ミスタ素子１が一対の端子２，２のバネ部２ａ，２ａに
その両主面すなわち電極１ａ，１ａを当接させてケース
４に収納されており、一対の端子２，２の他端がケース
４の外部に延出されて組み立てられている。

【０００５】さらに、他の正特性サーミスタ装置として
従来から図７に示すものがある。この第２従来例の正特
性サーミスタ装置１１は、正特性サーミスタ素子１と一
対の端子６，６と絶縁被膜７とから構成される。この正
特性サーミスタ装置１１は、正特性サーミスタ素子１の
電極１ａ，１ａにリード線等からなる一対の端子６，６
の一端が半田８によって半田付けされ、例えば、エポキ
シ樹脂などの絶縁被膜７によって正特性サーミスタ素子
１が被覆されたものである。

【０００６】このような正特性サーミスタ装置１０，１
１の適用例として図８に示す消磁回路がある。この消磁
回路は、正特性サーミスタ装置１０または１１と消磁コ
イル１３とスイッチ１４とが電源１５に直列に接続され
て構成されている。この消磁回路において、スイッチ１
４をオンにして通電すると、通電開始時に正特性サーミ
スタ装置１０（１１）と消磁コイル１３に初期電流が流
れる。そして、正特性サーミスタ装置１０（１１）の電
流時間特性によって消磁回路に流れる電流が徐々に小さ
くなりながら、正特性サーミスタ装置１０（１１）の放
熱と発熱とが平衡状態に達して安定電流になる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例の正特性サーミスタ装置及びそれを用いた消磁回路
には、次のような問題があった。即ち、第１従来例の正
特性サーミスタ装置１０及び第２従来例の正特性サーミ
スタ装置１１では、熱放散効果を発揮する構造でないた
め消磁回路の電源１５を切断後、正特性サーミスタ素子
１の抵抗値が十分に小さくなるまでに時間を要した。こ
のため、例えば、正特性サーミスタ装置１０，１１が復
帰する前に再通電しても、消磁回路に流れる突入電流が
小さくなり、消磁効果が十分に発揮できなかった。

【０００８】したがって、本発明の目的は、上述の問題
点を解消するためになされたもので、正特性サーミスタ
装置の放熱性が良く、再通電できるまでの復帰時間が短
い正特性サーミスタ装置及びそれを用いた消磁回路を提
供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の正特性サーミスタ装置においては、正特性
サーミスタ素子と一対の端子とケースとから構成され、
前記正特性サーミスタ素子は平板状の正特性サーミスタ
素体の両主面に電極が形成されており、前記一対の端子
は一端に平板部を有する平端子とバネ部を有するバネ端
子とからなり、前記正特性サーミスタ素子の電極に前記
一対の端子の平板部とバネ部とが当接した状態で前記ケ
ースに収納されるとともに、該ケースからは前記一対の
端子の他端が延出していることを特徴とする。

【００１０】また、前記平端子の平板部が前記ケースの
内壁に当接していることを特徴とする。さらにまた、上
述した正特性サーミスタ装置であって、前記正特性サー
ミスタ素子と前記バネ端子との間に平板状の放熱板が配
設されたことを特徴とする。

【００１１】さらにまた、正特性サーミスタ装置と消磁
コイルと通電遮断素子とが電源に直列接続され、通電開
始から所定時間経過後に前記通電遮断素子によって通電
が遮断される回路に用いられることを特徴とする。

【００１２】そして、本発明による正特性サーミスタ装
置を用いた消磁回路においては、正特性サーミスタ装置
と消磁コイルと通電遮断素子とが電源に直列接続され、
通電開始から所定時間経過後に前記通電遮断素子によっ
て通電が遮断されることを特徴とする。

【００１３】これにより、正特性サーミスタ素子の一方
の主面に平端子の平面部が当接され、さらに、ケースに
当接されており、正特性サーミスタ素子からの熱が平端
子，ケースを介して放熱される。さらにまた、バネ端子
と当接する正特性サーミスタの他方の主面に放熱板が当
接されており、正特性サーミスタ素子からの熱が放熱板
を介して放熱される。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明による一つの実施の
形態を図１及び図２を参照して詳細に説明する。この正
特性サーミスタ装置２０は、正特性サーミスタ素子２１
と、一対の端子である平端子２２及びバネ端子２３と、
ケース２４とから構成される。

【００１５】正特性サーミスタ素子２１は平板状の正特
性サーミスタ素体２１ａの両主面に電極２５，２５が形
成されたものである。この電極２５は、正特性サーミス
タ素体２１ａとオーム性接触が保たれる、例えば、下層
２５ａに無電解めっきによるニッケル層と、外層２５ｂ
に焼付けによる銀を主成分とする銀層とから構成され
る。そして、銀によるマイグレーション防止のために、
下層２５ａが正特性サーミスタ素体の両主面に形成さ
れ、最外層２５ｂが下層２５ａの端部からギャップＧを
設けて形成されることが好ましい。

