JPH11317331A - 高表面積フォイル電極の製造法 - Google Patents
高表面積フォイル電極の製造法Info
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- 239000011888 foil Substances 0.000 title abstract description 58
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 71
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 71
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 51
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 51
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 41
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 27
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 21
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 53
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 13
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 9
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 8
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 39
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 19
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- -1 hydroxide ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001379910 Ephemera danica Species 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000002902 bimodal effect Effects 0.000 description 2
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 description 2
- IQVNEKKDSLOHHK-FNCQTZNRSA-N (E,E)-hydramethylnon Chemical compound N1CC(C)(C)CNC1=NN=C(/C=C/C=1C=CC(=CC=1)C(F)(F)F)\C=C\C1=CC=C(C(F)(F)F)C=C1 IQVNEKKDSLOHHK-FNCQTZNRSA-N 0.000 description 1
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- 229910018173 Al—Al Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011299 Brassica oleracea var botrytis Nutrition 0.000 description 1
- 240000003259 Brassica oleracea var. botrytis Species 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical group [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001676573 Minium Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000153 supplemental effect Effects 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/081—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5806—Thermal treatment
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5846—Reactive treatment
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- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
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- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
- H01L28/82—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
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- Y10T29/00—Metal working
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
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Abstract
大させる。 【解決手段】 電解コンデンサのフォイル電極の表面積
を増大させる方法。バルブ金属は、不活性ガスの圧力よ
りも大きさが1〜2程度低い圧力の酸素を含む低圧不活
性雰囲気内でバルブ金属フォイル上に蒸着される。その
結果得られる表面は、フラクタル状となる。そのように
処理されたフォイルは、陰極などの使用に適している。
陽極を製造するための陽極酸化前に、バルブ金属酸化物
の不連続層がフォイル上に蒸着されて、フラクタル状表
面の高表面積を保護する、あるいは金属フォイルとのそ
の界面が高表面積を有する誘電体被膜の形成を促進させ
る。
Description
の電極、厳密には、表面積を増大させた、そのような電
極、特に陽極および陰極を製造する方法、およびそのよ
うに製造されたそれらの電極に関する。
属質で、他方のプレートが電解質であるコンデンサであ
る。2つのプレート間に介在するのは、金属プレート上
の表面酸化被膜から成る誘電体である。従来、誘電体被
膜がその上に形成される金属プレートは、陽極と呼ば
れ、この用語「陽極」は、ここでは金属プレートそれ自
体と、誘電体被膜を有する金属プレートとの両方を指す
ように使用される。どのような意味の「陽極」が意図さ
れるかはその状況から明白となろう。電解質内のイオン
伝導と外部回路内の電子伝導との間の遷移は、ここでは
陰極と呼ばれる第2の金属プレートによって提供され
る。陽極および陰極は、ここでは集合的に電極と呼ばれ
る。
なわち、酸化されると、陰極として使用される場合には
電流を通すことができるが、陽極として使用される場合
にはその電流の流れを妨害する金属である。バルブ金属
の例は、マグネシウム、トリウム、カドミウム、タング
ステン、スズ、鉄、銀、シリコン、タンタル、チタニウ
ム、アルミニウム、ジルコニウム、およびニオブを含
む。
合、電解コンデンサの静電容量はその2つのプレートの
表面積に比例する。従来、フォイルの表面積はエッチン
グにより増大される。非常に薄いフォイルの場合では、
これはフォイルを機械的に弱くし、高速巻き取りによっ
て電解コンデンサを製造するのが難しくなる欠点があ
る。
増大させるために提案されている。米国特許第4,970,62
6号のカキノキ(Kakinoki)その外は、粗い柱状構造体
のチタニウム表面を造るために、ある角度をなして、ア
ルミニウムフォイル上にチタニウムの真空蒸着を行う方
法を報告する。フォイル電極の表面積を増大させるこの
方法の欠点は、2つの金属を扱わなければならない追加
的費用、および金属間電位に関連した安定性の減少を含
む。米国特許第4,309,810号のドレーク(Drake)は、フォ
イル基材上への低角度での金属蒸気の真空蒸着法を教示
し、柱状構造体にするためにアルミニウム上にアルミニ
ウムを蒸着させる例を示す。ドレークのフォイルは、電
解コンデンサに使用するには脆すぎる:すなわち、電解
コンデンサの標準形状である円筒状ロールに巻かれると
壊れることが分かっている。ドイツ特許第4,127,743号
のニューマン(Neumann)その外は、酸化アルミニウム
によって分離されたアルミニウムの柱状表面構造体を与
えるために、低圧力酸素雰囲気内のアルミニウムにアル
ミニウムの真空蒸着を行う方法を報告する。米国特許第
5,431,971号および5,482,743号のアレグレ(Allegret)そ
の外は、低圧力酸化雰囲気下での、アルミニウムと酸化
アルミニウムとの混合物の同時蒸着法をも報告する。こ
のような混合したAl-Al2O3表面は、純粋なアルミニウム
表面よりも機械的に丈夫である;しかしそれらを組み入
れた電解コンデンサは、時間の経過と共に比較的高い抵
抗損失および比較的低い安定度を有することが知られて
いる。さらに、フォイルの表面にアルミニウムと大量の
酸化アルミニウムとの両方が存在すると、次の従来の化
学的または電気化学的処理による安定化と、次のアニー
ルにより構造体を粗くすることとの両方が困難であまり
効率的でないものとなる。
とすると、その電極が陽極として使用されるべきである
場合、その表面は酸化されなければならない。従来、こ
れは電解陽極酸化によって行われ、その中でその電極は
電気化学的電池内で陽極として使用される。この技術に
ついての最近の特許は、グエン(Nguyen)その外の米国特
許第4,537,665号、グエン(Nguyen)その外の米国特許第
4,582,574号、およびキウ(Qiu)の米国特許第5,643,432
号を含む。酸化被膜が厚くなればなるほど、電気コンデ
ンサの静電容量もより低くなるが、誘電体の動作電圧も
より高くなる。高電圧(約100V)用途では、誘電体
層は比較的厚く、微小表面特徴を越えて橋絡する傾向が
あり、陽極の有効表面積を減少させる。
れた陽極の有効表面積を低減する傾向がある。一方の現
象は、陽極酸化工程中に、酸素および水酸化イオンが金
属/誘電体界面から金属に移動すると同時に、金属イオ
ンは金属/誘電体界面から誘電体に移動することであ
る。他方の現象は、金属表面上の尖鋭点が高局部電界を
特徴とし、それは電解法を加速することである。これら
の現象の両方とも、金属/誘電体界面の凹凸を平滑化す
る傾向がある。
電極を造るための改善された方法への広く認められた要
請があり、それらがあったならば大いに有利となろう。
表面積を増大させる方法が提供され、(a)約10-3ト
