JPH06232016A - 半導体集積回路の形成方法と前記方法により形成されたウェーハ - Google Patents
半導体集積回路の形成方法と前記方法により形成されたウェーハInfo
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- JPH06232016A JPH06232016A JP5344610A JP34461093A JPH06232016A JP H06232016 A JPH06232016 A JP H06232016A JP 5344610 A JP5344610 A JP 5344610A JP 34461093 A JP34461093 A JP 34461093A JP H06232016 A JPH06232016 A JP H06232016A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェーハが形成されるべき半導体インゴット
の表面に汚染、あるいはゴミの付着しない識別記号を記
録する方法を提供するものである。 【構成】 本発明は、半導体インゴット11またはウエ
ーハ25に、その端部13に複数のノッチ23を設ける
ことを特徴とする。
の表面に汚染、あるいはゴミの付着しない識別記号を記
録する方法を提供するものである。 【構成】 本発明は、半導体インゴット11またはウエ
ーハ25に、その端部13に複数のノッチ23を設ける
ことを特徴とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の形成
方法に関する。
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】現在の半導体集積回路の形成方法におい
ては、ウェーハが切り出される前の半導体インゴットに
様々な識別記号を付している。このような識別記号は半
導体の製造工程において、半導体のインゴットの特徴を
保持し、明らかにするために必要なものである。しか
し、このような半導体インゴットの表面に記録される識
別記号は、その製造工程において、ゴミや他の汚染物を
集める原因となる。そして、この識別記号にゴミの付着
した半導体ウェーハは、その上に形成される集積回路の
不良の原因となり、識別記号の形成方法が問題であっ
た。
ては、ウェーハが切り出される前の半導体インゴットに
様々な識別記号を付している。このような識別記号は半
導体の製造工程において、半導体のインゴットの特徴を
保持し、明らかにするために必要なものである。しか
し、このような半導体インゴットの表面に記録される識
別記号は、その製造工程において、ゴミや他の汚染物を
集める原因となる。そして、この識別記号にゴミの付着
した半導体ウェーハは、その上に形成される集積回路の
不良の原因となり、識別記号の形成方法が問題であっ
た。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ウェ
ーハが形成されるべき半導体インゴットの表面に汚染、
あるいはゴミの付着しない識別記号を記録する方法を提
供するものである。
ーハが形成されるべき半導体インゴットの表面に汚染、
あるいはゴミの付着しない識別記号を記録する方法を提
供するものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体インゴ
ット11または、ウェーハ25に、その端部13に複数
のノッチ23を設けることを特徴とする。
ット11または、ウェーハ25に、その端部13に複数
のノッチ23を設けることを特徴とする。
【0005】
【実施例】半導体ウェーハの端部に複数のノッチを設け
ることにより、半導体ウェーハを識別しようとするもの
である。この複数のノッチは、レーザ等によるバーコー
ドリーダで読みとられるバーコードに類似するものであ
る。本発明の端部にノッチを設ける方法は、ウェーハの
表面上に付着するゴミ等が比較的少ない。
ることにより、半導体ウェーハを識別しようとするもの
である。この複数のノッチは、レーザ等によるバーコー
ドリーダで読みとられるバーコードに類似するものであ
る。本発明の端部にノッチを設ける方法は、ウェーハの
表面上に付着するゴミ等が比較的少ない。
【0006】図1において、半導体インゴット11は平
面13を有する。スクライバ15は一連の平行カッタ1
7を所定の間隔で有し、半導体インゴット11の平面1
3にノッチ23を形成する。別法として、平行カッタ1
7は、半導体インゴット11の平面13にノッチを形成
するに適したレーザでも良い。
面13を有する。スクライバ15は一連の平行カッタ1
7を所定の間隔で有し、半導体インゴット11の平面1
3にノッチ23を形成する。別法として、平行カッタ1
7は、半導体インゴット11の平面13にノッチを形成
するに適したレーザでも良い。
【0007】一般的に、従来ウェーハは、超音波ダイヤ
モンドスクライバ、またはレーザスクライバを用いて、
ロット番号を刻印していた。この刻印はウェーハの研磨
表面に形成されて、ウェーハを反転する(裏返す)こと
なく、観察可能であった。前述したようにウェーハの研
磨表面に刻印することは、ゴミを捕獲する原因となり、
好ましくない汚染が発生して歩留まりが悪くなる原因と
なっていた。
モンドスクライバ、またはレーザスクライバを用いて、
ロット番号を刻印していた。この刻印はウェーハの研磨
表面に形成されて、ウェーハを反転する(裏返す)こと
なく、観察可能であった。前述したようにウェーハの研
磨表面に刻印することは、ゴミを捕獲する原因となり、
好ましくない汚染が発生して歩留まりが悪くなる原因と
なっていた。
【0008】図2にウェーハ25の平面13の上に刻印
されたノッチ23が示されている。図1と2とは、平行
カッタ17がノッチ23を形成しているが、歯217が
平面13に係合しないと、平滑領域500がそのまま保
持される。
されたノッチ23が示されている。図1と2とは、平行
カッタ17がノッチ23を形成しているが、歯217が
平面13に係合しないと、平滑領域500がそのまま保
持される。
【0009】図3に示すように、各ノッチ23の深さ1
8は、500μmで、幅19は、100μmである。隣
接するノッチ23のスペース21は、1000μmであ
る。幅28はウェーハ25の厚みとなる。すなわち、5
インチ(約10センチ)の直径のウェーハでは、約50
0μmである。上記の寸法は、スポットサイズが約0.
