JPH1129794A - 電子材料用洗浄水、その製造方法及び電子材料の洗浄方法 - Google Patents
電子材料用洗浄水、その製造方法及び電子材料の洗浄方法Info
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- JPH1129794A JPH1129794A JP19778297A JP19778297A JPH1129794A JP H1129794 A JPH1129794 A JP H1129794A JP 19778297 A JP19778297 A JP 19778297A JP 19778297 A JP19778297 A JP 19778297A JP H1129794 A JPH1129794 A JP H1129794A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】微粒子により汚染された半導体用シリコーン基
板、液晶用ガラス基板などの電子材料を、使用する薬剤
の量が少なく、しかも効率よく高い汚染物除去率で洗浄
することができる電子材料用洗浄水を提供する。 【解決手段】(１)溶存水素濃度が０.７mg／リットル以
上飽和濃度以下であり、pHが６〜１２である超純水から
なることを特徴とする電子材料用洗浄水、(２)超純水を
脱気し、ガス透過膜を介して水素ガスを供給するととも
に、アルカリを添加することを特徴とする該電子材料用
洗浄水の製造方法、及び、(３)微粒子で汚染された電子
材料を、該電子材料用洗浄水と超音波を照射しながら接
触させることを特徴とする電子材料の洗浄方法。
板、液晶用ガラス基板などの電子材料を、使用する薬剤
の量が少なく、しかも効率よく高い汚染物除去率で洗浄
することができる電子材料用洗浄水を提供する。 【解決手段】(１)溶存水素濃度が０.７mg／リットル以
上飽和濃度以下であり、pHが６〜１２である超純水から
なることを特徴とする電子材料用洗浄水、(２)超純水を
脱気し、ガス透過膜を介して水素ガスを供給するととも
に、アルカリを添加することを特徴とする該電子材料用
洗浄水の製造方法、及び、(３)微粒子で汚染された電子
材料を、該電子材料用洗浄水と超音波を照射しながら接
触させることを特徴とする電子材料の洗浄方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子材料用洗浄水
に関する。さらに詳しくは、本発明は、微粒子により汚
染された半導体用シリコーン基板、液晶用ガラス基板な
どの電子材料を、使用する薬剤の量が少なく、超音波を
用いて、しかも効率よく高い汚染物除去率で洗浄するこ
とができる電子材料用洗浄水に関する。
に関する。さらに詳しくは、本発明は、微粒子により汚
染された半導体用シリコーン基板、液晶用ガラス基板な
どの電子材料を、使用する薬剤の量が少なく、超音波を
用いて、しかも効率よく高い汚染物除去率で洗浄するこ
とができる電子材料用洗浄水に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＳＩ製造工程における半導体表
面などの洗浄は、主として、濃アンモニア水又は濃塩酸
と、過酸化水素水と超純水とを混合して調製した溶液に
半導体を浸漬した後に超純水ですすぐ、いわゆるＲＣＡ
洗浄法によって行われてきた。ＲＣＡ洗浄法は、半導体
表面の金属分を除去するために有効な方法であるが、同
時に半導体表面に付着した微粒子も除去される。しか
し、このような方法では、高濃度の酸、アルカリや過酸
化水素を多量に使用するために、廃液中にこれらの薬品
が排出され、廃水処理において中和や沈殿処理などに多
大な負担がかかるとともに、多量の汚泥が発生する。す
なわち、半導体基板表面の清浄度を確保するために、薬
品及び廃液処理に多大な費用を必要としていた。このた
め、洗浄効率を落とすことなく、薬品使用量を低減する
ことができる洗浄方法が求められていた。
面などの洗浄は、主として、濃アンモニア水又は濃塩酸
と、過酸化水素水と超純水とを混合して調製した溶液に
半導体を浸漬した後に超純水ですすぐ、いわゆるＲＣＡ
洗浄法によって行われてきた。ＲＣＡ洗浄法は、半導体
表面の金属分を除去するために有効な方法であるが、同
時に半導体表面に付着した微粒子も除去される。しか
し、このような方法では、高濃度の酸、アルカリや過酸
化水素を多量に使用するために、廃液中にこれらの薬品
が排出され、廃水処理において中和や沈殿処理などに多
大な負担がかかるとともに、多量の汚泥が発生する。す
なわち、半導体基板表面の清浄度を確保するために、薬