ル〜約10-2トルの圧力を有する不活性雰囲気内に基材
を配置するステップと、(b)不活性雰囲気下で基材上
にバルブ金属を蒸着させ、基材に表面構造体を与えるス
テップとを含む。
する方法が提供され、(a)基材上に第1のバルブ金属
の酸化物の不連続層を形成するステップと、(b)不連
続層の形成に続いて基材を電解的に陽極酸化させるステ
ップとを含む。
する方法が提供され、(a)バルブ金属とそれらの酸化
物とから成るグループから選択された物質を基材上に蒸
着させるステップであって、(i)その物質がバルブ金
属である場合、バルブ金属の酸化物の被膜を基材上に形
成し、(ii)その物質がバルブ金属の酸化物である場
合、酸化物の被膜を基材上に形成する、蒸着ステップ
と、(b)酸化被膜の形成に続いて基材を電解的に陽極
酸化させるステップとを含む。
体を有するバルブ金属を含む製品が提供される。
導電性基材と、(b)その基材の表面上の、第1のバル
ブ金属の酸化物の、不連続層とを含む。
供され、(a)導電性基材と、(b)2つのモード組織
形態を有する、その基材の表面上の、誘電体被膜とを含
む。
大させることと、任意の基材上に誘電体層を形成するこ
ととに適している。但し、本発明の方法の第1の適用
は、電解コンデンサ用の電極の製造のためであり、本発
明の方法は、ここではこの第1の適用を参考にして例示
される。
ムなどのバルブ金属は、不活性ガスの低圧力雰囲気内、
好ましくは、大きさが1〜2程度だけなおも低い圧力酸
素が存在する中でフォイル表面上に蒸着される。この不
活性ガスは、処理条件下でバルブ金属と反応しない任意
のガスであっても良く、ヘリウムやアルゴンなどの希ガ
スを含む。ここで報告された実験では、バルブ金属はア
ルミニウムであり、不活性ガスは窒素である。
りも大きなフラクタル寸法形状を備えた、フラクタル状
構造体を有する。本発明の範囲は、そのようなフラクタ
ル状表面の構造体を備えたバルブ金属表面または界面を
有する、単にフォイル電極だけでなく、一般に製品をも
含む。この表面の構造体は、本発明のフォイル陰極の場
合のように、製品の表面上にあっても良い。このような
陰極は、同一の内部組成および全体寸法形状の従来技術
の陰極よりも高い静電容量を有する。代わりに、表面の
構造体は、本発明のフォイル陽極、または本発明のフォ
イル陽極の従来の陽極酸化法によって形成されたフォイ
ル陽極のいずれかのフォイル陽極の場合のように、製品
の内部の界面であっても良い。このような陽極の場合、
フラクタル状バルブ金属表面の構造体は、酸化物誘電体
によって覆われる。本発明のフォイル陽極では、フラク
タル状表面構造体は、比較的厚みのある誘電体層を蒸着
させることができ、しかも金属表面の高表面積を保護す
ることができる。
な、材料を除去することによってではなく、材料を付加
することによってバルブ金属フォイルの表面積を増大さ
せるので、本発明は、電解コンデンサ用の電極などの用
途に厚さのより薄いフォイルを使用することができる。
体が、非金属や、絶縁基材をも含む、任意の基材上に形
成される製品を含む。同様に、本発明の範囲は、導電性
重合体から造られた電極などの非金属電極を含む、全て
の適当な電極上へのバルブ金属の蒸着を含む。但し、こ
こで焦点となるのは、バルブ金属フォイルから造られた
電極についてである。
極は、バルブ金属酸化物の、表面層を、好ましくは不連
続表面層をその上に蒸着させることによる陽極酸化の準
備が行われる。フォイル電極の表面が粗い場合、表面上
の鋭い点が酸化物で覆われる程度までそのように蒸着さ
れ、これらの点が次の電解的陽極酸化の表面積低減効果
から単離される。平滑フォイル電極表面上で、または鋭
い点間における粗いフォイル電極表面の平滑部分で、次
の電解的陽極酸化が、蒸着後に露出されたままの表面の
部分で主に起こる、それによって実際に金属/誘電体界
面の面積を増大させる。本発明の範囲は、このように形
成された陽極を含み、これは、その誘電体層が2つのモ
ード組織形態を有するので、従来技術の陽極と区別でき
る:非電解的に形成された、好ましくは不連続層は同種
であるが、電解的に形成された層はその外部表面に向か
って多孔性を増し、これらの孔は主に円筒状であり、そ
の外部表面と垂直をなす。
ましくは、低圧酸素が存在する中でのバルブ金属か、ま
たはバルブ金属酸化物それ自体かのいずれかの、蒸発作
用によって蒸着される。本発明の両態様で、フォイル電
極の金属が、金属または酸化物としてその上に蒸着され
たバルブ金属と同じであることが最も好ましい。随意
に、第2のバルブ金属の酸化物の(好ましくは不連続
の)表面層は、電解的陽極酸化前に第1の表面層上に蒸
着される。
る方法および高表面積の同製品に関するものである。特
に、本発明は、電解コンデンサ用に改善された電極を造
るために使用できる。
の原理および動作は、図および下記の説明を参照してさ
らに理解されよう。
および気体蒸着の技術は、周知技術であり、ここでは反
復して説明しない。例えば、D.M.マトックス(Matto
x)、「Vacuum deposition, reactive evaporation and
gas evaporation」、ASM Handbook、5巻:Surface En
gineering, 1994年、556〜581ページを参
照。任意の適当な方法、例えば、熱抵抗性蒸着、電子ビ
ーム蒸着、およびスパッタリングが、バルブ金属を蒸着
させるために使用されても良い。
力の窒素と2×10-4トル〜5×10-4トルの圧力の酸
素との無水雰囲気内で300℃の温度に保持された純粋
アルミニウムフォイル基材上に、熱抵抗性蒸着によっ
て、蒸着させられた。この蒸着速度は約300Å/sec.
