JPH11329915A - ウェハとその識別方法及びその識別装置 - Google Patents
ウェハとその識別方法及びその識別装置Info
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- JPH11329915A JPH11329915A JP13561598A JP13561598A JPH11329915A JP H11329915 A JPH11329915 A JP H11329915A JP 13561598 A JP13561598 A JP 13561598A JP 13561598 A JP13561598 A JP 13561598A JP H11329915 A JPH11329915 A JP H11329915A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54493—Peripheral marks on wafers, e.g. orientation flats, notches, lot number
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェハの酸化面の余剰部分を出来るだけ減少
させるとともに、識別マークを形成するための領域を十
分確保し、さらに、ウェハを一葉毎に管理することが可
能なウェハとその識別方法及びその識別装置を提供す
る。 【解決手段】 ウェハ１１の外周面１１ａに、その特定
位置から特定方向に沿って符号列１３を形成してなるこ
とを特徴とする。
させるとともに、識別マークを形成するための領域を十
分確保し、さらに、ウェハを一葉毎に管理することが可
能なウェハとその識別方法及びその識別装置を提供す
る。 【解決手段】 ウェハ１１の外周面１１ａに、その特定
位置から特定方向に沿って符号列１３を形成してなるこ
とを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハとその識別
方法及びその識別装置に関し、特に、酸化面における余
剰部分を減少させることができ、複数葉のウェハをウェ
ハ搬送用のカセット内に収納した状態で一葉毎の管理を
行うことができるウェハとその識別方法及びその識別装
置に関するものである。
方法及びその識別装置に関し、特に、酸化面における余
剰部分を減少させることができ、複数葉のウェハをウェ
ハ搬送用のカセット内に収納した状態で一葉毎の管理を
行うことができるウェハとその識別方法及びその識別装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体製造工程においては、複数
葉のウェハを収納するウェハ搬送用カセットに前記ウェ
ハの製造ロット番号等を刻印することにより、製造ロッ
ト毎にウェハの管理を行っている。しかし、この方法で
は、ウェハをカセット単位で管理することになるため
に、ウェハを一葉毎に識別して管理することはできな
い。例えば、ウェハの製造条件の設定を各ウェハ毎に自
動的に行う必要がある等の場合に対しては対応すること
ができない。
葉のウェハを収納するウェハ搬送用カセットに前記ウェ
ハの製造ロット番号等を刻印することにより、製造ロッ
ト毎にウェハの管理を行っている。しかし、この方法で
は、ウェハをカセット単位で管理することになるため
に、ウェハを一葉毎に識別して管理することはできな
い。例えば、ウェハの製造条件の設定を各ウェハ毎に自
動的に行う必要がある等の場合に対しては対応すること
ができない。
【０００３】そこで、ウェハを一葉毎に識別するため
に、図６に示すように、酸化面（またはメタル面）であ
るウェハ１の裏面１ａ（または表面）のオリエンテーシ
ョンフラット２近傍の位置に、品種や製造条件を表すバ
ーコード等の識別コード３を刻印し、製造装置がこの識
別コード３を認識することにより該ウェハ１に適した製
造条件等を設定するようになっている。
に、図６に示すように、酸化面（またはメタル面）であ
るウェハ１の裏面１ａ（または表面）のオリエンテーシ
ョンフラット２近傍の位置に、品種や製造条件を表すバ
ーコード等の識別コード３を刻印し、製造装置がこの識
別コード３を認識することにより該ウェハ１に適した製
造条件等を設定するようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来のウェハ１では、裏面１ａ上のオリエンテーションフ
ラット２近傍の特定部分を識別コード３の形成領域とし
ているために、該裏面１ａの半導体チップにされない部
分すなわち酸化面の余剰部分を大きく取る必要があり、
その分、ウェハ１の有効利用面積が狭くなるという問題
点があった。また、研磨技術の進歩により裏面１ａ全体
が研磨されるようになると、裏面１ａに識別コード３を
刻印するための領域を確保することが難しくなるという
新たな問題点が生じることとなる。
来のウェハ１では、裏面１ａ上のオリエンテーションフ
ラット２近傍の特定部分を識別コード３の形成領域とし