品及び廃液処理に多大な費用を必要としていた。このた
め、洗浄効率を落とすことなく、薬品使用量を低減する
ことができる洗浄方法が求められていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、微粒子によ
り汚染された半導体用シリコーン基板、液晶用ガラス基
板などの電子材料を、使用する薬剤の量が少なく、しか
も効率よく高い汚染物除去率で洗浄することができる電
子材料用洗浄水を提供することを目的としてなされたも
のである。
り汚染された半導体用シリコーン基板、液晶用ガラス基
板などの電子材料を、使用する薬剤の量が少なく、しか
も効率よく高い汚染物除去率で洗浄することができる電
子材料用洗浄水を提供することを目的としてなされたも
のである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、水素ガスを溶解
したアルカリ性の超純水が、微粒子で汚染された電子材
料の洗浄に極めて有効であることを見いだし、この知見
に基づいて本発明を完成するに至った。すなわち、本発
明は、（１）溶存水素濃度が０.７mg／リットル以上飽
和濃度以下であり、pHが６〜１２である超純水からなる
ことを特徴とする電子材料用洗浄水、（２）超純水を脱
気し、ガス透過膜を介して水素ガスを供給するととも
に、アルカリを添加することを特徴とする第(１)項記載
の電子材料用洗浄水の製造方法、及び、（３）微粒子で
汚染された電子材料を、第(１)項記載の電子材料用洗浄
水と超音波を照射しながら接触させることを特徴とする
電子材料の洗浄方法、を提供するものである。
題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、水素ガスを溶解
したアルカリ性の超純水が、微粒子で汚染された電子材
料の洗浄に極めて有効であることを見いだし、この知見
に基づいて本発明を完成するに至った。すなわち、本発
明は、（１）溶存水素濃度が０.７mg／リットル以上飽
和濃度以下であり、pHが６〜１２である超純水からなる
ことを特徴とする電子材料用洗浄水、（２）超純水を脱
気し、ガス透過膜を介して水素ガスを供給するととも
に、アルカリを添加することを特徴とする第(１)項記載
の電子材料用洗浄水の製造方法、及び、（３）微粒子で
汚染された電子材料を、第(１)項記載の電子材料用洗浄
水と超音波を照射しながら接触させることを特徴とする
電子材料の洗浄方法、を提供するものである。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明の電子材料用洗浄水は、溶
存水素濃度が０.７mg／リットル以上飽和濃度以下であ
り、pHが６〜１２である超純水からなる洗浄水である。
本発明の電子材料用洗浄水により洗浄することができる
電子材料としては、例えば、半導体用シリコン基板、液
晶用ガラス基板、精密電子部品、これらの製造装置の部
品などを挙げることができる。本発明に用いる超純水の
製造方法には特に制限はなく、例えば、脱イオン水、蒸
留水などの１次純水を、逆浸透膜、限外ろ過膜、精密ろ
過膜などを用いて処理することによって得ることができ
る。本発明に用いる超純水は、２５℃における電気抵抗
率が１８ＭΩ・cm以上であり、有機体炭素が１０μｇ／
リットル以下であり、微粒子が１０,０００個／／リッ
トル以下であることが好ましい。図１は、本発明の電子
材料用洗浄水の製造工程の一態様の工程系統図である。
超純水は、流量計１を経由して脱気膜装置２に送られ
る。脱気膜装置は、ガス透過膜を介して超純水と接する
気相側が真空ポンプ３により減圧状態に保たれ、超純水
中に溶存しているガス分が除去される。脱気された超純
水は、次いで溶解膜装置４に送られる。溶解膜装置にお
いては、水素供給器５から供給された水素ガスが気相側
に送られ、ガス透過膜を介して超純水に供給される。溶
存水素濃度が所定の値に達した超純水には、薬液貯槽６
から薬注ポンプ７によりアンモニア水などの薬液が供給
され、所定のpH値に調整される。水素を溶解し、アルカ
リ性となった超純水は、最後に精密ろ過装置８に送ら
れ、ＭＦフィルターなどにより微粒子を除去して本発明
の電子材料用洗浄水が得られる。
存水素濃度が０.７mg／リットル以上飽和濃度以下であ
り、pHが６〜１２である超純水からなる洗浄水である。
本発明の電子材料用洗浄水により洗浄することができる
電子材料としては、例えば、半導体用シリコン基板、液
晶用ガラス基板、精密電子部品、これらの製造装置の部
品などを挙げることができる。本発明に用いる超純水の