【００１６】平端子２２は、洋白等の熱伝導がよい金属
からなり、一端に正特性サーミスタ素子２１の径より大
きい平板部２２ａを有し、他端に平板部２２ａより細幅
のリード端子部２２ｂを有する。ばね端子２３は、リン
青銅等のバネ性のよい金属からなり、一端に正特性サー
ミスタ素子２１の径より大きい平面部から突出されたバ
ネ部２３ａを有し、他端に平面部より細幅のリード端子
部２３ｂを有する。

【００１７】ケース２４は、上面が開口した樹脂成型品
のケース本体２４ａと、ケース本体２４ａの開口部を閉
じる蓋体２４ｂとからなる。ケース本体２４ａの底部
は、平端子２２，バネ端子２３のそれぞれのリード端子
部２２ｂ，２３ｂが挿入できる孔（図示せず）を有して
いる。

【００１８】正特性サーミスタ装置２０は、正特性サー
ミスタ素子２１が平端子２２の平板部２２ａ及びバネ端
子２３のバネ部２３ａにその両主面、すなわち、電極２
５，２５を当接させてケース２４に収納されており、平
端子２２のリード端子部２２ｂ及びバネ端子２３のリー
ド端子部２３ｂがケース２４の外部に延出されて組み立
てられている。そして、平端子２２の平板部２２ａがケ
ース２４の内壁２４ｃに当接される。したがって、正特
性サーミスタ素子２１の一方の主面は平板部２２ａを介
してケース２４の内壁２４ａに当接される。

【００１９】次に、本発明による他の実施の形態を図３
及び図４を参照して詳細に説明する。但し、前述の一つ
の実施の形態と同一部分については、同一の符号を付
し、詳細な説明を省略する。この正特性サーミスタ装置
３０は、正特性サーミスタ素子２１と、一対の端子であ
る平端子２２及びバネ端子３３と、放熱板３６と、ケー
ス２４とから構成される。

【００２０】バネ端子３３は、リン青銅等のバネ性の金
属からなり、一端に正特性サーミスタ素子２１を押圧す
るために折り曲げ形成されたバネ部３３ａを有し、他端
に細幅のリード端子部３３ｂを有する。

【００２１】放熱板３６は銅合金等の熱伝導がよい金属
からなり、正特性サーミスタ素子２１の径より大きい平
板状をなす。

【００２２】正特性サーミスタ装置３０は、正特性サー
ミスタ素子２１が平端子２２の平板部２２ａ及び放熱板
３６にその両主面の電極２５，２５を当接させた状態
で、バネ端子３３のバネ部３３ａにより放熱板３６を介
して押圧されて、ケース２４に収納されている。そし
て、平端子２２のリード端子部２２ｂ及びバネ端子３３
のリード端子部３３ｂがケース２４の外部に延出されて
組み立てられている。さらに、平端子２２の平板部２２
ａがケース２４の内壁２４ｃに当接されている。したが
って、正特性サーミスタ素子２１の一方の主面は平板部
２２ａを介してケース２４の内壁２４ａに当接される。

【００２３】次に、本発明による消磁回路について、図
５を参照して詳細に説明する。この消磁回路は、正特性
サーミスタ装置４０と消磁コイル４２とスイッチ４３と
通電遮断素子４４が電源４５に直列に接続されている。

【００２４】消磁コイル４２はカラーブラウン管等のシ
ャドウマスクに着磁した磁界を除去するためのコイルで
ある。通電遮断素子４４は、リレー又はバイメタル等に
よって通電開始から所定時間、例えば５〜３０秒経過後
に通電を遮断するものである。

【００２５】かかる消磁回路において、スイッチ４３を
オンにして消磁回路に通電すると、通電開始時に正特性
サーミスタ装置４０と消磁コイル４２に初期電流が流れ
る。そして、正特性サーミスタ装置４０の電流時間特性
によって消磁回路に流れる電流が徐々に小さくなる一方
で、電流遮断素子４３によって、５〜３０秒後に消磁回
路の通電が遮断される。遮断後に、正特性サーミスタ装
置４０の熱が放散され、例えば、略２分後に復帰可能状
態になる。そして、この消磁回路に示した正特性サーミ
スタ装置４０は上述した実施の形態の正特性サーミスタ
装置２０及び正特性サーミスタ装置３０が用いられる。

【００２６】（評価試験）上述した実施の形態と従来例
との放熱効果を比較した評価例を以下に説明する。直径
１４ｍｍ，厚さ２．３ｍｍ、常温抵抗５Ω、キュリー温
度６０℃の正特性サーミスタ素子を準備して、一つの実
施の形態である正特性サーミスタ装置２０を作成した。
そして、図５に示した消磁回路に正特性サーミスタ装置
２０と消磁コイル４２に５Ωのコイルを装填し、電源４
５にＡＣ１００Ｖｒｍｓ，６０Ｈｚ、電源遮断素子４４
によって６秒間印加の後電源４５を切断して、正特性サ
ーミスタ装置２０が復帰する時間を測定した。その結果
を表１に示す。この際の復帰時間とは、２５℃における
正特性サーミスタ素子の抵抗値の２倍の抵抗値、即ち正
特性サーミスタ素子の抵抗値が１０Ωに戻る時間であ
る。