ているために、該裏面１ａの半導体チップにされない部
分すなわち酸化面の余剰部分を大きく取る必要があり、
その分、ウェハ１の有効利用面積が狭くなるという問題
点があった。また、研磨技術の進歩により裏面１ａ全体
が研磨されるようになると、裏面１ａに識別コード３を
刻印するための領域を確保することが難しくなるという
新たな問題点が生じることとなる。
【０００５】また、ウェハの厚みが極めて薄い極薄ウェ
ハの場合においては、その裏面（主面）に識別コードを
刻印すると、その刻印部分の機械的強度が低下し割れや
欠けの原因になることから、裏面に識別コードを刻印す
ることが難しいという問題点があった。さらに、複数葉
のウェハ１をカセットに収納した場合、これらウェハ１
の裏面１ａ同士が重なるために、カセットに収納した状
態では識別コード３を読み取ることができないという問
題点もあった。
ハの場合においては、その裏面（主面）に識別コードを
刻印すると、その刻印部分の機械的強度が低下し割れや
欠けの原因になることから、裏面に識別コードを刻印す
ることが難しいという問題点があった。さらに、複数葉
のウェハ１をカセットに収納した場合、これらウェハ１
の裏面１ａ同士が重なるために、カセットに収納した状
態では識別コード３を読み取ることができないという問
題点もあった。
【０００６】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであって、ウェハの酸化面の余剰部分を出来るだけ減
少させるとともに、識別マークを形成するための領域を
十分確保し、さらに、ウェハを一葉毎に管理することが
可能なウェハとその識別方法及びその識別装置を提供す
ることを目的とする。
のであって、ウェハの酸化面の余剰部分を出来るだけ減
少させるとともに、識別マークを形成するための領域を
十分確保し、さらに、ウェハを一葉毎に管理することが
可能なウェハとその識別方法及びその識別装置を提供す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は次の様なウェハとその識別方法及びその識
別装置を提供する。すなわち、請求項１記載のウェハ
は、外周面に、その特定位置から特定方向に沿って符号
列を形成してなることを特徴としている。
に、本発明は次の様なウェハとその識別方法及びその識
別装置を提供する。すなわち、請求項１記載のウェハ
は、外周面に、その特定位置から特定方向に沿って符号
列を形成してなることを特徴としている。
【０００８】請求項２記載のウェハの識別方法は、請求
項１記載のウェハを識別する方法であって、前記ウェハ
に形成された符号列を、特定位置から特定方向に沿って
順次読み取り、前記符号列により前記ウェハの識別を行
うことを特徴としている。
項１記載のウェハを識別する方法であって、前記ウェハ
に形成された符号列を、特定位置から特定方向に沿って
順次読み取り、前記符号列により前記ウェハの識別を行
うことを特徴としている。
【０００９】請求項３記載のウェハの識別装置は、請求
項１記載のウェハを識別する装置であって、前記ウェハ
に形成された符号列を特定位置から特定方向に沿って順
次読み取る読み取り手段を備えたことを特徴としてい
る。
項１記載のウェハを識別する装置であって、前記ウェハ
に形成された符号列を特定位置から特定方向に沿って順
次読み取る読み取り手段を備えたことを特徴としてい
る。
【００１０】請求項４記載のウェハの識別装置は、請求
項３記載のウェハの識別装置において、前記読み取り手
段に、読み取った符号列に基づき前記ウェハを他のウェ
ハと識別する識別手段を設けたことを特徴としている。
項３記載のウェハの識別装置において、前記読み取り手
段に、読み取った符号列に基づき前記ウェハを他のウェ
ハと識別する識別手段を設けたことを特徴としている。
【００１１】本発明のウェハでは、外周面に、その特定
位置から特定方向に沿って符号列を形成したことによ
り、該ウェハの主面に符号列を形成する必要が無くな
り、前記主面の酸化される面の余剰部分を減少させるこ
とが可能になり、その結果、ウェハの主面の有効利用面
積を広く取ることが可能になる。また、外周面に符号列
を形成したことにより、主面全体が研磨されるようにな
った場合においても、符号列を形成するための領域を十
分確保することが可能になる。
位置から特定方向に沿って符号列を形成したことによ
り、該ウェハの主面に符号列を形成する必要が無くな
り、前記主面の酸化される面の余剰部分を減少させるこ
とが可能になり、その結果、ウェハの主面の有効利用面
積を広く取ることが可能になる。また、外周面に符号列
を形成したことにより、主面全体が研磨されるようにな
った場合においても、符号列を形成するための領域を十
分確保することが可能になる。
【００１２】また、ウェハの厚みが極めて薄い極薄ウェ
ハの場合、外周面に符号列を形成することにより、ウェ
ハの機械的強度を低下させること無く、割れや欠けの発