製造方法には特に制限はなく、例えば、脱イオン水、蒸
留水などの１次純水を、逆浸透膜、限外ろ過膜、精密ろ
過膜などを用いて処理することによって得ることができ
る。本発明に用いる超純水は、２５℃における電気抵抗
率が１８ＭΩ・cm以上であり、有機体炭素が１０μｇ／
リットル以下であり、微粒子が１０,０００個／／リッ
トル以下であることが好ましい。図１は、本発明の電子
材料用洗浄水の製造工程の一態様の工程系統図である。
超純水は、流量計１を経由して脱気膜装置２に送られ
る。脱気膜装置は、ガス透過膜を介して超純水と接する
気相側が真空ポンプ３により減圧状態に保たれ、超純水
中に溶存しているガス分が除去される。脱気された超純
水は、次いで溶解膜装置４に送られる。溶解膜装置にお
いては、水素供給器５から供給された水素ガスが気相側
に送られ、ガス透過膜を介して超純水に供給される。溶
存水素濃度が所定の値に達した超純水には、薬液貯槽６
から薬注ポンプ７によりアンモニア水などの薬液が供給
され、所定のpH値に調整される。水素を溶解し、アルカ
リ性となった超純水は、最後に精密ろ過装置８に送ら
れ、ＭＦフィルターなどにより微粒子を除去して本発明
の電子材料用洗浄水が得られる。
【０００６】本発明において、超純水の脱気及び水素ガ
スの供給に用いるガス透過膜には特に制限はなく、例え
ば、ポリプロピレン、ポリジメチルシロキサン、ポリカ
ーボネート−ポリジメチルシロキサンブロック共重合
体、ポリビニルフェノール−ポリジメチルシロキサン−
ポリスルホンブロック共重合体、ポリ(４−メチルペン
テン−１)、ポリ(２,６−ジメチルフェニレンオキシ
ド)、ポリテトラフルオロエチレンなどの高分子膜など
を挙げることができる。水素ガスの供給方法には特に制
限はなく、例えば、重質油のガス化反応により得られる
合成ガスからの分離、メタノールの接触分解や水蒸気改
質、水の電気分解などを挙げることができる。もちろ
ん、高純度水素ガスボンベを使用してもよい。ガス透過
膜の液体側に脱気した超純水を通過させ、気体側に水素
ガスを供給することにより、水素ガスはガス透過膜を経
由して超純水中に移行する。本発明の電子材料用洗浄水
は、溶存水素濃度が０.７mg／リットル以上飽和濃度以
下である。水素ガスの水への飽和溶解度は、水素ガスと
水蒸気の分圧の合計が７６０mmHgのとき、１０℃におい
ては１.７mg／リットル、２０℃においては１.６mg／リ
ットル、３０℃においては１.５mg／リットル、４０℃
においては１.４mg／リットルである。電子材料用洗浄
水中の溶存水素濃度が０.７mg／リットル未満である
と、微粒子で汚染された電子材料からの微粒子の除去が
不十分となるおそれがある。
スの供給に用いるガス透過膜には特に制限はなく、例え
ば、ポリプロピレン、ポリジメチルシロキサン、ポリカ
ーボネート−ポリジメチルシロキサンブロック共重合
体、ポリビニルフェノール−ポリジメチルシロキサン−
ポリスルホンブロック共重合体、ポリ(４−メチルペン
テン−１)、ポリ(２,６−ジメチルフェニレンオキシ
ド)、ポリテトラフルオロエチレンなどの高分子膜など
を挙げることができる。水素ガスの供給方法には特に制
限はなく、例えば、重質油のガス化反応により得られる
合成ガスからの分離、メタノールの接触分解や水蒸気改
質、水の電気分解などを挙げることができる。もちろ
ん、高純度水素ガスボンベを使用してもよい。ガス透過
膜の液体側に脱気した超純水を通過させ、気体側に水素
ガスを供給することにより、水素ガスはガス透過膜を経
由して超純水中に移行する。本発明の電子材料用洗浄水
は、溶存水素濃度が０.７mg／リットル以上飽和濃度以
下である。水素ガスの水への飽和溶解度は、水素ガスと
水蒸気の分圧の合計が７６０mmHgのとき、１０℃におい
ては１.７mg／リットル、２０℃においては１.６mg／リ
ットル、３０℃においては１.５mg／リットル、４０℃
においては１.４mg／リットルである。電子材料用洗浄
水中の溶存水素濃度が０.７mg／リットル未満である
と、微粒子で汚染された電子材料からの微粒子の除去が
不十分となるおそれがある。
【０００７】本発明の電子材料用洗浄水は、pHが６〜１
２であり、より好ましくはpHが８〜１１である。電子材
料用洗浄水のpH調整のために添加するアルカリには特に
制限はないが、アンモニア水を特に好適に使用すること
ができる。電子材料用洗浄水のpHが６未満であると、微
粒子で汚染された電子材料からの微粒子の除去が不十分
となるおそれがある。電子材料用洗浄水のpHが１２を超
えると、洗浄後のすすぎ工程に多量の超純水と長時間を