であった。
れたフラクタル状アルミニウム表面の顕微鏡写真であ
る。この表面は、フラクタル状不活性金属表面に対する
米国特許第5,571,158号でボルツ(Bolz)その外によって
報告されたような、カリフラワー状組織を有する。この
「カリフラワーヘッド」は直径が約2ミクロンである。
その「花蕾」は直径が約0.2ミクロンであるので、そ
の表面は、少なくとも0.2ミクロン〜2ミクロンの距
離スケールで自己相似となる。これは表面の外観によっ
て確認される。例えば、黒くて輝いている(鏡のように
反射する)アレグレット(Allegret)その外の電極または
ニューマン(Neumann)その外の電極などの、50%よ
りも高い酸化アルミニウム含有量を有する電極と異な
り、この表面は、ブラックマット(分散的に反射する)
であり、この表面が可視光の波長の長さスケールのフラ
クタル状構造体を有することを示す。
分析である。
2O3の形式であり、69.7%はアルミニウム金属であ
った。
ルミニウムが約3ミクロン〜約6ミクロンの厚さに蒸着
されることが好ましい。酸素圧力の好ましい範囲は、窒
素圧力よりも1〜2程度小さい大きさである。これより
も酸素圧力が小さいと、機械的強度が劣る電極となる。
これよりも酸素圧力が大きいと、余分な酸化アルミニウ
ムがアルミニウム内に含有されるので、静電容量が低い
コンデンサとなる。図2は、アルミニウム蒸着速度の関
数として、および窒素圧力の何分の一で示された、酸素
圧力の関数として、0.002トル〜0.004トルの
窒素圧力下で、そのように造られた陰極の静電容量Cの
等高プロットである。
有するエチレン-グリコールをベースにした電解液内で
測定された。上述のように、これらの陰極は熱抵抗性蒸
着によって作製された。電子ビーム蒸着であれば、より
早い蒸着速度を提供したであろうし、異なる最適処理パ
ラメータを有したであろう。
の片面のみにアルミニウムを蒸着させることによって作
製された。アルミニウムがこれらの基材の両面に蒸着さ
れた場合、静電容量は2倍となっていたであろう。
〜550℃の温度に基材を保持すると、より低い温度で
得られた微細表面よりも誘電過橋絡に対してより耐性の
ある比較的粗い表面を生成する傾向がある。代わりに、
これらの表面は、蒸着に続いて10-4トル〜10-5トル
の減少させた圧力下で350℃〜550℃においてアニ
ールを行うことによって粗くされても良い。このアニー
ル処理は、ニューマンその外の柱状表面の余分なアルミ
ニウムがアニール処理と関連する粗め処理を抑制するの
で、ニューマンの表面よりも本発明のフラクタル状表面
でより効果的となる。それらは、50%よりも多くの酸
化アルミニウムを含むアレグレットその外の表面におけ
るよりも、約30%までの酸化アルミニウムを含む本発
明の表面でより効果的ともなる。
ミニウムよりも高い誘電率を有する、故に電解コンデン
サにより高い静電容量を与える、特にチタニウムやタン
タルなどの他のバルブ金属を基材上に同時蒸着させるた
めに使用されても良いことは容易に理解されよう。
た電極内のバルブ金属基材と、その上に載る誘電体層と
の間の界面の表面積を増大させるのに適用されたときの
本発明の第2の態様の原理を示す。図3Aは、平滑な上
部表面12を有するアルミニウムフォイル10の断面を
概略的に示す。図3Bは、今は界面16の上にある酸化
アルミニウムの誘電体層14を有する、陽極酸化後のフ
ォイル10を示す。誘電体層14はアルミニウムイオン
の外側への移動と酸素イオンの内側への移動との組合せ
によって形成されたので、界面16は元の表面12より
も低い位置のフォイル10内にあるが、この陽極酸化工
程が表面12上で均一に起こるので、界面16は表面1
2の平坦形状を保護する。図3Cは、ギャップ20によ
って分離された酸化アルミニウムの不連続層の領域18
のフォイル10上への蒸着後のフォイル10を示す。図
3Dは、蒸着、および酸化アルミニウムの誘電体層1
4’を形成するための次の陽極酸化後のフォイル10の
示す。陽極酸化は優先的にギャップ20で進むので、フ
ォイル10と層14’との間の界面16’は平坦ではな