生を防止することが可能になる。さらに、複数葉のウェ
ハをカセットに収納した場合、カセットを通して各ウェ
ハの外周面に形成された符号列を読み取ることが可能に
なる。これにより、複数葉のウェハをカセットより取り
出さずに識別することが可能になる。
ハの場合、外周面に符号列を形成することにより、ウェ
ハの機械的強度を低下させること無く、割れや欠けの発
生を防止することが可能になる。さらに、複数葉のウェ
ハをカセットに収納した場合、カセットを通して各ウェ
ハの外周面に形成された符号列を読み取ることが可能に
なる。これにより、複数葉のウェハをカセットより取り
出さずに識別することが可能になる。
【００１３】また、本発明のウェハの識別方法では、ウ
ェハに形成された符号列を、特定位置から特定方向に沿
って順次読み取り、前記符号列により前記ウェハの識別
を行うことにより、半導体製造ラインにおけるウェハの
識別、管理を一葉毎に行なうことが可能になる。
ェハに形成された符号列を、特定位置から特定方向に沿
って順次読み取り、前記符号列により前記ウェハの識別
を行うことにより、半導体製造ラインにおけるウェハの
識別、管理を一葉毎に行なうことが可能になる。
【００１４】また、本発明のウェハの識別装置では、ウ
ェハに形成された符号列を特定位置から特定方向に沿っ
て順次読み取る読み取り手段を備えたことにより、半導
体製造ラインにおけるウェハの識別、管理を簡単な構成
の装置を用いて一葉毎に迅速に行なうことが可能にな
る。また、装置の構成が簡単であるから、半導体製造設
備に簡単に組み込むことが可能になる。
ェハに形成された符号列を特定位置から特定方向に沿っ
て順次読み取る読み取り手段を備えたことにより、半導
体製造ラインにおけるウェハの識別、管理を簡単な構成
の装置を用いて一葉毎に迅速に行なうことが可能にな
る。また、装置の構成が簡単であるから、半導体製造設
備に簡単に組み込むことが可能になる。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明のウェハとその識別方法及
びその識別装置の一実施形態について、図面に基づき説
明する。図１は本発明の一実施形態のウェハを示す斜視
図であり、このウェハ１１は、半導体製造工程において
エッジポリッシング（面取り）が施され、その外周面１
１ａに、Ｖノッチ１２から特定の距離にある特定位置か
ら周方向（特定方向）に沿って品種や製造条件を表すバ
ーコード等の識別コード（符号列）１３が形成されてい
る。
びその識別装置の一実施形態について、図面に基づき説
明する。図１は本発明の一実施形態のウェハを示す斜視
図であり、このウェハ１１は、半導体製造工程において
エッジポリッシング（面取り）が施され、その外周面１
１ａに、Ｖノッチ１２から特定の距離にある特定位置か
ら周方向（特定方向）に沿って品種や製造条件を表すバ
ーコード等の識別コード（符号列）１３が形成されてい
る。
【００１６】識別コード１３の形成方法としては、図２
に示すように、レーザ照射装置２１より照射されるレー
ザ光２２の照射の断続及び照射時間を制御することによ
り、ウェハ１１の外周面１１ａに識別コード１３を刻印
する方法、あるいは、図３に示すように、塗料噴出装置
２３の塗料噴出口２４の開閉を制御することにより、該
塗料噴出口２４よりウェハ１１の品質に影響を与えずか
つ洗浄工程に用いる薬液に耐え得る塗料２５を噴出させ
ることにより、ウェハ１１の外周面１１ａに識別コード
１３を形成する方法等が用いられる。
に示すように、レーザ照射装置２１より照射されるレー
ザ光２２の照射の断続及び照射時間を制御することによ
り、ウェハ１１の外周面１１ａに識別コード１３を刻印
する方法、あるいは、図３に示すように、塗料噴出装置
２３の塗料噴出口２４の開閉を制御することにより、該
塗料噴出口２４よりウェハ１１の品質に影響を与えずか
つ洗浄工程に用いる薬液に耐え得る塗料２５を噴出させ
ることにより、ウェハ１１の外周面１１ａに識別コード
１３を形成する方法等が用いられる。
【００１７】次に、このウェハ１１を識別する装置につ
いて説明する。図４に示すように、複数葉のウェハ１
１、１１、…を所定の間隔をおいて縦状態で収納した透
明容器からなるカセット３１の外部（図中Ａ、Ｂ、Ｃの
何れかの位置）に、レーザビーム３２を照射するレーザ
読み取り装置（読み取り手段）３３が配置されている。
このレーザ読み取り装置３３は、ウェハ１１の外周面１
１ａに形成された識別コード１３に、図中Ａ、Ｂ、Ｃの
何れかの方向よりレーザビーム３２を照射し、その反射
光の強弱により識別コード１３を読み取る。
いて説明する。図４に示すように、複数葉のウェハ１
１、１１、…を所定の間隔をおいて縦状態で収納した透
明容器からなるカセット３１の外部（図中Ａ、Ｂ、Ｃの
何れかの位置）に、レーザビーム３２を照射するレーザ
読み取り装置（読み取り手段）３３が配置されている。
このレーザ読み取り装置３３は、ウェハ１１の外周面１
１ａに形成された識別コード１３に、図中Ａ、Ｂ、Ｃの