要する上に、廃液の中和に必要な酸の量が多くなる。本
発明の電子材料用洗浄水を、微粒子で汚染された電子材
料と接触させる方法には特に制限はなく、微粒子の種
類、粒度、付着量などに応じて適宜選択することができ
る。例えば、微粒子で汚染された電子材料を電子材料用
洗浄水に浸漬してバッチ洗浄することができ、あるい
は、１枚ずつ処理する枚葉式洗浄を行うこともできる。
枚葉式洗浄の方法としては、微粒子で汚染された電子材
料を回転させつつ電子材料用洗浄水を流しかけるスピン
洗浄などが挙げられる。本発明においては、微粒子で汚
染された電子材料の洗浄に際して、電子材料用洗浄水に
超音波を照射する。電子材料用洗浄水に超音波を照射す
る方法には特に制限はなく、例えば、バッチ洗浄におい
ては、電子材料用洗浄水を貯留した槽に超音波の振動を
伝達することができ、スピン洗浄においては、流しかけ
る電子材料用洗浄水のノズル部において、超音波の振動
を伝達することができる。照射する超音波の周波数は、
２０kHz以上であることが好ましく、４００kHz以上であ
ることがより好ましい。超音波の周波数が２０kHz未満
であると、微粒子で汚染された電子材料からの微粒子の
除去が不十分となるおそれがある。被洗浄物表面に損傷
を与えない精密洗浄を行うには、４００kHz以上の、特
に高周波の超音波が望ましい。
２であり、より好ましくはpHが８〜１１である。電子材
料用洗浄水のpH調整のために添加するアルカリには特に
制限はないが、アンモニア水を特に好適に使用すること
ができる。電子材料用洗浄水のpHが６未満であると、微
粒子で汚染された電子材料からの微粒子の除去が不十分
となるおそれがある。電子材料用洗浄水のpHが１２を超
えると、洗浄後のすすぎ工程に多量の超純水と長時間を
要する上に、廃液の中和に必要な酸の量が多くなる。本
発明の電子材料用洗浄水を、微粒子で汚染された電子材
料と接触させる方法には特に制限はなく、微粒子の種
類、粒度、付着量などに応じて適宜選択することができ
る。例えば、微粒子で汚染された電子材料を電子材料用
洗浄水に浸漬してバッチ洗浄することができ、あるい
は、１枚ずつ処理する枚葉式洗浄を行うこともできる。
枚葉式洗浄の方法としては、微粒子で汚染された電子材
料を回転させつつ電子材料用洗浄水を流しかけるスピン
洗浄などが挙げられる。本発明においては、微粒子で汚
染された電子材料の洗浄に際して、電子材料用洗浄水に
超音波を照射する。電子材料用洗浄水に超音波を照射す
る方法には特に制限はなく、例えば、バッチ洗浄におい
ては、電子材料用洗浄水を貯留した槽に超音波の振動を
伝達することができ、スピン洗浄においては、流しかけ
る電子材料用洗浄水のノズル部において、超音波の振動
を伝達することができる。照射する超音波の周波数は、
２０kHz以上であることが好ましく、４００kHz以上であ
ることがより好ましい。超音波の周波数が２０kHz未満
であると、微粒子で汚染された電子材料からの微粒子の
除去が不十分となるおそれがある。被洗浄物表面に損傷
を与えない精密洗浄を行うには、４００kHz以上の、特
に高周波の超音波が望ましい。
【０００８】本発明によれば、微粒子で汚染された電子
材料の洗浄に使用する薬品の量を大幅に減少し、かつ高
い洗浄効果を得ることができ、さらに、電子材料の洗浄
後の廃液処理が容易になる。すなわち、従来の洗浄廃液
は、アンモニアや過酸化水素を大量に含んだ高濃度の状
態で排出されるため、中和処理や分解処理が必要であ
り、廃液処理においても洗浄液の調製に使用したのと同
程度の量の薬品が必要となる。本発明においては、排出
されるのはアルカリを含んだpH６〜１２の液であり、例
えば、少量の酸を加えて中和することにより放流し得る
水質となる。もちろん、超純水の原水として再利用する
こともできる水質である。廃液中に含まれる水素ガスは
微量であり、通常は安全上の問題を生ずることはない
が、使用環境によっては、必要に応じて廃液中に溶存す
る水素ガスを分解することができる。例えば、溶存水素
を含有した水に空気吹き込みなどによって酸素を溶解
し、パラジウム触媒などの存在下において、水素と酸素
の反応により水を生成して、溶存水素を除去することが
できる。
材料の洗浄に使用する薬品の量を大幅に減少し、かつ高
い洗浄効果を得ることができ、さらに、電子材料の洗浄
後の廃液処理が容易になる。すなわち、従来の洗浄廃液
は、アンモニアや過酸化水素を大量に含んだ高濃度の状
態で排出されるため、中和処理や分解処理が必要であ
り、廃液処理においても洗浄液の調製に使用したのと同