い。
本発明の方法によってアルミニウムなどのバルブ金属の
層をその表面上に蒸着させることによって、または従来
の方法で上部表面をエッチングすることによって、凸凹
にされた他のアルミニウムフォイル22を概略的に示
す。バルブ金属酸化物の不連続層は、本発明の方法によ
って表面24に蒸着された。この不連続層は、表面24
に無作為に蒸着された離散的領域26から成る。幾つか
の領域26は、ピーク30などの、ピークを表面24で
覆い、より多くの連続誘電体層が陽極酸化中にフォイル
22内下方に成長する場合に続いて起こる崩壊からこれ
らのピークを保護する。陽極酸化によって形成された層
は、下部障壁部分28と上部部分27との2つの部分を
有する。下部部分28から上部部分27までの垂直有孔
性勾配があり、これらの孔は、主に円筒状で垂直であ
り、大部分は部分27にある。この多孔性勾配は、陽極
酸化された部分27、28と、比較的同種の領域26と
の間の組織的対比となる。この組織的対比は、陽極酸化
前に、不連続酸化被膜を有するフォイルが熱的にアニー
ルされる場合に、高められ、不連続層をより稠密に且つ
強固にする。熱的アニールプロトコルの例は、5×10
-3トルの圧力の純粋酸素下で30分間450℃まで加熱
する。さらに、熱酸化被膜は、「Anodic oxide growth
on Aluminum in the presence of a thin thermal oxid
e layer」、J. Electrochem. Soc.: ELECTROCHEMICAL S
CIENCE AND TECHNOLOGY,132巻、10号、1985年
10月、2319〜2322ページでW.J.バーナード(B
ernard)とS.M.フロリオ(Florio)により説明されるよう
に、領域26間の上、および/または中に形成されても
良い。
て形成された層の厚さに等しいまたはそれよりも僅かに
小さい厚さに蒸着され、陽極酸化された層の障壁部分の
密度および多孔性に匹敵する密度および多孔性を有す
る。このようにして、バルブ金属表面のピーク上に成長
する部分27、28は、図3Eに示されるように、比較
的薄くなる。従来技術におけるように、陽極酸化によっ
て形成された層の厚さは、10〜15Å/Vであり、こ
こでVは形成電圧である。この形成電圧は、最終コンデ
ンサの動作電圧の1.5〜2倍である。
ォイルが、粗い表面構造体の形成を促進するためにアル
ミニウムの蒸着中に上述のように加熱されたことを除い
て例1における場合と同じように作製された。各フォイ
ル上に、酸化アルミニウムの不連続層が、500Å〜
2,000Åの厚さで、0.0015トル〜0.007
トルの酸素圧力において、純粋酸素雰囲気内でアルミニ
ウムの熱抵抗性蒸着によって蒸着された。この蒸着は、
周囲大気での制御できない酸化を回避するために、フォ
イルが作製されたものと同じチャンバ内で行われた。後
者の厚さは、マトックス(Mattox)によって569ページ
に記載されたように測定された。ドライプローブ電極を
用いてフォイルを横切って行う単純な電気抵抗測定値
は、フォイルが電気の横方向の流れ(短絡)に対して無
視できるほどの抵抗を有したことを示し、酸化アルミニ
ウム層がとりわけ不連続であったことを示した。対照し
てみると、酸化アルミニウムが1ミクロンよりも大きな
予想厚さまで蒸着されるフォイルは、本発明の第2の態
様の方法によって造られた1ミクロンの酸化アルミニウ
ム層が連続的であることを示す、ごく僅かな横方向導電
性を有した。酸化雰囲気内でのアルミニウムの蒸着に代
わるものとして、酸化アルミニウムがフォイル10上に
直接蒸着されても良い。酸化アルミニウムなどの難溶解
性酸化物の直接蒸着は、相当する金属の蒸着よりも多く
の熱が必要となる欠点を有する。チタニウム酸化物な
ど、他のバルブ金属が不連続酸化アルミニウム層18の
上に不連続層で蒸着されても良いことは理解されよう。
この補足的蒸着が酸素雰囲気内で第2のバルブ金属を蒸
着することによって行われる場合、好適酸素圧力は、ア
ルミニウム蒸着の場合のように、0.003トル〜0.