何れかの方向よりレーザビーム３２を照射し、その反射
光の強弱により識別コード１３を読み取る。
【００１８】このレーザ読み取り装置３３は、単に識別
コード１３を読み取る機能を備えた構成であってもよい
が、読み取った識別コード１３を入力しウェハ１１の品
種や製造ロット等の識別機能を有するコンピュータ等の
識別手段を設けた構成とすればなおよい。この識別手段
はレーザ読み取り装置３３に内蔵されていてもよく、ま
た、半導体製造ラインの制御装置に設けられていてもよ
い。さらに、このレーザ読み取り装置３３は独立した構
成としてもよく、また、ウェハ１１の搬送装置に付加し
た構成としてもよい。
コード１３を読み取る機能を備えた構成であってもよい
が、読み取った識別コード１３を入力しウェハ１１の品
種や製造ロット等の識別機能を有するコンピュータ等の
識別手段を設けた構成とすればなおよい。この識別手段
はレーザ読み取り装置３３に内蔵されていてもよく、ま
た、半導体製造ラインの制御装置に設けられていてもよ
い。さらに、このレーザ読み取り装置３３は独立した構
成としてもよく、また、ウェハ１１の搬送装置に付加し
た構成としてもよい。
【００１９】このレーザ読み取り装置３３により識別コ
ード１３を読み取るには、カセット３１あるいはレーザ
読み取り装置３３を、識別コード１３の配列方向に対し
て垂直かつ平行に移動させ、識別コード１３を配列方向
に順次読み取る。例えば、図５に示すように、ウェハ１
１をカセット３１毎回転させてレーザビーム３２を識別
コード１３に斜めに照射することにより、照射位置の位
置決めを容易に行なうことができる。
ード１３を読み取るには、カセット３１あるいはレーザ
読み取り装置３３を、識別コード１３の配列方向に対し
て垂直かつ平行に移動させ、識別コード１３を配列方向
に順次読み取る。例えば、図５に示すように、ウェハ１
１をカセット３１毎回転させてレーザビーム３２を識別
コード１３に斜めに照射することにより、照射位置の位
置決めを容易に行なうことができる。
【００２０】以上説明したように、本実施形態のウェハ
１１によれば、その外周面１１ａに、Ｖノッチ１２から
特定の距離にある特定位置から周方向に沿ってバーコー
ド等の識別コード１３を形成したので、ウェハ１１の酸
化面（裏面）に識別コード１３を形成する必要が無くな
り、ウェハ１１の酸化面の余剰部分を減少させることが
できる。その結果、ウェハ１１の酸化面の有効利用面積
を広く取ることができ、ウェハ１１の酸化面及びメタル
面の両面共に品質に影響無いようにすることができる。
１１によれば、その外周面１１ａに、Ｖノッチ１２から
特定の距離にある特定位置から周方向に沿ってバーコー
ド等の識別コード１３を形成したので、ウェハ１１の酸
化面（裏面）に識別コード１３を形成する必要が無くな
り、ウェハ１１の酸化面の余剰部分を減少させることが
できる。その結果、ウェハ１１の酸化面の有効利用面積
を広く取ることができ、ウェハ１１の酸化面及びメタル
面の両面共に品質に影響無いようにすることができる。
【００２１】また、ウェハ１１の表面（または裏面）全
体が研磨されるようになった場合においても、識別コー
ド１３を形成するための領域を十分確保することができ
る。また、ウェハ１１の厚みが極めて薄い場合において
も、ウェハ１１の機械的強度を低下させること無く、割
れや欠けの発生を防止することができる。
体が研磨されるようになった場合においても、識別コー
ド１３を形成するための領域を十分確保することができ
る。また、ウェハ１１の厚みが極めて薄い場合において
も、ウェハ１１の機械的強度を低下させること無く、割
れや欠けの発生を防止することができる。
【００２２】また、本実施形態のレーザ読み取り方法に
よれば、カセット３１あるいはレーザ読み取り装置３３
を、識別コード１３の配列方向に対して垂直かつ平行に
移動させ、識別コード１３を配列方向に順次読み取るこ
ととしたので、半導体製造ラインにおけるウェハの識
別、管理を一葉毎に行なうことができる。
よれば、カセット３１あるいはレーザ読み取り装置３３
を、識別コード１３の配列方向に対して垂直かつ平行に
移動させ、識別コード１３を配列方向に順次読み取るこ
ととしたので、半導体製造ラインにおけるウェハの識
別、管理を一葉毎に行なうことができる。
【００２３】また、本実施形態のレーザ読み取り装置３
３によれば、複数葉のウェハ１１、１１、…を収納した
カセット３１の外部に、レーザビーム３２の反射光の強
弱により識別コード１３を読み取るレーザ読み取り装置
３３を配置したので、半導体製造ラインにおけるウェハ
１１の識別、管理を簡単な構成の装置を用いて一葉毎に
迅速に行なうことができる。したがって、半導体製造工
程内のウェハ１１を一意に認識することができ、半製品
である工程中のウェハ１１のトレーサビリティに係わる
情報を容易に取得することができ、品質管理や製造条件
データとの関連付けを容易にすることができる。
３によれば、複数葉のウェハ１１、１１、…を収納した
カセット３１の外部に、レーザビーム３２の反射光の強