程度の量の薬品が必要となる。本発明においては、排出
されるのはアルカリを含んだpH６〜１２の液であり、例
えば、少量の酸を加えて中和することにより放流し得る
水質となる。もちろん、超純水の原水として再利用する
こともできる水質である。廃液中に含まれる水素ガスは
微量であり、通常は安全上の問題を生ずることはない
が、使用環境によっては、必要に応じて廃液中に溶存す
る水素ガスを分解することができる。例えば、溶存水素
を含有した水に空気吹き込みなどによって酸素を溶解
し、パラジウム触媒などの存在下において、水素と酸素
の反応により水を生成して、溶存水素を除去することが
できる。
【０００９】
【実施例】以下に、実施例を挙げて本発明をさらに詳細
に説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限
定されるものではない。 実施例１（電子材料用洗浄水の製造） 図１に示す装置を用いて、電子材料用洗浄水を製造し
た。脱気膜装置、溶解膜装置ともに、ポリプロピレン製
のガス透過膜を備えたものであり、脱気膜装置の気相側
は真空ポンプにより５０Torr以下の減圧とし、溶解膜装
置の気相側には水素ガスを１kg／cm2（ゲージ圧）の圧
力で供給した。この装置に、超純水を７００ml／分で供
給し、薬注ポンプから希釈したアンモニア水を３.５ml
／分で供給した。精密ろ過装置から流出する電子材料用
洗浄水は、溶存水素濃度が１.４２mg／リットルであ
り、pHは１０.６であった。 比較例１ 図１に示す装置の配管を変更し、超純水を脱気膜装置で
脱気することなく、直接溶解膜装置へ送りこんだ以外
は、実施例１と同じ操作を繰り返した。精密ろ過装置か
ら流出する電子材料用洗浄水は、溶存水素濃度が０.６
３mg／リットルであり、pHは１０.６であった。実施例
１と比較例１の結果から、超純水を脱気したのち、ガス
透過膜を介して水素ガスを供給することにより、溶存水
素濃度を０.７mg／リットル以上とし得ることが分か
る。 比較例２ ５０Ａ、４.５Ｖで、流速が３.５リットル／分の条件で
調製した電解カソード水中の溶存水素濃度を測定したと
ころ、０.５５mg／リットルであった。この結果から、
電気分解によっては、溶存水素濃度を０.７mg／リット
ル以上とすることは困難であることが分かる。 実施例２（シリコンウェーハの洗浄） オゾンを含有する超純水で表面を酸化した直径６インチ
のシリコンウェーハを、アルミナ微粉末で汚染すること
により、表面にアルミナの微粒子が付着した汚染ウェー
ハを作製した。この汚染ウェーハについて、レーザー散
乱光検出方式にもとづくウェーハ・ゴミ検出装置［東京
光学機械(株)］により付着微粒子数を測定したところ、
ウェーハ１枚当たり、直径０.２〜０.５μｍの微粒子が
１２,６００個、直径０.５〜１.０μｍの微粒子が３１,
２００個、直径１.０μｍ以上の微粒子が２００個、合
計４４,０００個であった。この汚染ウェーハを５００r
pmで回転させ、実施例１の精密ろ過装置より流出する溶
存水素濃度１.４２mg／リットル、pH１０.６の電子材料
用洗浄水に、超音波照射ノズル［プレテック社、Ｆｉｎ
ｅ Ｊｅｔ］を用いて周波数１.６MHzの超音波を出力１
３.５Ｗ／cm2で照射しつつ、７００ml／分で流しかけ、
６０秒間スピン洗浄を行った。次いで、超純水を用いて
すすぎを行ったのち乾燥した。乾燥後のウェーハ表面の
付着微粒子数を、同様にして測定したところ、ウェーハ
１枚当たり、直径０.２〜０.５μｍの微粒子が４００
個、直径０.５〜１.０μｍの微粒子が３００個、直径
１.０μｍ以上の微粒子が１０個、合計７１０個であ
り、ウェーハ表面の微粒子の除去率は９８.４％であっ
た。 比較例３ 実施例１で得られる電子材料用洗浄水の代わりに、比較
例２で得られる電解カソード水にアンモニア水を添加し
てpHを１０.６に調整した液を洗浄水として用いた以外
は、実施例２と同じ操作を繰り返した。洗浄、乾燥後の
ウェーハ表面の付着微粒子数は、ウェーハ１枚当たり、
直径０.２〜０.５μｍの微粒子が２,１００個、直径０.
５〜１.０μｍの微粒子が１,４００個、直径１.０μｍ
以上の微粒子が１０個、合計３,５１０個であり、ウェ
ーハ表面の微粒子の除去率は９２.０％であった。 比較例４ 実施例１で得られる電子材料用洗浄水の代わりに、超純
水にアンモニア水を添加してpHを１０.６に調整した液
を洗浄水として用い、洗浄時間を３分間とした以外は、
実施例２と同じ操作を繰り返した。洗浄、乾燥後のウェ
ーハ表面の付着微粒子数は、ウェーハ１枚当たり７,９
００個であり、ウェーハ表面の微粒子の除去率は８２.