2μmの現在のバーコードスキャナでは検知可能な大き
さである。平面13の1インチの長さに、25本のバー
(ノッチ23)が形成でき、これは225、すなわち、
7.4×1010の情報の組み合わせが可能である。この
ノッチ23は、図1の半導体インゴット11からウェー
ハ25が切り出される前に形成してもよい。円形の半導
体インゴット11に平面13が形成されると、その後、
平行カッタ17が半導体インゴット11の軸方向に沿っ
て、ノッチ23を形成する。
8は、500μmで、幅19は、100μmである。隣
接するノッチ23のスペース21は、1000μmであ
る。幅28はウェーハ25の厚みとなる。すなわち、5
インチ(約10センチ)の直径のウェーハでは、約50
0μmである。上記の寸法は、スポットサイズが約0.
2μmの現在のバーコードスキャナでは検知可能な大き
さである。平面13の1インチの長さに、25本のバー
(ノッチ23)が形成でき、これは225、すなわち、
7.4×1010の情報の組み合わせが可能である。この
ノッチ23は、図1の半導体インゴット11からウェー
ハ25が切り出される前に形成してもよい。円形の半導
体インゴット11に平面13が形成されると、その後、
平行カッタ17が半導体インゴット11の軸方向に沿っ
て、ノッチ23を形成する。
【0010】図3において、ノッチ23は、コーナー5
1付近では滑らかにしておくことが望ましい。機械的な
研磨を施して、深さ18、スペース21、幅19を平滑
にして、図4に示すように、側面171、スペース12
1、溝119のように形成してもよい。別法として、図
4に示すような平滑なコーナーを有するノッチ23は、
そのような形状を有する平行カッタ17で形成してもよ
い。
1付近では滑らかにしておくことが望ましい。機械的な
研磨を施して、深さ18、スペース21、幅19を平滑
にして、図4に示すように、側面171、スペース12
1、溝119のように形成してもよい。別法として、図
4に示すような平滑なコーナーを有するノッチ23は、
そのような形状を有する平行カッタ17で形成してもよ
い。
【0011】前述の端部にノッチ23が形成されたウェ
ーハ25は、その後の様々な製造工程において、現在市
販されているバーコードスキャナでもって読み取ること
ができる。
ーハ25は、その後の様々な製造工程において、現在市
販されているバーコードスキャナでもって読み取ること
ができる。
【0012】本発明のようにウェーハの端部にノッチ2
3を形成する点の問題点としては、オペレータが直接そ
の溝の形状を読み取ることができない点である。今後半
導体の製造プロセスの様々な場所において、バーコード
リーダを配置することにより、ウェーハの識別記号を読
みとることができる。本発明の方法は、ウェーハに膨大
な量の情報を刻印することができる点である。また、別
の例としては、平面13の上に刻印することは必ずしも
必要ではなく、エッジ27の円筒上の表面に刻印するこ
とも可能である。この刻印領域を結晶軸と予め適合させ
ることにより、平面あるいは他の軸構造を使用すること
は必要なくなる。
3を形成する点の問題点としては、オペレータが直接そ
の溝の形状を読み取ることができない点である。今後半
導体の製造プロセスの様々な場所において、バーコード
リーダを配置することにより、ウェーハの識別記号を読
みとることができる。本発明の方法は、ウェーハに膨大
な量の情報を刻印することができる点である。また、別
の例としては、平面13の上に刻印することは必ずしも
必要ではなく、エッジ27の円筒上の表面に刻印するこ
とも可能である。この刻印領域を結晶軸と予め適合させ
ることにより、平面あるいは他の軸構造を使用すること
は必要なくなる。
【0013】
【発明の効果】以上述べたように、ウェーハの端面にノ
ッチを形成し、それをバーコードリーダで読み取ること
により、ウェーハに関する様々な情報を記録し、読み出
すことができる。
ッチを形成し、それをバーコードリーダで読み取ること
により、ウェーハに関する様々な情報を記録し、読み出
すことができる。
【図1】本発明の一実施例によって半導体インゴットが
マークされる状態を表した斜視図である。
マークされる状態を表した斜視図である。
【図2】図1の半導体インゴットを横方向に切断した半
導体ウェーハを表す斜視図である。
導体ウェーハを表す斜視図である。
【図3】図2の半導体ウェーハの部分拡大図である。
【図4】図3の半導体ウェーハの部分拡大図に相当する
本発明の他の実施例を表す図である。
本発明の他の実施例を表す図である。
11 半導体インゴット 13 平面 15 スクライバ 17 平行カッタ 18 深さ 19 幅 21 スペース 23 ノッチ 25 ウェーハ 27 エッジ 217 歯 500 平滑領域
Claims (5)
- 【請求項1】 ウェーハ(25)のエッジ(27)に複
数のノッチ(23)を形成するステップを含むことを特
徴とする半導体集積回路の形成方法。 - 【請求項2】 前記ノッチ(23)は、識別情報を含み