弱により識別コード１３を読み取るレーザ読み取り装置
３３を配置したので、半導体製造ラインにおけるウェハ
１１の識別、管理を簡単な構成の装置を用いて一葉毎に
迅速に行なうことができる。したがって、半導体製造工
程内のウェハ１１を一意に認識することができ、半製品
である工程中のウェハ１１のトレーサビリティに係わる
情報を容易に取得することができ、品質管理や製造条件
データとの関連付けを容易にすることができる。
【００２４】以上、本発明のウェハとその識別方法及び
その識別装置の一実施形態について図面に基づき説明し
てきたが、具体的な構成は本実施形態に限定されるもの
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で設計の変更
等が可能である。例えば、識別コード１３の形態や大き
さ、外周面１１ａ上の形成すべき位置及びその基準とし
ているＶノッチ１２はオリエンテーションフラットでも
代替可能であり、必要に応じて変更することができる。
また、図４のように、カセット内部での識別に限らず、
カセット外部においても、１枚あるいは複数枚の識別が
可能である。
その識別装置の一実施形態について図面に基づき説明し
てきたが、具体的な構成は本実施形態に限定されるもの
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で設計の変更
等が可能である。例えば、識別コード１３の形態や大き
さ、外周面１１ａ上の形成すべき位置及びその基準とし
ているＶノッチ１２はオリエンテーションフラットでも
代替可能であり、必要に応じて変更することができる。
また、図４のように、カセット内部での識別に限らず、
カセット外部においても、１枚あるいは複数枚の識別が
可能である。
【００２５】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明のウェハによ
れば、外周面に、その特定位置から特定方向に沿って符
号列を形成したので、ウェハの酸化される面の余剰部分
を減少させることができ、その結果、ウェハの主面の有
効利用面積を広く取ることができる。また、主面全体が
研磨されるようになった場合においても、符号列を形成
するための領域を十分確保することができる。また、ウ
ェハの厚みが極めて薄い場合においても、外周面に符号
列を形成することにより、ウェハの機械的強度を低下さ
せること無く、割れや欠けの発生を防止することができ
る。
れば、外周面に、その特定位置から特定方向に沿って符
号列を形成したので、ウェハの酸化される面の余剰部分
を減少させることができ、その結果、ウェハの主面の有
効利用面積を広く取ることができる。また、主面全体が
研磨されるようになった場合においても、符号列を形成
するための領域を十分確保することができる。また、ウ
ェハの厚みが極めて薄い場合においても、外周面に符号
列を形成することにより、ウェハの機械的強度を低下さ
せること無く、割れや欠けの発生を防止することができ
る。
【００２６】また、本発明のウェハの識別方法によれ
ば、ウェハに形成された符号列を、特定位置から特定方
向に沿って順次読み取り、前記符号列により前記ウェハ
の識別を行うので、半導体製造ラインにおけるウェハの
識別、管理を一葉毎に行なうことができる。
ば、ウェハに形成された符号列を、特定位置から特定方
向に沿って順次読み取り、前記符号列により前記ウェハ
の識別を行うので、半導体製造ラインにおけるウェハの
識別、管理を一葉毎に行なうことができる。
【００２７】また、本発明のウェハの識別装置によれ
ば、ウェハに形成された符号列を特定位置から特定方向
に沿って順次読み取る読み取り手段を備えたので、半導
体製造ラインにおけるウェハの識別、管理を簡単な構成
の装置を用いて一葉毎に迅速に行なうことができる。ま
た、装置の構成が簡単であるから、小型化が容易であ
り、半導体製造設備に簡単に組み込むことができる。
ば、ウェハに形成された符号列を特定位置から特定方向
に沿って順次読み取る読み取り手段を備えたので、半導
体製造ラインにおけるウェハの識別、管理を簡単な構成
の装置を用いて一葉毎に迅速に行なうことができる。ま
た、装置の構成が簡単であるから、小型化が容易であ
り、半導体製造設備に簡単に組み込むことができる。
【図１】 本発明の一実施形態のウェハを示す斜視図で
ある。
ある。
【図２】 本発明の一実施形態の識別コードの形成方法
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図３】 本発明の一実施形態の識別コードの他の形成
方法を示す斜視図である。
方法を示す斜視図である。
【図４】 本発明の一実施形態のウェハの識別装置を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図５】 本発明の一実施形態のウェハの識別方法を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図６】 従来のウェハを示す平面図である。