０％であった。 比較例５ 実施例１で得られる電子材料用洗浄水の代わりに、超純
水をそのまま洗浄水として用い、洗浄時間を３分間とし
た以外は、実施例２と同じ操作を繰り返した。洗浄、乾
燥後のウェーハ表面の付着微粒子数は、ウェーハ１枚当
たり３５,４００個であり、ウェーハ表面の微粒子の除
去率は１９.５％であった。実施例２及び比較例３〜５
の結果を第１表に示す。
に説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限
定されるものではない。 実施例１（電子材料用洗浄水の製造） 図１に示す装置を用いて、電子材料用洗浄水を製造し
た。脱気膜装置、溶解膜装置ともに、ポリプロピレン製
のガス透過膜を備えたものであり、脱気膜装置の気相側
は真空ポンプにより５０Torr以下の減圧とし、溶解膜装
置の気相側には水素ガスを１kg／cm2（ゲージ圧）の圧
力で供給した。この装置に、超純水を７００ml／分で供
給し、薬注ポンプから希釈したアンモニア水を３.５ml
／分で供給した。精密ろ過装置から流出する電子材料用
洗浄水は、溶存水素濃度が１.４２mg／リットルであ
り、pHは１０.６であった。 比較例１ 図１に示す装置の配管を変更し、超純水を脱気膜装置で
脱気することなく、直接溶解膜装置へ送りこんだ以外
は、実施例１と同じ操作を繰り返した。精密ろ過装置か
ら流出する電子材料用洗浄水は、溶存水素濃度が０.６
３mg／リットルであり、pHは１０.６であった。実施例
１と比較例１の結果から、超純水を脱気したのち、ガス
透過膜を介して水素ガスを供給することにより、溶存水
素濃度を０.７mg／リットル以上とし得ることが分か
る。 比較例２ ５０Ａ、４.５Ｖで、流速が３.５リットル／分の条件で
調製した電解カソード水中の溶存水素濃度を測定したと
ころ、０.５５mg／リットルであった。この結果から、
電気分解によっては、溶存水素濃度を０.７mg／リット
ル以上とすることは困難であることが分かる。 実施例２（シリコンウェーハの洗浄） オゾンを含有する超純水で表面を酸化した直径６インチ
のシリコンウェーハを、アルミナ微粉末で汚染すること
により、表面にアルミナの微粒子が付着した汚染ウェー
ハを作製した。この汚染ウェーハについて、レーザー散
乱光検出方式にもとづくウェーハ・ゴミ検出装置［東京
光学機械(株)］により付着微粒子数を測定したところ、
ウェーハ１枚当たり、直径０.２〜０.５μｍの微粒子が
１２,６００個、直径０.５〜１.０μｍの微粒子が３１,
２００個、直径１.０μｍ以上の微粒子が２００個、合
計４４,０００個であった。この汚染ウェーハを５００r
pmで回転させ、実施例１の精密ろ過装置より流出する溶
存水素濃度１.４２mg／リットル、pH１０.６の電子材料
用洗浄水に、超音波照射ノズル［プレテック社、Ｆｉｎ
ｅ Ｊｅｔ］を用いて周波数１.６MHzの超音波を出力１
３.５Ｗ／cm2で照射しつつ、７００ml／分で流しかけ、
６０秒間スピン洗浄を行った。次いで、超純水を用いて
すすぎを行ったのち乾燥した。乾燥後のウェーハ表面の
付着微粒子数を、同様にして測定したところ、ウェーハ
１枚当たり、直径０.２〜０.５μｍの微粒子が４００
個、直径０.５〜１.０μｍの微粒子が３００個、直径
１.０μｍ以上の微粒子が１０個、合計７１０個であ
り、ウェーハ表面の微粒子の除去率は９８.４％であっ
た。 比較例３ 実施例１で得られる電子材料用洗浄水の代わりに、比較
例２で得られる電解カソード水にアンモニア水を添加し
てpHを１０.６に調整した液を洗浄水として用いた以外
は、実施例２と同じ操作を繰り返した。洗浄、乾燥後の
ウェーハ表面の付着微粒子数は、ウェーハ１枚当たり、
直径０.２〜０.５μｍの微粒子が２,１００個、直径０.
５〜１.０μｍの微粒子が１,４００個、直径１.０μｍ
以上の微粒子が１０個、合計３,５１０個であり、ウェ
ーハ表面の微粒子の除去率は９２.０％であった。 比較例４ 実施例１で得られる電子材料用洗浄水の代わりに、超純
水にアンモニア水を添加してpHを１０.６に調整した液
を洗浄水として用い、洗浄時間を３分間とした以外は、
実施例２と同じ操作を繰り返した。洗浄、乾燥後のウェ
ーハ表面の付着微粒子数は、ウェーハ１枚当たり７,９
００個であり、ウェーハ表面の微粒子の除去率は８２.