007トルである。
れたアルミニウムフォイル陽極のために得られた静電容
量の範囲と対照させて、標準電解的陽極酸化を伴うアル
ミウム酸化物の不連続蒸着を行って、本発明に従って作
製されたアルミニウムフォイル陽極のために得られた静
電容量の範囲を比較する。いずれの場合も、アルミニウ
ムフォイルは、上述のように最初に処理されて、フラク
タル状表面を有するフォイルを作製した。陽極酸化は、
55℃の温度、および5mA/cm2の電流密度においてエ
チレングリコールをベースにした電解液内で実行され
た。約8ボルトよりも高い形成電圧で、本発明に従って
作製された陽極を含むコンデンサは、従来技術の陽極を
含む相当するコンデンサよりも高い静電容量を有した。
きたが、多数の変形、修正、および本発明の他の適用が
実施されても良いことは理解されよう。
した顕微鏡写真である。
顕微鏡写真である。
ニウム蒸着速度に対する静電容量の等高プロットであ
る。
略断面図である。
た図2Aのフォイルの概略断面図である。
図2Aのフォイルの概略断面図である。
である。
後の、粗い表面を有するアルミニウムフォイルの概略断
面図である。
来技術の陽極の静電容量とを比較する。
Claims (44)
- 【請求項1】 基材の表面積を増大させる方法であっ
て、 (a)約10-3トル〜約10-2トルの圧力を有する不活
性雰囲気内に前記基材を配置するステップと、 (b)前記基材に表面構造体を与えるために、前記不活
性雰囲気下で前記基材上にバルブ金属を蒸着させるステ
ップと、を含む方法。 - 【請求項2】 前記不活性雰囲気が窒素を含む請求項1
記載の方法。 - 【請求項3】 前記不活性雰囲気が無水物である請求項
1記載の方法。 - 【請求項4】 (c)前記バルブ金属の前記蒸着前に前
記不活性雰囲気内に酸素を導入するステップをさらに含
む請求項1記載の方法。 - 【請求項5】 前記酸素が前記不活性雰囲気の前記圧力
の多くとも1/10の圧力で前記不活性雰囲気内に導入
される請求項4記載の方法。 - 【請求項6】 前記バルブ金属の前記蒸着中に前記基材
を約350℃〜約550℃に加熱するステップをさらに
含む請求項1記載の方法。 - 【請求項7】 前記バルブ金属がアルミニウムである請
求項1記載の方法。 - 【請求項8】 (c)前記表面構造体を安定化するステ
ップをさらに含む請求項1記載の方法。 - 【請求項9】 (c)前記基材を陽極酸化するステップ
をさらに含む請求項1記載の方法。 - 【請求項10】 基材上に誘電体層を形成する方法であ
って、 (a)前記基材上に第1のバルブ金属の酸化物の不連続
層を形成するステップと、 (b)前記不連続層の前記形成に続いて前記基材を電解
的に陽極酸化するステップと、を含む方法。 - 【請求項11】 前記第1のバルブ金属がアルミニウム
である請求項10記載の方法。 - 【請求項12】 前記不連続層の前記形成が酸化雰囲気
内で前記第1のバルブ金属を前記基板上に蒸着させるこ
とによって行われる請求項10記載の方法。 - 【請求項13】 前記酸化雰囲気が約0.0015トル
〜0.007トルの圧力の酸素を含む請求項12記載の
方法。 - 【請求項14】 前記不連続層の前記形成が前記酸化物
を前記基材上に直接蒸着させることによって行われる請
求項10記載の方法。 - 【請求項15】 (c)前記陽極酸化前に前記不連続層
をアニールするステップをさらに含む請求項10記載の
方法。 - 【請求項16】 (c)前記不連続層の前記形成に続い
て前記基材を熱酸化するステップをさらに含む請求項1
0記載の方法。 - 【請求項17】 (c)前記不連続層の前記形成中に前
記基材を約350℃〜約500℃に加熱するステップを
さらに含む請求項10記載の方法。 - 【請求項18】 (c)前記第1のバルブ金属の前記酸
化物の前記不連続層の前記形成に続き、且つ前記陽極酸
化前に、前記基材上の第2のバルブ金属の酸化物の不連
続層を形成するステップをさらに含む請求項10記載の
方法。 - 【請求項19】 前記第2のバルブ金属がチタニウムお
よびタンタルから成るグループから選択される請求項1
8記載の方法。 - 【請求項20】 前記第2のバルブ金属の前記酸化物の
前記不連続層の前記形成が酸化雰囲気内で前記基材上に
前記第2のバルブ金属を蒸着させることによって行われ
る請求項18記載の方法。 - 【請求項21】 前記酸化雰囲気が約0.003トル〜
約0.007トルの圧力の酸素を含む請求項20記載の
方法。 - 【請求項22】 基材上に誘電体層を形成する方法であ
って、 (a)バルブ金属およびその酸化物から成るグループか