前記識別情報を読み出すステップをさらに含むことを特
徴とする請求項1の方法。 - 【請求項3】 前記ノッチ(23)は、約2μmの幅と
20μmの深さを有することを特徴とする請求項1の方
法。 - 【請求項4】 半導体インゴット(11)の周囲に形成
された平面(13)に複数のノッチ(23)を形成する
ステップと、 前記半導体インゴット(11)をウェーハに切断するス
テップと、 からなることを特徴とする半導体集積回路の形成方法。 - 【請求項5】 ノッチ(23)が形成されたエッジ(2
7)を有することを特徴とするウェーハ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US99645692A | 1992-12-24 | 1992-12-24 | |
US996456 | 1992-12-24 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06232016A true JPH06232016A (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=25542949
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5344610A Pending JPH06232016A (ja) | 1992-12-24 | 1993-12-20 | 半導体集積回路の形成方法と前記方法により形成されたウェーハ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0604061A1 (ja) |
JP (1) | JPH06232016A (ja) |
KR (1) | KR940016739A (ja) |
TW (1) | TW230262B (ja) |
Cited By (4)
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JP2008294365A (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
KR20190039007A (ko) * | 2017-10-02 | 2019-04-10 | 가부시기가이샤 디스코 | 육방정 단결정 잉곳 및 웨이퍼의 가공 방법 |
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KR0147672B1 (ko) * | 1995-11-30 | 1998-08-01 | 김광호 | 웨이퍼를 용이하게 구별하기 위한 라벨 |
US9640486B2 (en) | 2007-06-13 | 2017-05-02 | Conergy Ag | Ingot marking for solar cell determination |
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CN103489752A (zh) * | 2013-09-26 | 2014-01-01 | 中国科学院半导体研究所 | 截面为多边形的晶棒及衬底片表面取向的标识方法 |
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-
1993
- 1993-12-08 TW TW082110382A patent/TW230262B/zh active
- 1993-12-08 EP EP93309852A patent/EP0604061A1/en not_active Withdrawn
- 1993-12-20 JP JP5344610A patent/JPH06232016A/ja active Pending
- 1993-12-22 KR KR1019930028975A patent/KR940016739A/ko not_active Application Discontinuation
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JP2019067944A (ja) * | 2017-10-02 | 2019-04-25 | 株式会社ディスコ | インゴット及びウェーハの加工方法 |
TWI815819B (zh) * | 2017-10-02 | 2023-09-21 | 日商迪思科股份有限公司 | 晶圓的加工方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR940016739A (ko) | 1994-07-25 |
EP0604061A1 (en) | 1994-06-29 |
TW230262B (ja) | 1994-09-11 |
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