１ ウェハ １ａ 裏面 ２ オリエンテーションフラット ３ 識別コード １１ ウェハ １１ａ 外周面 １２ Ｖノッチ １３ 識別コード（符号列） ２１ レーザ照射装置 ２２ レーザ光 ２３ 塗料噴出装置 ２４ 塗料噴出口 ２５ 塗料 ３１ カセット ３２ レーザビーム ３３ レーザ読み取り装置（読み取り手段）
Claims (4)
- 【請求項１】 外周面に、その特定位置から特定方向に
沿って符号列を形成してなることを特徴とするウェハ。 - 【請求項２】 請求項１記載のウェハを識別する方法で
あって、 前記ウェハに形成された符号列を、特定位置から特定方
向に沿って順次読み取り、前記符号列により前記ウェハ
の識別を行うことを特徴とするウェハの識別方法。 - 【請求項３】 請求項１記載のウェハを識別する装置で
あって、 前記ウェハに形成された符号列を特定位置から特定方向
に沿って順次読み取る読み取り手段を備えたことを特徴
とするウェハの識別装置。 - 【請求項４】 前記読み取り手段に、読み取った符号列
に基づき前記ウェハを他のウェハと識別する識別手段を
設けたことを特徴とする請求項３記載のウェハの識別装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13561598A JPH11329915A (ja) | 1998-05-18 | 1998-05-18 | ウェハとその識別方法及びその識別装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13561598A JPH11329915A (ja) | 1998-05-18 | 1998-05-18 | ウェハとその識別方法及びその識別装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11329915A true JPH11329915A (ja) | 1999-11-30 |
Family
ID=15155958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13561598A Pending JPH11329915A (ja) | 1998-05-18 | 1998-05-18 | ウェハとその識別方法及びその識別装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11329915A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6420792B1 (en) * | 1999-09-24 | 2002-07-16 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor wafer edge marking |
| US6777820B2 (en) * | 1999-01-28 | 2004-08-17 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Semiconductor wafer |
| JP2006527922A (ja) * | 2003-06-19 | 2006-12-07 | ブルックス オートメーション インコーポレイテッド | エッジをベースにした識別機能を有する半導体ウエハ |
-
1998
- 1998-05-18 JP JP13561598A patent/JPH11329915A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6777820B2 (en) * | 1999-01-28 | 2004-08-17 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Semiconductor wafer |
| US6420792B1 (en) * | 1999-09-24 | 2002-07-16 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor wafer edge marking |
| US6710364B2 (en) | 1999-09-24 | 2004-03-23 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor wafer edge marking |
| JP2006527922A (ja) * | 2003-06-19 | 2006-12-07 | ブルックス オートメーション インコーポレイテッド | エッジをベースにした識別機能を有する半導体ウエハ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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