０％であった。 比較例５ 実施例１で得られる電子材料用洗浄水の代わりに、超純
水をそのまま洗浄水として用い、洗浄時間を３分間とし
た以外は、実施例２と同じ操作を繰り返した。洗浄、乾
燥後のウェーハ表面の付着微粒子数は、ウェーハ１枚当
たり３５,４００個であり、ウェーハ表面の微粒子の除
去率は１９.５％であった。実施例２及び比較例３〜５
の結果を第１表に示す。
【００１０】
【表１】
【００１１】第１表の結果から、本発明の電子材料用洗
浄水を用いて洗浄した汚染ウェーハからは、アルミナの
微粒子が高い除去率で洗浄、除去されているが、電解カ
ソード水にアンモニア水を加えてアルカリ性にした洗浄
水及び超純水にアンモニア水を加えてアルカリ性にした
洗浄水を用いた場合は、微粒子の除去率が低く、単に超
純水をそのまま洗浄水として用いた場合は、除去率が極
端に低くなることが分かる。 実施例３（シリコンウェーハの洗浄） スピン洗浄時間を３０秒間及び３分間とした以外は、実
施例２と同じ操作を繰り返した。洗浄、乾燥後のウェー
ハ表面の付着微粒子数及び微粒子の除去率は、洗浄時間
３０秒間のとき、それぞれ１,４００個、９６.８％であ
り、洗浄時間３分のとき、それぞれ２００個、９９.５
％であった。 比較例６ スピン洗浄時間を３０秒間及び３分間とした以外は、比
較例３と同じ操作を繰り返した。洗浄、乾燥後のウェー
ハ表面の付着微粒子数及び微粒子の除去率は、洗浄時間
３０秒間のとき、それぞれ７,９００個、８２.０％であ
り、洗浄時間３分のとき、それぞれ３,１００個、９３.
０％であった。実施例３及び比較例６の結果に実施例２
及び比較例３の結果を合わせて、洗浄時間と付着微粒子
数及び微粒子の除去率の関係を第２表に示す。
浄水を用いて洗浄した汚染ウェーハからは、アルミナの
微粒子が高い除去率で洗浄、除去されているが、電解カ
ソード水にアンモニア水を加えてアルカリ性にした洗浄
水及び超純水にアンモニア水を加えてアルカリ性にした
洗浄水を用いた場合は、微粒子の除去率が低く、単に超
純水をそのまま洗浄水として用いた場合は、除去率が極
端に低くなることが分かる。 実施例３（シリコンウェーハの洗浄） スピン洗浄時間を３０秒間及び３分間とした以外は、実
施例２と同じ操作を繰り返した。洗浄、乾燥後のウェー
ハ表面の付着微粒子数及び微粒子の除去率は、洗浄時間
３０秒間のとき、それぞれ１,４００個、９６.８％であ
り、洗浄時間３分のとき、それぞれ２００個、９９.５
％であった。 比較例６ スピン洗浄時間を３０秒間及び３分間とした以外は、比
較例３と同じ操作を繰り返した。洗浄、乾燥後のウェー
ハ表面の付着微粒子数及び微粒子の除去率は、洗浄時間
３０秒間のとき、それぞれ７,９００個、８２.０％であ
り、洗浄時間３分のとき、それぞれ３,１００個、９３.
０％であった。実施例３及び比較例６の結果に実施例２
及び比較例３の結果を合わせて、洗浄時間と付着微粒子
数及び微粒子の除去率の関係を第２表に示す。
【００１２】
【表２】
【００１３】第２表の結果から、本発明の電子材料用洗
浄水を用いて洗浄した汚染ウェーハからは、３分間の洗
浄により、アルミナの微粒子はほぼ完全に除去されてい
るが、電解カソード水にアンモニア水を加えてアルカリ
性にした洗浄水を用いた場合は、微粒子の除去率が低
く、しかも除去率が頭打ちになる傾向があり、洗浄時間
を延長しても微粒子の完全な除去は困難であろうと推定
される。
浄水を用いて洗浄した汚染ウェーハからは、３分間の洗
浄により、アルミナの微粒子はほぼ完全に除去されてい
るが、電解カソード水にアンモニア水を加えてアルカリ
性にした洗浄水を用いた場合は、微粒子の除去率が低
く、しかも除去率が頭打ちになる傾向があり、洗浄時間
を延長しても微粒子の完全な除去は困難であろうと推定
される。
【００１４】
【発明の効果】本発明の電子材料用洗浄水は、使用する
薬剤の量が少なく、容易に製造することができ、微粒子
で汚染された電子材料の表面を高い洗浄効率で洗浄して
微粒子を除去することができ、さらに発生する廃液を容
易に処理することができる。
薬剤の量が少なく、容易に製造することができ、微粒子
で汚染された電子材料の表面を高い洗浄効率で洗浄して
微粒子を除去することができ、さらに発生する廃液を容
易に処理することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の電子材料用洗浄水の製造工程
の一態様の工程系統図である。
の一態様の工程系統図である。
１ 流量計 ２ 脱気膜装置 ３ 真空ポンプ ４ 溶解膜装置 ５ 水素供給器 ６ 薬液貯槽 ７ 薬注ポンプ ８ 精密ろ過装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/304 ３４１ Ｈ０１Ｌ 21/304 ３４１Ｍ
Claims (3)
- 【請求項１】溶存水素濃度が０.７mg／リットル以上飽
和濃度以下であり、pHが６〜１２である超純水からなる
ことを特徴とする電子材料用洗浄水。 - 【請求項２】超純水を脱気し、ガス透過膜を介して水素
ガスを供給するとともに、アルカリを添加することを特
徴とする請求項１記載の電子材料用洗浄水の製造方法。 - 【請求項３】微粒子で汚染された電子材料を、請求項１
記載の電子材料用洗浄水と超音波を照射しながら接触さ
せることを特徴とする電子材料の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19778297A JP3940967B2 (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | 電子材料用洗浄水の製造方法及び電子材料の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP19778297A JP3940967B2 (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | 電子材料用洗浄水の製造方法及び電子材料の洗浄方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1129794A true JPH1129794A (ja) | 1999-02-02 |
| JP3940967B2 JP3940967B2 (ja) | 2007-07-04 |
Family
ID=16380269
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| JP19778297A Expired - Fee Related JP3940967B2 (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | 電子材料用洗浄水の製造方法及び電子材料の洗浄方法 |