【００２７】比較例１として上述と同一の正特性サーミ
スタ素子を用い、第１従来例の正特性サーミスタ装置１
０を作成した。また、比較例２として上述と同一の正特
性サーミスタ素子を用い、第２従来例の正特性サーミス
タ装置１１を作成した。そして、上述と同一の条件で復
帰時間をそれぞれ測定し、その結果を表１に示す。

【００２８】表１から理解できるように、本発明による
正特性サーミスタ装置の復帰時間が従来例より短くなっ
ていることがわかる。

【００２９】

【表１】

【００３０】上述した評価例からもわかるように、本発
明による正特性サーミスタ装置３０，４０は発熱した正
特性サーミスタ素子２１からの放熱がよくなり、その結
果消磁後に正特性サーミスタ装置３０，４０に流れる安
定電流が従来例の正特性サーミスタ装置１０，１１に流
れる安定電流より大きくなる。したがって、この放熱特
性を改善した本発明による正特性サーミスタ装置は、電
流遮断素子４４を用いた消磁回路に適している。また、
本実施の形態による消磁回路に本発明による正特性サー
ミスタ装置を用いると、消磁回路を断続的に動作させる
場合の待ち時間を短くすることができる。

【００３１】

【発明の効果】以上のように、本発明による正特性サー
ミスタ装置では、正特性サーミスタ素子の一方の主面に
熱伝導がよい平端子の平板部が当接されているために、
平端子を介して正特性サーミスタ素子からの熱がよく放
散される。

【００３２】また、正特性サーミスタ素子の一方の主面
に当接された平端子の平板部がさらにケースの内壁に当
接されているために、ケースを介して正特性サーミスタ
素子の熱がよく放散される。

【００３３】さらにまた、正特性サーミスタ素子の他方
の主面にも熱伝導がよい放熱板を当接させたものは、さ
らにこの放熱板を介して正特性サーミスタ素子の熱がよ
く放散されるという効果が得られる。

【００３４】そして、本発明による正特性サーミスタ装
置及び電流遮断素子が直列に接続されて消磁回路を構成
することにより、正特性サーミスタ装置に流れる安定電
流が所定時間経過後に遮断されるとともに、正特性サー
ミスタ装置が早く放熱されて再通電の際に、正特性サー
ミスタ装置及び消磁コイルに十分な初期電流が流れると
いう効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一つの実施の形態に係る正特性サーミ
スタ装置を示す一部側面断面図である。

【図２】図１に用いられる正特性サーミスタ素子，平端
子，バネ端子の斜視図である。

【図３】本発明の他の実施の形態に係る正特性サーミス
タ装置の一部側面断面図である。

【図４】図３に用いられる正特性サーミスタ素子，平端
子，バネ端子，放熱板の斜視図である。

【図５】実施の形態の消磁回路を示す回路図である。

【図６】第１従来例の構造を示す一部側面断面図であ
る。

【図７】第２従来例の構造を示す一部側面断面図であ
る。

【図８】従来例の消磁回路を示す回路図である。

【符号の説明】

２０，３０ 正特性サーミスタ装置 ２１ 正特性サーミスタ素子 ２２ 平端子 ２２ａ 平板部 ２２ｂ 平端子のリード端子部 ２３ バネ端子 ２３ａ バネ部 ２３ｂ バネ端子のリード端子部 ２４ ケース ２４ｃ 内壁 ２５ 電極 ３６ 放熱板 ４０ 正特性サーミスタ装置 ４２ 消磁コイル ４４ 電流遮断素子

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 正特性サーミスタ素子と一対の端子とケ
   ースとから構成され、前記正特性サーミスタ素子は平板
   状の正特性サーミスタ素体の両主面に電極が形成されて
   おり、前記一対の端子は一端に平板部を有する平端子と
   バネ部を有するバネ端子とからなり、前記正特性サーミ
   スタ素子の電極に前記一対の端子の平板部とバネ部とが
   当接した状態で前記ケースに収納されるとともに、該ケ
   ースからは前記一対の端子の他端が延出していることを
   特徴とする正特性サーミスタ装置。
2. 【請求項２】 前記平端子の平板部が前記ケースの内壁
   に当接していることを特徴とする請求項１に記載の正特
   性サーミスタ装置。
3. 【請求項３】 請求項１又は２に記載の正特性サーミス
   タ装置であって、前記正特性サーミスタ素子と前記バネ
   端子との間に平板状の放熱板が配設されたことを特徴と
   する正特性サーミスタ装置。
4. 【請求項４】 正特性サーミスタ装置と消磁コイルと通
   電遮断素子とが電源に直列接続され、通電開始から所定
   時間経過後に前記通電遮断素子によって通電が遮断され
   る消磁回路に用いられることを特徴とする請求項１，２
   又は３に記載の正特性サーミスタ装置。
5. 【請求項５】 請求項１，２又は３に記載の正特性サー
   ミスタ装置と消磁コイルと通電遮断素子とが電源に直列
   接続され、通電開始から所定時間経過後に前記通電遮断
   素子によって通電が遮断されることを特徴とする消磁回
   路。