ら選択された物質を前記基材上に蒸着させ、 (i)前記基材がバルブ金属である場合、前記基材上に
前記バルブ金属の酸化物の被膜を形成し、 (ii)前記基材がバルブ金属の酸化物である場合、前記
基材上に前記酸化物の被膜を形成する、ステップと、 (b)前記酸化被膜の前記形成に続いて前記基材を電解
的に陽極酸化するステップとを含む、方法。 - 【請求項23】 前記物質がアルミニウムである請求項
22記載の方法。 - 【請求項24】 前記蒸着が酸化雰囲気内で行われる請
求項22記載の方法。 - 【請求項25】 前記酸化雰囲気が約0.003トル〜
約0.007トルの圧力の酸素を含む請求項24記載の
方法。 - 【請求項26】 (c)前記陽極酸化前に前記酸化被膜
をアニールするステップをさらに含む請求項22記載の
方法。 - 【請求項27】 (c)前記酸化被膜の前記形成に続い
て前記基材を熱的に酸化するステップをさらに含む請求
項22記載の方法。 - 【請求項28】 (c)前記蒸着中に約350℃〜約5
50℃に前記基材を加熱するステップをさらに含む請求
項22記載の方法。 - 【請求項29】 フラクタル状表面の構造体を有するバ
ルブ金属を含む製品。 - 【請求項30】 前記表面の構造体が約2ミクロン〜
0.2ミクロンの長さスケールで自己相似となる請求項
29記載の製品。 - 【請求項31】 前記バルブ金属がアルミニウムである
請求項29記載の製品。 - 【請求項32】 請求項29記載の製品を含むコンデン
サ。 - 【請求項33】 請求項29記載の製品を含む陽極酸化
された電極。 - 【請求項34】 電極であって、 (a)導電性基材と、 (b)前記基材の表面上の、第1のバルブ金属の酸化物
の、不連続層と、を含む電極。 - 【請求項35】 前記導電性基材が第2のバルブ金属を
含む請求項34記載の電極。 - 【請求項36】 前記第1および第2のバルブ金属が同
一である請求項35記載の電極。 - 【請求項37】 前記バルブ金属がアルミニウムである
請求項36記載の電極。 - 【請求項38】 陽極酸化された電極であって、 (a)導電性基材と、 (b)2つのモード組織形態を有する、前記基材の表面
上の、誘電体被膜と、を含む、電極。 - 【請求項39】 前記誘電体被膜が第1のバルブ金属の
酸化物を含む請求項38記載の電極。 - 【請求項40】 前記導電性基材が第2のバルブ金属を
含む請求項38記載の電極。 - 【請求項41】 前記第1および第2のバルブ金属が同
一である請求項40記載の電極。 - 【請求項42】 前記バルブ金属がアルミニウムである
請求項41記載の電極。 - 【請求項43】 前記誘電体被膜が第2の組織形態の連
続層内に埋め込まれた第1の組織形態の複数の領域を含
む請求項38記載の電極。 - 【請求項44】 前記領域が前記機材と接触している請
求項43記載の電極。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/033,664 US6287673B1 (en) | 1998-03-03 | 1998-03-03 | Method for producing high surface area foil electrodes |
US09/033664 | 1998-03-03 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11317331A true JPH11317331A (ja) | 1999-11-16 |
JP3746627B2 JP3746627B2 (ja) | 2006-02-15 |
Family
ID=21871724
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP05376599A Expired - Fee Related JP3746627B2 (ja) | 1998-03-03 | 1999-03-02 | 高表面積フォイル電極の製造法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US6287673B1 (ja) |
EP (1) | EP0940828B1 (ja) |
JP (1) | JP3746627B2 (ja) |
DE (1) | DE69939916D1 (ja) |
IL (1) | IL128430A (ja) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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