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|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000306868A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-11-02 | Kurita Water Ind Ltd | 電子材料表面酸化膜の平坦化処理方法 |
| JP2002045806A (ja) * | 2000-08-01 | 2002-02-12 | Kurita Water Ind Ltd | 洗浄装置 |
| US6497240B1 (en) | 1999-04-21 | 2002-12-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ultrasound cleaning device and resist-stripping device |
| US6903015B2 (en) | 2002-03-12 | 2005-06-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a semiconductor device using a wet process |
| US7077915B2 (en) | 1999-05-20 | 2006-07-18 | Renesas Technology Corp. | Method of and apparatus for washing photomask and washing solution for photomask |
| JP4486157B1 (ja) * | 2009-03-13 | 2010-06-23 | ミズ株式会社 | 水素含有生体適用液の製造方法及び製造装置 |
| JP2011147917A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 超音波洗浄方法と超音波洗浄装置、および超音波洗浄に用いる伝播水の製造方法 |
| JP2011177242A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Mizu Kk | 水素含有生体適用液の製造方法及び製造装置 |
| US20170015956A1 (en) * | 2015-07-17 | 2017-01-19 | Nomura Micro Science Co., Ltd. | Washing hydrogen water producing method and producing apparatus |
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| KR101255895B1 (ko) * | 2009-12-10 | 2013-04-17 | 가부시키가이샤 코아테크노로지 | 포화 가스 함유 나노 버블수의 제조 방법 |
-
1997
- 1997-07-08 JP JP19778297A patent/JP3940967B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2000306868A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-11-02 | Kurita Water Ind Ltd | 電子材料表面酸化膜の平坦化処理方法 |
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| KR100483975B1 (ko) * | 1999-04-21 | 2005-04-19 | 샤프 가부시키가이샤 | 초음파 세정장치 및 레지스트 박리장치 |
| US7077915B2 (en) | 1999-05-20 | 2006-07-18 | Renesas Technology Corp. | Method of and apparatus for washing photomask and washing solution for photomask |
| JP4683314B2 (ja) * | 2000-08-01 | 2011-05-18 | 栗田工業株式会社 | 半導体用シリコン基板の洗浄方法 |
| JP2002045806A (ja) * | 2000-08-01 | 2002-02-12 | Kurita Water Ind Ltd | 洗浄装置 |
| US6903015B2 (en) | 2002-03-12 | 2005-06-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a semiconductor device using a wet process |
| US7727891B2 (en) | 2002-03-12 | 2010-06-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a semiconductor device using a wet process |
| JP4486157B1 (ja) * | 2009-03-13 | 2010-06-23 | ミズ株式会社 | 水素含有生体適用液の製造方法及び製造装置 |
| JP2010241787A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-10-28 | Mizu Kk | 水素含有生体適用液の製造方法及び製造装置 |
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| US20170015956A1 (en) * | 2015-07-17 | 2017-01-19 | Nomura Micro Science Co., Ltd. | Washing hydrogen water producing method and producing apparatus |
| US10059911B2 (en) * | 2015-07-17 | 2018-08-28 | Nomura Micro Science Co., Ltd. | Washing hydrogen water producing method and producing apparatus |
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| JP3940967B2 (ja) | 2007-07-04 |
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